发光器件和电子设备的制作方法

本申请基于在韩国知识产权局于2020年1月30日提交的第10-2020-0011347号韩国专利申请以及于2021年1月28日提交的第10-2021-0011975号韩国专利申请，并要求所述韩国专利申请的优先权，所述韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

一个或更多个实施例涉及一种发光器件以及一种包括该发光器件的电子设备。

背景技术：

发光器件(例如，有机发光器件)可以包括位于基底上的第一电极以及顺序地堆叠在第一电极上的空穴传输区域、发射层、电子传输区域和第二电极。从第一电极提供的空穴可以通过空穴传输区域移向发射层，并且从第二电极提供的电子可以通过电子传输区域移向发射层。载流子(诸如空穴和电子)在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁到基态从而产生光。

技术实现要素：

提供了一种发光器件和一种包括该发光器件的电子设备，所述发光器件具有低驱动电压、优异的外量子效率和改善的寿命特性。

另外的方面将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地通过描述将是明显的，或者可以通过实践所给出的公开的实施例而获知。

根据一方面，提供了一种发光器件，所述发光器件包括：

第一电极；

第二电极，面对第一电极；以及

中间层，布置在第一电极与第二电极之间，并且包括发射层，

其中，发射层包括主体、第一掺杂剂和第二掺杂剂，

主体、第一掺杂剂和第二掺杂剂彼此不同，

第一掺杂剂是磷光掺杂剂，

第二掺杂剂的斯托克斯位移(或斯托克斯的位移)小于或等于15nm，

第一掺杂剂的发射光谱与第二掺杂剂的吸收光谱的光谱重叠积分大于或等于1.5×10¹⁵m^-1cm^-1nm⁴，并且

光谱重叠积分通过等式1来评价。

等式1

在等式1中，

j(λ)是以m^-1cm^-1nm⁴为单位的第一掺杂剂的发射光谱与第二掺杂剂的吸收光谱的光谱重叠积分，

ε(λ)是以m^-1cm^-1为单位的由第二掺杂剂的吸收光谱计算的第二掺杂剂的摩尔消光系数，

λ是以nm为单位的发射光谱和吸收光谱的波长，并且

fd(λ)是第一掺杂剂的归一化的发射光谱，

其中，第一掺杂剂的发射光谱是在室温下在5μm(5μmol/l)第一掺杂剂的甲苯溶液中评价的发射光谱，并且

第二掺杂剂的吸收光谱是在室温下在5μm(5μmol/l)第二掺杂剂的甲苯溶液中评价的吸收光谱。

根据另一方面，提供了一种包括该发光器件的电子设备。

附图说明

通过下面结合附图的描述，公开的某些实施例的以上和其它方面、特征及优点将更加清楚，在附图中：

图1是示意性地示出根据实施例的发光器件的结构的图；

图2是示意性地示出根据实施例的电子设备的结构的图；

图3是示意性地示出根据另一实施例的电子设备的结构的图；以及

图4是示意性地示出d1-1、d1-2和d1-3(“d1-1”、“d1-2”和“d1-3”)的发射光谱以及d2-1(“d2-1(abs)”)的吸收光谱的图。

具体实施方式

现在将详细地参照实施例，在附图中示出了实施例的示例，其中，同样的附图标记始终指同样的元件。就这点而言，本实施例可以具有不同的形式，并且不应该被解释为限于这里阐述的描述。因此，下面仅通过参照附图来描述实施例以解释本说明书的方面。如这里使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。在整个公开中，表述“a、b和c中的至少一个(者/种)”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c中的全部或者其变型。

因为公开可以具有各种修改的实施例，所以在附图中示出并在具体实施方式中描述了优选的实施例。当参照根据附图描述的实施例时，公开的效果和特征以及实现这些的方法将是明显的。然而，公开可以以许多不同的形式来实施，并且不应该被解释为限于这里阐述的实施例。

下面将参照附图更详细地描述公开的一个或更多个实施例。彼此相同或对应的那些组件被赋予相同的附图标记而与附图序号无关，并且省略冗余的说明。

除非在上下文中具有明显不同的含义，否则以单数使用的表述包括复数的表述。

还将理解的是，这里使用的术语“包括”和/或其变型说明存在所陈述的特征或元件，但是不排除存在或添加一个或更多个其它特征或元件。

将理解的是，当层、区域或组件被称为“在”另一层、区域或组件“上”或者“到”另一层、区域或组件“上”时，它可以直接或间接地形成在所述另一层、区域或组件上。也就是说，例如，可以存在中间层、区域或组件。

为了便于说明，可以夸大或缩小附图中元件的尺寸。例如，由于为了便于说明而任意地示出了附图中元件的尺寸和厚度，因此公开不限于此。

如这里使用的表述“(中间层)包括由式1表示的化合物”可以包括其中“(中间层)包括相同的由式1表示的化合物”的情况以及其中“(中间层)包括两种或更多种不同的由式1表示的化合物”的情况。

发光器件可以包括：第一电极；第二电极，面对第一电极；以及中间层，布置在第一电极与第二电极之间，并且包括发射层，其中，发射层可以包括主体、第一掺杂剂和第二掺杂剂。

包括在发射层中的主体、第一掺杂剂和第二掺杂剂可以彼此不同。

主体可以包括与第一掺杂剂和第二掺杂剂不同的化合物。主体的示例的描述与下面描述的相同。

第一掺杂剂可以是磷光掺杂剂。也就是说，第一掺杂剂可以是可以根据磷光发射机理而发射磷光的化合物。

在实施例中，第一掺杂剂可以是含过渡金属的有机金属化合物。例如，过渡金属可以是元素周期表的第一行过渡金属、元素周期表的第二行过渡金属或元素周期表的第三行过渡金属。在实施例中，过渡金属可以是具有40或更大的原子量的金属。在实施例中，过渡金属可以是铱(ir)、铂(pt)、锇(os)、钛(ti)、锆(zr)、铪(hf)、铕(eu)、铽(tb)、铥(tm)或铑(rh)。

第二掺杂剂的斯托克斯位移(stokesshift)可以小于或等于15nm。

在实施例中，第二掺杂剂的斯托克斯位移可以大于或等于5nm且小于或等于15nm。

同时，第一掺杂剂的发射光谱与第二掺杂剂的吸收光谱的光谱重叠积分可以大于或等于1.5×10¹⁵m^-1cm^-1nm⁴。光谱重叠积分可以通过等式1来评价：

等式1

在等式1中，

j(λ)是以m^-1cm^-1nm⁴为单位的第一掺杂剂的发射光谱与第二掺杂剂的吸收光谱的光谱重叠积分，

ε(λ)是以m^-1cm^-1为单位的由第二掺杂剂的吸收光谱计算的第二掺杂剂的摩尔消光系数，

λ是以nm为单位的发射光谱和吸收光谱的波长，并且

fd(λ)是第一掺杂剂的归一化的发射光谱，例如，是归一化为1的面积的第一掺杂剂的与波长相关的发射光谱，

其中，第一掺杂剂的发射光谱是在室温下在5μm(5μmol/l)第一掺杂剂的甲苯溶液中评价的发射光谱，并且

第二掺杂剂的吸收光谱是在室温下在5μm(5μmol/l)第二掺杂剂的甲苯溶液中评价的吸收光谱。

在实施例中，光谱重叠积分可以大于或等于1.5×10¹⁵m^-1cm^-1nm⁴且小于或等于2.0×10¹⁵m^-1cm^-1nm⁴。

第二掺杂剂相对于第一掺杂剂的福斯特半径(radius)可以大于或等于4.5nm，例如，大于或等于5nm且小于或等于10nm。当第二掺杂剂相对于第一掺杂剂的福斯特半径满足上述范围时，可以改善从第一掺杂剂到第二掺杂剂的激子转移效率，因此可以改善发光器件的发射效率和/或寿命。

第一掺杂剂的发射光谱中的发射峰波长可以大于或等于430nm并且小于或等于470nm。可以通过以与本说明书中描述的方式相同的方式评价的第一掺杂剂的发射光谱来观察第一掺杂剂的发射光谱中的发射峰波长。

第一掺杂剂的发射光谱中的发射峰波长可以大于第二掺杂剂的吸收光谱中的吸收峰波长。可以分别通过以与本说明书中描述的方式相同的方式评价的第一掺杂剂的发射光谱和第二掺杂剂的吸收光谱来观察第一掺杂剂的发射光谱中的发射峰波长和第二掺杂剂的吸收光谱中的吸收峰波长。在实施例中，第一掺杂剂的发射光谱中的发射峰波长与第二掺杂剂的吸收光谱中的吸收峰波长之间的差的绝对值可以大于或等于5nm且小于或等于50nm。

第一掺杂剂的最低激发三重态能级(t1)可以大于或等于第二掺杂剂的最低激发单重态能级(s1)。可以通过在溶液中(例如，在甲苯溶液中)比较第一掺杂剂的室温发射光谱与低温发射光谱来计算第一掺杂剂的最低激发三重态能级，并且可以由第二掺杂剂的室温发射光谱来计算第二掺杂剂的最低激发单重态能级。在实施例中，第一掺杂剂的最低激发三重态能级与第二掺杂剂的最低激发单重态能级之间的差的绝对值可以大于或等于0.0ev且小于或等于1.0ev，例如，大于或等于0.0ev且小于或等于0.3ev。当第一掺杂剂的最低激发三重态能级与第二掺杂剂的最低激发单重态能级满足上述关系时，激子可以容易地从第一掺杂剂转移到第二掺杂剂，因此可以改善发光器件的发射效率和/或寿命。

在实施例中，激子从第一掺杂剂的最低激发三重态能级(t1)跃迁到第二掺杂剂的最低激发单重态能级(s1)，并且在第二掺杂剂的最低激发单重态能级(s1)处的激子跃迁到基态，因此可以从发射层发射光。在这种情况下，在从发射层发射的总发射分量之中，从第二掺杂剂发射的发射分量的比例可以大于或等于80％，例如，大于或等于90％且小于或等于100％。同时，在从发射层发射的总发射分量之中，从第一掺杂剂发射的发射分量的比例可以小于20％，例如，大于或等于0％且小于20％。

第二掺杂剂的发射光谱中的发射峰波长可以大于或等于420nm且小于或等于470nm。可以通过使用与观察第一掺杂剂的发射光谱中的发射峰波长的方法相同的方法来观察第二掺杂剂的发射光谱中的发射峰波长。

在实施例中，发射层可以发射具有大于或等于420nm且小于或等于470nm的发射峰波长的蓝光。在实施例中，发射层可以发射蓝光，该蓝光具有大于或等于0.115且小于或等于0.135(例如，大于或等于0.120且小于或等于0.130)的ciex色坐标以及大于或等于0.120且小于或等于0.140(例如，大于或等于0.125且小于或等于0.135)的ciey色坐标。蓝光的总发射分量的80％或更大(例如，90％或更大且100％或更小)可以是从第二掺杂剂发射的光。

第一掺杂剂的量和第二掺杂剂的量之和可以小于主体的量。所述量可以是重量。在实施例中，基于100重量份的发射层，第一掺杂剂的量和第二掺杂剂的量之和可以是0.1重量份至30重量份、1重量份至20重量份或5重量份至15重量份。

发射层中的第一掺杂剂与第二掺杂剂的重量比可以在1:9至9:1、2:8至8:2、3:7至7:3或者4:6至6:4的范围内。

当发射层中的第一掺杂剂和第二掺杂剂的量以及第一掺杂剂与第二掺杂剂的重量比满足上述范围时，可以基本防止淬灭，因此可以实现具有优异的发射效率和/或优异的寿命的发光器件。

