晶粒距离调整方法与流程

1.本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种晶粒距离调整方法，特别是一种利用负压固定并且利用负压或正压小范围撑开主要目标区块以调整主要目标区块内的多个晶粒的间隔距离的晶粒距离调整方法。


背景技术：

2.集成电路通过大批方式，经过多道程序，制作在半导体晶圆上，晶圆进一步分割成多个晶粒。换句话说，晶粒是以半导体材料制作而成未经封装的一小块集成电路本体。分割好的多个晶粒整齐贴附在一承载膜上，接着由一承载框负责运送承载膜至一基板的上方，然后通过一顶推件将承载膜的主要目标区块内的多个晶粒批量转移至基板上，能够益于进行后续加工程序。
3.进一步地说，在晶粒转移以前，将整块承载膜向外拉动以撑开整块承载膜，使得全部晶粒的间隔距离扩大至适当距离。在晶粒转移的过程中，顶推件推动承载膜的主要目标区块往靠近基板的方向移动，直至承载膜的主要目标区块内的多个晶粒转移至基板为止。
4.然而，整块承载膜撑开一段时间以后，承载膜的内聚力会让整块承载膜向内回弹收缩，导致全部晶粒的间隔距离变小。一旦发生上述状况，主要目标区块的面积将会变小，导致顶推件涵盖到其他目标区块的部分晶粒，从而顶推件在将主要目标区块内的多个晶粒转移到基板的过程中，也会将其他目标区块的部分晶粒一起转移到基板，使得转移到基板上的晶粒数量超过预定数量，进而影响到后续加工程序。
5.另外，多个其他目标区块和主要目标区块太过靠近，导致其他目标区块内的多个晶粒和主要目标区块内的多个晶粒容易发生互相碰撞而受损的问题。


技术实现要素：

6.本发明的主要目的在于提供一种晶粒距离调整方法，能够让承载膜的主要目标区块一直保持在撑开状态，承载膜的主要目标区块内的多个晶粒始终维持在适当距离，使得最终转移到基板上的晶粒数量与预定数量一致，不影响后续加工程序。
7.本发明的另一目的在于提供一种晶粒距离调整方法，顶推件能够更为顺利地推动承载膜的主要目标区块往基板的方向移动，不会受到负压或正压的影响。
8.为了达成前述的目的，本发明提供一种晶粒距离调整方法，包括下列步骤：
9.准备步骤：一承载膜的一第一表面朝向一固定装置及一顶推件，承载膜的一第二表面朝向一基板并且具有多个晶粒，承载膜依据所述多个晶粒的数量区隔成多个区块，其中一个区块界定为一主要目标区块，其余区块界定为多个其他目标区块，固定装置对准主要目标区块的周围，顶推件对准主要目标区块。
10.固定步骤：固定装置移动至主要目标区块的周围并且通过一第一负压吸附主要目标区块的周围，顶推件移动至主要目标区块。
11.距离调整步骤：固定装置通过一第二负压吸附主要目标区块，顶推件往远离基板
的方向移动，主要目标区块受到第二负压的吸引而随着顶推件往远离基板的方向移动并且向外撑开，使得主要目标区块内的多个晶粒的间隔距离扩大至一适当距离。
12.转移步骤：顶推件推动主要目标区块往靠近基板的方向移动，直至主要目标区块内的多个晶粒转移至基板为止，位于基板上的多个晶粒的间隔距离维持在适当距离。
13.较佳地，在准备步骤中，固定装置呈环状以形成一轴孔并且开设多个气孔，所述多个气孔连接一第一真空装置，轴孔连接一第二真空装置，顶推件可移动地位于轴孔中；其中，在固定步骤中，第一真空装置对所述多个气孔抽气以产生真空并且提供第一负压；以及其中，在距离调整步骤中，第一真空装置对轴孔抽气以产生真空并且提供第二负压。
14.较佳地，在转移步骤中，固定装置停止通过第二负压吸住主要目标区块。
