发光装置及包括所述发光装置的电子设备的制作方法

发光装置及包括所述发光装置的电子设备
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2020年6月26日向韩国知识产权局提交的第10
‑
2020
‑
0078803号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部内容通过援引并入本文。
技术领域
3.实施方案涉及发光装置以及包括所述发光装置的电子设备。


背景技术：

4.在发光装置中，有机发光装置是自发射装置，其与本领域中的装置相比，具有广视角、高对比度、短响应时间，以及在亮度、驱动电压和响应速度方面的优异的特性。
5.有机发光装置可以包括设置在衬底上的第一电极，以及依次堆叠在第一电极上的空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极。由第一电极提供的空穴可以通过空穴传输区朝向发射层移动，并且由第二电极提供的电子可以通过电子传输区朝向发射层移动。诸如空穴和电子的载流子在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁至基态，从而产生光。


技术实现要素：

6.实施方案涉及包含具有优异的光发射效率和高的稳定性的化合物的发光装置，以及包括所述发光装置的电子设备。
7.其它的方面将在随后的描述中被部分地阐述并且将部分地从描述中显而易见，或者可以通过本公开内容的实施方案的实践而获悉。
8.根据方面，提供了发光装置，其可以包括第一电极、面向所述第一电极的第二电极和在所述第一电极与所述第二电极之间的中间层，
9.其中所述中间层可以包括发射层和在所述发射层与所述第一电极之间的空穴传输区，
10.所述空穴传输区可以包含至少一种包含m1数量的
15
n的第一化合物，
11.m1数量的
15
n可以经由单键连接至相邻的碳(c)，
12.m1可以是等于或大于1的整数，以及
13.所述至少一种第一化合物可以不是化合物a：
[0014][0015]
在实施方案中，经由单键连接至m1数量的
15
n的c中的至少一个c可以是
12
c。
[0016]
在实施方案中，m1可以是1至10的整数。
[0017]
在实施方案中，m1数量的
15
n中的至少一个
15
n可以形成包含在所述至少一种第一化合物中的环状基团的一部分。
[0018]
在实施方案中，m1数量的
15
n中的至少一个
15
n可以不形成包含在所述至少一种第一化合物中的环状基团的一部分。
[0019]
在实施方案中，所述至少一种第一化合物可以进一步包含m2数量的
14
n，m2数量的
14
n可以经由单键连接至相邻的碳(c)，并且m2可以是等于或大于1的整数。
[0020]
在实施方案中，m2数量的
14
n中的至少一个
14
n可以不形成包含在所述至少一种第一化合物中的环状基团的一部分。
[0021]
在实施方案中，所述至少一种第一化合物可以包含两个或多于两个的n，以及当所述两个或多于两个的n中的两个n连接至无杂原子基团时，所述两个n中的至少一个可以是
15
n。
[0022]
在实施方案中，所述至少一种第一化合物可以包含两个或多于两个的n，所述两个或多于两个的n可以各自形成第一环状基团和第二环状基团，以及当所述第一环状基团和所述第二环状基团彼此形成稠合环时，所述两个或多于两个的n中的至少一个可以是
15
n。
[0023]
在实施方案中，包含在所述至少一种第一化合物中的每个n可以是
15
n。
[0024]
在实施方案中，所述至少一种第一化合物可以进一步包含o、s、si、p、b或其组合。
[0025]
在实施方案中，所述至少一种第一化合物中的每一种可以由式1、式1
‑
1、式2、式2
‑
1和式3中的一种表示：
[0026]
[0027][0028]
在式1、式1
‑
1、式2、式2
‑
1和式3中，
[0029]
y
21
可以是o、s、se、c(z
21a
)(z
21b
)、si(z
21a
)(z
21b
)或n
*
(z
21a
)，
[0030]
y
31
可以是o、s、se、c(z
31a
)(z
31b
)、si(z
31a
)(z
31b
)或n
*
(z
31a
)，
[0031]
y
32
可以是o、s、se、c(z
32a
)(z
32b
)、si(z
32a
)(z
32b
)或n
*
(z
32a
)，
[0032]
n
*
可以是
14
n或
15
n，
[0033]
式1、式1
‑
1、式2、式2
‑
1或式3中的至少一个n
*
可以是
15
n，
[0034]
b21、b31和b32可以各自独立地是0至3的整数，
[0035]
ar
11
至ar
14
、ar
21
、ar
22
和ar
24
可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c3‑
c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c1‑
c
60
杂环基团，
[0036]
环a
21
、环a
22
和环a
31
至环a
34
可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c3‑
c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c1‑
c
60
杂环基团，
[0037]
l
10
、l
20
和l
30
可以各自独立地是*
‑
o
‑
*'、*
‑
s
‑
*'、*
‑
n
*
(ar
15
)
‑
*'、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c3‑
c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c1‑
c
60
杂环基团，
[0038]
ar
15
可以与关于ar
11
描述的相同，
[0039]
l
11
至l
14
和l
21
至l
24
可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c3‑
c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c1‑
c
60
杂环基团，
[0040]
a11至a14和a21至a24可以各自独立地是0至10的整数，
[0041]
a10、a20和a30可以各自独立地是1至5的整数，
[0042]
r
21
、r
22
、r
31
至r
34
、z
21a
、z
21b
、z
31a
、z
31b
、z
32a
和z
32b
可以各自独立地是氢、氘、
‑
f、
‑
cl、
‑
br、
‑
i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c1‑
c
60
烷基基团、
未取代的或被至少一个r
10a
取代的c2‑
c
60
烯基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c2‑
c
60
炔基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c1‑
c
60
烷氧基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c3‑
c
60
碳环基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c1‑
c
60
杂环基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c6‑
c
60
芳氧基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c6‑
c
60
芳硫基基团、
‑
si(q1)(q2)(q3)、
‑
n
*
(q1)(q2)、
‑
b(q1)(q2)、
‑
c(＝o)(q1)、
‑
s(＝o)2(q1)或
‑
p(＝o)(q1)(q2)，
[0043]
c21、c22和c31至c34可以各自独立地是0至10的整数，
[0044]
n可以是1至5的整数，
[0045]
r
10a
可以是：
[0046]
氘(
‑
d)、
‑
f、
‑
cl、
‑
br、
‑
i、羟基基团、氰基基团或硝基基团；
[0047]
各自未取代的或者被氘、
‑
f、
‑
cl、
‑
br、
‑
i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、c3‑
c
60
碳环基团、c1‑
c
60
杂环基团、c6‑
c
60
芳氧基基团、c6‑
c
60
芳硫基基团、
‑
si(q
11
)(q
12
)(q
13
)、
‑
n
*
(q
11
)(q
12
)、
‑
b(q
11
)(q
12
)、
‑
c(＝o)(q
11
)、
‑
s(＝o)2(q
11
)、
‑
p(＝o)(q
11
)(q
12
)或其组合取代的c1‑
c
60
烷基基团、c2‑
c
60
烯基基团、c2‑
c
60
炔基基团或c1‑
c
60
烷氧基基团；
[0048]
各自未取代的或者被氘、
‑
f、
‑
cl、
‑
br、
‑
i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、c1‑
c
60
烷基基团、c2‑
c
60
烯基基团、c2‑
c
60
炔基基团、c1‑
c
60
烷氧基基团、c3‑
c
60
碳环基团、c1‑
c
60
杂环基团、c6‑
c
60
芳氧基基团、c6‑
c
60
芳硫基基团、
‑
si(q
21
)(q
22
)(q
23
)、
‑
n
*
(q
21
)(q
22
)、
‑
b(q
21
)(q
22
)、
‑
c(＝o)(q
21
)、
‑
s(＝o)2(q
21
)、
‑
p(＝o)(q
21
)(q
22
)或其组合取代的c3‑
c
60
碳环基团、c1‑
c
60
杂环基团、c6‑
c
60
芳氧基基团或c6‑
c
60
芳硫基基团；或者
[0049]
‑
si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、
‑
n
*
(q
31
)(q
32
)、
‑
b(q
31
)(q
32
)、
‑
c(＝o)(q
31
)、
‑
s(＝o)2(q
31
)或
‑
p(＝o)(q
31
)(q
32
)，
[0050]
q1至q3、q
11
至q
13
、q
21
至q
23
