技术特征：
1.一种半导体深孔隔离方法，其特征在于，包含：在深孔基础上生长第一掺杂外延层；采用可流动化学气相沉积填充第一隔离层，该第一隔离层具有第一厚度；采用高深宽比工艺填充第二隔离层，该第二隔离层具有第二厚度；经过化学机械研磨；对第二隔离层和/或第一隔离层进行刻蚀形成第一孔，第一孔的深度为第一刻蚀深度；外延生长出第二掺杂外延层，第一掺杂外延层与第二掺杂外延层的掺杂型号相同。2.根据权利要求1所述的半导体深孔隔离方法，其特征在于，形成深孔的方法包含：在衬底上生长第三掺杂外延层，第三掺杂外延层与第一掺杂外延层的掺杂型号相反；在第三掺杂外延层上生长刻蚀阻挡层；通过刻蚀形成深孔。3.根据权利要求1所述的半导体深孔隔离方法，其特征在于，该深孔的关键尺寸为0.5
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2μm、深度为1
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5μm。4.根据权利要求2所述的半导体深孔隔离方法，其特征在于，第三掺杂外延层的厚度为2
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6μm；刻蚀阻挡层厚度为100
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800nm；形成深孔的刻蚀方法包含：光刻胶通过光刻工艺形成掩膜层，再进行干法刻蚀或者湿法刻蚀。5.根据权利要求1所述的半导体深孔隔离方法，其特征在于，第一掺杂外延层的厚度为0.05
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1μm；第一厚度为0.5
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3μm；在填充第一隔离层后，进行退火；第二厚度为1
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3μm；经过化学机械研磨以使得第二隔离层平坦化，该步工艺以第一掺杂外延层作为停止层；第一刻蚀深度为0.2
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1μm；第二掺杂外延层的厚度为1
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4μm。6.根据权利要求2所述的半导体深孔隔离方法，其特征在于，该衬底为硅衬底；该刻蚀阻挡层为二氧化硅。7.根据权利要求1所述的半导体深孔隔离方法，其特征在于，所述第一隔离层和所述第二隔离层为二氧化硅。8.一种具有深孔结构半导体器件，其特征在于，包含：衬底；衬底上方设有第三掺杂外延层；第三掺杂外延层中设有深孔；深孔内壁设有第一掺杂外延层，第一掺杂外延层上方设有第一隔离层、第二隔离层，在第二隔离层的上方、第一掺杂外延层的上方、以及第三掺杂外延层的上方设有第二掺杂外延层；第一掺杂外延层与第二掺杂外延层的掺杂型号相同，第一掺杂外延层与第三掺杂外延
层的掺杂型号相反。9.根据权利要求8所述的具有深孔结构半导体器件，其特征在于，衬底为硅衬底；第三掺杂外延层为n型外延硅；第一掺杂外延层和第二掺杂外延层为p型外延硅；第一隔离层为可流动化学气相沉积填充的二氧化硅，第二隔离层为高深宽比工艺填充的二氧化硅。10.根据权利要求8所述的具有深孔结构半导体器件，其特征在于，第三掺杂外延层的厚度为2
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6μm；深孔的关键尺寸为0.5
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2μm、深度为1
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5μm；第一掺杂外延层的厚度为0.05
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1μm；第一隔离层的厚度为0.5
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3μm；第二隔离层的厚度为1
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3μm；第二隔离层的上方至第三掺杂外延层的上表面的深度为0.2
‑
1μm；第二隔离层的上方的第二掺杂外延层的厚度为1
‑
4μm。
技术总结
半导体深孔隔离方法，包含：在深孔基础上生长第一掺杂外延层；采用可流动化学气相沉积填充具有第一厚度的第一隔离层；采用高深宽比工艺填充具有第二厚度的第二隔离层；经过化学机械研磨；对第二隔离层、第一隔离层进行刻蚀形成第一刻蚀深度的第一孔；外延生长出第二掺杂外延层，第一掺杂外延层与第二掺杂外延层的掺杂型号相同。具有深孔结构半导体器件，包含：衬底；衬底上方设有第三掺杂外延层；第三掺杂外延层中设有深孔；深孔内壁设有第一掺杂外延层，第一掺杂外延层上方设有第一隔离层、第二隔离层，再上方设有第二掺杂外延层；第一掺杂外延层与第二掺杂外延层的掺杂型号相同、与第三掺杂外延层的掺杂型号相反。据此，提高半导体器件感光度。体器件感光度。体器件感光度。
技术研发人员：赵德鹏 李佳龙 范晓
受保护的技术使用者：华虹半导体（无锡）有限公司
技术研发日：2021.06.04
技术公布日：2021/10/15