在实施例中，发射层可以由如上所述的主体、第一掺杂剂和第二掺杂剂组成。

如上所述，由于发光器件的发射层包括主体、第一掺杂剂和第二掺杂剂，并且满足下面的条件：

a)第一掺杂剂是磷光掺杂剂，

b)第二掺杂剂的斯托克斯位移小于或等于15nm，以及

c)第一掺杂剂的发射光谱和第二掺杂剂的吸收光谱的光谱重叠积分大于或等于1.5×10¹⁵m^-1cm^-1nm⁴，

因此，可以改善从第一掺杂剂到第二掺杂剂的福斯特共振能量转移(resonanceenergytransfer，fret)效率，可以增大第二掺杂剂相对于第一掺杂剂的福斯特半径，因此可以改善发光器件的发射效率(例如，外量子效率)和寿命。

在发光器件中，

第一电极可以是阳极，

第二电极可以是阴极，

中间层还可以包括位于第一电极与发射层之间的空穴传输区域以及位于发射层与第二电极之间的电子传输区域，

空穴传输区域可以包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任何组合，并且

电子传输区域可以包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任何组合。

在实施例中，发光器件还可以包括位于第一电极外部或第二电极外部的盖层。

在实施例中，发光器件还可以包括位于第一电极外部的第一盖层和位于第二电极外部的第二盖层中的至少一个。关于第一盖层和/或第二盖层的更多细节与本说明书中描述的相同。

根据另一方面，提供了包括发光器件的电子设备。电子设备还可以包括薄膜晶体管。在一个或更多个实施例中，电子设备还可以包括包含源电极和漏电极的薄膜晶体管，并且发光器件的第一电极可以电连接到源电极或漏电极。在实施例中，电子设备还可以包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或其任何组合。关于电子设备的更多细节与本说明书中描述的相同。

[图1的描述]

图1是根据实施例的发光器件10的示意性剖视图。发光器件10包括第一电极110、中间层130和第二电极150。

在下文中，将结合图1来描述根据实施例的发光器件10的结构以及制造发光器件10的方法。

[第一电极110]

在图1中，基底可以另外地位于第一电极110下方或第二电极150上方。基底可以是玻璃基底或塑料基底。基底可以是柔性基底。在一个或更多个实施例中，基底可以包括具有优异耐热性和耐久性的塑料，诸如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳酯(par)、聚醚酰亚胺或其任何组合。

第一电极110可以通过例如在基底上沉积或溅射用于形成第一电极110的材料来形成。当第一电极110是阳极时，可以容易地注入空穴的高逸出功材料可以用作用于形成第一电极110的材料。

第一电极110可以是反射电极、半透射电极或透射电极。当第一电极110是透射电极时，用于形成第一电极110的材料可以包括氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锡(sno2)、氧化锌(zno)或其任何组合。在一个或更多个实施例中，当第一电极110是半透射电极或反射电极时，镁(mg)、银(ag)、铝(al)、铝-锂(al-li)、钙(ca)、镁-铟(mg-in)、镁-银(mg-ag)或其任何组合可以用作用于形成第一电极110的材料。

第一电极110可以具有由单个层组成的单层结构或者包括多个层的多层结构。在实施例中，第一电极110可以具有ito/ag/ito的三层结构。

[中间层130]

中间层130位于第一电极110上。中间层130包括发射层。

中间层130还可以包括位于第一电极110与发射层之间的空穴传输区域以及位于发射层与第二电极150之间的电子传输区域。

除了各种有机材料之外，中间层130还可以包括诸如量子点的无机材料。

在一个或更多个实施例中，中间层130可以包括：i)顺序地堆叠在第一电极110与第二电极150之间的两个或更多个发射单元；以及ii)位于两个发射单元之间的电荷产生层。当中间层130包括如上所述的发射单元和电荷产生层时，发光器件10可以是串联发光器件。

[中间层130中的空穴传输区域]

空穴传输区域可以具有：i)单层结构，由单个层组成，所述单个层由单种材料组成；ii)单层结构，由单个层组成，所述单个层包括多种不同的材料；或者iii)多层结构，包括包含不同材料的多个层。

空穴传输区域可以包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任何组合。

例如，空穴传输区域可以具有多层结构，所述多层结构包括空穴注入层/空穴传输层结构、空穴注入层/空穴传输层/发射辅助层结构、空穴注入层/发射辅助层结构、空穴传输层/发射辅助层结构或者空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层结构，其中，在每种结构中，以该陈述的次序从第一电极110顺序地堆叠层。

空穴传输区域可以包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任何组合：

式201

式202

在式201和式202中，

l201至l204可以均独立地为未被取代或取代有至少一个r10a的c3-c60碳环基或者未被取代或取代有至少一个r10a的c1-c60杂环基，

l205可以为*-o-*'、*-s-*'、*-n(q201)-*'、未被取代或取代有至少一个r10a的c1-c20亚烷基、未被取代或取代有至少一个r10a的c2-c20亚烯基、未被取代或取代有至少一个r10a的c3-c60碳环基或者未被取代或取代有至少一个r10a的c1-c60杂环基，

xa1至xa4可以均独立地为0至5的整数，

xa5可以为1至10的整数，

r201至r204和q201可以均独立地为未被取代或取代有至少一个r10a的c3-c60碳环基或者未被取代或取代有至少一个r10a的c1-c60杂环基，

r201和r202可以可选地(optionally，或称为“任选地”)经由单键、未被取代或取代有至少一个r10a的c1-c5亚烷基或者未被取代或取代有至少一个r10a的c2-c5亚烯基彼此连接，以形成未被取代或取代有至少一个r10a的c8-c60多环基(例如，咔唑基)(例如，见化合物ht16等)，

r203和r204可以可选地经由单键、未被取代或取代有至少一个r10a的c1-c5亚烷基或者未被取代或取代有至少一个r10a的c2-c5亚烯基彼此连接，以形成未被取代或取代有至少一个r10a的c8-c60多环基，并且

na1可以为1至4的整数。

在实施例中，式201和式202可以均包括由式cy201至式cy217表示的基团中的至少一个：

关于式cy201至式cy217，r10b和r10c与结合r10a描述的相同，环cy201至环cy204可以均独立地为c3-c20碳环基或c1-c20杂环基，并且式cy201至式cy217中的至少一个氢可以未被取代或者被这里描述的至少一个r10a取代。

在实施例中，式cy201至式cy217中的环cy201至环cy204可以均独立地为苯基团、萘基团、菲基团或蒽基团。

在实施例中，式201和式202可以均包括由式cy201至式cy203表示的基团中的至少一个。

在实施例中，式201可以包括由式cy201至式cy203表示的基团中的至少一个以及由式cy204至式cy217表示的基团中的至少一个。

在一个或更多个实施例中，在式201中，xa1为1，r201为由式cy201至式cy203中的一个表示的基团，xa2为0，r202为由式cy204至式cy207中的一个表示的基团。

在一个或更多个实施例中，式201和式202中的每个可以不包括由式cy201至式cy203表示的基团。

在一个或更多个实施例中，式201和式202中的每个可以不包括由式cy201至式cy203表示的基团，并且可以包括由式cy204至式cy217表示的基团中的至少一个。

在实施例中，式201和式202中的每个可以不包括由式cy201至式cy217表示的基团。

在实施例中，空穴传输区域可以包括化合物ht1至化合物ht46、m-mtdata、tdata、2-tnata、npb(npd)、β-npb、tpd、螺-tpd、螺-npb、甲基化npb、tapc、hmtpd、4,4',4"-三(n-咔唑基)三苯胺(tcta)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(pani/dbsa)、聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(pedot/pss)、聚苯胺/樟脑磺酸(pani/csa)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(pani/pss)及其任何组合中的一种：

空穴传输区域的厚度可以在约至约(例如，约至约)的范围内。当空穴传输区域包括空穴注入层、空穴传输层或其任何组合时，空穴注入层的厚度可以在约至约(例如，约至约)的范围内，并且空穴传输层的厚度可以在约至约(例如，约至约)的范围内。当空穴传输区域、空穴注入层和空穴传输层的厚度在这些范围内时，可以获得令人满意的空穴传输特性而不显著增大驱动电压。

发射辅助层可以通过根据由发射层发射的光的波长来补偿光学谐振距离而提高发光效率，并且电子阻挡层可以防止电子从发射层到空穴传输区域的泄漏。发射辅助层和电子阻挡层可以包括如上所述的材料。

[p掺杂剂]

除了这些材料之外，空穴传输区域还可以包括用于改善导电性质的电荷产生材料。电荷产生材料可以均匀地或非均匀地分散在空穴传输区域中(例如，以由电荷产生材料组成的单个层的形式)。

电荷产生材料可以是例如p掺杂剂。

在实施例中，p掺杂剂的最低未占分子轨道(lumo)能级可以为-3.5ev或更小。

在实施例中，p掺杂剂可以包括醌衍生物、含氰基化合物、含元素el1和元素el2的化合物或其任何组合。

醌衍生物的示例可以包括tcnq和f4-tcnq。

含氰基化合物的示例可以包括hat-cn和由下面的式221表示的化合物。

式221

在式221中，

r221至r223可以均独立地为未被取代或取代有至少一个r10a的c3-c60碳环基或者未被取代或取代有至少一个r10a的c1-c60杂环基，

r221至r223中的至少一个可以均独立地为均取代有以下基团的c3-c60碳环基或c1-c60杂环基：氰基；-f；-cl；-br；-i；取代有氰基、-f、-cl、-br、-i或其任何组合的c1-c20烷基；或者其任何组合。

关于含元素el1和元素el2的化合物，元素el1可以是金属、准金属(metalloid)或其组合，元素el2可以是非金属、准金属或其组合。

金属的示例可以包括：碱金属(例如，锂(li)、钠(na)、钾(k)、铷(rb)、铯(cs)等)；碱土金属(例如，铍(be)、镁(mg)、钙(ca)、锶(sr)、钡(ba)等)；过渡金属(例如，钛(ti)、锆(zr)、铪(hf)、钒(v)、铌(nb)、钽(ta)、铬(cr)、钼(mo)、钨(w)、锰(mn)、锝(tc)、铼(re)、铁(fe)、钌(ru)、锇(os)、钴(co)、铑(rh)、铱(ir)、镍(ni)、钯(pd)、铂(pt)、铜(cu)、银(ag)、金(au)等)；后过渡金属(例如，锌(zn)、铟(in)、锡(sn)等)；以及镧系金属(例如，镧(la)、铈(ce)、镨(pr)、钕(nd)、钷(pm)、钐(sm)、铕(eu)、钆(gd)、铽(tb)、镝(dy)、钬(ho)、铒(er)、铥(tm)、镱(yb)、钌(ru)等)。

准金属的示例可以包括硅(si)、锑(sb)和碲(te)。

非金属的示例可以包括氧(o)和卤素(例如，f、cl、br、i等)。

在实施例中，含元素el1和元素el2的化合物的示例可以包括金属氧化物、金属卤化物(例如，金属氟化物、金属氯化物、金属溴化物或金属碘化物)、准金属卤化物(例如，准金属氟化物、准金属氯化物、准金属溴化物或准金属碘化物)、金属碲化物或其任何组合。

金属氧化物的示例可以包括氧化钨(例如，wo、w2o3、wo2、wo3或w2o5)、氧化钒(例如，vo、v2o3、vo2或v2o5)、氧化钼(moo、mo2o3、moo2、moo3或mo2o5)和氧化铼(例如，reo3)。

金属卤化物的示例可以包括碱金属卤化物、碱土金属卤化物、过渡金属卤化物、后过渡金属卤化物和镧系金属卤化物。

碱金属卤化物的示例可以包括lif、naf、kf、rbf、csf、licl、nacl、kcl、rbcl、cscl、libr、nabr、kbr、rbbr、csbr、lii、nai、ki、rbi和csi。