以及q
31
至q
33
可以各自独立地是：氢；氘；
‑
f；
‑
cl；
‑
br；
‑
i；羟基基团；氰基基团；硝基基团；c1‑
c
60
烷基基团；c2‑
c
60
烯基基团；c2‑
c
60
炔基基团；c1‑
c
60
烷氧基基团；或者各自未取代的或者被氘、
‑
f、氰基基团、c1‑
c
60
烷基基团、c1‑
c
60
烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团或其组合取代的c3‑
c
60
碳环基团或c1‑
c
60
杂环基团，
[0051]
当包含在所述c1‑
c
60
杂环基团中的杂原子是氮原子时，所述氮原子可以是
14
n或
15
n，
[0052]
包含在所述氰基基团或所述硝基基团中的氮原子可以是
14
n或
15
n，以及
[0053]
n
*
可以是
14
n或
15
n。
[0054]
在实施方案中，所述空穴传输区可以包含彼此不同的两种或多于两种的第一化合物。
[0055]
在实施方案中，所述空穴传输区可以包括第一层和在所述第一层与所述发射层之间的第二层，所述第一层和所述第二层可以各自包含所述至少一种第一化合物，以及包含在所述第一层中的所述至少一种第一化合物可以不同于包含在所述第二层中的所述至少一种第一化合物。
[0056]
在实施方案中，包含在所述第一层中的所述至少一种第一化合物可以包含m
11
数量的
15
n，包含在所述第二层中的所述至少一种第一化合物可以包含m
12
数量的
15
n，以及m
11
可以大于m
12
。
[0057]
在实施方案中，所述发射层可以包括各自具有不同的发射颜色的第一发射层、第二发射层和第三发射层，所述空穴传输区可以包括在所述第一电极与所述第一发射层之间
的第一发射辅助层、在所述第一电极与所述第二发射层之间的第二发射辅助层和在所述第一电极与所述第三发射层之间的第三发射辅助层，以及所述第一发射辅助层、所述第二发射辅助层和所述第三发射辅助层中的至少一个可以包含所述至少一种第一化合物。
[0058]
根据另一个方面，提供了发光装置，其可以包括第一电极、面向所述第一电极的第二电极、在所述第一电极与所述第二电极之间的中间层，以及
[0059]
设置在所述第二电极外部并且具有等于或大于约1.6的折射率的覆盖层，
[0060]
其中所述中间层可以包括发射层和在所述发射层与所述第一电极之间的空穴传输区，
[0061]
所述空穴传输区可以包含如以上描述的至少一种第一化合物。
[0062]
根据另一个方面，提供了包括所述发光装置的电子设备，其中所述电子设备可以进一步包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管可以包括源电极和漏电极，以及所述发光装置的所述第一电极可以电连接至所述源电极或所述漏电极。
[0063]
在实施方案中，所述电子设备可以进一步包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或其组合。
附图说明
[0064]
根据结合附图的以下描述，本公开内容的某些实施方案的以上和其它的方面、特征和优点将更显而易见，在附图中
[0065]
图1至图3各自是根据实施方案的发光装置的结构的示意性横截面视图。
具体实施方式
[0066]
现在将详细地参考实施方案，在附图中例示出所述实施方案的实例，其中相同的参考数字通篇是指相同的元件。在这点上，实施方案可以具有不同的形式并且不应解释为局限于本文阐述的描述。因此，以下仅通过参考附图描述实施方案，以解释本公开内容的方面。
[0067]
为了便于解释，可以放大附图中的元件的尺寸。因此，由于附图中的组件的尺寸和厚度可以为了便于解释而被任意地例示，因此本公开内容的以下实施方案不限于此。
[0068]
如本文使用，诸如“一(a)”、“一(an)”和“所述(the)”的用于单数的表述旨在还包括复数形式，除非上下文另外明确指出。
[0069]
应理解，术语“包括(comprises)”、“包括(comprising)”、“包含(includes)”、“包含(including)”、“具有(have)”、“具有(having)”、“含有(contains)”、“含有(containing)”等旨在指明本公开内容中的规定的特征、整数、步骤、操作、元件、组件或其组合的存在，但不排除一个或多于一个的其它的特征、整数、步骤、操作、元件、组件或其组合的存在或增添。
[0070]
在描述中，应理解，当元件(区、层、部分等)被称为在另一个元件“上”、“连接至”另一个元件或“联接至”另一个元件时，它可以直接在其它元件上、直接连接至其它元件或直接联接至其它元件，或者一个或多于一个的介于中间的元件可以设置在其间。
[0071]
如本文使用，术语“和/或”包括相关列出项中的一个或多于一个的任意组合和所有组合。例如，“a和/或b”可以理解为意指“a、b、或者a和b”。术语“和”和“或”可以以连接词
或反意连接词的意义使用，并且可以理解为等同于“和/或”。
[0072]
出于其含义和解释的目的，术语“......中的至少一个(种)”旨在包括“选自......中的至少一个(种)”的含义。例如，“a和b中的至少一个(种)”可以理解为意指“a、b、或者a和b”。当在一列要素之前时，术语“......中的至少一个(种)”修饰整列的要素而不修饰该列的单个要素。
[0073]
应理解，尽管术语“第一”、“第二”等可以在本文用于描述各种元件，但这些元件不应受到这些术语限制。这些术语仅用于区分一个元件与另一个。例如，在不背离本发明构思的实施方案的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，第二元件可以被称为第一元件。
[0074]
术语“下方”、“下”、“上方”、“上”等用于描述附图中示出的配置的关系。术语被用作相对概念并且参考附图中指明的方向进行描述。
[0075]
如本文使用的术语“约”或“大约”包括规定值并且意指在如由本领域普通技术人员考虑相关测量和与所述量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)所确定的所述值的可接受的偏差范围内。例如，“约”可以意指在一个或多于一个的标准偏差内，或者在规定值的
±
20％、
±
10％或
±
5％内。
[0076]
除非本文另外定义或暗示，使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开内容所属领域的技术人员通常理解的相同含义。应进一步理解，术语(例如在常用词典中定义的那些术语)应解释为具有与其在相关领域的语境中的含义相符的含义，并且不应以理想化或过于形式的含义进行解释，除非在说明书中明确定义。
[0077]
发光装置可以包括第一电极、面向第一电极的第二电极和在第一电极与第二电极之间的中间层，
[0078]
其中中间层可以包括发射层和在发射层与第一电极之间的空穴传输区，
[0079]
空穴传输区可以包含至少一种包含m1数量的
15
n的第一化合物。
[0080]
m1数量的
15
n可以经由单键连接至相邻的碳(c)，
[0081]
m1可以是等于或大于1的整数，以及
[0082]
第一化合物可以不是化合物a：
[0083][0084]
m1数量的
15
n可以经由单键连接至相邻的碳(c)。单键是具有1的键级的共价键，并且明显区别于具有2的键级的双键。
[0085]
在实施方案中，经由单键连接至m1数量的
15
n的c中的至少一个c可以是
12
c。
12
c可以不包括碳(c)的同位素
13
c。
[0086]
在实施方案中，m1数量的
15
n中的至少一个
15
n可以形成包含在第一化合物中的环状基团的一部分。
[0087]
在实施方案中，m1数量的
15
n中的至少一个
15
n可以不形成包含在第一化合物中的环状基团的一部分。
[0088]
本领域技术人员可以容易地认识到，化合物16表示含有第一
15
n和第二
15
n的第一化合物的实施方案，其中第一
15
n可以形成包含在第一化合物中的环状基团的一部分，并且第二
15
n可以不形成包含在第一化合物中的环状基团的一部分。
[0089][0090]
在实施方案中，第一化合物可以进一步包含m2数量的
14
n，m2数量的
14
n可以经由单键连接至相邻的碳(c)，并且m2可以是等于或大于1的整数。
[0091]
在实施方案中，m2数量的
14
n中的至少一个
14
n可以形成包含在第一化合物中的环状基团的一部分。
[0092]
在实施方案中，m2数量的
14
n中的至少一个
14
n可以不形成包含在第一化合物中的环状基团的一部分。
[0093]
本领域技术人员可以容易地认识到，化合物8表示含有
15
n和
14
n的第一化合物的实施方案，其中
14
n可以不形成包含在第一化合物中的环状基团的一部分。本领域技术人员可以容易地认识到，化合物11表示含有
15
n和
14
n的第一化合物的实施方案，其中
14
n可以形成包含在第一化合物中的环状基团的一部分。
[0094][0095]
在实施方案中，第一化合物可以包含两个或多于两个的n，并且当两个或多于两个的n中的两个n连接至无杂原子基团时，两个n中的至少一个可以是
15
n。无杂原子基团是指由c和h组成的基团。
[0096]
在实施方案中，无杂原子基团可以是碳环基团，例如苯基团或萘基团，但本公开内容的实施方案不限于此。
[0097]
在实施方案中，第一化合物可以包含两个或多于两个的n，所述两个或多于两个的n可以各自形成第一环状基团和第二环状基团，并且当第一环状基团和第二环状基团彼此形成稠合环时，两个或多于两个的n中的至少一个可以是
15
n。
[0098]
在实施方案中，第一化合物可以是化合物22，但本公开内容的实施方案不限于此。
[0099][0100]
在第一化合物中，m1可以是等于或大于1的整数。
[0101]
在实施方案中，m1可以是1至10的整数。
[0102]
在实施方案中，m1可以是1至6的整数。
[0103]
第一化合物可以不是化合物a。
[0104][0105]
在实施方案中，包含在第一化合物中的每个n可以是
15
n。
[0106]
在实施方案中，第一化合物可以不包含
14
n。
[0107]
在实施方案中，第一化合物可以进一步包含o、s、si、p、b或其任意组合。
[0108]
在实施方案中，第一化合物可以包含o、s、si或其任意组合，但本公开内容的实施方案不限于此。
[0109]
在实施方案中，第一化合物可以由式1、式1
‑
1、式2、式2
‑
1和式3中的一种表示：
[0110]
[0111][0112]
在式1、式1
‑
1、式2、式2
‑
1和式3中，
