用于射频传输的多层布线转接板及其制备方法与流程

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种用于射频传输的多层布线转接板及其制备方法。

背景技术：

毫米波射频技术在半导体行业发展迅速，其在高速数据通信、汽车雷达、机载导弹跟踪系统以及空间光谱检测和成像等领域都得到广泛应用。新的应用对产品的电气性能、紧凑结构和系统可靠性都提出了新的要求。对于无线发射和接收系统，目前还不能集成到同一颗芯片上（soc），因此需要把不同的芯片如射频单元、滤波器、功率放大器等通过集成的方式集成到一个独立的系统中，以实现发射和接收信号的功能。

对于绝大多数射频芯片来说，其射频信号的传输因为需要跨层，必须用到多层布线，以通过厚度较大的金属线来匹配电阻。而这种设置对于后面的封装基板的布线挑战性较大，尤其是对于硅基封装转接板，如在做3d封装的过程中，绝大多数公司都在尽量减少硅基转接板表面的布线层数，以减少硅基中由于布线层过多导致的硅基转接板的翘曲。

虽然通过增加布线密度可减少布线层数，但是在射频走线特殊的布线设置中，考虑到层间信号间的串扰、插损等问题，往往模组是不能通过增加某些层的布线密度来减少层数的。从而在射频芯片中厚度较大的多层布线，对于尺寸较大、厚度较薄的转接板的制作工艺和后续的微组装工艺都是较大的挑战，同时过多的布线层数还容易出现因应力较大导致的布线层分层（peeling）问题。

因此，提供一种用于射频传输的多层布线转接板及其制备方法，实属必要。

技术实现要素：

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种用于射频传输的多层布线转接板及其制备方法，用于解决现有技术中在制备多层布线转接板时所遇到的上述一系列的质量及工艺的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种用于射频传输的多层布线转接板，所述多层布线转接板包括：

基底，所述基底包括第一面及对应的第二面，所述基底包括凹槽；

第一tsv柱，所述第一tsv柱贯穿所述基底；

第一重新布线结构，所述第一重新布线结构位于所述基底的第一面上，且与所述第一tsv柱的第一端电连接；

第二重新布线结构，所述第二重新布线结构位于所述基底的第二面上，且与所述第一tsv柱的第二端电连接；

第三重新布线结构，所述第三重新布线结构位于所述凹槽中，且所述第三重新布线结构与所述第二重新布线结构电连接；

第二tsv柱，所述第二tsv柱的第一端与所述第一重新布线结构电连接，所述第二tsv柱的第二端与所述第三重新布线结构电连接；

其中，所述多层布线转接板划分为布线密集区及布线稀疏区，所述第一tsv柱位于所述布线稀疏区，所述第三重新布线结构及第二tsv柱位于所述布线密集区，且所述布线密集区中的金属布线层数大于所述布线稀疏区中的金属布线层数。

可选地，还包括金属连接件，所述金属连接件位于所述第一重新布线结上或位于所述第二重新布线结构上。

本发明还提供一种用于射频传输的多层布线转接板，所述多层布线转接板包括：

基底，所述基底包括第一面及对应的第二面，所述基底包括第一凹槽及第二凹槽；

第一tsv柱，所述第一tsv柱贯穿所述基底；

第一重新布线结构，所述第一重新布线结构位于所述基底的第一面上，且与所述第一tsv柱的第一端电连接；

第二重新布线结构，所述第二重新布线结构位于所述基底的第二面上，且与所述第一tsv柱的第二端电连接；

第三重新布线结构，所述第三重新布线结构位于所述第一凹槽中，且所述第三重新布线结构与所述第一重新布线结构电连接；

第四重新布线结构，所述第四重新布线结构位于所述第二凹槽中，且所述第四重新布线结构与所述第二重新布线结构电连接；

第二tsv柱，所述第二tsv柱的第一端与所述第三重新布线结构电连接，所述第二tsv柱的第二端与所述第四重新布线结构电连接；

其中，所述多层布线转接板划分为布线密集区及布线稀疏区，所述第一tsv柱位于所述布线稀疏区，所述第三重新布线结构、第二tsv柱及第四重新布线结构位于所述布线密集区，且所述布线密集区中的金属布线层数大于所述布线稀疏区中的金属布线层数。