碱土金属卤化物的示例可以包括bef2、mgf2、caf2、srf2、baf2、becl2、mgcl2、cacl2、srcl2、bacl2、bebr2、mgbr2、cabr2、srbr2、babr2、bei2、mgi2、cai2、sri2和bai2。

过渡金属卤化物的示例可以包括卤化钛(例如，tif4、ticl4、tibr4或tii4)、卤化锆(例如，zrf4、zrcl4、zrbr4或zri4)、卤化铪(例如，hff4、hfcl4、hfbr4或hfi4)、卤化钒(例如，vf3、vcl3、vbr3或vi3)、卤化铌(例如，nbf3、nbcl3、nbbr3或nbi3)、卤化钽(例如，taf3、tacl3、tabr3或tai3)、卤化铬(例如，crf3、crcl3、crbr3或cri3)、卤化钼(例如，mof3、mocl3、mobr3或moi3)、卤化钨(例如，wf3、wcl3、wbr3或wi3)、卤化锰(例如，mnf2、mncl2、mnbr2或mni2)、卤化锝(例如，tcf2、tccl2、tcbr2或tci2)、卤化铼(例如，ref2、recl2、rebr2或rei2)、卤化铁(例如，fef2、fecl2、febr2或fei2)、卤化钌(例如，ruf2、rucl2、rubr2或rui2)、卤化锇(例如，osf2、oscl2、osbr2或osi2)、卤化钴(例如，cof2、cocl2、cobr2或coi2)、卤化铑(例如，rhf2、rhcl2、rhbr2或rhi2)、卤化铱(例如，irf2、ircl2、irbr2或iri2)、卤化镍(例如，nif2、nicl2、nibr2或nii2)、卤化钯(例如，pdf2、pdcl2、pdbr2或pdi2)、卤化铂(例如，ptf2、ptcl2、ptbr2或pti2)、卤化铜(例如，cuf、cucl、cubr或cui)、卤化银(例如，agf、agcl、agbr或agi)和卤化金(例如，auf、aucl、aubr或aui)。

后过渡金属卤化物的示例可以包括卤化锌(例如，znf2、zncl2、znbr2或zni2)、卤化铟(例如，ini3)和卤化锡(例如，sni2)。

镧系金属卤化物的示例可以包括ybf、ybf2、ybf3、smf3、ybcl、ybcl2、ybcl3、smcl3、ybbr、ybbr2、ybbr3、smbr3、ybi、ybi2、ybi3和smi3。

准金属卤化物的示例可以包括卤化锑(例如，sbcl5)。

金属碲化物的示例可以包括碱金属碲化物(例如，li2te、na2te、k2te、rb2te或cs2te)、碱土金属碲化物(例如，bete、mgte、cate、srte或bate)、过渡金属碲化物(例如，tite2、zrte2、hfte2、v2te3、nb2te3、ta2te3、cr2te3、mo2te3、w2te3、mnte、tcte、rete、fete、rute、oste、cote、rhte、irte、nite、pdte、ptte、cu2te、cute、ag2te、agte或au2te)、后过渡金属碲化物(例如，znte)和镧系金属碲化物(例如，late、cete、prte、ndte、pmte、eute、gdte、tbte、dyte、hote、erte、tmte、ybte或lute)。

[中间层130中的发射层]

当发光器件10是全色发光器件时，发射层可以根据子像素而被图案化为红色发射层、绿色发射层和/或蓝色发射层。在一个或更多个实施例中，发射层可以具有红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层中的两个或更多个层的堆叠结构，其中，所述两个或更多个层彼此接触或者彼此分开以发射白光。在一个或更多个实施例中，发射层可以包括红色发光材料、绿色发光材料和蓝色发光材料中的两种或更多种材料，其中，所述两种或更多种材料在单个层中彼此混合以发射白光。

发射层可以包括主体、第一掺杂剂和第二掺杂剂。发射层、主体、第一掺杂剂和第二掺杂剂与本说明书中描述的相同。

可以包括在发射层中的主体、第一掺杂剂和第二掺杂剂的示例与下面描述的相同。

发射层的厚度可以在约至约(例如，约至约)的范围内。当发射层的厚度在该范围内时，可以获得优异的发光特性而不显著增大驱动电压。

[主体]

在实施例中，主体可以是空穴传输化合物。

在实施例中，主体可以是电子传输化合物。

在实施例中，主体包括第一主体和第二主体，第一主体和第二主体彼此不同，并且：i)第一主体可以是空穴传输化合物，并且第二主体可以是电子传输化合物；ii)第一主体和第二主体两者是空穴传输化合物；或者iii)第一主体和第二主体两者是电子传输化合物。第一主体和第二主体可以形成激基复合物(exciplex，或称为“激态络合物”)。

在实施例中，主体可以与第一掺杂剂形成激基复合物。

本说明书中的空穴传输化合物可以是不包括电子传输部分的化合物。

本说明书中的电子传输化合物可以是包括至少一个电子传输部分的化合物。

这里使用的术语“电子传输部分”可以包括氰基、氧化膦基、亚砜基、磺酸酯(盐)基、贫π电子的含氮c1-c60环状基团(πelectron-depletednitrogen-containingc1-c60cyclicgroup，或π电子耗尽的含氮c1-c60环状基团)或其任何组合。

在实施例中，主体、第一主体和第二主体可以均独立地包括由式1表示的化合物或由式2表示的化合物：

式1

式2

在式1和式2中，

x1为o、s、n(r3)或c(r3)(r4)，

x2为单键、o、s、n(r5)或c(r5)(r6)，

环a1和环a2均独立地为c3-c60碳环基或c1-c60杂环基，

r1至r6均独立地为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、未被取代或取代有至少一个r10a的c1-c60烷基、未被取代或取代有至少一个r10a的c2-c60烯基、未被取代或取代有至少一个r10a的c2-c60炔基、未被取代或取代有至少一个r10a的c1-c60烷氧基、未被取代或取代有至少一个r10a的c3-c60碳环基、未被取代或取代有至少一个r10a的c1-c60杂环基、未被取代或取代有至少一个r10a的c6-c60芳氧基、未被取代或取代有至少一个r10a的c6-c60芳硫基、-si(q1)(q2)(q3)、-b(q1)(q2)、-n(q1)(q2)、-p(q1)(q2)、-c(＝o)(q1)、-s(＝o)(q1)、-s(＝o)2(q1)、-p(＝o)(q1)(q2)或-p(＝s)(q1)(q2)，

a1和a2均独立地为1、2、3、4、5或6，

x31为n或c(r31)；x32为n或c(r32)；x33为n或c(r33)；x34为n或c(r34)；x35为n或c(r35)；x36为n或c(r36)，并且x31至x36中的至少一个为n；

r31至r36均独立地为氢、氘、未被取代或取代有至少一个r10a的c1-c60烷基、未被取代或取代有至少一个r10a的c3-c60碳环基或者未被取代或取代有至少一个r10a的c1-c60杂环基，并且

r10a和q1至q3与本说明书中描述的相同。

在实施例中，第一主体可以包括由式1表示的化合物，并且第二主体可以包括由式2表示的化合物。

在一个或更多个实施例中，主体、第一主体和第二主体可以均独立地包括由式301表示的化合物：

式301

[ar301]xb11-[(l301)xb1-r301]xb21。

在式301中，

ar301和l301可以均独立地为未被取代或取代有至少一个r10a的c3-c60碳环基或者未被取代或取代有至少一个r10a的c1-c60杂环基，

xb11可以为1、2或3，

xb1可以为0至5的整数，

r301可以为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、未被取代或取代有至少一个r10a的c1-c60烷基、未被取代或取代有至少一个r10a的c2-c60烯基、未被取代或取代有至少一个r10a的c2-c60炔基、未被取代或取代有至少一个r10a的c1-c60烷氧基、未被取代或取代有至少一个r10a的c3-c60碳环基、未被取代或取代有至少一个r10a的c1-c60杂环基、-si(q301)(q302)(q303)、-n(q301)(q302)、-b(q301)(q302)、-c(＝o)(q301)、-s(＝o)2(q301)或-p(＝o)(q301)(q302)，xb21可以为1至5的整数，并且

q301至q303与结合q1描述的相同。

在实施例中，当式301中的xb11为2或更大时，两个或更多个ar301可以经由单键彼此连接。

在实施例中，在式301中，ar301和l301可以均独立地为苯基团、萘基团、芴基团、螺二芴基团、苯并芴基团、二苯并芴基团、非那烯基团、菲基团、蒽基团、荧蒽基团、苯并[9,10]菲基团、芘基团、基团、并四苯基团、苉基团、苝基团、戊芬基团、茚并蒽基团、二苯并呋喃基团、二苯并噻吩基团、吡啶基团、嘧啶基团、三嗪基团、菲咯啉基团、二唑基团或三唑基团。

在实施例中，式301中的r301中的至少一个可以为-n(q301)(q302)。

在实施例中，主体、第一主体和第二主体可以均独立地包括由式301-1表示的化合物、由式301-2表示的化合物或其任何组合。

式301-1

式301-2

在式301-1和式301-2中，

环a301至环a304均独立地为未被取代或取代有至少一个r10a的c3-c60碳环基或者未被取代或取代有至少一个r10a的c1-c60的杂环基，

x301为o、s、n-[(l304)xb4-r304]、c(r304)(r305)或si(r304)(r305)，

xb22和xb23均独立地为0、1或2，

l301、xb1和r301与本说明书中描述的相同，

l302至l304均独立地与结合l301描述的相同，

xb2至xb4均独立地与结合xb1描述的相同，并且

r302至r305和r311至r314与结合r301描述的相同。

在实施例中，环a301至环a304可以均独立地为均未被取代或取代有至少一个r10a的苯基团、萘基团、菲基团、荧蒽基团、苯并[9,10]菲基团、芘基团、基团、吡啶基团、嘧啶基团、茚基团、芴基团、螺二芴基团、苯并芴基团、二苯并芴基团、吲哚基团、咔唑基团、苯并咔唑基团、二苯并咔唑基团、呋喃基团、苯并呋喃基团、二苯并呋喃基团、萘并呋喃基团、苯并萘并呋喃基团、二萘并呋喃基团、噻吩基团、苯并噻吩基团、二苯并噻吩基团、萘并噻吩基团、苯并萘并噻吩基团或二萘并噻吩基团。

在实施例中，主体可以包括碱土金属配合物、后过渡金属配合物或其任何组合。在实施例中，主体可以包括be配合物(例如，化合物h55)、mg配合物、zn配合物或其任何组合。

在实施例中，主体可以包括化合物h1至化合物h130、9,10-二(2-萘基)蒽(adn)、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(madn)、9,10-二(2-萘基)-2-叔丁基-蒽(tbadn)、4,4′-双(n-咔唑基)-1,1′-联苯(cbp)、1,3-二-9-咔唑基苯(mcp)、1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(tcp)、3,3′-双(9h-咔唑-9-基)-1,1′-联苯(mcbp)及其任何组合中的一种：

[发射层中的掺杂剂]