[0113]
y
21
可以是o、s、se、c(z
21a
)(z
21b
)、si(z
21a
)(z
21b
)或n
*
(z
21a
)，
[0114]
y
31
可以是o、s、se、c(z
31a
)(z
31b
)、si(z
31a
)(z
31b
)或n
*
(z
31a
)，以及
[0115]
y
32
可以是o、s、se、c(z
32a
)(z
32b
)、si(z
32a
)(z
32b
)或n
*
(z
32a
)。
[0116]
在实施方案中，y
21
可以是o、s、c(z
21a
)(z
21b
)或n
*
(z
21a
)，
[0117]
y
31
可以是o、s、c(z
31a
)(z
31b
)或n
*
(z
31a
)，以及
[0118]
y
32
可以是o、s、c(z
32a
)(z
32b
)或n
*
(z
32a
)，但本公开内容的实施方案不限于此。
[0119]
在式1、式1
‑
1、式2、式2
‑
1和式3中，n
*
可以是
14
n或
15
n，并且至少一个n
*
可以是
15
n。
[0120]
在式1、式1
‑
1、式2、式2
‑
1和式3中，b21、b31至b32可以各自独立地是0至3的整数。
[0121]
在式1、式1
‑
1、式2、式2
‑
1和式3中，ar
11
至ar
14
、ar
21
、ar
22
和ar
24
可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c3‑
c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c1‑
c
60
杂环基团。
[0122]
在实施方案中，ar
11
至ar
15
、ar
21
、ar
22
和ar
24
可以各自独立地是苯基团、萘基团、蒽基团、菲基团、苯并菲基团、芘基团、基团、环戊二烯基团、1,2,3,4
‑
四氢萘基团、噻吩基团、呋喃基团、吡咯基团、吲哚基团、茚基团、苯并噻咯基团、苯并噻吩基团、苯并呋喃基团、咔唑基团、芴基团、螺二芴基团、二苯并噻咯基团、二苯并噻吩基团、二苯并呋喃基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、喹喔啉基团、喹唑啉基团、菲咯啉基团、吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噁二唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并噁二唑基团、苯并噻二唑基团、5,6,7,8
‑
四氢异喹啉基团、5,6,7,8
‑
四氢喹啉基团或二噻英(dithiine)基团。
[0123]
在实施方案中，ar
11
至ar
15
、ar
21
、ar
22
和ar
24
可以各自独立地是苯基团、萘基团、吲哚基团、咔唑基团、芴基团、螺二芴基团、二苯并呋喃基团或二噻英基团。
[0124]
在式1、式1
‑
1、式2、式2
‑
1和式3中，环a
21
、环a
22
和环a
31
至环a
34
可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c3‑
c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c1‑
c
60
杂环基团。
[0125]
在实施方案中，环a
21
、环a
22
和环a
31
至环a
34
可以各自独立地是苯基团、萘基团、蒽基
团、菲基团、苯并菲基团、芘基团、基团、环戊二烯基团、1,2,3,4
‑
四氢萘基团、噻吩基团、呋喃基团、吡咯基团、吲哚基团、茚基团、苯并噻咯基团、苯并噻吩基团、苯并呋喃基团、咔唑基团、芴基团、螺二芴基团、二苯并噻咯基团、二苯并噻吩基团、二苯并呋喃基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、喹喔啉基团、喹唑啉基团、菲咯啉基团、吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噁二唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并噁二唑基团、苯并噻二唑基团、5,6,7,8
‑
四氢异喹啉基团、5,6,7,8
‑
四氢喹啉基团或二噻英基团。
[0126]
在实施方案中，环a
21
、环a
22
和环a
31
至环a
34
可以各自独立地是苯基团、萘基团、吲哚基团、咔唑基团、芴基团、螺二芴基团、二苯并呋喃基团或二噻英基团。
[0127]
在式1、式1
‑
1、式2、式2
‑
1和式3中，l
10
、l
20
和l
30
可以各自独立地是*
‑
o
‑
*'、*
‑
s
‑
*'、*
‑
n
*
(ar
15
)
‑
*'、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c3‑
c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c1‑
c
60
杂环基团。
[0128]
在式1、式1
‑
1、式2、式2
‑
1和式3中，ar
15
可以与说明书中关于ar
11
描述的相同。
[0129]
在式1、式1
‑
1、式2、式2
‑
1和式3中，l
11
至l
14
和l
21
至l
24
可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c3‑
c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c1‑
c
60
杂环基团。
[0130]
在实施方案中，l
10
至l
14
、l
20
至l
24
和l
30
可以各自独立地是苯基团、萘基团、蒽基团、菲基团、苯并菲基团、芘基团、基团、环戊二烯基团、1,2,3,4
‑
四氢萘基团、噻吩基团、呋喃基团、吡咯基团、吲哚基团、茚基团、苯并噻咯基团、苯并噻吩基团、苯并呋喃基团、咔唑基团、芴基团、二苯并噻咯基团、二苯并噻吩基团、二苯并呋喃基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、喹喔啉基团、喹唑啉基团、菲咯啉基团、吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噁二唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并噁二唑基团、苯并噻二唑基团、5,6,7,8
‑
四氢异喹啉基团或5,6,7,8
‑
四氢喹啉基团。
[0131]
在实施方案中，l
10
至l
14
、l
20
至l
24
和l
30
可以各自独立地是苯基团或萘基团，但本公开内容的实施方案不限于此。
[0132]
在式1、式1
‑
1、式2、式2
‑
1和式3中，a11至a14和a21至a24可以各自独立地是0至10的整数。
[0133]
在实施方案中，a11至a14和a21至a24可以各自独立地是0至5的整数，但本公开内容的实施方案不限于此。
[0134]
在式1、式1
‑
1、式2、式2
‑
1和式3中，a10、a20和a30可以各自独立地是1至5的整数。
[0135]
在式1、式1
‑
1、式2、式2
‑
1和式3中，r
21
、r
22
、r
31
至r
34
、z
21a
、z
21b
、z
31a
、z
31b
、z
32a
和z
32b
可以各自独立地是氢、氘、
‑
f、
‑
cl、
‑
br、
‑
i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c1‑
c
60
烷基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c2‑
c
60
烯基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c2‑
c
60
炔基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c1‑
c
60
烷氧基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c3‑
c
60
碳环基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c1‑
c
60
杂环基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c6‑
c
60
芳氧基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c6‑
c
60
芳硫基基团、
‑
si(q1)(q2)(q3)、
‑
n
*
(q1)(q2)、
‑
b(q1)(q2)、
‑
c(＝o)(q1)、
‑
s
(＝o)2(q1)或
‑
p(＝o)(q1)(q2)。
[0136]
在实施方案中，r
21
、r
22
、r
31
至r
34
、z
21a
、z
21b
、z
31a
、z
31b
、z
32a
和z
32b
可以各自独立地是：
[0137]
氢、氘、
‑
f、
‑
cl、
‑
br、
‑
i、羟基基团、氰基基团或硝基基团；
[0138]
各自未取代的或者被氘、
‑
f、
‑
cl、
‑
br、
‑
i、
‑
cd3、
‑
cd2h、
‑
cdh2、
‑
cf3、
‑
cf2h、
‑
cfh2、羟基基团、氰基基团、硝基基团、环戊基基团、环己基基团、环庚基基团、环辛基基团、金刚烷基基团、降冰片烷基基团、降冰片烯基基团、环戊烯基基团、环己烯基基团、环庚烯基基团、苯基基团、萘基基团、吡啶基基团、嘧啶基基团、
‑
si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、
‑
n
*
(q
31
)(q
32
)、
‑
b(q
31
)(q
32
)、
‑
c(＝o)(q
31
)、
‑
s(＝o)2(q
31
)、
‑
p(＝o)(q
31
)(q
32
)或其任意组合取代的c1‑
c
20
烷基基团、c2‑
c
20
烯基基团、c2‑
c
20
炔基基团或c1‑
c
20
烷氧基基团；
[0139]
各自未取代的或者被氘、
‑
f、
‑
cl、
‑
br、
‑
i、
‑
cd3、
‑
cd2h、
‑
cdh2、
‑
cf3、
‑
cf2h、
‑
cfh2、羟基基团、氰基基团、硝基基团、c1‑
c
20
烷基基团、c2‑
c
20
烯基基团、c2‑
c
20
炔基基团、c1‑
c
20