可选地，还包括金属连接件，所述金属连接件位于所述第一重新布线结上或位于所述第二重新布线结构上。

本发明还提供一种用于射频传输的多层布线转接板的制备方法，包括以下步骤：

提供基底，所述基底包括第一面及对应的第二面；

于所述基底中形成第一tsv柱及第二tsv柱；

于所述基底的第一面上形成第一重新布线结构，且所述第一重新布线结构与所述第一tsv柱及第二tsv柱的第一端电连接；

减薄所述基底，显露所述第一tsv柱的第二端，并于所述基底中形成凹槽，所述凹槽显露所述第二tsv柱的第二端；

于所述凹槽中形成第三重新布线结构，且所述第三重新布线结构与所述第二tsv柱的第二端电连接；

于所述基底的第二面形成第二重新布线结构，且所述第二重新布线结构与所述第一tsv柱的第二端及第三重新布线结构电连接；

其中，所述多层布线转接板划分为布线密集区及布线稀疏区，所述第一tsv柱位于所述布线稀疏区，所述第三重新布线结构及第二tsv柱位于所述布线密集区，且所述布线密集区中的金属布线层数大于所述布线稀疏区中的金属布线层数。

可选地，还包括于所述第一重新布线结上或所述第二重新布线结构上形成金属连接件的步骤。

本发明还提供一种用于射频传输的多层布线转接板的制备方法，包括以下步骤：

提供基底，所述基底包括第一面及对应的第二面；

于所述基底中形成第一tsv柱、第一凹槽及第二tsv柱；

于所述第一凹槽中形成第三重新布线结构，且所述第三重新布线结构与所述第二tsv柱的第一端电连接；

于所述基底的第一面上形成第一重新布线结构，且所述第一重新布线结构与所述第一tsv柱的第一端及第三重新布线结构电连接；

减薄所述基底，显露所述第一tsv柱的第二端，并于所述基底中形成第二凹槽，所述第二凹槽显露所述第二tsv柱的第二端；

于所述第二凹槽中形成第四重新布线结构，且所述第四重新布线结构与所述第二tsv柱的第二端电连接；

于所述基底的第二面形成第二重新布线结构，且所述第二重新布线结构与所述第一tsv柱的第二端及第四重新布线结构电连接；

其中，所述多层布线转接板划分为布线密集区及布线稀疏区，所述第一tsv柱位于所述布线稀疏区，所述第三重新布线结构、第二tsv柱及第四重新布线结构位于所述布线密集区，且所述布线密集区中的金属布线层数大于所述布线稀疏区中的金属布线层数。

可选地，还包括于所述第一重新布线结上或所述第二重新布线结构上形成金属连接件的步骤。

可选地，还包括形成射频芯片的步骤，且所述射频芯片位于所述布线密集区，与所述第一重新布线结构或所述第二重新布线结构电连接。

可选地，所述基底为晶圆级基底，所述晶圆级基底的尺寸包括4寸~12寸，且还包括进行切割分离的步骤。

如上所述，本发明的用于射频传输的多层布线转接板及其制备方法，通过在基底的凹槽中制备具有一定金属布线层的重新布线结构，可将多层布线转接板划分为布线密集区及布线稀疏区，以解决由于多层布线所造成的应力较大的问题所导致的翘曲及分层等质量问题，且可降低工艺难度；进一步的，通过位于布线密集区的tsv柱，可将信号由多层布线转接板的一面直接传输到转接板的另一面，从而可减少信号传输距离，降低损耗，提高空间利用率。