第一掺杂剂可以是有机金属化合物，所述有机金属化合物包括：铱或铂；以及至少一种有机配体，并且有机配体可以是双齿有机配体、三齿有机配体或四齿有机配体。

在实施例中，第一掺杂剂可以是包括铂和四齿配体的有机金属化合物。

在一个或更多个实施例中，第一掺杂剂可以包括由式40表示的有机金属化合物、由式50表示的有机金属化合物或其任何组合：

式40

式50

在式40和式50中，

m4和m5可以均独立地为铂(pt)、钯(pd)、铜(cu)、银(ag)、金(au)、铑(rh)、铱(ir)、钌(ru)、锇(os)、钛(ti)、锆(zr)、铪(hf)、铕(eu)、铽(tb)或铥(tm)，

n51可以为1、2或3，

ln52可以为有机配体，

n52可以为0、1或2，

y41至y44以及y51和y52可以均独立地为n或c，

环a41至环a44、环a51和环a52可以均独立地为c3-c60碳环基或c1-c60杂环基，

t41至t44、t51和t52可以均独立地为化学键(例如，共价键或配位键)、*-o-*'或*-s-*'，

l41至l44和l51可以均独立地为单键、*-o-*'、*-s-*'、*-c(r45)(r46)-*'、*-c(r45)＝*'、*＝c(r45)-*'、*-c(r45)＝c(r45)-*'、*-c(＝o)-*'、*-c(＝s)-*'、*-c≡c-*'、*-b(r45)-*'、*-n(r45)-*'、*-p(r45)-*'、*-si(r45)(r46)-*'、*-p(r45)(r46)-*'或*-ge(r45)(r46)-*'，

m41至m44可以均独立地为0、1或2，其中，当m41为0时，l41不存在，当m42为0时，l42不存在，当m43为0时，l43不存在，当m44为0时，l44不存在，并且m41至m44中的两个或更多个不为0，

m51可以为1或2，

r41至r46、r51和r52可以均独立地为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、未被取代或取代有至少一个r10a的c1-c60烷基、未被取代或取代有至少一个r10a的c1-c60烯基、未被取代或取代有至少一个r10a的c1-c60炔基、未被取代或取代有至少一个r10a的c1-c60烷氧基、未被取代或取代有至少一个r10a的c3-c60碳环基、未被取代或取代有至少一个r10a的c1-c60杂环基、未被取代或取代有至少一个r10a的c6-c60芳氧基、未被取代或取代有至少一个r10a的c6-c60芳硫基、-si(q41)(q42)(q43)、-n(q41)(q42)、-b(q41)(q42)、-c(＝o)(q41)、-s(＝o)2(q41)或-p(＝o)(q41)(q42)，

r45和r41；r45和r42；r45和r43；或r45和r44可以可选地彼此连接以形成未被取代或取代有至少一个r10a的c3-c60碳环基或者未被取代或取代有至少一个r10a的c1-c60杂环基，

b41至b44、b51和b52可以均独立地为1至8的整数，

*和*'均表示与相邻原子的结合位，

r10a与本说明书中描述的相同，并且

q41至q43与结合q11描述的相同。

在式40和式50中，m4和m5可以均独立地为pt、pd、cu、ag、au、ir或os。

例如，在式40和式50中，m4和m5可以均独立地为pt或ir。

在实施例中，m4可以为pt，并且m5可以为ir。

在实施例中，在式40中，

y41、y42和y43可以均为c，并且y44可以为n；

y41、y42和y44可以均为c，并且y43可以为n；

y41、y43和y44可以均为c，并且y42可以为n；

y42、y43和y44可以均为c，并且y41可以为n；

y41和y44可以均为c，并且y42和y43可以均为n；

y41和y44可以均为n，并且y42和y43可以均为c；

y41和y42可以均为c，并且y43和y44可以均为n；

y41和y42可以均为n，并且y43和y44可以均为c；

y41和y43可以均为c，并且y42和y44可以均为n；或者

y41和y43可以均为n，并且y42和y44可以均为c。

在一个或更多个实施例中，在式50中，

y51和y52可以均为c，

y51可以为n，并且y52可以为c,

y51可以为c，并且y52可以为n，或者

y51和y52可以均为n。

在式40和式50中，环a41至环a44、环a51和环a52可以均独立地为苯基团、萘基团、蒽基团、菲基团、苯并[9,10]菲基团、芘基团、基团、环戊二烯基团、1,2,3,4-四氢萘基团、呋喃基团、噻吩基团、噻咯基团、茚基团、芴基团、吲哚基团、咔唑基团、苯并呋喃基团、二苯并呋喃基团、苯并噻吩基团、二苯并噻吩基团、苯并噻咯基团、二苯并噻咯基团、茚并吡啶基团、吲哚并吡啶基团、苯并呋喃并吡啶基团、苯并噻吩并吡啶基团、苯并噻咯并吡啶基团、茚并嘧啶基团、吲哚并嘧啶基团、苯并呋喃并嘧啶基团、苯并噻吩并嘧啶基团、苯并噻咯并嘧啶基团、二氢吡啶基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、喹喔啉基团、喹唑啉基团、菲咯啉基团、吡咯基团、吡唑基团、咪唑基团、2,3-二氢咪唑基团、三唑基团、2,3-二氢三唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噁二唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、2,3-二氢苯并咪唑基团、咪唑并吡啶基团、2,3-二氢咪唑并吡啶基团、咪唑并嘧啶基团、2,3-二氢咪唑并嘧啶基团、咪唑并吡嗪基团、2,3-二氢咪唑并吡嗪基团、苯并噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并噁二唑基团、苯并噻二唑基团、5,6,7,8-四氢异喹啉基团或5,6,7,8-四氢喹啉基团。

在实施例中，在式40中，

t41至t44中的每个可以为化学键；

t41可以为*-o-*'或*-s-*'，并且t42至t44可以为化学键；

t42可以为*-o-*'或*-s-*'，并且t41、t43和t44可以为化学键；

t43可以为*-o-*'或*-s-*'，并且t41、t42和t44可以为化学键；或者

t44可以为*-o-*'或*-s-*'，并且t41、t42和t43可以为化学键。

在一个或更多个实施例中，在式40中，t41至t44中的每个可以为化学键。

在一个或更多个实施例中，在式50中，t51和t52中的每个可以为化学键。

在一个或更多个实施例中，y41与t41之间的键或者y41与m4之间的键可以为共价键或配位键。

在一个或更多个实施例中，y42与t42之间的键或者y42与m4之间的键可以为共价键或配位键。

在一个或更多个实施例中，y43与t43之间的键或者y43与m4之间的键可以为共价键或配位键。

在一个或更多个实施例中，y44与t44之间的键或者y44与m4之间的键可以为共价键或配位键。

在一个或更多个实施例中，y51与t51之间的键或者y51与m5之间的键可以为共价键或配位键。

在一个或更多个实施例中，y52与t52之间的键或者y52与m5之间的键可以为共价键或配位键。

在一个或更多个实施例中，l41至l44和l51可以均独立地为单键、*-o-*'、*-s-*'、*-c(r45)(r46)-*'、*-c(r45)＝*'、*＝c(r45)-*'、*-c(r45)＝c(r45)-*'、*-c(＝o)-*'或*-n(r45)-*'。

在一个或更多个实施例中，m41可以为0，m42至m44可以为1，并且m51可以为1。

在一个或更多个实施例中，在式40和式50中，r41至r46、r51和r52可以均独立地为：

氢、氘、-f、-cl、-br、-i、氰基、c1-c20烷基或c1-c20烷氧基；

均取代有氘、-f、-cl、-br、-i、氰基、苯基、联苯基或其任何组合的c1-c20烷基或c1-c20烷氧基；

均未被取代或取代有氘、-f、-cl、-br、-i、氰基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、并环戊二烯基、茚基、萘基、甘菊环基、引达省基、苊基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、苝基、并五苯基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、噻咯基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、吲哚基、异吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噻咯基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、噻二唑基、噁二唑基、三嗪基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并噻咯基、苯并咔唑基、萘并苯并呋喃基、萘并苯并噻吩基、萘并苯并噻咯基、二苯并咔唑基、二萘并呋喃基、二萘并噻吩基、二萘并噻咯基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、噁唑并吡啶基、噻唑并吡啶基、苯并萘啶基、氮杂芴基、氮杂螺二芴基、氮杂咔唑基、氮杂二苯并呋喃基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并噻咯基、茚并吡咯基、吲哚并吡咯基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、-si(q31)(q32)(q33)、-n(q31)(q32)、-b(q31)(q32)、-c(＝o)(q31)、-s(＝o)2(q31)、-p(＝o)(q31)(q32)或其任何组合的环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、并环戊二烯基、茚基、萘基、甘菊环基、引达省基、苊基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、苝基、并五苯基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、噻咯基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、吲哚基、异吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噻咯基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、噻二唑基、噁二唑基、三嗪基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并噻咯基、苯并咔唑基、萘并苯并呋喃基、萘并苯并噻吩基、萘并苯并噻咯基、二苯并咔唑基、二萘并呋喃基、二萘并噻吩基、二萘并噻咯基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、噁唑并吡啶基、噻唑并吡啶基、苯并萘啶基、氮杂芴基、氮杂螺二芴基、氮杂咔唑基、氮杂二苯并呋喃基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并噻咯基、茚并吡咯基、吲哚并吡咯基、茚并咔唑基或吲哚并咔唑基；或者

-si(q41)(q42)(q43)、-n(q41)(q42)、-b(q41)(q42)、-c(＝o)(q41)、-s(＝o)2(q41)或-p(＝o)(q41)(q42)。

在一个或更多个实施例中，在式40和式50中，r41至r46、r51和r52可以均独立地为：

氢、氘、-f、-cl、-br、-i、氰基、c1-c20烷基或c1-c20烷氧基；

均取代有氘、-f、-cl、-br、-i、氰基、苯基、联苯基或其任何组合的c1-c20烷基或c1-c20烷氧基；或者

均未被取代或取代有氘、-f、-cl、-br、-i、氰基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、联苯基或其任何组合的苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺二芴基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基或二苯并噻咯基。

在实施例中，第一掺杂剂可以是由式40表示的有机金属化合物，其中，在式40中，y41可以为c，t41可以为配位键，m41可以为0，并且m42至m44可以为1。

在实施例中，第一掺杂剂可以是由式40表示的有机金属化合物，其中，在式40中，y41可以为c，t41可以为配位键，m41可以为0，m42至m44可以为1，l42和l44可以为单键，并且l43可以为*-o-*'、*-s-*'、*-c(r45)(r46)-*'或*-n(r45)-*'。

在实施例中，第一掺杂剂可以是由式50表示的有机金属化合物，其中，在式50中，y51可以为c，并且t51可以为配位键。

在实施例中，第一掺杂剂可以是由式41表示的有机金属化合物：

式41

在式41中，m4、y41至y44、环a41至环a44、l42至l44、r41至r44以及b41至b44与本说明书中描述的相同。

在实施例中，在式41中，由表示的基团可以是由式a41-1至式a41-6中的一个表示的基团：

在式a41-1至式a41-6中，

*是与式41中的m4的结合位，并且

*'是与式41中的l44的结合位。

在实施例中，在式41中，由表示的基团可以是由式a41-2表示的基团。

在一个或更多个实施例中，在式41中，由表示的基团可以是由式a42-1至式a42-11中的一个表示的基团：

在式a42-1至式a42-11中，

y42与本说明书中描述的相同，

*是与式41中的m4的结合位，并且

*'是与式41中的l42的结合位。

在一个或更多个实施例中，在式41中，由表示的基团可以是由式a43-1至式a43-5中的一个表示的基团：

在式a43-1至式a43-5中，

y43与本说明书中描述的相同，

*是与式41中的m4的结合位，

*'是与式41中的l42的结合位，并且

*"是与式41中的l43的结合位。

在一个或更多个实施例中，在式41中，由表示的基团可以是由式a43-5表示的基团。

在一个或更多个实施例中，在式41中，由表示的基团可以是由式a44-1至式a44-4中的一个表示的基团：

在式a44-1至式a44-4中，

y44与本说明书中描述的相同，

*是与式41中的m4的结合位，

*'是与式41中的l44的结合位，并且

*"是与式41中的l43的结合位。

第一掺杂剂可以包括例如化合物pd1至化合物pd25中的一个、化合物40-1至化合物40-14中的一个、化合物50-1至化合物50-84中的一个、化合物d1-1至化合物d1-3中的一个或其任何组合：

在化合物pd1至化合物pd25、化合物40-1至化合物40-14、化合物50-1至化合物50-84和化合物d1-1至化合物d1-3中，me表示甲基，iso-pr表示异丙基，并且tert-bu表示叔丁基。

