技术特征：
1.一种改善pmos晶体管短沟道效应的方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供基底，在所述基底上形成栅氧化层，在所述栅氧化层上形成多晶硅层，刻蚀所述栅氧化层和所述多晶硅层，形成多晶硅栅结构；步骤二、通过打穿所述栅氧化层和所述多晶硅栅结构的方式，将离子注入在所述基底中，形成ldd区；步骤三、在所述多晶硅栅结构两侧的所述基底中形成源漏极；步骤四、进行热处理，使所述多晶硅栅结构中的离子扩散进入所述基底中。2.根据权利要求1所述的改善pmos晶体管短沟道效应的方法，其特征在于：步骤一中形成的所述多晶硅栅结构的厚度为3.根据权利要求1所述的改善pmos晶体管短沟道效应的方法，其特征在于：步骤一中的所述栅氧化层的厚度为4.根据权利要求1所述的改善pmos晶体管短沟道效应的方法，其特征在于：步骤二中注入的离子包括硼离子和砷离子，其中所述硼离子的注入能量为5～30k；所述砷离子的注入能量为30～200k。5.根据权利要求1所述的改善pmos晶体管短沟道效应的方法，其特征在于：步骤四中的所述热处理的温度为950～1150℃。6.根据权利要求1所述的改善pmos晶体管短沟道效应的方法，其特征在于：步骤四中的所述热处理的处理时间为5～30s。7.根据权利要求1所述的改善pmos晶体管短沟道效应的方法，其特征在于：步骤四中使所述多晶硅栅结构中的硼离子扩散进入所述基底中。
技术总结
本发明提供一种改善PMOS晶体管短沟道效应的方法，在基底上形成栅氧化层，在栅氧化层上形成多晶硅层，刻蚀栅氧化层和所述多晶硅层，形成多晶硅栅结构；通过打穿栅氧化层和多晶硅栅结构的方式，将离子注入在所述基底中形成LDD区；在多晶硅栅结构两侧的基底中形成源漏极；进行热处理，使多晶硅栅结构中的离子扩散进入基底中。本发明根据多晶硅层的厚度，选取合适的LDD注入能量，使得LDD打穿多晶硅及氧化层，进去硅衬底，增加源漏极注入后的热过程，提高温度或增加时间，使得多晶硅中的硼更容易通过扩散进入沟道；同时减薄栅氧化层厚度，使得多晶硅中的硼更容易通过扩散进入沟道。得多晶硅中的硼更容易通过扩散进入沟道。得多晶硅中的硼更容易通过扩散进入沟道。
技术研发人员：胡君
受保护的技术使用者：上海华虹宏力半导体制造有限公司
技术研发日：2021.06.17
技术公布日：2021/10/15