附图说明

图1显示为本发明实施例一中形成第一tsv柱、第一凹槽及第二tsv柱后的结构示意图。

图2显示为本发明实施例一中形成第三重新布线结构后的结构示意图。

图3显示为本发明实施例一中形成第一重新布线结构后的结构示意图。

图4显示为本发明实施例一中形成第二凹槽后的结构示意图。

图5显示为本发明实施例一中形成第四重新布线结构后的结构示意图。

图6显示为本发明实施例一中形成第二重新布线结构后的结构示意图。

图7显示为本发明实施例一中形成金属连接件后的结构示意图。

图8显示为本发明实施例二中形成第一tsv柱及第二tsv柱后的结构示意图。

图9显示为本发明实施例二中形成第一重新布线结构后的结构示意图。

图10显示为本发明实施例二中形成凹槽后的结构示意图。

图11显示为本发明实施例二中形成第三重新布线结构后的结构示意图。

图12显示为本发明实施例二中形成第二重新布线结构后的结构示意图。

图13显示为本发明实施例二中形成一种金属连接件后的结构示意图。

图14显示为本发明实施例二中形成另一种金属连接件后的结构示意图。

元件标号说明

101、201-基底；112、212-第一tsv柱；122、222-第二tsv柱；111-第一凹槽；121-第二凹槽；211-凹槽；113、213-第一重新布线结构；1131、2131-第一绝缘介质层；1132、2132第一金属布线层；123、223-第二重新布线结构；1231、2231-第二绝缘介质层；1232、2232第二金属布线层；133、233-第三重新布线结构；1331、2331-第三绝缘介质层；1332、2332第三金属布线层；143-第四重新布线结构；1431-第四绝缘介质层；1432-第四金属布线层；104、204-金属连接件；a1、a2-布线密集区；b1、b2-布线稀疏区。

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。

如在详述本发明实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本发明保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。

为了方便描述，此处可能使用诸如“之下”、“下方”、“低于”、“下面”、“上方”、“上”等的空间关系词语来描述附图中所示的一个元件或特征与其他元件或特征的关系。将理解到，这些空间关系词语意图包含使用中或操作中的器件的、除了附图中描绘的方向之外的其他方向。此外，当一层被称为在两层“之间”时，它可以是所述两层之间仅有的层，或者也可以存在一个或多个介于其间的层。本文使用的“介于……之间”表示包括两端点值。

在本申请的上下文中，所描述的第一特征在第二特征“之上”的结构可以包括第一和第二特征形成为直接接触的实施例，也可以包括另外的特征形成在第一和第二特征之间的实施例，这样第一和第二特征可能不是直接接触。

需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，其组件布局型态也可能更为复杂。

实施例一

参阅图1~图7，本实施例提供一种用于射频传输的多层布线转接板，所述多层布线转接板包括：

基底101，所述基底101包括第一面及对应的第二面，所述基底101包括第一凹槽111及第二凹槽121；

第一tsv柱112，所述第一tsv柱112贯穿所述基底101；

第一重新布线结构113，所述第一重新布线结构113位于所述基底101的第一面上，且与所述第一tsv柱112的第一端电连接；

第二重新布线结构123，所述第二重新布线结构123位于所述基底101的第二面上，且与所述第一tsv柱112的第二端电连接；

第三重新布线结构133，所述第三重新布线结构133位于所述第一凹槽111中，且所述第三重新布线结构133与所述第一重新布线结构113电连接；

第四重新布线结构143，所述第四重新布线结构143位于所述第二凹槽121中，且所述第四重新布线结构143与所述第二重新布线结构123电连接；

第二tsv柱122，所述第二tsv柱122的第一端与所述第三重新布线结构133电连接，所述第二tsv柱122的第二端与所述第四重新布线结构143电连接；

其中，所述多层布线转接板划分为布线密集区a1及布线稀疏区b1，所述第一tsv柱112位于所述布线稀疏区b1，所述第三重新布线结构133、第二tsv柱122及第四重新布线结构143位于所述布线密集区a1，且所述布线密集区a1中的金属布线层数大于所述布线稀疏区b1中的金属布线层数。