烷氧基基团、环戊基基团、环己基基团、环庚基基团、环辛基基团、金刚烷基基团、降冰片烷基基团、降冰片烯基基团、环戊烯基基团、环己烯基基团、环庚烯基基团、苯基基团、萘基基团、芴基基团、菲基基团、蒽基基团、荧蒽基基团、苯并菲基基团、芘基基团、基基团、吡咯基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、咪唑基基团、吡唑基基团、噻唑基基团、异噻唑基基团、噁唑基基团、异噁唑基基团、吡啶基基团、吡嗪基基团、嘧啶基基团、哒嗪基基团、异吲哚基基团、吲哚基基团、吲唑基基团、嘌呤基基团、喹啉基基团、异喹啉基基团、苯并喹啉基基团、喹喔啉基基团、喹唑啉基基团、噌啉基基团、咔唑基基团、菲咯啉基基团、苯并咪唑基基团、苯并呋喃基基团、苯并噻吩基基团、苯并异噻唑基基团、苯并噁唑基基团、苯并异噁唑基基团、三唑基基团、四唑基基团、噁二唑基基团、三嗪基基团、二苯并呋喃基基团、二苯并噻吩基基团、苯并咔唑基基团、二苯并咔唑基基团、咪唑并吡啶基基团、咪唑并嘧啶基基团、
‑
si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、
‑
n
*
(q
31
)(q
32
)、
‑
b(q
31
)(q
32
)、
‑
c(＝o)(q
31
)、
‑
s(＝o)2(q
31
)、
‑
p(＝o)(q
31
)(q
32
)或其任意组合取代的环戊基基团、环己基基团、环庚基基团、环辛基基团、金刚烷基基团、降冰片烷基基团、降冰片烯基基团、环戊烯基基团、环己烯基基团、环庚烯基基团、苯基基团、萘基基团、芴基基团、菲基基团、蒽基基团、荧蒽基基团、苯并菲基基团、芘基基团、基基团、吡咯基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、咪唑基基团、吡唑基基团、噻唑基基团、异噻唑基基团、噁唑基基团、异噁唑基基团、吡啶基基团、吡嗪基基团、嘧啶基基团、哒嗪基基团、异吲哚基基团、吲哚基基团、吲唑基基团、嘌呤基基团、喹啉基基团、异喹啉基基团、苯并喹啉基基团、喹喔啉基基团、喹唑啉基基团、噌啉基基团、咔唑基基团、菲咯啉基基团、苯并咪唑基基团、苯并呋喃基基团、苯并噻吩基基团、苯并异噻唑基基团、苯并噁唑基基团、苯并异噁唑基基团、三唑基基团、四唑基基团、噁二唑基基团、三嗪基基团、二苯并呋喃基基团、二苯并噻吩基基团、苯并咔唑基基团、二苯并咔唑基基团、咪唑并吡啶基基团和咪唑并嘧啶基基团；或者
[0140]
‑
b(q1)(q2)、
‑
p(q1)(q2)、
‑
n
*
(q1)(q2)或
‑
c(＝o)(q1)。
[0141]
在式1、式1
‑
1、式2、式2
‑
1和式3中，c21、c22和c31至c34可以各自独立地是0至10的整数。
[0142]
在式1、式1
‑
1、式2、式2
‑
1和式3中，n可以是1至5的整数。
[0143]
在式1、式1
‑
1、式2、式2
‑
1和式3中，r
10a
可以是：氘(
‑
d)、
‑
f、
‑
cl、
‑
br、
‑
i、羟基基团、氰基基团或硝基基团；
[0144]
各自未取代的或者被氘、
‑
f、
‑
cl、
‑
br、
‑
i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、c3‑
c
60
碳环基团、c1‑
c
60
杂环基团、c6‑
c
60
芳氧基基团、c6‑
c
60
芳硫基基团、
‑
si(q
11
)(q
12
)(q
13
)、
‑
n
*
(q
11
)(q
12
)、
‑
b(q
11
)(q
12
)、
‑
c(＝o)(q
11
)、
‑
s(＝o)2(q
11
)、
‑
p(＝o)(q
11
)(q
12
)或其任意组合取代的c1‑
c
60
烷基基团、c2‑
c
60
烯基基团、c2‑
c
60
炔基基团或c1‑
c
60
烷氧基基团；
[0145]
各自未取代的或者被氘、
‑
f、
‑
cl、
‑
br、
‑
i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、c1‑
c
60
烷基基团、c2‑
c
60
烯基基团、c2‑
c
60
炔基基团、c1‑
c
60
烷氧基基团、c3‑
c
60
碳环基团、c1‑
c
60
杂环基团、c6‑
c
60
芳氧基基团、c6‑
c
60
芳硫基基团、
‑
si(q
21
)(q
22
)(q
23
)、
‑
n
*
(q
21
)(q
22
)、
‑
b(q
21
)(q
22
)、
‑
c(＝o)(q
21
)、
‑
s(＝o)2(q
21
)、
‑
p(＝o)(q
21
)(q
22
)或其任意组合取代的c3‑
c
60
碳环基团、c1‑
c
60
杂环基团、c6‑
c
60
芳氧基基团或c6‑
c
60
芳硫基基团；或者
[0146]
‑
si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、
‑
n
*
(q
31
)(q
32
)、
‑
b(q
31
)(q
32
)、
‑
c(＝o)(q
31
)、
‑
s(＝o)2(q
31
)或
‑
p(＝o)(q
31
)(q
32
)。
[0147]
在式1、式1
‑
1、式2、式2
‑
1和式3中，q1至q3、q
11
至q
13
、q
21
至q
23
和q
31
至q
33
可以各自独立地是：氢；氘；
‑
f；
‑
cl；
‑
br；
‑
i；羟基基团；氰基基团；硝基基团；c1‑
c
60
烷基基团；c2‑
c
60
烯基基团；c2‑
c
60
炔基基团；c1‑
c
60
烷氧基基团；或者各自未取代的或者被氘、
‑
f、氰基基团、c1‑
c
60
烷基基团、c1‑
c
60
烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团或其任意组合取代的c3‑
c
60
碳环基团或c1‑
c
60
杂环基团。
[0148]
在式1、式1
‑
1、式2、式2
‑
1和式3中，当包含在c1‑
c
60
杂环基团中的杂原子是氮原子时，氮原子可以是
14
n或
15
n，
[0149]
包含在氰基基团或硝基基团中的氮原子可以是
14
n或
15
n，以及
[0150]
n
*
可以是
14
n或
15
n。
[0151]
在实施方案中，空穴传输区可以包含彼此不同的两种或多于两种的第一化合物。
[0152]
在实施方案中，空穴传输区可以包括第一层和在第一层与发射层之间的第二层，第一层和第二层可以各自包含至少一种第一化合物，以及包含在第一层中的第一化合物可以不同于包含在第二层中的第一化合物。
[0153]
在实施方案中，第一层和第二层可以各自独立地是空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任意组合。
[0154]
在实施方案中，包含在第一层中的第一化合物可以包含m
11
数量的
15
n，包含在第二层中的第一化合物可以包含m
12
数量的
15
n，以及m
11
可以大于m
12
。
[0155]
在实施方案中，包含在第一层中的第一化合物可以包含m
21
数量的
14
n，包含在第二层中的第一化合物可以包含m
22
数量的
14
n，以及m
21
可以与m
22
相同。
[0156]
在实施方案中，
[0157]
空穴传输区可以包含选自化合物1至化合物24的第一化合物中的至少一种：
[0158]
[0159][0160]
包含在发光装置中的第一化合物可以通过用比一般的
14
n更重的
15
n(氮的同位素)取代氮原子来增加
15
n
‑
c单键的稳定性。
15
n可以降低分子内振动能量，并且因此，作为振动能量耗散的能量可以降低，并且效率可以增加。具有空穴传输特性的材料的c
‑
n单键是弱的，并且因此已知c
‑
n单键的稳定性决定分子整体的稳定性并且对装置的使用寿命具有很大影响。因为m1数量的
15
n经由单键连接至相邻的碳(c)，所以本公开内容的第一化合物可以由于用
15
n取代而具有增加的c
‑
n键稳定性，并且因此装置可以具有增加的使用寿命。因此，第一化合物可以用作用于具有优异的效率和优异的稳定性的空穴传输区的材料，并且包含第一化合物的电子装置(例如，有机发光装置)可以具有优异的光发射效率和长的使用寿命。
[0161]
在发光装置(例如，有机发光装置)中可以使用第一化合物中的至少一种。因此，提供了发光装置，包括：第一电极；面向第一电极的第二电极；以及在第一电极与第二电极之间的中间层，其中中间层包括发射层和在发射层与第一电极之间的空穴传输区，并且空穴传输区包含至少一种如说明书中描述的第一化合物。
[0162]
在实施方案中，发光装置的第一电极可以是阳极，发光装置的第二电极可以是阴极，中间层可以进一步包括在发射层与第二电极之间的电子传输区，
[0163]
空穴传输区可以包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任意组合，以及
[0164]
电子传输区可以包括空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层或其任意组合。
[0165]
在实施方案中，空穴传输区和发射层中的至少一个可以包含含芳基胺的化合物、含吖啶的化合物、含咔唑的化合物或其任意组合，或者
[0166]
发射层和电子传输区中的至少一个可以包含含硅的化合物、含氧化膦的化合物、含氧化硫的合物、含氧化磷的化合物、含三嗪的化合物、含嘧啶的化合物、含吡啶的化合物、含二苯并呋喃的化合物、含二苯并噻吩的化合物或其任意组合。
[0167]
在实施方案中，发光装置可以包括：设置在第一电极外部的第一覆盖层；设置在第二电极外部的第二覆盖层；或者第一覆盖层和第二覆盖层。
[0168]
在实施方案中，第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含碳环化合物、杂环化合物、含胺基团的化合物、卟啉衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属络合物、碱土金属络合物或其任意组合。
[0169]
根据另一个方面，提供了发光装置，包括：第一电极；面向第一电极的第二电极；在第一电极与第二电极之间的中间层；以及设置在第二电极外部并且具有等于或大于约1.6的折射率的第二覆盖层，其中中间层可以包括发射层和在发射层与第一电极之间的空穴传输区，并且空穴传输区可以包含如以上描述的第一化合物。
[0170]
在实施方案中，封装部可以布置在第二覆盖层上。
[0171]
在实施方案中，封装部可以包括：无机膜，所述无机膜包含硅氮化物(sin
x