在实施例中，第二掺杂剂可以不包括过渡金属(例如，可以不是过渡金属配合物)。

在实施例中，第二掺杂剂可以是可以发射荧光的荧光掺杂剂。荧光可以是瞬时荧光或延迟荧光。因此，第二掺杂剂可以包括瞬时荧光掺杂剂、延迟荧光掺杂剂或其任何组合。

在一个或更多个实施例中，第二掺杂剂可以是满足式子3-2的延迟荧光掺杂剂：

式子3-2

s1(d2)-t1(d2)≤0.3ev。

在式子3-2中，

s1(d2)是第二掺杂剂的最低激发单重态能级，并且

t1(d2)是第二掺杂剂的最低激发三重态能级。

当第二掺杂剂满足式子3-2时，作为最低激发三重态能量与最低激发单重态能量之差的△est极低，因此，即使在室温下，通过热激活从三重激发态到单重激发态的反向系间窜越(reverseintersystemcrossing)也是可能的。

因此，第二掺杂剂的三重态中的激子可以跃迁到单重激发态且可以用于荧光发射，并且可以改善发光器件的荧光发射效率和寿命。

在实施例中，第二掺杂剂可以包括：i)包括至少一个电子供体(例如，富π电子的c3-c60环状基团，诸如咔唑基)和至少一个电子受体(例如，亚砜基、氰基或贫π电子的含氮c1-c60环状基团)的材料；ii)包括其中两个或更多个环状基团共享硼(b)且彼此缩合的c8-c60多环基的材料。

在实施例中，第二掺杂剂可以包括由式11表示的杂环化合物：

式11

(ar1)n1-(l1)m1-(ar2)n2。

在式11中，

l1可以为均未被取代或取代有至少一个r10a的c3-c60碳环基或c1-c60杂环基，

n1和n2可以均独立地为0、1、2或3，

n1和n2之和可以大于或等于1，

m1可以为0至5的整数，并且

ar1和ar2可以均独立地为由式11a-1表示的基团、由式11a-2表示的基团或由式11b表示的基团，

式11a-1

式11a-2

式11b

在式11a-1、式11a-2和式11b中，

y1和y2可以均独立地为单键、*-o-*'、*-s-*'、*-c(z1)(z2)-*'、*-n(z1)-*'、*-si(z1)(z2)-*'、*-c(＝o)-*'、*-s(＝o)2-*'、*-b(z1)-*'、*-p(z1)-*'或-p(＝o)(z1)(z2)-*'，并且式11a-1中的y1和y2中的至少一个可以不为单键，

环cy1和环cy2可以均独立地为c3-c60碳环基或c1-c60杂环基，

x1至x3可以均独立地为c或n，其中，当x1至x3中的每个为c，r30中的至少一个可以为氰基，

z1、z2、r10、r20和r30可以均独立地为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、未被取代或取代有至少一个r10a的c1-c60烷基、未被取代或取代有至少一个r10a的c1-c60烯基、未被取代或取代有至少一个r10a的c1-c60炔基、未被取代或取代有至少一个r10a的c1-c60烷氧基、未被取代或取代有至少一个r10a的c3-c60碳环基、未被取代或取代有至少一个r10a的c1-c60杂环基、未被取代或取代有至少一个r10a的c6-c60芳氧基、未被取代或取代有至少一个r10a的c6-c60芳硫基、-si(q1)(q2)(q3)、-n(q1)(q2)、-b(q1)(q2)、-c(＝o)(q1)、-s(＝o)2(q1)或-p(＝o)(q1)(q2)，

a10和a20可以均独立地为1至10的整数，

a30可以为1至6的整数，

z1、z2、r10、r20和r30中的两个或更多个可以可选地彼此连接以形成未被取代或取代有至少一个r10a的c3-c60碳环基或者未被取代或取代有至少一个r10a的c1-c60杂环基，

两个或更多个r30可以可选地彼此连接以形成未被取代或取代有至少一个r10a的c3-c60碳环基或者未被取代或取代有至少一个r10a的c1-c60杂环基，

式11a-1中的r10和r20中的至少一个可以是与式11中的l1或ar1的结合位，

式11a-2中的*可以是与式11中的l1或ar1的结合位，

式11b中的r30中的至少一个可以是与l1或ar1的结合位，并且

r10a和q1至q3与本说明书中描述的相同。

该杂环化合物可以通过使电子供体部分和电子受体部分分离来有效地阻挡分子间轨道重叠，使得分子的单重态和三重态不重叠，因此该杂环化合物可以具有极低的△est。因此，即使在室温下，通过热激活从三重激发态到单重激发态的反向系间窜越也是可能的，使得该杂环化合物是可以表现出热激活延迟荧光(tadf)的化合物，因此，三重态中的激子用于发射光，从而改善发光器件的发射效率。

在一个或更多个实施例中，第二掺杂剂可以包括其中至少一个第一环和至少一个第二环彼此缩合的缩合环状环，其中，第一环可以是包括硼(b)作为成环原子的6元环(例如，包括硼(b)和氮(n)作为成环原子的6元环)，并且第二环可以是吡咯基团、呋喃基团、噻吩基团、苯基团、吡啶基团或嘧啶基团。

在一个或更多个实施例中，第二掺杂剂可以包括由式11(4)至式11(7)中的一个表示的杂环化合物：

在式11(4)至式11(7)中，

环cy11至环cy15可以均独立地为c3-c60碳环基或c1-c60杂环基，

y11至y16可以均独立地为单键、*-o-*'、*-s-*'、*-c(r16)(r17)-*'、*-n(r16)-*'、*-si(r16)(r17)-*'、*-c(＝o)-*'、*-s(＝o)2-*'、*-b(r16)-*'、*-p(r17)-*'或*-p(＝o)(r16)-*'，并且*和*'可以均表示与相邻原子的结合位，

y11a、y12a和y13a可以均独立地为n、b或p，

r11至r17可以均独立地为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、未被取代或取代有至少一个r10a的c1-c60烷基、未被取代或取代有至少一个r10a的c1-c60烯基、未被取代或取代有至少一个r10a的c1-c60炔基、未被取代或取代有至少一个r10a的c1-c60烷氧基、未被取代或取代有至少一个r10a的c3-c60碳环基、未被取代或取代有至少一个r10a的c1-c60杂环基、未被取代或取代有至少一个r10a的c6-c60芳氧基、未被取代或取代有至少一个r10a的c6-c60芳硫基、-si(q1)(q2)(q3)、-n(q1)(q2)、-b(q1)(q2)、-c(＝o)(q1)、-s(＝o)2(q1)或-p(＝o)(q1)(q2)，

r11至r17中的两个或更多个可以可选地彼此连接以形成未被取代或取代有至少一个r10a的c3-c60碳环基或者未被取代或取代有至少一个r10a的c1-c60杂环基，

a11至a15可以均独立地为1至6的整数，并且

r10a和q1至q3与本说明书中描述的相同。

在一个或更多个实施例中，在式11(4)至式11(7)中，环cy11至环cy15可以均独立地为苯基团、萘基团、咔唑基团、二苯并呋喃基团、二苯并噻吩基团或二苯并噻咯基团。

在一个或更多个实施例中，在式11(4)至式11(7)中，r11至r17可以均独立地为：氢、氘、-f、-cl、-br、-i、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、乙烯基、丙烯基、丁烯基、甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、仲丁氧基、异丁氧基或叔丁氧基；

取代有氘、-f、-cl、-br、-i、氰基、苯基、联苯基或其任何组合的甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、仲丁氧基、异丁氧基或叔丁氧基；

均未被取代或取代有氘、-f、-cl、-br、-i、氰基、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、仲丁氧基、异丁氧基、叔丁氧基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、并环戊二烯基、茚基、萘基、甘菊环基、引达省基、苊基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、苝基、并五苯基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、噻咯基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、吲哚基、异吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噻咯基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、噻二唑基、噁二唑基、三嗪基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并噻咯基、苯并咔唑基、萘并苯并呋喃基、萘并苯并噻吩基、萘并苯并噻咯基、二苯并咔唑基、二萘并呋喃基、二萘并噻吩基、二萘并噻咯基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、噁唑并吡啶基、噻唑并吡啶基、苯并萘啶基、氮杂芴基、氮杂螺二芴基、氮杂咔唑基、氮杂二苯并呋喃基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并噻咯基、茚并吡咯基、吲哚并吡咯基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、-si(q31)(q32)(q33)、-n(q31)(q32)、-b(q31)(q32)、-c(＝o)(q31)、-s(＝o)(q31)、-s(＝o)2(q31)、-p(＝o)(q31)(q32)、-p(＝s)(q31)(q32)或其任何组合的环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、并环戊二烯基、茚基、萘基、甘菊环基、引达省基、苊基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、苝基、并五苯基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、噻咯基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、吲哚基、异吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噻咯基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、噻二唑基、噁二唑基、三嗪基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并噻咯基、苯并咔唑基、萘并苯并呋喃基、萘并苯并噻吩基、萘并苯并噻咯基、二苯并咔唑基、二萘并呋喃基、二萘并噻吩基、二萘并噻咯基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、噁唑并吡啶基、噻唑并吡啶基、苯并萘啶基、氮杂芴基、氮杂螺二芴基、氮杂咔唑基、氮杂二苯并呋喃基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并噻咯基、茚并吡咯基、吲哚并吡咯基、茚并咔唑基和吲哚并咔唑基；或者

-n(q11)(q12)。

在一个或更多个实施例中，第二掺杂剂可以包括化合物12-1至化合物12-10、化合物d2-1及其任何组合中的一个：

在一个或更多个实施例中，第二掺杂剂可以是瞬时荧光掺杂剂。

在实施例中，荧光掺杂剂可以包括含胺基化合物、含苯乙烯基化合物或其任何组合。

在实施例中，荧光掺杂剂可以包括由式501表示的化合物：

式501

在式501中，

ar501、l501至l503、r501和r502可以均独立地为未被取代或取代有至少一个r10a的c3-c60碳环基或者未被取代或取代有至少一个r10a的c1-c60杂环基，xd1至xd3可以均独立地为0、1、2或3，并且

xd4可以为1、2、3、4、5或6。

在实施例中，式501中的ar501可以为其中三个或更多个单环基团缩合的缩合环状基团(例如，蒽基、基或芘基)。

在实施例中，式501中的xd4可以为2。

在实施例中，式501中的ar501可以为均未被取代或取代有至少一个r10a的萘基、庚搭烯基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、茚并蒽基、茚并菲基或者由表示的基团。

在一个或更多个实施例中，在式501中，l501至l503、r501和r502可以均独立地为均未被取代或取代有至少一个r10a的苯基团、萘基团、芴基团、螺二芴基团、苯并芴基团、二苯并芴基团、菲基团、蒽基团、荧蒽基团、苯并[9,10]菲基团、芘基团、基团、苝基团、戊芬基团、并六苯基团、并五苯基团、噻吩基团、呋喃基团、咔唑基团、吲哚基团、异吲哚基团、苯并呋喃基团、苯并噻吩基团、二苯并呋喃基团、二苯并噻吩基团、苯并咔唑基团、二苯并咔唑基团、二苯并噻咯基团或吡啶基团。

在实施例中，荧光掺杂剂可以包括化合物fd1至化合物fd37、dpvbi、dpavbi及其任何组合中的一个：

[中间层130中的电子传输区域]

电子传输区域可以具有：i)单层结构，由单个层组成，所述单个层由单种材料组成；ii)单层结构，由单个层组成，所述单个层由多种不同材料组成；或者iii)多层结构，包括包含不同材料的多个层。