本实施例分别在所述第一凹槽111及第二凹槽121中制备具有一定金属布线层的所述第三重新布线结构133及第四重新布线结构143，从而可将多层布线转接板划分为所述布线密集区a1及布线稀疏区b1，以解决由于多层布线所造成的应力较大的问题所导致的翘曲及分层等质量问题，且可降低工艺难度；进一步的，通过位于所述布线密集区a1的所述第二tsv柱122，可将信号由多层布线转接板的一面直接传输到转接板的另一面，从而可减少信号传输距离，降低损耗，提高空间利用率。

作为示例，还包括金属连接件104，所述金属连接件104位于所述第一重新布线结113上或位于所述第二重新布线结构123上。

具体的，所述金属连接件104的位置可根据需要进行设置，本实施例中，参阅图7，所述金属连接件104位于所述第二重新布线结构123上，当然根据需要，也可将所述金属连接件104设置于所述第一重新布线结113上。所述金属连接件104可采用金属凸点或金属焊盘，具体种类此处不作限定。

作为示例，还可包括射频芯片（未图示），所述射频芯片位于所述布线密集区a1，并位于所述第一重新布线结113上或位于所述第二重新布线结构123上。

具体的，可先对射频组件进行仿真，使必须需要多层布线的射频走线集中到某一个特定区域，这样可把必须多层布线的射频走线和可以实现密集互联的其他功能走线分开，通过所述第一凹槽111及第二凹槽121，可把多层射频布线的一层或者几层埋入凹槽中，然后在所述基底101的表面继续制作射频走线和信号处理走线，这样能够大大减少多层布线给所述基底101如硅转接板带来的应力，并减少布线层因应力较大带来的分层问题。进一步的贴合于重新布线结构上的所述射频芯片可通过所述第三重新布线结构133、第二tsv柱122及第四重新布线结构143将信号直接传输至所述基底101的另一面，从而可减少信号传输距离，降低损耗，提高空间利用率。有关所述射频芯片的具体种类，此处不作过分限定。

有关所述多层布线转接板的结构、材质、制备方法，可参阅下述有关多层布线转接板的制备，但并非局限于此。

具体的，参阅图1~图7示意了本实施例在制备用于射频传输的多层布线转接板时各步骤所呈现的结构示意图。

首先，参阅图1，提供基底101，所述基底101包括第一面及对应的第二面。

具体的，所述基底101可包括硅基底，如硅转接板，且所述基底101可采用晶圆级基底，即所述基底101的尺寸可包括4寸~12寸，如4寸、6寸、8寸及12寸等，有关所述基底101的材质、厚度及尺寸，此处不作过分限制。

接着，于所述基底101中形成第一tsv柱112、第一凹槽111及第二tsv柱122。

具体的，可于所述基底101中先形成第一tsv孔（未图示）、第一凹槽111及第二tsv孔（未图示），而后于同一生长步骤中形成填充所述第一tsv孔及第二tsv孔的金属柱，其中，关于形成所述第一tsv孔（未图示）、第一凹槽111及第二tsv孔的顺序此处不作过分限制，有关所述第一tsv柱112、第一凹槽111及第二tsv柱122的制备工艺可灵活变换，tsv孔及凹槽的尺寸、数量及分布此处不作过分限制。

接着，参阅图2，于所述第一凹槽111中形成第三重新布线结构133，且所述第三重新布线结构133与所述第二tsv柱122的第一端电连接。

具体的，所述第三重新布线结构133包括第三绝缘介质层1331及第三金属布线层1332，所述第三绝缘介质层1331可以是氧化硅材质，也可以是pi胶等，所述第三金属布线层1332可以为铜金属布线，也可为其他金属布线。有关所述第三重新布线结构133的材质及制备方法此处不作过分限制。

