一种陶瓷滤波器结构的制作方法

1.本发明属于通信领域，尤其涉及一种陶瓷滤波器结构。


背景技术：

2.随着现代通信技术的不断发展，对滤波器的要求越来越高，小尺寸、高性能、高功率、低成本的滤波器技术对于无线通信应用中的滤波器显得尤为重要，5g的阵列式天线的应用条件下，现存的金属腔体滤波器的尺寸已经完全无法满足无线通信系统的要求；如常规的单通道20瓦滤波器，目前的尺寸在200x100x30毫米以上，但5g滤波器的尺寸要求在50x30x30毫米的尺寸以下，否则阵列天线方案无法实现。
3.根据谐振腔原理，腔体内的谐振频率，取决于腔体的尺寸以及墙体填充材料的介电常数；同样的填充材料，尺寸越大则谐振频率越低；同样尺寸条件下，谐振频率和介电常数的平方根成反比，即同样的腔体尺寸下，填充物介电常数越大则腔体的谐振频率越低，空腔谐振腔，以空气为介质，介电常数为1，而陶瓷材料可用的介电常数范围在4-120之间，以36介电常数为例，同样频率条件下的腔体尺寸可缩减到金属空腔的六分之一，可见应用介电材料对于缩减腔体尺寸的显著能力。
4.介质陶瓷材料具有高频率条件下优异的低损耗特性，其特性可通过品质因子qf值来表征，高qf值也意味着微波信号在以陶瓷块为载体的介质谐振器中传播时，具有超低的能量损失，可提升滤波器的单腔q值，进而提升滤波器的性能。
5.将超低损耗的介质陶瓷材料以及单腔的设计，在此基础上制备的陶瓷滤波器，将具有最小的尺寸，合理的电性能，合理的功率处理能力，具有最佳的5g通信中功率滤波器性能，满足苛刻的通信对滤波器的要求。
6.介质陶瓷滤波器需要高品质因子qf的介质陶瓷材料，其介电常数范围在4-160之间，如微波介质陶瓷材料ba(co1/3nb2/3)o3具有优异的介电性能，尤其是高的品质因子qf值，其品质因子qf可达80000ghz，介电常数在35。
7.在一个同样3d外部尺寸的谐振器中制备陶瓷谐振器，显然是介质滤波器的最佳解决方案，这样的一致外部尺寸，在谐振器的压制、后续尺寸研磨精调工艺、组装工艺等介质滤波器制备工艺成为标准化工艺，对介质滤波器的规模量产非常重要；但如何在3d尺寸一致的介质谐振器中实现滤波器所必需的频率差值。
8.由于市场需求对陶瓷滤波器的尺寸小型化要求越来越严，然而在尺寸压缩到一定小的时候，产品的耦合带宽无法实现，从而就需要一种新的方法在小尺寸的情况下能得到强的耦合带宽。


技术实现要素：

9.为解决上述技术问题，本发明的目的是提供一种陶瓷滤波器结构。
10.为实现上述目的，本发明采用如下技术方案：
11.一种陶瓷滤波器结构，在陶瓷滤波器上开设有至少2个频率腔，且相邻之间均设有
间隔，同时两者的频率腔中的频率形成互通，在陶瓷滤波器上还开设有耦合槽，耦合槽位于相邻两频率腔之间，使两相邻的频率腔上的频率之间的电感量增加。
12.再更进一步的，所述的一种陶瓷滤波器结构，所述耦合槽开设在陶瓷滤波器的正面或背面，并均在相邻两频率腔之间设置。
13.再更进一步的，所述的一种陶瓷滤波器结构，所述耦合槽在相邻频率腔之间只设有一个。
14.再更进一步的，所述的一种陶瓷滤波器结构，所述耦合槽的深度小于陶瓷滤波器的宽度。
15.再更进一步的，所述的一种陶瓷滤波器结构，所述耦合槽的直径小于两相邻频率腔之间的距离。
16.借由上述方案，本发明至少具有以下优点：
17.本发明通过在陶瓷滤波器上开设耦合槽，其位于两频率腔之间，通过耦合槽增强陶瓷滤波器上的耦合带宽。
18.上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。
附图说明
19.为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
20.图1是本发明的结构示意图；
21.图2是本发明耦合槽在背面的结构示意图。
具体实施方式
22.为了使本发明所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
23.需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者间接在该另一个元件上。当一个元件被称为是“连接于”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或间接连接至该另一个元件上。
24.需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
25.此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
26.实施例
27.如图1、图2所示，一种陶瓷滤波器结构，在陶瓷滤波器1上开设有至少2个频率腔2，且相邻之间均设有间隔，同时两者的频率腔2中的频率形成互通，在陶瓷滤波器1上还开设有耦合槽3，耦合槽3位于相邻两频率腔1之间，使两相邻的频率腔上的频率之间的电感量增加。
28.本发明中所述耦合槽开设在陶瓷滤波器的正面或背面，并均在相邻两频率腔之间设置，上述的开设耦合槽只能是正面，或是背面，不能同时开设在正面和背面。
29.本发明中所述耦合槽在相邻频率腔之间只设有一个，同时，所述耦合槽的深度小于陶瓷滤波器的宽度，所述耦合槽的直径小于两相邻频率腔之间的距离。确保耦合槽依据需要进行开设大小。
30.依据上述的结构，耦合槽的形状不做任何的限定，可以是圆柱形、方形、或长方形，只要在两频率腔之间都能完成，耦合槽的形状没有限定，但是考虑到开设的工艺性，一般采用圆柱形为主，只要符合耦合槽能与两侧的频率腔形成互通，从而实现增强电感量，使之最后增强耦合带宽即可。
31.本发明通过在陶瓷滤波器上开设耦合槽，其位于两频率腔之间，通过耦合槽增强陶瓷滤波器上的耦合带宽。
32.以上所述仅是本发明的优选实施方式，并不用于限制本发明，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变型，这些改进和变型也应视为本发明的保护范围。
33.以上所述仅是本发明的优选实施方式，并不用于限制本发明，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变型，这些改进和变型也应视为本发明的保护范围。