电子传输区域可以包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任何组合。

在实施例中，电子传输区域可以具有电子传输层/电子注入层结构、空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层结构、电子控制层/电子传输层/电子注入层结构或缓冲层/电子传输层/电子注入层结构，其中，对于每种结构，以该陈述的次序从发射层顺序地堆叠构成层。

电子传输区域(例如，电子传输区域中的缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层或电子传输层)可以包括包含至少一个贫π电子的含氮c1-c60环状基团的无金属化合物。

在实施例中，电子传输区域可以包括由下面的式601表示的化合物：

式601

[ar601]xe11-[(l601)xe1-r601]xe21。

在式601中，

ar601和l601可以均独立地为未被取代或取代有至少一个r10a的c3-c60碳环基或者未被取代或取代有至少一个r10a的c1-c60杂环基，

xe11可以为1、2或3，

xe1可以为0、1、2、3、4或5，

r601可以为未被取代或取代有至少一个r10a的c3-c60碳环基、未被取代或取代有至少一个r10a的c1-c60杂环基、-si(q601)(q602)(q603)、-c(＝o)(q601)、-s(＝o)2(q601)或-p(＝o)(q601)(q602)，

q601至q603与结合q1描述的相同，

xe21可以为1、2、3、4或5，并且

ar601、l601和r601中的至少一个可以均独立地为未被取代或取代有至少一个r10a的贫π电子的含氮c1-c60环状基团。

在实施例中，当式601中的xe11为2或更大时，两个或更多个ar601可以经由单键彼此连接。

在实施例中，式601中的ar601可以是取代或未取代的蒽基。

在实施例中，电子传输区域可以包括由式601-1表示的化合物：

式601-1

在式601-1中，

x614可以为n或c(r614)，x615可以为n或c(r615)，x616可以为n或c(r616)，并且x614至x616中的至少一个可以为n，

l611至l613可以通过参照结合l601给出的描述来理解，

xe611至xe613可以通过参照结合xe1给出的描述来理解，

r611至r613可以通过参照结合r601给出的描述来理解，并且

r614至r616可以均独立地为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、未被取代或取代有至少一个r10a的c3-c60碳环基或者未被取代或取代有至少一个r10a的c1-c60杂环基。

在实施例中，式601中的xe1和式601-1中的xe611至xe613可以均独立地为0、1或2。

电子传输区域可以包括化合物et1至化合物et45、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bcp)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bphen)、alq3、balq、taz、ntaz及其任何组合中的一种：

电子传输区域的厚度可以为约至约例如，约至约当电子传输区域包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层或其任何组合时，缓冲层、空穴阻挡层或电子控制层的厚度可以均独立地为约至约例如，约至约并且电子传输层的厚度可以为约至约例如，约至约当缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层和/或电子传输层的厚度在这些范围内时，可以获得令人满意的电子传输特性而不显著增大驱动电压。

除了上述材料之外，电子传输区域(例如，电子传输区域中的电子传输层)还可以包括含金属材料。

含金属材料可以包括碱金属配合物、碱土金属配合物或其任何组合。碱金属配合物的金属离子可以为li离子、na离子、k离子、rb离子或cs离子，并且碱土金属配合物的金属离子可以为be离子、mg离子、ca离子、sr离子或ba离子。与碱金属配合物或碱土金属配合物的金属离子配位的配体可以为羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任何组合。

在实施例中，含金属材料可以包括li配合物。li配合物可以包括例如化合物et-d1(liq)或化合物et-d2：

电子传输区域可以包括促进电子从第二电极150注入的电子注入层。电子注入层可以直接接触第二电极150。

电子注入层可以具有：i)单层结构，由单个层组成，所述单个层由单种材料组成；ii)单层结构，由包括多种不同材料的单个层组成；或者iii)多层结构，包括包含不同材料的多个层。

电子注入层可以包括碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属配合物、碱土金属配合物、稀土金属配合物或其任何组合。

碱金属可以包括li、na、k、rb、cs或其任何组合。碱土金属可以包括mg、ca、sr、ba或其任何组合。稀土金属可以包括sc、y、ce、tb、yb、gd或其任何组合。

含碱金属化合物、含碱土金属化合物和含稀土金属化合物可以是碱金属、碱土金属和稀土金属的氧化物和卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物或碘化物)、碲化物或其任何组合。

含碱金属化合物可以是碱金属氧化物(诸如li2o、cs2o或k2o)和碱金属卤化物(诸如lif、naf、csf、kf、lii、nai、csi或ki)或其任何组合。含碱土金属化合物可以包括碱土金属氧化物，诸如bao、sro、cao、baxsr1-xo(x是满足条件0<x<1的实数)或baxca1-xo(x是满足条件0<x<1的实数)。含稀土金属化合物可以包括ybf3、scf3、sc2o3、y2o3、ce2o3、gdf3、tbf3、ybi3、sci3、tbi3或其任何组合。在实施例中，含稀土金属化合物可以包括镧系金属碲化物。镧系金属碲化物的示例为late、cete、prte、ndte、pmte、smte、eute、gdte、tbte、dyte、hote、erte、tmte、ybte、lute、la2te3、ce2te3、pr2te3、nd2te3、pm2te3、sm2te3、eu2te3、gd2te3、tb2te3、dy2te3、ho2te3、er2te3、tm2te3、yb2te3和lu2te3。

碱金属配合物、碱土金属配合物和稀土金属配合物可以包括：i)碱金属、碱土金属和稀土金属的离子中的一种；以及ii)作为与金属离子连接的配体，例如，羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任何组合。

电子注入层可以由碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属配合物、碱土金属配合物、稀土金属配合物或其任何组合组成，或者还可以包括有机材料(例如，由式601表示的化合物)。

在实施例中，电子注入层可以由以下化合物组成：i)含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)；或者ii)a)含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)；以及b)碱金属、碱土金属、稀土金属或其任何组合。在实施例中，电子注入层可以是ki:yb共沉积层或rbi:yb共沉积层。

当电子注入层还包括有机材料时，碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属配合物、碱土金属配合物、稀土金属配合物或其任何组合可以均匀地或非均匀地分散在包括有机材料的基质中。

电子注入层的厚度可以在约至约(例如，约至约)的范围内。当电子注入层的厚度在上述范围内时，电子注入层可以具有令人满意的电子注入特性而不显著增大驱动电压。

[第二电极150]

第二电极150可以位于具有这样的结构的中间层130上。第二电极150可以是作为电子注入电极的阴极，并且可以使用均具有低逸出功的金属、合金、导电化合物或其任何组合作为用于形成第二电极150的材料。

第二电极150可以包括锂(li)、银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铝-锂(al-li)、钙(ca)、镁-铟(mg-in)、镁-银(mg-ag)、镱(yb)、银-镱(ag-yb)、ito、izo或其任何组合。第二电极150可以是透射电极、半透射电极或反射电极。

第二电极150可以具有单层结构或者包括两个或更多个层的多层结构。

[盖层]

第一盖层可以位于第一电极110外部，并且/或者第二盖层可以位于第二电极150外部。详细地，发光器件10可以具有其中第一盖层、第一电极110、中间层130和第二电极150以该陈述的次序顺序地堆叠的结构、其中第一电极110、中间层130、第二电极150和第二盖层以该陈述的次序顺序地堆叠的结构或者其中第一盖层、第一电极110、中间层130、第二电极150和第二盖层以该陈述的次序顺序地堆叠的结构。

发光器件10的中间层130的发射层中产生的光可以通过第一电极110(其为半透射电极或透射电极)和第一盖层朝向外部提取，并且发光器件10的中间层130的发射层中产生的光可以通过第二电极150(其为半透射电极或透射电极)和第二盖层朝向外部提取。

第一盖层和第二盖层可以根据相长干涉的原理来提高外部发光效率。因此，提高发光器件10的光提取效率，从而可以改善发光器件10的发光效率。

第一盖层和第二盖层中的每个可以包括具有1.6或更大的折射率(在589nm处)的材料。

第一盖层和第二盖层可以均独立地为包括有机材料的有机盖层、包括无机材料的无机盖层或者包括有机材料和无机材料的有机-无机复合盖层。

第一盖层和第二盖层中的至少一个可以均独立地包括碳环化合物、杂环化合物、含胺基化合物、卟啉衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属配合物、碱土金属配合物或其任何组合。碳环化合物、杂环化合物和含胺基化合物可以可选地被包含有o、n、s、se、si、f、cl、br、i或其任何组合的取代基取代。在实施例中，第一盖层和第二盖层中的至少一个可以均独立地包括含胺基化合物。

在实施例中，第一盖层和第二盖层中的至少一个可以均独立地包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任何组合。

在实施例中，第一盖层和第二盖层中的至少一个可以均独立地包括化合物ht28至化合物ht33中的一个、化合物cp1至化合物cp6中的一个、β-npb或其任何组合：

[电子设备]

发光器件可以包括在各种电子设备中。在实施例中，包括发光器件的电子设备可以是发光设备、认证设备等。

除了发光器件之外，电子设备(例如，发光设备)还可以包括：i)滤色器；ii)颜色转换层；或者iii)滤色器和颜色转换层。滤色器和/或颜色转换层可以位于从发光器件发射的光的至少一个行进方向上。在实施例中，从发光器件发射的光可以是蓝光或白光。发光器件可以与上述相同。在实施例中，颜色转换层可以包括量子点。

电子设备可以包括第一基底。第一基底可以包括多个子像素区域，滤色器可以包括分别与多个子像素区域对应的多个滤色器区域，并且颜色转换层可以包括分别与多个子像素区域对应的多个颜色转换区域。

像素限定膜可以位于多个子像素区域之间以限定每个子像素区域。

滤色器还可以包括多个滤色器区域以及位于多个滤色器区域之间的阻光图案，并且颜色转换层还可以包括多个颜色转换区域以及位于多个颜色转换区域之间的阻光图案。

多个滤色器区域(或多个颜色转换区域)可以包括发射第一颜色光的第一区域、发射第二颜色光的第二区域和/或发射第三颜色光的第三区域，并且第一颜色光、第二颜色光和/或第三颜色光可以具有彼此不同的最大发射波长。在实施例中，第一颜色光可以是红光，第二颜色光可以是绿光，并且第三颜色光可以是蓝光。在实施例中，多个滤色器区域(或多个颜色转换区域)可以包括量子点。详细地，第一区域可以包括红色量子点，第二区域可以包括绿色量子点，并且第三区域可以不包括量子点。第一区域、第二区域和/或第三区域中的每个还可以包括散射体。

在实施例中，发光器件可以发射第一光，第一区域可以吸收第一光以发射第一第一颜色光，第二区域可以吸收第一光以发射第二第一颜色光，并且第三区域可以吸收第一光以发射第三第一颜色光。就这点而言，第一第一颜色光、第二第一颜色光和第三第一颜色光可以具有彼此不同的最大发射波长。详细地，第一光可以是蓝光，第一第一颜色光可以是红光，第二第一颜色光可以是绿光，并且第三第一颜色光可以是蓝光。

除了如上所述的发光器件之外，电子设备还可以包括薄膜晶体管。薄膜晶体管可以包括源电极、漏电极和有源层，其中，源电极和漏电极中的任何一个可以电连接到发光器件第一电极和第二电极中的任何一个。

薄膜晶体管还可以包括栅电极、栅极绝缘层等。

有源层可以包括晶体硅、非晶硅、有机半导体、氧化物半导体等。

电子设备还可以包括用于密封发光器件的密封部分。密封部分可以位于滤色器和/或颜色转换层与发光器件之间。密封部分允许来自发光器件的光朝向外部提取，同时防止环境空气和湿气渗透到发光器件中。密封部分可以是包括透明玻璃基底或塑料基底的密封基底。密封部分可以是包括一个或更多个有机层和/或一个或更多个无机层的薄膜封装层。当密封部分是薄膜封装层时，电子设备可以是柔性的。