15.较佳地，在准备步骤中，一影像撷取装置位于基板相对于一侧并且电性连接一处理单元；其中，在固定步骤中，影像撷取装置撷取主要目标区块内的多个晶粒的一调整前影像，以获得一调整前影像信息，并且将调整前影像信息传送至处理单元；以及其中，在距离调整步骤中，影像撷取装置撷取主要目标区块内的多个晶粒的一调整后影像，以获得一调整后影像信息，并且将调整后影像信息传送至处理单元，处理单元比对调整前影像信息与调整后影像信息以判断出主要目标区块内的多个晶粒的间隔距离是否扩大至适当距离。
16.较佳地，在准备步骤中，一影像撷取装置位于基板相对于一侧并且电性连接一处理单元；其中，在距离调整步骤中，影像撷取装置撷取主要目标区块内的多个晶粒的一调整后影像，以获得一调整后影像信息，并且将调整后影像信息传送至处理单元；以及其中，在转移步骤中，影像撷取装置撷取位于基板上的多个晶粒的一转移影像，以获得一转移影像信息，并且将转移影像信息传送至处理单元，处理单元比对调整后影像信息与转移影像信息以判断出基板上的多个晶粒的间隔距离是否维持在适当距离。
17.较佳地，在准备步骤中，所述多个区块的间隔距离大于所述多个晶粒的间隔距离。
18.为了达成前述的目的，本发明提供一种晶粒距离调整方法，包括下列步骤：
19.准备步骤：一承载膜的一第一表面朝向一固定装置及一顶推件，一第二表面朝向一基板并且具有多个晶粒，承载膜依据所述多个晶粒的数量区隔成多个区块，其中一个区块界定为一主要目标区块，其余区块界定为多个其他目标区块，固定装置对准主要目标区块的周围，顶推件对准主要目标区块。
20.固定步骤：固定装置移动至主要目标区块的周围并且通过一第一负压吸附主要目标区块的周围，顶推件移动至主要目标区块。
21.距离调整步骤：固定装置通过一正压吹拂主要目标区块，主要目标区块受到正压的吹拂而往靠近一基板的方向移动并且向外撑开，使得主要目标区块内的多个晶粒的间隔距离扩大至一适当距离。
22.转移步骤：顶推件推动主要目标区块往靠近基板的方向移动，直至主要目标区块内的多个晶粒转移至基板为止，位于基板上的多个晶粒的间隔距离维持在适当距离。
23.较佳地，在准备步骤中，固定装置呈环状以形成一轴孔并且开设多个气孔，所述多个气孔连接一第一真空装置，轴孔连接一气体供应装置，顶推件可移动地位于轴孔中；其中，在固定步骤中，第一真空装置对所述多个气孔抽气以产生真空并且提供第一负压；以及其中，在距离调整步骤中，气体供应装置对轴孔供应气体以产生气流并且提供正压。
24.较佳地，在转移步骤中，固定装置停止通过正压吹拂主要目标区块。
25.较佳地，在准备步骤中，一影像撷取装置位于基板相对于一侧并且电性连接一处理单元；其中，在固定步骤中，影像撷取装置撷取主要目标区块内的多个晶粒的一调整前影像，以获得一调整前影像信息，并且将调整前影像信息传送至处理单元；以及其中，在距离调整步骤中，影像撷取装置撷取主要目标区块内的多个晶粒的一调整后影像，以获得一调整后影像信息，并且将调整后影像信息传送至处理单元，处理单元比对调整前影像信息与调整后影像信息以判断出主要目标区块内的多个晶粒的间隔距离是否扩大至适当距离。
26.较佳地，在准备步骤中，一影像撷取装置位于基板相对于一侧并且电性连接一处理单元；其中，在距离调整步骤中，影像撷取装置撷取主要目标区块内的多个晶粒的一调整后影像，以获得一调整后影像信息，并且将调整后影像信息传送至处理单元；以及其中，在转移步骤中，影像撷取装置撷取位于基板上的多个晶粒的一转移影像，以获得一转移影像信息，并且将转移影像信息传送至处理单元，处理单元比对调整后影像信息与转移影像信息以判断出基板上的多个晶粒的间隔距离是否维持在适当距离。