)、硅氧化物(sio
x
)、氧化铟锡、氧化铟锌或其任意组合；有机膜，所述有机膜包含聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸酯、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅氧烷、基于丙烯酰基的树脂、基于环氧的树脂或其任意组合；或者无机膜和有机膜的组合。
[0172]
在实施方案中，第一化合物可以包含在发光装置的一对电极之间。因此，第一化合物可以包含在发光装置的中间层中，例如，中间层的空穴传输区中。
[0173]
在实施方案中，发光装置的中间层中的发射层可以包含掺杂剂和主体，并且第一化合物可以包括在主体中。换而言之，第一化合物可以充当主体。发射层可以发射红色光、绿色光、蓝色光和/或白色光。例如，发射层可以发射蓝色光。蓝色光可以具有例如约400nm至约500nm的最大发光波长。
[0174]
在实施方案中，发射层可以包括具有不同的发射颜色的第一发射层、第二发射层和第三发射层，空穴传输区可以包括在第一电极与第一发射层之间的第一发射辅助层、在第一电极与第二发射层之间的第二发射辅助层和在第一电极与第三发射层之间的第三发射辅助层，并且第一发射辅助层、第二发射辅助层和第三发射辅助层中的至少一个可以包含第一化合物。
[0175]
在实施方案中，发光装置可以进一步包括设置在第一电极外部的第一覆盖层和设置在第二电极外部的第二覆盖层中的至少一个，并且第一化合物可以包含在第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个中。关于第一覆盖层和/或第二覆盖层的更多细节与说明书中描述的相同。
[0176]
在实施方案中，发光装置可以包括：设置在第一电极外部并且包含第一化合物的第一覆盖层；设置在第二电极外部并且包含第一化合物的第二覆盖层；或者第一覆盖层和第二覆盖层。
[0177]
如本文使用的表述“(中间层)包含至少一种第一化合物”可以包括其中“(中间层)
包含一种类型的对应于所述第一化合物的化合物”的情况和其中“(中间层)包含两种或多于两种的不同的对应于第一化合物的化合物”的情况。
[0178]
在实施方案中，中间层可以仅包含化合物1作为第一化合物。在这个实施方案中，化合物1可以包含在发光装置的空穴传输区中。在实施方案中，中间层可以包含化合物1和化合物2作为第一化合物。在这点上，化合物1和化合物2可以存在于相同的层中(例如，化合物1和化合物2可以均存在于空穴传输区中)，或者存在于不同的层中(例如，化合物1可以存在于发射层中，并且化合物2可以存在于空穴传输区中)。
[0179]
如本文使用的术语“中间层”是指位于发光装置的第一电极与第二电极之间的单个层或所有层。
[0180]
根据另一个方面，提供了包括发光装置的电子设备。电子设备可以进一步包括薄膜晶体管。在实施方案中，电子设备可以进一步包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括源电极和漏电极，并且发光装置的第一电极可以电连接至源电极或漏电极。在实施方案中，电子设备可以进一步包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或其任意组合。关于电子设备的更多细节与说明书中描述的相同。
[0181]
[图1的描述]
[0182]
图1是根据实施方案的发光装置10的示意性横截面视图。发光装置10包括第一电极110、中间层130和第二电极150。
[0183]
在下文，将关于图1描述根据实施方案的发光装置10的结构和制造发光装置10的方法。
[0184]
[第一电极110]
[0185]
在图1中，衬底可以额外地设置在第一电极110下方或第二电极150上方。衬底可以是玻璃衬底或塑料衬底。衬底可以是柔性衬底。在实施方案中，衬底可以包含具有优异的耐热性和耐久性的塑料，例如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳酯(par)、聚醚酰亚胺或其任意组合。
[0186]
可以通过例如在衬底上沉积或溅射用于形成第一电极110的材料来形成第一电极110。当第一电极110是阳极时，可以容易地注入空穴的高功函材料可以用作用于形成第一电极110的材料。
[0187]
第一电极110可以是反射电极、半透射电极或透射电极。当第一电极110是透射电极时，用于形成第一电极110的材料可以包括氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锡(sno2)、氧化锌(zno)或其任意组合。在实施方案中，当第一电极110是半透射电极或反射电极时，镁(mg)、银(ag)、铝(al)、铝
‑
锂(al
‑
li)、钙(ca)、镁
‑
铟(mg
‑
in)、镁
‑
银(mg
‑
ag)或其任意组合可以用作用于形成第一电极110的材料。
[0188]
第一电极110可以具有由单个层组成的单层结构或者包括多个层的多层结构。在实施方案中，第一电极110可以具有ito/ag/ito的三层结构。
[0189]
[中间层130]
[0190]
中间层130位于第一电极110上。中间层130包括发射层。
[0191]
中间层130可以进一步包括设置在第一电极110与发射层之间的空穴传输区和设置在发射层与第二电极150之间的电子传输区。
[0192]
除了各种有机材料之外，中间层130可以进一步包含含金属的化合物(例如有机金
属化合物)、无机材料(例如量子点)等。
[0193]
在实施方案中，中间层130可以包括i)依次堆叠在第一电极110与第二电极150之间的两个或多于两个的发射单元，和ii)位于发射单元中的相邻发射单元之间的至少一个电荷产生层。当中间层130包括如以上描述的发射单元和至少一个电荷产生层时，发光装置10可以是串联发光装置。
[0194]
[中间层130中的空穴传输区]
[0195]
空穴传输区可以具有：i)由由单一材料组成的单个层组成的单层结构，ii)由包含不同材料的单个层组成的单层结构，或者iii)包括包含不同材料的多个层的多层结构。
[0196]
空穴传输区可以包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任意组合。
[0197]
例如，空穴传输区可以具有包括空穴注入层/空穴传输层结构、空穴注入层/空穴传输层/发射辅助层结构、空穴注入层/发射辅助层结构、空穴传输层/发射辅助层结构、或空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层结构的多层结构，其中，在每种结构中，层从第一电极110依次堆叠。
[0198]
空穴传输区可以包含由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任意组合：
[0199]
[式201]
[0200][0201]
[式202]
[0202][0203]
在式201和式202中，
[0204]
l
201
至l
204
可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c3‑
c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c1‑
c
60
杂环基团，
[0205]
l
205
可以是*
‑
o
‑
*'、*
‑
s
‑
*'、*
‑
n(q
201
)
‑
*'、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c1‑
c
20
亚烷基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c2‑
c
20
亚烯基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c3‑
c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c1‑
c
60
杂环基团，
[0206]
xa1至xa4可以各自独立地是0至5的整数，
[0207]
xa5可以是1至10的整数，
[0208]
r
201
至r
204
和q
201
可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c3‑
c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c1‑
c
60
杂环基团，
[0209]
r
201
和r
202
可以任选地经由单键、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c1‑
c5亚烷基基
团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c2‑
c5亚烯基基团彼此连接以形成未取代的或被至少一个r
10a
取代的c8‑
c
60
多环基团(例如，咔唑基团)(例如，参见化合物ht16等)，
[0210]
r
203
和r
204
可以任选地经由单键、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c1‑
c5亚烷基基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c2‑
c5亚烯基基团彼此连接以形成未取代的或被至少一个r
10a
取代的c8‑
c
60
多环基团，以及
[0211]
na1可以是1至4的整数。
[0212]
在实施方案中，式201和式202可以各自包含由式cy201至式cy217表示的基团中的至少一种：
[0213][0214]
关于式cy201至式cy217，r
10b
和r
10c
与关于r
10a
描述的相同，环cy
201
至环cy
204
可以各自独立地是c3‑
c
20
碳环基团或c1‑
c
20
杂环基团，并且式cy201至式cy217中的至少一个氢可以是未取代的或被至少一个本文描述的r
10a
取代。
[0215]
在实施方案中，式cy201至式cy217中的环cy
201
至环cy
204
可以各自独立地是苯基团、萘基团、菲基团或蒽基团。
[0216]
在实施方案中，式201和式202可以各自包含由式cy201至式cy203表示的基团中的至少一种。
[0217]
在实施方案中，式201可以包含由式cy201至式cy203表示的基团中的至少一种和由式cy204至式cy217表示的基团中的至少一种。
[0218]