除了滤色器和/或颜色转换层之外，根据电子设备的用途，各种功能层可以进一步位于密封部分上。功能层的示例可以包括触摸屏层、偏振层等。触摸屏层可以是压敏触摸屏层、电容触摸屏层或红外触摸屏层。认证设备可以是例如用于通过使用生物识别体(例如，指尖、瞳孔等)的生物识别信息来认证个体的生物特识别证设备。

除了发光器件之外，认证设备还可以包括生物识别信息收集器。

电子设备可以应用于各种显示器、光源、照明、个人计算机(例如，移动个人计算机)、移动电话、数码相机、电子记事本、电子词典、电子游戏机、医疗仪器(例如，电子温度计、血压计、血糖仪、脉搏测量装置、脉搏波测量装置、心电图显示器、超声诊断装置或内窥镜显示器)、探鱼器、各种测量仪器、仪表(例如，用于车辆、飞机和船舶的仪表)、投影仪等。

[图2和图3的描述]

图2是示出根据本公开的实施例的发光设备的剖视图。

图2的发光设备包括基底100、薄膜晶体管(tft)、发光器件和密封发光器件的封装部分300。

基底100可以是柔性基底、玻璃基底或金属基底。缓冲层210可以位于基底100上。缓冲层210防止杂质渗透基底100，并且可以在基底100上提供平坦的表面。

tft可以位于缓冲层210上。tft可以包括有源层220、栅电极240、源电极260和漏电极270。

有源层220可以包括诸如硅或多晶硅的无机半导体、有机半导体或者氧化物半导体，并且可以包括源区、漏区和沟道区。

用于使有源层220与栅电极240绝缘的栅极绝缘膜230可以位于有源层220上，并且栅电极240可以位于栅极绝缘膜230上。

层间绝缘膜250可以位于栅电极240上。层间绝缘膜250位于栅电极240与源电极260之间以使栅电极240与源电极260绝缘，并且位于栅电极240与漏电极270之间以使栅电极240与漏电极270绝缘。

源电极260和漏电极270可以位于层间绝缘膜250上。层间绝缘膜250和栅极绝缘膜230可以形成为使有源层220的源区和漏区暴露，并且源电极260和漏电极270可以定位为与有源层220的源区和漏区的暴露的部分接触。

tft可以电连接到发光器件以驱动发光器件，并且通过被钝化层280覆盖而被保护。钝化层280可以包括无机绝缘膜、有机绝缘膜或其组合。发光器件设置在钝化层280上。发光器件包括第一电极110、中间层130和第二电极150。

第一电极110可以位于钝化层280上。钝化层280不完全覆盖漏电极270并且使漏电极270的一部分暴露，并且第一电极110可以连接到漏电极270的暴露的部分。

包括绝缘材料的像素限定层290可以位于第一电极110上。像素限定层290可以使第一电极110的某些区域暴露，并且中间层130可以形成在第一电极110的暴露的区域中。像素限定层290可以是聚酰亚胺或聚丙烯酸类有机膜。尽管图2中未示出，但中间层130中的至少一些层可以延伸超过像素限定层290的上部，并且因此可以定位为公共层的形式。

第二电极150可以位于中间层130上，并且盖层170可以另外地形成在第二电极150上。盖层170可以形成为覆盖第二电极150。

封装部分300可以位于盖层170上。封装部分300可以位于发光器件上并且保护发光器件免受湿气或氧的影响。封装部分300可以包括：无机膜，包括氮化硅(sinx)、氧化硅(siox)、氧化铟锡、氧化铟锌或其组合；有机膜，包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸盐、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅氧烷、丙烯酸树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯或聚丙烯酸)、环氧类树脂(例如，脂肪族缩水甘油醚(age))或其任何组合；或者无机膜和有机膜的组合。

图3是根据另一实施例的发光设备的剖视图。

除了阻光图案500和功能区域400另外地位于封装部分300上之外，图3的发光设备与图2的发光设备相同。功能区域400可以是：i)滤色器区域；ii)颜色转换区域；或者iii)滤色器区域和颜色转换区域的组合。在实施例中，包括在图3的发光设备中的发光器件可以是串联发光器件。

[制备方法]

可以通过使用从真空沉积、旋涂、浇铸、朗格缪尔-布洛杰特(lb)沉积、喷墨印刷、激光印刷和激光诱导热成像中选择的一种或更多种合适的方法在特定的区域中形成构成空穴传输区域的层、发射层和构成电子传输区域的层。

当通过真空沉积来形成构成空穴传输区域的层、发射层和构成电子传输区域的层时，通过考虑将包括在待形成的层中的材料和待形成的层的结构，可以在约100℃至约500℃的沉积温度、约10^-8托至约10^-3托的真空度和约至约的沉积速度下执行真空沉积。

[术语的定义]

如这里使用的术语“c3-c60碳环基”指仅由作为成环原子的碳组成且具有三个至六十个碳原子的环状基团，并且如这里使用的术语“c1-c60杂环基”指具有一个至六十个碳原子且除了碳以外还包括杂原子作为成环原子的环状基团。c3-c60碳环基和c1-c60杂环基可以均为由一个环组成的单环基团或者其中两个或更多个环彼此缩合的多环基团。在实施例中，c1-c60杂环基的成环原子的数量可以为3个至61个。

如这里使用的术语“环状基团”包括c3-c60碳环基和c1-c60杂环基。

如这里使用的术语“富π电子的c3-c60环状基团”指具有三个至六十个碳原子且不包括*-n＝*'作为成环部分的环状基团，并且如这里使用的术语“贫π电子的含氮c1-c60环状基团”指具有一个至六十个碳原子且包括*-n＝*'作为成环部分的杂环基。

在实施例中，

c3-c60碳环基可以为：i)基团t1；或者ii)其中两个或更多个基团t1彼此缩合的缩合环状基团(例如，环戊二烯基团、金刚烷基团、降冰片烷基团、苯基团、并环戊二烯基团、萘基团、甘菊环基团、引达省基团、苊基团、非那烯基团、菲基团、蒽基团、荧蒽基团、苯并[9,10]菲基团、芘基团、基团、苝基团、戊芬基团、庚搭烯基团、并四苯基团、苉基团、并六苯基团、并五苯基团、玉红省基团、蒄基团、卵苯基团、茚基团、芴基团、螺二芴基团、苯并芴基团、茚并菲基团或茚并蒽基团)，

c1-c60杂环基可以为：i)基团t2；ii)其中两个或更多个基团t2彼此缩合的缩合环状基团；或者iii)其中至少一个基团t2和至少一个基团t1彼此缩合的缩合环状基团(例如，吡咯基团、噻吩基团、呋喃基团、吲哚基团、苯并吲哚基团、萘并吲哚基团、异吲哚基团、苯并异吲哚基团、萘并异吲哚基团、苯并噻咯基团、苯并噻吩基团、苯并呋喃基团、咔唑基团、二苯并噻咯基团、二苯并噻吩基团、二苯并呋喃基团、茚并咔唑基团、吲哚并咔唑基团、苯并呋喃并咔唑基团、苯并噻吩并咔唑基团、苯并噻咯并咔唑基团、苯并吲哚并咔唑基团、苯并咔唑基团、苯并萘并呋喃基团、苯并萘并噻吩基团、苯并萘并噻咯基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基团、苯并噻吩并二苯并噻吩基团、吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并异噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并异噻唑基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、苯并喹啉基团、苯并异喹啉基团、喹喔啉基团、苯并喹喔啉基团、喹唑啉基团、苯并喹唑啉基团、菲咯啉基团、噌啉基团、酞嗪基团、萘啶基团、咪唑并吡啶基团、咪唑并嘧啶基团、咪唑并三嗪基团、咪唑并吡嗪基团、咪唑并哒嗪基团、氮杂咔唑基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、氮杂二苯并噻吩基团或氮杂二苯并呋喃基团)，

富π电子的c3-c60环状基团可以为：i)基团t1；ii)其中两个或更多个基团t1彼此缩合的缩合环状基团；iii)基团t3；iv)其中两个或更多个基团t3彼此缩合的缩合环状基团；或者v)其中至少一个基团t3和至少一个基团t1彼此缩合的缩合环状基团(例如，c3-c60碳环基团、吡咯基团、噻吩基团、呋喃基团、吲哚基团、苯并吲哚基团、萘并吲哚基团、异吲哚基团、苯并异吲哚基团、萘并异吲哚基团、苯并噻咯基团、苯并噻吩基团、苯并呋喃基团、咔唑基团、二苯并噻咯基团、二苯并噻吩基团、二苯并呋喃基团、茚并咔唑基团、吲哚并咔唑基团、苯并呋喃并咔唑基团、苯并噻吩并咔唑基团、苯并噻咯并咔唑基团、苯并吲哚并咔唑基团、苯并咔唑基团、苯并萘并呋喃基团、苯并萘并噻吩基团、苯并萘并噻咯基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基团或苯并噻吩并二苯并噻吩基团)，

贫π电子的含氮c1-c60环状基团可以为：i)基团t4；ii)其中两个或更多个基团t4彼此缩合的缩合环状基团；iii)其中至少一个基团t4和至少一个基团t1彼此缩合的缩合环状基团；iv)其中至少一个基团t4和至少一个基团t3彼此缩合的缩合环状基团；或者v)其中至少一个基团t4、至少一个基团t1和至少一个基团t3彼此缩合的缩合环状基团(例如，吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并异噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并异噻唑基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、苯并喹啉基团、苯并异喹啉基团、喹喔啉基团、苯并喹喔啉基团、喹唑啉基团、苯并喹唑啉基团、菲咯啉基团、噌啉基团、酞嗪基团、萘啶基团、咪唑并吡啶基团、咪唑并嘧啶基团、咪唑并三嗪基团、咪唑并吡嗪基团、咪唑并哒嗪基团、氮杂咔唑基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、氮杂二苯并噻吩基团或氮杂二苯并呋喃基团)，

基团t1可以是环丙烷基团、环丁烷基团、环戊烷基团、环己烷基团、环庚烷基团、环辛烷基团、环丁烯基团、环戊烯基团、环戊二烯基团、环己烯基团、环己二烯基团、环庚烯基团、金刚烷基团、降冰片烷基团(或双环[2.2.1]庚烷基团)、降冰片烯基团、双环[1.1.1]戊烷基团、双环[2.1.1]己烷基团、双环[2.2.2]辛烷基团或苯基团，

基团t2可以为呋喃基团、噻吩基团、1h-吡咯基团、噻咯基团、硼杂环戊二烯基团、2h-吡咯基团、3h-吡咯基团、咪唑基团、吡唑基团、三唑基团、四唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、氮杂噻咯基团、氮杂硼杂环戊二烯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团或四嗪基团，

基团t3可以为呋喃基团、噻吩基团、1h-吡咯基团、噻咯基团或硼杂环戊二烯基团，并且

基团t4可以为2h-吡咯基团、3h-吡咯基团、咪唑基团、吡唑基团、三唑基团、四唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、氮杂噻咯基团、氮杂硼杂环戊二烯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团或四嗪基团。

如这里使用的术语“环状基团、c3-c60碳环基、c1-c60杂环基、富π电子的c3-c60碳环基或贫π电子的含氮c1-c60环状基团”指根据用对应的术语描述的式的结构与环状基团、单价基团、多价基团(例如，二价基团、三价基团、四价基团等)缩合的基团。在实施例中，术语“苯基团”可以是本领域普通技术人员根据包括“苯基团”的式的结构可以容易地理解的苯并基团、苯基、亚苯基等。