27.较佳地，在准备步骤中，所述多个区块的间隔距离大于所述多个晶粒的间隔距离。
28.本发明的有益效果是：
29.本发明的晶粒距离调整方法能够利用第一负压小范围固定主要目标区块的周围，然后利用第二负压或正压小范围撑开主要目标区块，以达到小范围调整主要目标区块内的多个晶粒的间隔距离至适当距离的功效，完全不需要撑开整块承载膜。因此，主要目标区块完全不会受到内聚力的影响而向内回弹收缩，从而能够让主要目标区块一直保持在撑开状态，主要目标区块内的多个晶粒始终维持在适当距离，使得最终转移到基板上的晶粒数量与预定数量一致，不影响后续加工程序。
30.再者，在转移步骤中，固定装置停止通过第二负压吸住主要目标区块或停止通过正压吹拂主要目标区块，顶推件能够更为顺利地推动主要目标区块往靠近基板的方向移动时，不会受到第二负压或正压的影响。
31.值得一提的是，为了提高晶粒转移效率，在准备步骤中，所述多个区块的间隔距离大于所述多个晶粒的间隔距离。因此，在转移步骤中，所述多个其他目标区块内的多个晶粒不会和主要目标区块内的多个晶粒发生互相碰撞而受损的问题。
附图说明
32.图1是本发明的晶粒距离调整方法的流程图；
33.图2是本发明的第一实施例的准备步骤的示意图。
34.图3是本发明的第一实施例的固定装置和顶推件的仰视图。
35.图4是本发明的第一实施例的气孔连接第一真空装置和轴孔连接第二真空装置的示意图。
36.图5是本发明的第一实施例的影像撷取装置电性连接处理单元的示意图。
37.图6是本发明的第一实施例的固定步骤的示意图。
38.图7是本发明的第一实施例的影像撷取装置传送调整前影像至处理单元的示意图。
39.图8是本发明的第一实施例的距离调整步骤的示意图。
40.图9是本发明的第一实施例的影像撷取装置传送调整后影像至处理单元的示意
图。
41.图10是本发明的第一实施例的转移步骤的示意图。
42.图11是本发明的第一实施例的影像撷取装置传送转移影像至处理单元的示意图。
43.图12是本发明的第二实施例的距离调整步骤的示意图。
44.图13是本发明的第二实施例的气孔连接第一真空装置和轴孔连接气体供应装置的示意图。
45.图14是本发明的多个区块的间隔距离大于多个晶粒的间隔距离的示意图。
46.附图标记说明：
47.10-承载膜；11-第一表面；12-第二表面；13-主要目标区块；14-其他目标区块；20-固定装置；21-轴孔；22-气孔；30-顶推件；40-基板；50-晶粒；60-第一真空装置；601-第一负压；61-第二真空装置；611-第二负压；62-气体供应装置；621-正压；70-影像撷取装置；71-调整前影像信息；72-调整后影像信息；73-转移影像信息；80-处理单元；90-承载框；100-夹具；d-适当距离；s1-准备步骤；s2-固定步骤；s3-距离调整步骤；s4-转移步骤。
具体实施方式
48.本发明针对承载膜由于内聚力向内回弹收缩引起晶粒的间隔距离变小而导致影响后续加工程序的问题，提供一种晶粒距离调整方法。
49.以下配合图式及组件符号对本发明的实施方式做更详细的说明，能使熟习该项技艺者在研读本说明书后能据以实施。
