1.一种用于射频传输的多层布线转接板，其特征在于，所述多层布线转接板包括：
基底，所述基底包括第一面及对应的第二面，所述基底包括凹槽；
第一tsv柱，所述第一tsv柱贯穿所述基底；
第一重新布线结构，所述第一重新布线结构位于所述基底的第一面上，且与所述第一tsv柱的第一端电连接；
第二重新布线结构，所述第二重新布线结构位于所述基底的第二面上，且与所述第一tsv柱的第二端电连接；
第三重新布线结构，所述第三重新布线结构位于所述凹槽中，且所述第三重新布线结构与所述第二重新布线结构电连接；
第二tsv柱，所述第二tsv柱的第一端与所述第一重新布线结构电连接，所述第二tsv柱的第二端与所述第三重新布线结构电连接；
其中，所述多层布线转接板划分为布线密集区及布线稀疏区，所述第一tsv柱位于所述布线稀疏区，所述第三重新布线结构及第二tsv柱位于所述布线密集区，且所述布线密集区中的金属布线层数大于所述布线稀疏区中的金属布线层数。
2.根据权利要求1所述的多层布线转接板，其特征在于：还包括金属连接件，所述金属连接件位于所述第一重新布线结上或位于所述第二重新布线结构上。
3.一种用于射频传输的多层布线转接板，其特征在于，所述多层布线转接板包括：
基底，所述基底包括第一面及对应的第二面，所述基底包括第一凹槽及第二凹槽；
第一tsv柱，所述第一tsv柱贯穿所述基底；
第一重新布线结构，所述第一重新布线结构位于所述基底的第一面上，且与所述第一tsv柱的第一端电连接；
第二重新布线结构，所述第二重新布线结构位于所述基底的第二面上，且与所述第一tsv柱的第二端电连接；
第三重新布线结构，所述第三重新布线结构位于所述第一凹槽中，且所述第三重新布线结构与所述第一重新布线结构电连接；
第四重新布线结构，所述第四重新布线结构位于所述第二凹槽中，且所述第四重新布线结构与所述第二重新布线结构电连接；
第二tsv柱，所述第二tsv柱的第一端与所述第三重新布线结构电连接，所述第二tsv柱的第二端与所述第四重新布线结构电连接；
其中，所述多层布线转接板划分为布线密集区及布线稀疏区，所述第一tsv柱位于所述布线稀疏区，所述第三重新布线结构、第二tsv柱及第四重新布线结构位于所述布线密集区，且所述布线密集区中的金属布线层数大于所述布线稀疏区中的金属布线层数。
4.根据权利要求3所述的多层布线转接板，其特征在于：还包括金属连接件，所述金属连接件位于所述第一重新布线结上或位于所述第二重新布线结构上。
5.一种用于射频传输的多层布线转接板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供基底，所述基底包括第一面及对应的第二面；
于所述基底中形成第一tsv柱及第二tsv柱；
于所述基底的第一面上形成第一重新布线结构，且所述第一重新布线结构与所述第一tsv柱及第二tsv柱的第一端电连接；
减薄所述基底，显露所述第一tsv柱的第二端，并于所述基底中形成凹槽，所述凹槽显露所述第二tsv柱的第二端；
于所述凹槽中形成第三重新布线结构，且所述第三重新布线结构与所述第二tsv柱的第二端电连接；
于所述基底的第二面形成第二重新布线结构，且所述第二重新布线结构与所述第一tsv柱的第二端及第三重新布线结构电连接；
其中，所述多层布线转接板划分为布线密集区及布线稀疏区，所述第一tsv柱位于所述布线稀疏区，所述第三重新布线结构及第二tsv柱位于所述布线密集区，且所述布线密集区中的金属布线层数大于所述布线稀疏区中的金属布线层数。
6.根据权利要求5所述的多层布线转接板的制备方法，其特征在于：还包括于所述第一重新布线结上或所述第二重新布线结构上形成金属连接件的步骤。
7.一种用于射频传输的多层布线转接板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供基底，所述基底包括第一面及对应的第二面；
于所述基底中形成第一tsv柱、第一凹槽及第二tsv柱；
于所述第一凹槽中形成第三重新布线结构，且所述第三重新布线结构与所述第二tsv柱的第一端电连接；
于所述基底的第一面上形成第一重新布线结构，且所述第一重新布线结构与所述第一tsv柱的第一端及第三重新布线结构电连接；
减薄所述基底，显露所述第一tsv柱的第二端，并于所述基底中形成第二凹槽，所述第二凹槽显露所述第二tsv柱的第二端；
于所述第二凹槽中形成第四重新布线结构，且所述第四重新布线结构与所述第二tsv柱的第二端电连接；
于所述基底的第二面形成第二重新布线结构，且所述第二重新布线结构与所述第一tsv柱的第二端及第四重新布线结构电连接；
其中，所述多层布线转接板划分为布线密集区及布线稀疏区，所述第一tsv柱位于所述布线稀疏区，所述第三重新布线结构、第二tsv柱及第四重新布线结构位于所述布线密集区，且所述布线密集区中的金属布线层数大于所述布线稀疏区中的金属布线层数。
8.根据权利要求7所述的多层布线转接板的制备方法，其特征在于：还包括于所述第一重新布线结上或所述第二重新布线结构上形成金属连接件的步骤。
9.根据权利要求5或7中所述的多层布线转接板的制备方法，其特征在于：还包括形成射频芯片的步骤，且所述射频芯片位于所述布线密集区，与所述第一重新布线结构或所述第二重新布线结构电连接。
10.根据权利要求5或7中所述的多层布线转接板的制备方法，其特征在于：所述基底为晶圆级基底，所述晶圆级基底的尺寸包括4寸~12寸，且还包括进行切割分离的步骤。