接着，参阅图3，于所述基底101的第一面上形成第一重新布线结构113，且所述第一重新布线结构113与所述第一tsv柱112的第一端及第三重新布线结构133电连接。

具体的，可先进行抛光，使所述第三重新布线结构133的顶部与所述基底101的顶部对齐，而后通过刻蚀工艺，显露所述第一tsv柱112的顶部及第三金属布线层1332的顶部，而后于所述基底101的第一面上制作所述第一重新布线结构113，其中，所述第一重新布线结构113包括第一绝缘介质层1131及第一金属布线层1132。其中所述第一重新布线结构113的材质及结构可与所述第三重新布线结构133相同，但并非局限于此。

接着，参阅图4，减薄所述基底101，显露所述第一tsv柱112的第二端，并于所述基底101中形成第二凹槽121，所述第二凹槽121显露所述第二tsv柱122的第二端。

具体的，可先提供临时键合的载片（未图示），用临时键合的工艺把所述载片跟所述第一重新布线结构113键合在一起，以通过所述载片保护所述第一重新布线结构113，并以所述载片作为支撑，以减薄所述基底101，使得所述第一tsv柱112的第二端露头。所述载片可包括尺寸为4寸、6寸、8寸及12寸的硅晶圆载片，也可以是其他材质，如包括玻璃、石英、碳化硅、氧化铝等无机材料，也可以是环氧树脂、聚氨酯等有机材料，也可以是钛、铜、铝、银、钯、金、铊、锡、镍等金属材料，其主要功能是提供支撑作用，有关所述载片的具体种类、厚度及与所述第一重新布线结构113的键合方法此处不作限制。

接着，参阅图5，于所述第二凹槽121中形成第四重新布线结构143，且所述第四重新布线结构143与所述第二tsv柱122的第二端电连接。

具体的，所述第四重新布线结构143包括第四绝缘介质层1431及第四金属布线层1432，所述第四绝缘介质层1431可以是氧化硅材质，也可以是pi胶等，所述第四金属布线层1432可以为铜金属布线，也可为其他金属布线。有关所述第四重新布线结构143的材质及制备方法此处不作过分限制。

接着，参阅图6，于所述基底101的第二面形成第二重新布线结构123，且所述第二重新布线结构123与所述第一tsv柱112的第二端及第四重新布线结构143电连接。

具体的，可先进行抛光，使所述第四重新布线结构143与所述基底101对齐，而后通过刻蚀工艺，显露所述第一tsv柱112及第四金属布线层1432，而后于所述基底101的第二面上制作所述第二重新布线结构123，其中，所述第二重新布线结构123包括第二绝缘介质层1231及第二金属布线层1232。其中所述第二重新布线结构123的材质及结构可与所述第四重新布线结构143相同，但并非局限于此。

本实施例中，由于同时具有所述第三重新布线结构133及第四重新布线结构143，且所述第三重新布线结构133及第四重新布线结构143通过所述第二tsv柱122进行互连，从而可进一步的提高形成的布线密集区a1的布线密度，即所述布线密集区a1中的金属布线层数大于布线稀疏区b1中的金属布线层数，解决由于多层布线所造成的应力较大的问题所导致的翘曲及分层等质量问题，降低工艺制备难度，且可减少信号传输距离，降低损耗，提高空间利用率。

接着，如图7，还可包括于所述第一重新布线结113上或所述第二重新布线结构123上形成金属连接件104的步骤。

具体的，所述金属连接件104的位置可根据需要进行设置，本实施例中，参阅图7，所述金属连接件104位于所述第二重新布线结构123上，当然根据需要，也可将所述金属连接件104设置于所述第一重新布线结113上。所述金属连接件104可采用金属凸点或金属焊盘，具体种类此处不作限定。