50.请参阅图1至图11，图1是本发明的的晶粒距离调整方法的流程图，图2是本发明的第一实施例的准备步骤s1的示意图，图3是本发明的第一实施例的固定装置20和顶推件30的仰视图，图4是本发明的第一实施例的气孔22连接第一真空装置60和轴孔21连接第二真空装置61的示意图，图5是本发明的第一实施例的影像撷取装置70电性连接处理单元80的示意图，图6是本发明的第一实施例的固定步骤s2的示意图，图7是本发明的第一实施例的影像撷取装置70传送调整前影像信息71至处理单元80的示意图，图8是本发明的第一实施例的距离调整步骤s3的示意图，图9是本发明的第一实施例的影像撷取装置70传送调整后影像信息72至处理单元80的示意图，图10是本发明的第一实施例的转移步骤s4的示意图，图11是本发明的第一实施例的影像撷取装置70传送转移影像信息73至处理单元80的示意图。本发明提供一种晶粒距离调整方法，包括下列步骤：
51.准备步骤s1：如图1及图2所示，一承载膜10的一第一表面11朝向一固定装置20及一顶推件30，承载膜10的一第二表面12朝向一基板40并且具有多个晶粒50，承载膜10依据所述多个晶粒50的数量区隔成多个区块，其中一个区块界定为一主要目标区块13，其余区块界定为多个其他目标区块14，固定装置20对准主要目标区块13的周围，顶推件30对准主要目标区块13。更明确地说，如图3至图5所示，固定装置20呈环状以形成一轴孔21并且开设多个气孔22，所述多个气孔22连接一第一真空装置60，轴孔21连接一第二真空装置61，顶推件30可移动地位于轴孔21中，一影像撷取装置70位于基板40相对于承载膜10的一侧并且电性连接一处理单元80。较佳地，承载膜10的两端分别位于二承载框90上，二夹具100夹住所述二承载框90。
52.固定步骤s2：如图1及图6所示，固定装置20移动至主要目标区块13的周围，第一真
空装置60对所述多个气孔22抽气以产生真空并且提供一第一负压601，固定装置20通过第一负压601吸附主要目标区块13的周围，顶推件30移动至主要目标区块13。如图6及图7所示，影像撷取装置70撷取主要目标区块13内的多个晶粒50的一调整前影像，以获得一调整前影像信息71，并且将调整前影像信息71传送至一处理单元80。
53.距离调整步骤s3：如图1及图8所示，第二真空装置61对轴孔21抽气以产生真空并且提供一第二负压611，固定装置20通过第二负压611吸附主要目标区块13，顶推件30往远离基板40的方向移动，主要目标区块13受到第二负压611的吸引而随着顶推件30往远离基板40的方向移动并且向外撑开，使得主要目标区块13内的多个晶粒50的间隔距离扩大至一适当距离d。如图8及图9所示，影像撷取装置70撷取主要目标区块13内的多个晶粒50的一调整后影像，以获得一调整后影像信息72，并且将调整后影像信息72传送至处理单元80，处理单元80比对调整前影像信息71与调整后影像信息72以判断出主要目标区块13内的多个晶粒50的间隔距离是否扩大至适当距离d。
54.转移步骤s4：如图1及图10所示，第二真空装置61停止对轴孔21抽气，固定装置20停止通过第二负压611吸住主要目标区块13，顶推件30推动主要目标区块13往靠近基板40的方向移动，直至主要目标区块13内的多个晶粒50转移至基板40为止，位于基板40上的多个晶粒50的间隔距离维持在适当距离d。如图10及图11所示，影像撷取装置70撷取位于基板40上的多个晶粒50的一转移影像，以获得一转移影像信息73，并且将转移影像信息73传送至处理单元80，处理单元80比对调整后影像信息72与转移影像信息73以判断出基板40上的多个晶粒50的间隔距离是否维持在适当距离d。
55.进一步地说，如图2所示，在尚未进行本发明的方法以前，在准备步骤s1中，固定装置20和顶推件30并没有接触承载膜10的第一表面11，因此如图6所示，在固定步骤s2中，固定装置20和顶推件30沿着一垂直方向移动至承载膜10的第一表面11。