在实施方案中，在式201中，xa1是1，r
201
是由式cy201至式cy203中的一种表示的基团，xa2是0，并且r
202
是由式cy204至式cy207中的一种表示的基团。
[0219]
在实施方案中，式201和式202中的每一个可以不包含由式cy201至式cy203表示的基团。
[0220]
在实施方案中，式201和式202中的每一个可以不包含由式cy201至式cy203表示的基团，并且可以包含由式cy204至式cy217表示的基团中的至少一种。
[0221]
在实施方案中，式201和式202中的每一个可以不包含由式cy201至式cy217表示的
基团。
[0222]
例如，空穴传输区可以包含以下化合物ht1至化合物ht45、m
‑
mtdata、tdata、2
‑
tnata、npb(npd)、β
‑
npb、tpd、螺
‑
tpd、螺
‑
npb、甲基化
‑
npb、tapc、hmtpd、4,4',4
”‑
三(n
‑
咔唑基)三苯胺(tcta)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(pani/dbsa)、聚(3,4
‑
亚乙基二氧基噻吩)/聚(4
‑
苯乙烯磺酸酯)(pedot/pss)、聚苯胺/樟脑磺酸(pani/csa)、聚苯胺/聚(4
‑
苯乙烯磺酸酯)(pani/pss)中的一种或其任意组合：
[0223]
[0224]
[0225]
[0226]
[0227][0228]
空穴传输区的厚度可以是约至约例如，空穴传输区的厚度可以是约至约当空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层或其任意组合时，空穴注入层的厚度可以是约至约并且空穴传输层的厚度可以是约至约例如，空穴注入层的厚度可以是约至约例如，空穴传输层的厚度可以是约至约当空穴传输区、空穴注入层和空穴传输层的厚度在这些范围内时，可以获得令人满意的空穴传输特性，而没有驱动电压的显著增加。
[0229]
发射辅助层可以通过根据由发射层发射的光的波长补偿光学共振距离来增加光发射效率，并且电子阻挡层可以阻挡来自电子传输区的电子的流动。发射辅助层和电子阻挡层可以包含如以上描述的材料。
[0230]
[p
‑
掺杂剂]
[0231]
除了这些材料之外，空穴传输区可以进一步包含用于改善导电性质的电荷产生材料。电荷产生材料可以均匀地或非均匀地分散在空穴传输区中(例如，以电荷产生材料的单个层的形式)。
[0232]
电荷产生材料可以是，例如，p
‑
掺杂剂。
[0233]
在实施方案中，p
‑
掺杂剂的最低未占据分子轨道(lumo)能级可以等于或小于约
‑
3.5ev。
[0234]
在实施方案中，p
‑
掺杂剂可以包括醌衍生物、含氰基基团的化合物、含有元素el1和元素el2的化合物或其任意组合。
[0235]
醌衍生物的实例可以包括tcnq和f4
‑
tcnq。
[0236]
含氰基基团的化合物的实例可以包括hat
‑
cn和由以下式221表示的化合物。
[0237][0238]
[式221]
[0239][0240]
在式221中，
[0241]
r
221
至r
223
可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c3‑
c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c1‑
c
60
杂环基团，
[0242]
r
221
至r
223
中的至少一个可以各自独立地是各自被：氰基基团；
‑
f；
‑
cl；
‑
br；
‑
i；被氰基基团、
‑
f、
‑
cl、
‑
br、
‑
i或其任意组合取代的c1‑
c
20
烷基基团；或者其任意组合取代的c3‑
c
60
碳环基团或c1‑
c
60
杂环基团。
[0243]
关于含有元素el1和元素el2的化合物，元素el1可以是金属、准金属或其组合，并且元素el2可以是非金属、准金属或其组合。
[0244]
金属的实例可以包括：碱金属(例如，锂(li)、钠(na)、钾(k)、铷(rb)、铯(cs)等)；碱土金属(例如，铍(be)、镁(mg)、钙(ca)、锶(sr)、钡(ba)等)；过渡金属(例如，钛(ti)、锆(zr)、铪(hf)、钒(v)、铌(nb)、钽(ta)、铬(cr)、钼(mo)、钨(w)、锰(mn)、锝(tc)、铼(re)、铁(fe)、钌(ru)、锇(os)、钴(co)、铑(rh)、铱(ir)、镍(ni)、钯(pd)、铂(pt)、铜(cu)、银(ag)、金(au)等)；后过渡金属(例如，锌(zn)、铟(in)、锡(sn)等)；以及镧系金属(例如，镧(la)、铈(ce)、镨(pr)、钕(nd)、钷(pm)、钐(sm)、铕(eu)、钆(gd)、铽(tb)、镝(dy)、钬(ho)、铒(er)、铥(tm)、镱(yb)、镥(lu)等)。
[0245]
准金属的实例可以包括硅(si)、锑(sb)和碲(te)。
[0246]
非金属的实例可以包括氧(o)和卤素(例如，f、cl、br、i等)。
[0247]
在实施方案中，含有元素el1和元素el2的化合物的实例可以包括金属氧化物、金属卤化物(例如，金属氟化物、金属氯化物、金属溴化物或金属碘化物)、准金属卤化物(例如，准金属氟化物、准金属氯化物、准金属溴化物或准金属碘化物)、金属碲化物或其任意组合。
[0248]
金属氧化物的实例可以包括钨氧化物(例如，wo、w2o3、wo2、wo3或w2o5)、钒氧化物(例如，vo、v2o3、vo2或v2o5)、钼氧化物(例如，moo、mo2o3、moo2、moo3或mo2o5)和铼氧化物(例如，reo3)。
[0249]
金属卤化物的实例可以包括碱金属卤化物、碱土金属卤化物、过渡金属卤化物、后过渡金属卤化物和镧系金属卤化物。
[0250]
碱金属卤化物的实例可以包括lif、naf、kf、rbf、csf、licl、nacl、kcl、rbcl、cscl、libr、nabr、kbr、rbbr、csbr、lii、nai、ki、rbi和csi。
[0251]
碱土金属卤化合物的实例可以包括bef2、mgf2、caf2、srf2、baf2、becl2、mgcl2、cacl2、srcl2、bacl2、bebr2、mgbr2、cabr2、srbr2、babr2、bei2、mgi2、cai2、sri2和bai2。
[0252]
过渡金属卤化物的实例可以包括钛卤化物(例如，tif4、ticl4、tibr4或tii4)、锆卤化物(例如，zrf4、zrcl4、zrbr4或zri4)、铪卤化物(例如，hff4、hfcl4、hfbr4或hfi4)、钒卤化物(例如，vf3、vcl3、vbr3或vi3)、铌卤化物(例如，nbf3、nbcl3、nbbr3或nbi3)、钽卤化物(例如，taf3、tacl3、tabr3或tai3)、铬卤化物(例如，crf3、crcl3、crbr3或cri3)、钼卤化物(例如，mof3、mocl3、mobr3或moi3)、钨卤化物(例如，wf3、wcl3、wbr3或wi3)、锰卤化物(例如，mnf2、mncl2、mnbr2或mni2)、锝卤化物(例如，tcf2、tccl2、tcbr2或tci2)、铼卤化物(例如，ref2、recl2、rebr2或rei2)、铁卤化物(例如，fef2、fecl2、febr2或fei2)、钌卤化物(例如，ruf2、rucl2、rubr2或rui2)、锇卤化物(例如，osf2、oscl2、osbr2或osi2)、钴卤化物(例如，cof2、cocl2、cobr2或coi2)、铑卤化物(例如，rhf2、rhcl2、rhbr2或rhi2)、铱卤化物(例如，irf2、ircl2、irbr2或iri2)、镍卤化物(例如，nif2、nicl2、nibr2或nii2)、钯卤化物(例如，pdf2、pdcl2、pdbr2或pdi2)、铂卤化物(例如，ptf2、ptcl2、ptbr2或pti2)、铜卤化物(例如，cuf、cucl、cubr或cui)、银卤化物(例如，agf、agcl、agbr或agi)和金卤化物(例如，auf、aucl、aubr或aui)。
[0253]
后过渡金属卤化物的实例可以包括锌卤化物(例如，znf2、zncl2、znbr2或zni2)、铟卤化物(例如，ini3)和锡卤化物(例如，sni2)。
[0254]
镧系金属卤化物的实例可以包括ybf、ybf2、ybf3、smf3、ybcl、ybcl2、ybcl3、smcl3、ybbr、ybbr2、ybbr3、smbr3、ybi、ybi2、ybi3和smi3。
[0255]
准金属卤化物的实例可以包括锑卤化物(例如，sbcl5)。
[0256]
金属碲化物的实例可以包括碱金属碲化物(例如，li2te、na2te、k2te、rb2te或cs2te)、碱土金属碲化物(例如，bete、mgte、cate、srte或bate)、过渡金属碲化物(例如，tite2、zrte2、hfte2、v2te3、nb2te3、ta2te3、cr2te3、mo2te3、w2te3、mnte、tcte、rete、fete、rute、oste、cote、rhte、irte、nite、pdte、ptte、cu2te、cute、ag2te、agte或au2te)、后过渡金属碲化物(例如，znte)和镧系金属碲化物(例如，late、cete、prte、ndte、pmte、eute、gdte、tbte、dyte、hote、erte、tmte、ybte或lute)。
[0257]
[中间层130中的发射层]
[0258]
当发光装置10是全色发光装置时，根据子像素，可以将发射层图案化成红色发射层、绿色发射层和/或蓝色发射层。在实施方案中，发射层可以具有红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层中的两个或多于两个的层的堆叠结构，其中所述两个或多于两个的层彼此接触或彼此分开以发射白色光。在实施方案中，发射层可以包含发红色光的材料、发绿色光的材料和发蓝色光的材料中的两种或多于两种的材料，其中所述两种或多于两种的材料在单个层中彼此混合以发射白色光。
[0259]
发射层可以包含主体和掺杂剂。掺杂剂可以包括磷光掺杂剂、荧光掺杂剂或其任意组合。
[0260]
基于100重量份的主体，发射层中的掺杂剂的量可以是约0.01重量份至约15重量份。
[0261]
在实施方案中，发射层可以包含量子点。
[0262]
发射层可以包含延迟荧光材料。延迟荧光材料可以充当发射层中的主体或掺杂剂。
[0263]
发射层的厚度可以是约至约例如，发射层的厚度可以是约至约当发射层的厚度在该范围内时，可以获得优异的发光特性，而没有驱动电压的显著增加。