进一步的，还可包括去除所述载片的步骤，以及提供射频芯片（未图示），并将所述射频芯片贴合于所述第一重新布线结构113上的步骤，且所述射频芯片位于所述布线密集区a，并与所述第一重新布线结构113电连接，从而所述射频芯片通过所述第三重新布线结构133、第四重新布线结构143及第二tsv柱122可直接将信号由所述基底101的第一面传输至第二面，从而可减少信号传输距离，降低损耗，提高空间利用率，可以理解所述射频芯片也可位于所述第二重新布线结构123上，即与所述金属连接件104设置于相对的两面，此处不作赘述。

进一步的，还可包括进行切割分离的步骤，以形成单一的所述多层布线结构。

实施例二

参阅图8~图14，本实施例提供一种用于射频传输的多层布线转接板，本实施例与实施例一中的所述多层布线转接板的区别主要在于：在基底201中具有1个凹槽211及1个位于所述凹槽211中的第三重新布线结构233，实现将所述多层布线转接板划分为布线密集区a2及布线稀疏区b2，具体的，所述多层布线转接板可包括：

基底201，所述基底201包括第一面及对应的第二面，所述基底201包括凹槽211；

第一tsv柱212，所述第一tsv柱212贯穿所述基底201；

第一重新布线结构213，所述第一重新布线结构213位于所述基底201的第一面上，且与所述第一tsv柱212的第一端电连接；

第二重新布线结构223，所述第二重新布线结构223位于所述基底201的第二面上，且与所述第一tsv柱212的第二端电连接；

第三重新布线结构233，所述第三重新布线结构233位于所述凹槽211中，且所述第三重新布线结构233与所述第二重新布线结构223电连接；

第二tsv柱222，所述第二tsv柱222的第一端与所述第一重新布线结构213电连接，所述第二tsv柱222的第二端与所述第三重新布线结构233电连接；

其中，所述多层布线转接板划分为布线密集区a2及布线稀疏区b2，所述第一tsv柱212位于所述布线稀疏区b2，所述第三重新布线结构233及第二tsv柱222位于所述布线密集区a2，且所述布线密集区a2中的金属布线层数大于所述布线稀疏区b2中的金属布线层数。

本实施例在所述凹槽211中制备具有一定金属布线层的所述第三重新布线结构233，从而可将多层布线转接板划分为所述布线密集区a2及布线稀疏区b2，以解决由于多层布线所造成的应力较大的问题所导致的翘曲及分层等质量问题，且可降低工艺难度；进一步的，通过位于所述布线密集区a2的所述第二tsv柱222，可将信号由多层布线转接板的一面直接传输到转接板的另一面，从而可减少信号传输距离，降低损耗，提高空间利用率。

作为示例，还包括金属连接件204，所述金属连接件204位于所述第一重新布线结213上或位于所述第二重新布线结构223上。

具体的，所述金属连接件204的位置可根据需要进行设置，本实施例中，参阅图13，所述金属连接件204位于所述第二重新布线结构223上，当然根据需要，也可将所述金属连接件204设置于所述第一重新布线结213上，如图14。所述金属连接件204可采用金属凸点或金属焊盘，具体种类此处不作限定。

作为示例，还可包括射频芯片（未图示），所述射频芯片位于所述布线密集区a2，并位于所述第一重新布线结213上或位于所述第二重新布线结构223上。

具体的，可先对射频组件进行仿真，使必须需要多层布线的射频走线集中到某一个特定区域，这样可把必须多层布线的射频走线和可以实现密集互联的其他功能走线分开，通过所述凹槽211，可把多层射频布线的一层或者几层埋入凹槽中，然后在所述基底201的表面继续制作射频走线和信号处理走线，这样能够大大减少多层布线给所述基底201如硅转接板带来的应力，并减少布线层因应力较大带来的分层问题。进一步的贴合于重新布线结构上的所述射频芯片可通过所述第三重新布线结构233及第二tsv柱222将信号直接传输至所述基底201的另一面，从而可减少信号传输距离，降低损耗，提高空间利用率。有关所述射频芯片的具体种类，此处不作过分限定。