56.在第一个主要目标区块13上的全部晶粒50转移至基板40以后，其他目标区块14的其中之一被选定为下一个主要目标区块13，此时重新回到准备步骤s1，固定装置20和顶推件30则保持抵靠在承载膜10的第一表面11。在固定步骤s2中，固定装置20和顶推件30移动至下一个主要目标区块13的方式有两种：其一，承载膜10保持不动，固定装置20和顶推件30沿着承载膜10的第一表面11直接移动至下一个主要目标区块13；其二，固定装置20和顶推件30保持不动，承载膜10移动，使得固定装置20和顶推件30间接移动至下一个主要目标区块13。后续的距离调整步骤s3和转移步骤s4则如前所述。
57.在所有晶粒50都转移至基板40以后，固定装置20和顶推件30远离承载膜10。
58.请参阅图12和图13，图12是本发明的第二实施例的距离调整步骤s3的示意图，图13是本发明的第二实施例的气孔22连接第一真空装置60和轴孔21连接气体供应装置62的示意图。第二实施例与第一实施例的差异在于：其一，在准备步骤s1中，轴孔21连接一气体供应装置62；其二，在距离调整步骤s3中，气体供应装置62对轴孔21供应气体以产生气流并且提供一正压621，固定装置20通过正压621吹拂主要目标区块13，主要目标区块13受到正压621的吹拂而往靠近基板40的方向移动并且向外撑开，使得主要目标区块13内的多个晶粒50的间隔距离扩大至适当距离d；其三，在转移步骤s4中，气体供应装置62停止对轴孔21供应气体，固定装置20停止通过正压621吹拂主要目标区块13。除此之外，第二实施例的其余技术特征和第一实施例完全相同。
59.以此，本发明的晶粒距离调整方法能够利用第一负压601小范围固定主要目标区块13的周围，然后利用第二负压611或正压621小范围撑开主要目标区块13，以达到小范围调整主要目标区块13内的多个晶粒50的间隔距离至适当距离的功效，完全不需要撑开整块承载膜10。因此，主要目标区块13完全不会受到内聚力的影响而向内回弹收缩，从而能够让主要目标区块13一直保持在撑开状态，主要目标区块13内的多个晶粒50始终维持在适当距离d，使得最终转移到基板40上的晶粒50数量与预定数量一致，不影响后续加工程序。
60.再者，本发明的晶粒距离调整方法能够通过影像撷取装置70和处理单元80共同监控主要目标区块13内的多个晶粒50的间隔距离是否调整到适当距离d。
61.此外，本发明的晶粒距离调整方法能够通过影像撷取装置70和处理单元80共同监控位于基板40上的多个晶粒50的间隔距离是否维持在适当距离d。
62.值得一提的是，在转移步骤s4中，固定装置20停止通过第二负压611吸住主要目标区块13或停止通过正压621吹拂主要目标区块13，顶推件30能够更为顺利地推动主要目标区块13往靠近基板40的方向移动时，不会受到第二负压611或正压621的影响。
63.请参阅图14，图14是本发明的多个区块的间隔距离大于多个晶粒50的间隔距离的示意图。如图14所示，为了提高晶粒50转移效率，在准备步骤s1中，所述多个区块的间隔距离大于所述多个晶粒50的间隔距离。因此，在转移步骤s4中，所述多个其他目标区块14内的多个晶粒50不会和主要目标区块13内的多个晶粒50发生互相碰撞而受损的问题。
64.以上所述者仅为用以解释本发明的较佳实施例，并非企图据以对本发明做任何形式上的限制，所以，凡有在相同的发明精神下所作有关本发明的任何修饰或变更，皆仍应包括在本发明意图保护的范畴。