在实施例中，单价c3-c60碳环基和单价c1-c60杂环基的示例为c3-c10环烷基、c1-c10杂环烷基、c3-c10环烯基、c1-c10杂环烯基、c6-c60芳基、c1-c60杂芳基、单价非芳香缩合多环基和单价非芳香缩合杂多环基，并且二价c3-c60碳环基和二价c1-c60杂环基的示例为c3-c10亚环烷基、c1-c10亚杂环烷基、c3-c10亚环烯基、c1-c10亚杂环烯基、c6-c60亚芳基、c1-c60亚杂芳基、二价非芳香缩合多环基以及取代或未取代的二价非芳香缩合杂多环基。

如这里使用的术语“c1-c60烷基”指具有1个至60个碳原子的直链或支链的脂肪族饱和烃单价基团，其示例为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、叔戊基、新戊基、异戊基、仲戊基、3-戊基、仲异戊基、正己基、异己基、仲己基、叔己基、正庚基、异庚基、仲庚基、叔庚基、正辛基、异辛基、仲辛基、叔辛基、正壬基、异壬基、仲壬基、叔壬基、正癸基、异癸基、仲癸基和叔癸基。如这里使用的术语“c1-c60亚烷基”指与c1-c60烷基具有相同结构的二价基团。

如这里使用的术语“c2-c60烯基”指在c2-c60烷基的中间或末端处具有至少一个碳-碳双键的单价烃基，其示例包括乙烯基、丙烯基和丁烯基。如这里使用的术语“c2-c60亚烯基”指与c2-c60烯基具有相同结构的二价基团。

如这里使用的术语“c2-c60炔基”指在c2-c60烷基的中间或末端处具有至少一个碳-碳三键的单价烃基，其示例包括乙炔基和丙炔基。如这里使用的术语“c2-c60亚炔基”指与c2-c60炔基具有相同结构的二价基团。

如这里使用的术语“c1-c60烷氧基”指由-oa101(其中，a101是c1-c60烷基)表示的单价基团，其示例包括甲氧基、乙氧基和异丙氧基。

如这里使用的术语“c3-c10环烷基”指具有3个至10个碳原子的单价饱和烃单环基团，其示例为环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基(或双环[2.2.1]庚基)、双环[1.1.1]戊基、双环[2.1.1]己基和双环[2.2.2]辛基。如这里使用的术语“c3-c10亚环烷基”指与c3-c10环烷基具有相同结构的二价基团。

如这里使用的术语“c1-c10杂环烷基”指除了碳原子之外还包括至少一个杂原子作为成环原子且具有1个至10个碳原子的单价环状基团，其示例为1,2,3,4-噁三唑烷基、四氢呋喃基和四氢噻吩基。如这里使用的术语“c1-c10亚杂环烷基”指与c1-c10杂环烷基具有相同结构的二价基团。

如这里使用的术语“c3-c10环烯基”指在其环中具有3个至10个碳原子和至少一个碳-碳双键且不具有芳香性的单价环状基团，其示例包括环戊烯基、环己烯基和环庚烯基。如这里使用的术语“c3-c10亚环烯基”指与c3-c10环烯基具有相同结构的二价基团。

如这里使用的术语“c1-c10杂环烯基”指在其环状结构中具有除了碳原子之外的作为成环原子的至少一个杂原子、1个至10个碳原子以及至少一个双键的单价环状基团。c1-c10杂环烯基的示例包括4,5-二氢-1,2,3,4-噁三唑基、2,3-二氢呋喃基和2,3-二氢噻吩基。如这里使用的术语“c1-c10亚杂环烯基”指与c1-c10杂环烯基具有相同结构的二价基团。

如这里使用的术语“c6-c60芳基”指具有包括6个至60个碳原子的碳环芳香体系的单价基团，并且如这里使用的术语“c6-c60亚芳基”指具有包括6个至60个碳原子的碳环芳香体系的二价基团。c6-c60芳基的示例为苯基、并环戊二烯基、萘基、甘菊环基、引达省基、苊基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、苝基、戊芬基、庚搭烯基、并四苯基、苉基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蒄基和卵苯基。当c6-c60芳基和c6-c60亚芳基均包括两个或更多个环时，所述两个或更多个环可以彼此缩合。

如这里使用的术语“c1-c60杂芳基”指具有杂环芳香体系的单价基团，该杂环芳香体系具有除了碳原子之外的作为成环原子的至少一个杂原子以及1个至60个碳原子。如这里使用的术语“c1-c60亚杂芳基”指具有杂环芳香体系的二价基团，该杂环芳香体系具有除了碳原子之外的作为成环原子的至少一个杂原子以及1个至60个碳原子。c1-c60杂芳基的示例为吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、苯并喹啉基、异喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、噌啉基、菲咯啉基、酞嗪基和萘啶基。当c1-c60杂芳基和c1-c60亚杂芳基均包括两个或更多个环时，所述两个或更多个环可以彼此缩合。

如这里使用的术语“单价非芳香缩合多环基”指具有彼此缩合的两个或更多个环、仅碳原子(例如，具有8个至60个碳原子)作为成环原子且在其整个分子结构中不具有芳香性的单价基团。单价非芳香缩合多环基的示例为茚基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、茚并菲基和茚并蒽基。如这里使用的术语“二价非芳香缩合多环基”指与单价非芳香缩合多环基具有相同结构的二价基团。

如这里使用的术语“单价非芳香缩合杂多环基”指具有彼此缩合的两个或更多个环、除了碳原子(例如，具有1个至60个碳原子)之外的作为成环原子的至少一个杂原子且在其整个分子结构中不具有芳香性的单价基团。单价非芳香缩合杂多环基的示例包括吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基、吡唑基、咪唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、异噻唑基、噁二唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并噁二唑基、苯并噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基和苯并噻吩并二苯并噻吩基。如这里使用的术语“二价非芳香缩合杂多环基”指与单价非芳香缩合杂多环基具有相同结构的二价基团。

如这里使用的术语“c6-c60芳氧基”指-oa102(其中，a102是c6-c60芳基)，并且如这里使用的术语“c6-c60芳硫基”指-sa103(其中，a103是c6-c60芳基)。

如这里使用的术语“r10a”指：

氘(-d)、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基或硝基；

均未被取代或取代有氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c3-c60碳环基、c1-c60杂环基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、-si(q11)(q12)(q13)、-n(q11)(q12)、-b(q11)(q12)、-c(＝o)(q11)、-s(＝o)2(q11)、-p(＝o)(q11)(q12)或其任何组合的c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基或c1-c60烷氧基；

均未被取代或取代有氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基、c1-c60烷氧基、c3-c60碳环基、c1-c60杂环基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、-si(q21)(q22)(q23)、-n(q21)(q22)、-b(q21)(q22)、-c(＝o)(q21)、-s(＝o)2(q21)、-p(＝o)(q21)(q22)或其任何组合的c3-c60碳环基、c1-c60杂环基、c6-c60芳氧基或c6-c60芳硫基；或者

-si(q31)(q32)(q33)、-n(q31)(q32)、-b(q31)(q32)、-c(＝o)(q31)、-s(＝o)2(q31)或-p(＝o)(q31)(q32)。

这里使用的q1至q3、q11至q13、q21至q23和q31至q33可以均独立地为：氢；氘；-f；-cl；-br；-i；羟基；氰基；硝基；c1-c60烷基；c2-c60烯基；c2-c60炔基；c1-c60烷氧基；或者均未被取代或取代有氘、-f、氰基、c1-c60烷基、c1-c60烷氧基、苯基、联苯基或其任何组合的c3-c60碳环基或c1-c60杂环基。

如这里使用的术语“杂原子”指除了碳原子以外的任何原子。杂原子的示例为o、s、n、p、si、b、ge、se及其任何组合。

如这里使用的术语“ph”指苯基，如这里使用的术语“me”指甲基，如这里使用的术语“et”指乙基，如这里使用的术语“ter-bu”或“bu^t”指叔丁基，并且如这里使用的术语“ome”指甲氧基。

如这里使用的术语“联苯基”指“取代有苯基的苯基”。换言之，“联苯基”是具有c6-c60芳基作为取代基的取代的苯基。

如这里使用的术语“三联苯基”指“取代有联苯基的苯基”。换言之，“三联苯基”是具有取代有c6-c60芳基的c6-c60芳基作为取代基的取代的苯基。

除非另外定义，否则如这里使用的*和*'均指与对应式中的相邻原子的结合位。

[示例]

评价示例1

根据表1中描述的方法，对于表2中描述的每种化合物，评价发射光谱、发射峰波长、吸收光谱、吸收峰波长、摩尔消光系数和斯托克斯位移，并且表2中描述了其结果。d1-1、d1-2和d1-3(“d1-1”、“d1-2”和“d1-3”)的发射光谱以及d2-1(“d2-1(abs)”)的吸收光谱示出在图4中。

表1

表2

评价示例2

对于表3中描述的化合物的发射光谱和吸收光谱中的每个，通过使用excel程序根据这里描述的等式1来计算光谱重叠积分并在表3中示出。

表3

评价示例3

对于通过将表4中描述的每种化合物沉积为具有的厚度的薄膜，通过使用用于评价表1的发射光谱的分光光度计来分别测量低温(4k)发射光谱和室温(300k)发射光谱，然后1)通过与室温发射光谱比较并分析仅在低温发射光谱中观察的峰来评价最低激发三重态(t1)能级；以及2)通过将室温发射光谱的发射强度变为最大处的峰的最大发射波长(nm)转换为ev单位来评价最低激发单重态(s1)能级，其结果示出在表4中。

表4

示例1

将可从康宁公司(corninginc.)获得的15ωcm²ito玻璃基底(阳极)切割为50mm×50mm×0.7mm的尺寸，通过使用异丙醇和纯水各超声5分钟，然后通过紫外线照射和臭氧暴露30分钟将其进行清洗。然后，将所得的玻璃基底装载到真空沉积设备上。

在玻璃基底上真空沉积2-tnata以形成具有的厚度的空穴注入层，然后在其上真空沉积hat-cn以形成具有的厚度的空穴传输层。

在空穴传输层上以90:5:5的重量比共沉积主体(mcbp)、第一掺杂剂和第二掺杂剂以形成具有的厚度的发射层。第一掺杂剂和第二掺杂剂与表5中描述的相同。

随后，在发射层上真空沉积et1以形成具有的厚度的电子传输层。在电子传输层上真空沉积yb以形成具有的厚度的电子注入层，并在其上真空沉积al以形成具有的厚度的阴极，从而完成有机发光器件的制造。

示例2和示例3以及对比示例a

除了将表5中描述的化合物分别用于形成发射层之外，以与示例1中的方式相同的方式来制造有机发光器件。

评价示例4

对于示例1至示例3和对比示例a中制造的有机发光器件，通过使用下面的方法来测量10ma/cm²的电流密度下的驱动电压、外量子效率(eqe)、寿命(lt50)和色坐标，其结果示出在表5中：

-色坐标：通过电流-电压表(keithleysmu236)供应电力，并通过使用亮度计pr650测量色坐标。

-亮度：通过电流-电压表(keithleysmu236)供应电力，并通过使用亮度计pr650测量亮度。

-效率：通过电流-电压表(keithleysmu236)供应电力，并通过使用亮度计pr650测量效率。

寿命(lt50)表示直到亮度降低到初始亮度100％的50％所花费的时间量。

表5

根据表5，确认的是，与对比示例a的发光器件相比，示例1至示例3的发光器件发射蓝光并具有改善的驱动电压、改善的外量子效率和改善的寿命特性。

发光器件具有低驱动电压、高外量子效率和长寿命。此外，可以通过使用发光器件来制造电子设备。

应该理解的是，应该仅以描述性意义来考虑这里描述的实施例，而不是出于限制的目的。每个实施例内的特征或方面的描述通常应该被认为可用于其它实施例中的其它类似特征或方面。尽管已经参照附图描述了一个或更多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离由权利要求限定的精神和范围的情况下，可以在其中做出形式和细节上的各种改变。