有关所述多层布线转接板的结构、材质、制备方法，可参阅下述有关多层布线转接板的制备，但并非局限于此。

具体的，参阅图8~图14示意了本实施例在制备用于射频传输的多层布线转接板时各步骤所呈现的结构示意图。

首先，参阅图8，提供基底201，所述基底201包括第一面及对应的第二面。所述基底的种类可参阅实施例一，此处不作赘述。

接着，于所述基底201中形成第一tsv柱212及第二tsv柱222。

具体的，可于所述基底201中先形成第一tsv孔（未图示）及第二tsv孔（未图示），而后于同一生长步骤中形成填充所述第一tsv孔及第二tsv孔的金属柱，其中，关于形成所述第一tsv孔（未图示）、第二tsv孔、第一tsv柱112及第二tsv柱122的制备工艺可灵活变换，此处不作过分限制，以及tsv孔的尺寸、数量及分布此处不作过分限制。

接着，参阅图9，于所述基底201的第一面上形成第一重新布线结构213，且所述第一重新布线结构213与所述第一tsv柱212及第二tsv柱222的第一端电连接。

具体的，所述第一重新布线结构213包括第一绝缘介质层2131及第一金属布线层2132，所述第一绝缘介质层2131可以是氧化硅材质，也可以是pi胶等，所述第一金属布线层2132可以为铜金属布线，也可为其他金属布线。有关所述第一重新布线结构213的材质、结构及制备方法此处不作过分限制。

接着，参阅图10，减薄所述基底201，显露所述第一tsv柱212的第二端，并于所述基底201中形成凹槽211，所述凹槽211显露所述第二tsv柱222的第二端。其中，形成所述凹槽211的方法可参阅实施例一，此处不作赘述。

接着，参阅图11，于所述凹槽211中形成第三重新布线结构233，且所述第三重新布线结构233与所述第二tsv柱222的第二端电连接。其中，所述第三重新布线结构233包括第三绝缘介质层2331及第三金属布线层2332，有关所述第三重新布线结构233的材质及制备均可参阅实施例一，此处不作赘述。

接着，参阅图12，于所述基底201的第二面形成第二重新布线结构223，且所述第二重新布线结构223与所述第一tsv柱212的第二端及第三重新布线结构233电连接。其中，所述第二重新布线结构223包括第二绝缘介质层2231及第二金属布线层2232，有关所述第二重新布线结构223的材质及制备均可参阅实施例一，此处不作赘述。

接着，参阅图13及图14，还可包括于所述第一重新布线结213上或所述第二重新布线结构223上形成金属连接件204的步骤，本实施例中，参阅图13，所述金属连接件204位于所述第二重新布线结构223上，当然在另一实施例中，所述金属连接件204的位置可根据需要设置在所述第一重新布线结213上。所述金属连接件204可采用金属凸点或金属焊盘，具体种类此处不作限定。

进一步的，还可包括提供射频芯片（未图示），并将所述射频芯片贴合于所述第一重新布线结构213上的步骤，且所述射频芯片位于所述布线密集区a2，并与所述第一重新布线结构213电连接，从而所述射频芯片通过所述第三重新布线结构233及第二tsv柱222可直接将信号由所述基底201的第一面传输至第二面，从而可减少信号传输距离，降低损耗，提高空间利用率。可以理解所述射频芯片也可位于所述第二重新布线结构223上，即与所述金属连接件204设置于相对的两面，此处不作赘述

进一步的，还可包括进行切割分离的步骤，以形成单一的所述多层布线结构。

综上所述，本发明的用于射频传输的多层布线转接板及其制备方法，通过在基底的凹槽中制备具有一定金属布线层的重新布线结构，可将多层布线转接板划分为布线密集区及布线稀疏区，以解决由于多层布线所造成的应力较大的问题所导致的翘曲及分层等质量问题，且可降低工艺难度；进一步的，通过位于布线密集区的tsv柱，可将信号由多层布线转接板的一面直接传输到转接板的另一面，从而可减少信号传输距离，降低损耗，提高空间利用率。

上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。