一种集成PLC芯片的TO封装结构及光组件的制作方法

文档序号:25030837发布日期:2021-05-11 17:00阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种集成plc芯片的to封装结构,包括to管座、to插针、to管帽、to透镜、半导体制冷器、热沉、半导体激光器以及光电探测器;

半导体制冷器、热沉、半导体激光器以及光电探测器均位于to管帽和to管座构成的腔室内;半导体制冷器的热面与to管座的上表面接触,热沉贴装在半导体制冷器的冷面上;半导体激光器贴装在热沉上;

其特征在于:还包括设置在所述腔室内的plc芯片;

半导体激光器出光口与plc芯片的输入端口耦合;

半导体激光器的大部分出射光通过plc芯片内的第一传输波导传输至输出端口后,由to透镜输出;或者,半导体激光器的大部分出射光通过plc芯片内的第一传输波导传输,再通过反射结构反射后由to透镜输出;

半导体激光器的小部分出射光通过plc芯片内的第二传输波导传输至光电探测器。

2.根据权利要求1所述的集成plc芯片的to封装结构,其特征在于:所述第一传输波导为一条直线波导,或者是一条折弯90°的波导;

第二传输波导是一条折弯90°的波导。

3.根据权利要求1所述的集成plc芯片的to封装结构,其特征在于:所述反射结构为刻蚀在plc芯片内的第一凹槽,第一凹槽的一个槽壁为45°反射面。

4.根据权利要求1所述的集成plc芯片的to封装结构,其特征在于:所述反射结构为plc芯片上相对于第一传输波导的传输方向设置的45°斜面。

5.根据权利要求1所述的集成plc芯片的to封装结构,其特征在于:所述反射结构为设置在plc芯片外部且位于所述腔室内的至少一个45°反射镜。

6.一种光组件,包括两个发射端和两个接收端,其特征在于:其中一个发射端为权利要求1-5任一项所述的集成plc芯片的to封装结构。

7.一种光组件,包括一个发射端和一个接收端,其特征在于:发射端为权利要求1-5任一项所述的集成plc芯片的to封装结构。

8.一种集成plc芯片的to封装结构,包括to管座、to插针、to管帽、to透镜、半导体制冷器、热沉、半导体激光器以及光电探测器;

半导体制冷器、热沉、半导体激光器以及光电探测器均位于to管帽和to管座构成的腔室内;半导体制冷器的热面与to管座的上表面接触,热沉贴装在半导体制冷器的冷面上;半导体激光器贴装在热沉上;

其特征在于:还包括设置在所述腔室内的plc芯片;

半导体激光器出光口与plc芯片的输入端口耦合;

半导体激光器的大部分出射光通过plc芯片内的第一传输波导传输至输出端口后,由to透镜输出;或者,半导体激光器的大部分出射光通过plc芯片内的第一传输波导传输,再通过反射结构反射后由to透镜输出;

所述plc芯片内刻蚀有第二凹槽,第二凹槽的一个槽壁为45°反射面,所述光电探测器设置在第二凹槽开口处;所述半导体激光器的小部分出射光通过plc芯片内的第二传输波导传输,再通过第二凹槽内设置的45°反射面反射后传输至光电探测器。

9.根据权利要求8所述的集成plc芯片的to封装结构,其特征在于:述第一传输波导为一条直线波导,或者是一条折弯90°的波导;

第二传输波导为一条直线波导。

10.根据权利要求8所述的集成plc芯片的to封装结构,其特征在于:所述反射结构为刻蚀在plc芯片内的第一凹槽,第一凹槽的一个槽壁为45°反射面。

11.根据权利要求8所述的集成plc芯片的to封装结构,其特征在于:所述反射结构为plc芯片上相对于第一传输波导的传输方向设置的45°斜面。

12.根据权利要求8所述的集成plc芯片的to封装结构,其特征在于:所述反射结构为设置在plc芯片外部且位于所述腔室内的至少一个45°反射镜。

13.一种光组件,包括两个发射端和两个接收端,其特征在于:其中一个发射端为权利要求8-12任一项所述的集成plc芯片的to封装结构。

14.一种光组件,包括一个发射端和一个接收端,其特征在于:发射端为权利要求8-12任一项所述的集成plc芯片的to封装结构。


技术总结
本发明公开了一种集成PLC芯片的TO封装结构及光组件,该TO封装结构包括TO管座、TO插针、TO管帽、TO透镜、半导体制冷器、热沉、半导体激光器、光电探测器以及PLC芯片;半导体激光器出光口与PLC芯片的输入端口耦合;半导体激光器的大部分出射光通过PLC芯片内的第一传输波导传输至输出端口后,由TO透镜输出;或者,通过PLC芯片内的第一传输波导传输,再通过反射结构反射后由TO透镜输出;半导体激光器的小部分出射光通过PLC芯片内的第二传输波导传输至光电探测器。本发明将PLC芯片集成在TO封装结构内,使TO封装结构具备了直接将半导体激光器发射的光信号进行滤波、色散补偿、消光比提升和分光等功能,大大拓展了TO封装结构的应用场景。

技术研发人员:徐之光;郭菲;范修宏;赵越超
受保护的技术使用者:珠海奇芯光电科技有限公司
技术研发日:2021.01.22
技术公布日:2021.05.11
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