[0264]
[主体]
[0265]
主体可以包括由以下式301表示的化合物：
[0266]
[式301]
[0267]
[ar
301
]
xb11
‑
[(l
301
)
xb1
‑
r
301
]
xb21
。
[0268]
在式301中，
[0269]
ar
301
和l
301
可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c3‑
c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c1‑
c
60
杂环基团，
[0270]
xb11可以是1、2或3，
[0271]
xb1可以是0至5的整数，
[0272]
r
301
可以是氢、氘、
‑
f、
‑
cl、
‑
br、
‑
i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c1‑
c
60
烷基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c2‑
c
60
烯基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c2‑
c
60
炔基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c1‑
c
60
烷氧基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c3‑
c
60
碳环基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c1‑
c
60
杂环基团、
‑
si(q
301
)(q
302
)(q
303
)、
‑
n(q
301
)(q
302
)、
‑
b(q
301
)(q
302
)、
‑
c(＝o)(q
301
)、
‑
s(＝o)2(q
301
)或
‑
p(＝o)(q
301
)(q
302
)，
[0273]
xb21可以是1至5的整数，以及
[0274]
q
301
至q
303
与关于q1描述的相同。
[0275]
在实施方案中，当式301中的xb11是2或大于2时，两个或多于两个的ar
301
可以经由单键彼此连接。
[0276]
在实施方案中，主体可以包括由式301
‑
1表示的化合物、由式301
‑
2表示的化合物或其任意组合：
[0277]
[式301
‑
1]
[0278][0279]
[式301
‑
2]
[0280][0281]
在式301
‑
1和式301
‑
2中，
[0282]
环a
301
至环a
304
可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c3‑
c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c1‑
c
60
杂环基团，
[0283]
x
301
可以是o、s、n
‑
[(l
304
)
xb4
‑
r
304
]、c(r
304
)(r
305
)或si(r
304
)(r
305
)，
[0284]
xb22和xb23可以各自独立地是0、1或2，
[0285]
l
301
、xb1和r
301
与说明书中描述的相同，
[0286]
l
302
至l
304
各自独立地与关于l
301
描述的相同，
[0287]
xb2至xb4各自独立地与关于xb1描述的相同，以及
[0288]
r
302
至r
305
和r
311
至r
314
与关于r
301
描述的相同。
[0289]
在实施方案中，主体可以包括碱土金属络合物。在实施方案中，主体可以包括be络合物(例如，化合物h55)、mg络合物、zn络合物或其任意组合。
[0290]
在实施方案中，主体可以包括以下化合物h1至化合物h128、9,10
‑
二(2
‑
萘基)蒽(adn)、2
‑
甲基
‑
9,10
‑
双(萘
‑2‑
基)蒽(madn)、9,10
‑
二
‑
(2
‑
萘基)
‑2‑
叔丁基
‑
蒽(tbadn)、4,4'
‑
双(n
‑
咔唑基)
‑
1,1'
‑
联苯(cbp)、1,3
‑
二(咔唑
‑9‑
基)苯(mcp)、1,3,5
‑
三(咔唑
‑9‑
基)苯(tcp)中的一种或其任意组合：
[0291]
[0292]
[0293]
[0294]
[0295]
[0296][0297]
[磷光掺杂剂]
[0298]
磷光掺杂剂可以包含至少一种过渡金属作为中心金属。
[0299]
磷光掺杂剂可以包含单齿配体、二齿配体、三齿配体、四齿配体、五齿配体、六齿配体或其任意组合。
[0300]
磷光掺杂剂可以是电中性的。
[0301]
在实施方案中，磷光掺杂剂可以包括由式401表示的有机金属化合物：
[0302]
[式401]
[0303]
m(l
401
)
xc1
(l
402
)
xc2
[0304]
[式402]
[0305][0306]
在式401和式402中，
[0307]
m可以是过渡金属(例如，铱(ir)、铂(pt)、钯(pd)、锇(os)、钛(ti)、金(au)、铪
(hf)、铕(eu)、铽(tb)、铑(rh)、铼(re)或铥(tm))，
[0308]
l
401
可以是由式402表示的配体，并且xc1可以是1、2或3，其中当xc1是2或大于2时，两个或多于两个的l
401
可以彼此相同或不同，
[0309]
l
402
可以是有机配体，并且xc2可以是0、1、2、3或4，其中当xc2是2或大于2时，两个或多于两个的l
402
可以彼此相同或不同，
[0310]
x
401
和x
402
可以各自独立地是氮或碳，
[0311]
环a
401
和环a
402
可以各自独立地是c3‑
c
60
碳环基团或者c1‑
c
60
杂环基团，
[0312]
t
401
可以是单键、*
‑
o
‑
*'、*
‑
s
‑
*'、*
‑
c(＝o)
‑
*'、*
‑
n(q
411
)
‑
*'、*
‑
c(q
411
)(q
412
)
‑
*'、*
‑
c(q
411
)＝c(q
412
)
‑
*'、*
‑
c(q
411
)＝*'或*＝c＝*'，
[0313]
x
403
和x
404
可以各自独立地是化学键(例如，共价键或配位键)、o、s、n(q
413
)、b(q
413
)、p(q
413
)、c(q
413
)(q
414
)或si(q
413
)(q
414
)，
[0314]
q
411
至q
414
与说明书中关于q1描述的相同，
[0315]
r
401
和r
402
可以各自独立地是氢、氘、
‑
f、
‑
cl、
‑
br、
‑
i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c1‑
c
20
烷基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c1‑
c
20
烷氧基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c3‑
c
60
碳环基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c1‑
c
60
杂环基团、
‑
si(q
401
)(q
402
)(q
403
)、
‑
n(q
401
)(q
402
)、
‑
b(q
401
)(q
402
)、
‑
c(＝o)(q
401
)、
‑
s(＝o)2(q
401
)或
‑
p(＝o)(q
401
)(q
402
)，
[0316]
q
401
至q
403
与说明书中关于q1描述的相同，
[0317]
xc11和xc12可以各自独立地是0至10的整数，以及
[0318]
式402中的*和*'各自表示与式401中的m的结合位点。
[0319]
在实施方案中，在式402中，i)x
401
可以是氮，并且x
402
可以是碳，或者ii)x
401
和x
402
两者均可以是氮。
[0320]
在实施方案中，当式401中的xc1是2或大于2时，两个或多于两个的l
401
中的两个环a
401
可以任选地经由作为连接基团的t
402
彼此连接，或者两个或多于两个的l
401
中的两个环a
402
可以任选地经由作为连接基团的t
403
彼此连接(参见化合物pd1至化合物pd4和化合物pd7)。t
402
和t
403
与说明书中关于t
401
描述的相同。
[0321]
式401中的l
402
可以是有机配体。例如，l
402
可以包括卤素基团、二酮基团(例如，乙酰丙酮酸酯基团)、羧酸基团(例如，吡啶甲酸酯基团)、
‑
c(＝o)、异腈基团、
‑
cn基团、磷基团(例如，膦基团和亚磷酸酯基团)或其任意组合。
[0322]
磷光掺杂剂可以包括，例如，以下化合物pd1至化合物pd25中的一种或其任意组合：
[0323][0324]
[荧光掺杂剂]
[0325]
荧光掺杂剂可以包括含胺基团的化合物、含苯乙烯基基团的化合物或其任意组合。
[0326]
在实施方案中，荧光掺杂剂可以包括由式501表示的化合物：
[0327]
[式501]
[0328][0329]
在式501中，
[0330]
ar
501
、l
501
至l
503
、r
501
和r
502
可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c3‑
c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c1‑
c
60
杂环基团，
[0331]
xd1至xd3可以各自独立地是0、1、2或3，以及
[0332]
xd4可以是1、2、3、4、5或6。
[0333]
在实施方案中，式501中的ar
501
可以是其中三个或多于三个的单环基团稠合的稠合环状基团(例如，蒽基团、基团或芘基团)。
[0334]
在实施方案中，式501中的xd4可以是2。
[0335]
在实施方案中，荧光掺杂剂可以包括：化合物fd1至化合物fd36；dpvbi；dpavbi中的一种；或其任意组合：
[0336]
[0337]
[0338][0339]
[延迟荧光材料]
[0340]
发射层可以包含延迟荧光材料。
[0341]
本文使用的延迟荧光材料可以选自基于延迟荧光发射机理能够发射延迟荧光的光的任何化合物。
[0342]
根据包含在发射层中的其它材料的类型，包含在发射层中的延迟荧光材料可以充当主体或掺杂剂。
[0343]
在实施方案中，延迟荧光材料的三重态能级(ev)与延迟荧光材料的单重态能级(ev)之间的差可以是约0ev至约0.5ev。当延迟荧光材料的三重态能级(ev)与延迟荧光材料的单重态能级(ev)之间的差满足以上描述的范围时，可以有效地发生延迟荧光材料的从三重态至单重态的向上转换，并且因此可以改善发光装置10的光发射效率。
[0344]
在实施方案中，延迟荧光材料可以包括i)包含至少一个电子供体(例如，富π电子的c3‑
c
60
环状基团，例如咔唑基团)和至少一个电子受体(例如，亚砜基团、氰基基团或含缺π电子的氮的c1‑
c
60
环状基团)的材料，ii)包含其中两个或多于两个的环状基团共用硼(b)并且彼此稠合的c8‑
c
60
多环基团的材料。
[0345]
延迟荧光材料可以包括化合物df1至化合物df9中的至少一种：
[0346][0347]
[量子点]
[0348]
发射层可以包含量子点。
[0349]
本文使用的量子点是指半导体化合物的晶体，并且可以包括根据晶体的尺寸能够发射各种发射波长的光的任何材料。
[0350]
量子点的直径可以是，例如，约1nm至约10nm。
[0351]
可以通过湿法化学工艺、金属有机化学气相沉积工艺、分子束外延工艺或与这些工艺类似的工艺合成量子点。
[0352]
湿法化学工艺是指其中将有机溶剂和前体材料混合并且生长量子点颗粒晶体的方法。当晶体生长时，有机溶剂充当自然地配位到量子点晶体的表面上的分散剂并且控制晶体的生长。因此，通过使用与气相沉积工艺(例如金属有机化学气相沉积(mocvd)工艺和分子束外延(mbe)工艺)相比容易以低成本进行的工艺，可以控制量子点颗粒的生长。
[0353]
量子点可以包括iii
‑
vi族半导体化合物、ii
‑
vi族半导体化合物、iii
‑
v族半导体化合物、i
‑
iii
‑
vi族半导体化合物、iv
‑
vi族半导体化合物、iv族元素或化合物或者其任意组合。
[0354]
ii
‑
vi族半导体化合物的实例可以包括：二元化合物，例如cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、mgse或mgs；三元化合物，例如cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、mgznse或mgzns；四元化合物，例如cdznses、cdznsete、cdznste、
cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete或hgznste；或者其任意组合。
[0355]
iii
‑
v族半导体化合物的实例可以包括：二元化合物，例如gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas或insb；三元化合物，例如ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、ingap、innp、inalp、innas、innsb、inpas或inpsb；四元化合物，例如gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas或inalpsb；或者其任意组合。iii
‑
v族半导体化合物可以进一步包含ii族元素。进一步包含ii族元素的iii
‑
v族半导体化合物的实例可以包括inznp、ingaznp或inalznp。
[0356]
iii
‑
vi族半导体化合物的实例可以包括：二元化合物，例如gas、gase、ga2se3、gate、ins、in2s3、inse、in2se3或inte；三元化合物，例如ingas3或ingase3；或者其任意组合。
[0357]
i
‑
iii
‑
vi族半导体化合物的实例是三元化合物，例如agins、agins2、cuins、cuins2、cugao2、aggao2或agalo2；或者其任意组合。
[0358]
iv
‑
vi族半导体化合物的实例是二元化合物，例如sns、snse、snte、pbs、pbse或pbte；三元化合物，例如snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse或snpbte；四元化合物，例如snpbsse、snpbsete或snpbste；或者其任意组合。
[0359]
在实施方案中，iv族元素或化合物可以包括单一元素，例如si或ge；二元化合物，例如sic或sige；或者其任意组合。
[0360]
包含在多元素化合物(例如二元化合物、三元化合物和四元化合物)中的每种元素可以以均匀的浓度或非均匀的浓度存在于颗粒中。
[0361]
量子点可以具有：具有均匀浓度的包含在相应量子点中的每种元素的单一结构或者核
‑
壳的双重结构。在实施方案中，包含在核中的材料可以不同于包含在壳中的材料。
[0362]
量子点的壳可以通过防止核的化学退化而起到用于保持半导体特性的保护层的作用，和/或可以起到用于向量子点赋予电泳特性的充电层的作用。壳可以是单个层或多层。核与壳之间的界面可以具有浓度梯度，其中壳中存在的元素的浓度朝向中心降低。
[0363]
量子点的壳的实例是金属或非金属的氧化物、半导体化合物或其任意组合。金属或非金属的氧化物的实例可以包括二元化合物，例如sio2、al2o3、tio2、zno、mno、mn2o3、mn3o4、cuo、feo、fe2o3、fe3o4、coo、co3o4或nio；三元化合物，例如mgal2o4、cofe2o4、nife2o4或comn2o4；或者其任意组合。如本文描述的半导体化合物的实例是iii
‑
vi族半导体化合物、ii
‑
vi族半导体化合物、iii
‑
v族半导体化合物、i
‑
iii
‑
vi族半导体化合物、iv
‑
vi族半导体化合物或其任意组合。在实施方案中，半导体化合物可以包括cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、znses、zntes、gaas、gap、gasb、hgs、hgse、hgte、inas、inp、ingap、insb、alas、alp、alsb或其任意组合。
[0364]
量子点的发射波长光谱的半峰全宽(fwhm)可以等于或小于约45nm。例如，量子点的发射波长光谱的fwhm可以等于或小于约40nm。例如，量子点的发射波长光谱的fwhm可以等于或小于约30nm。当量子点的发射波长光谱的fwhm在该范围内时，可以改善颜色纯度或颜色再现性。通过此类量子点发射的光可以全向照射。因此，可以增加广视角。
[0365]
量子点可以是球形、角锥形、多臂或立方体的纳米颗粒，纳米管，纳米线，纳米纤维或纳米板颗粒。
[0366]
通过调节量子点的尺寸，也可以调节能带间隙，从而在量子点发射层中获得各种
波长的光。因此，通过使用不同尺寸的量子点，可以实现发射各种波长的光的发光装置。在实施方案中，可以选择量子点的尺寸以发射红色光、绿色光和/或蓝色光。可以调节量子点的尺寸，使得各种颜色的光被组合以发射白色光。
[0367]
[中间层130中的电子传输区]
[0368]
电子传输区可以具有：i)由由单一材料组成的单个层组成的单层结构，ii)由由不同材料组成的单个层组成的单层结构，或者iii)包括包含不同材料的多个层的多层结构。
[0369]
电子传输区可以包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任意组合。
[0370]
在实施方案中，电子传输区可以具有电子传输层/电子注入层结构、空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层结构、电子控制层/电子传输层/电子注入层结构、或缓冲层/电子传输层/电子注入层结构，其中对于每种结构，构成层从发射层依次堆叠。
[0371]
电子传输区(例如，在电子传输区中的缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层或电子传输层)可以包含含有至少一个含缺π电子的氮的c1‑
c
60
环状基团的无金属化合物。
[0372]
在实施方案中，电子传输区可以包含由以下式601表示的化合物：
[0373]
[式601]
[0374]
[ar
601
]
xe11
‑
[(l
601
)
xe1
‑
r
601
]
xe21
。
[0375]
在式601中，
[0376]
ar
601
和l
601
可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c3‑
c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c1‑
c
60
杂环基团，
[0377]
xe11可以是1、2或3，
[0378]
xe1可以是0、1、2、3、4或5，
[0379]
r
601
可以是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c3‑
c
60
碳环基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c1‑
c
60
杂环基团、
‑
si(q
601
)(q
602
)(q
603
)、
‑
c(＝o)(q
601
)、
‑
s(＝o)2(q
601
)或
‑
p(＝o)(q
601
)(q
602
)，
[0380]
q
601
至q
603
与关于q1描述的相同，
[0381]
xe21可以是1、2、3、4或5，以及
[0382]
ar
601
、l
601
和r
601
中的至少一个可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的含缺π电子的氮的c1‑
c
60
环状基团。
[0383]
在实施方案中，当式601中的xe11是2或大于2时，两个或多于两个的ar
601
可以经由单键彼此连接。
[0384]
在实施方案中，式601中的ar
601
可以是取代或未取代的蒽基团。
[0385]
在实施方案中，电子传输区可以包含由式601
‑
1表示的化合物：
[0386]
[式601
‑
1]
[0387][0388]
在式601
‑
1中，
[0389]
x
614
可以是n或c(r
614
)，x
615
可以是n或c(r
615
)，x
616
可以是n或c(r
616
)，并且x
614
至x
616
中的至少一个可以是n，
[0390]
l
611
至l
613
可以通过参考关于l
601
呈现的描述来理解，
[0391]
xe611至xe613可以通过参考关于xe1呈现的描述来理解，
[0392]
r
611
至r
613
可以通过参考关于r
601
呈现的描述来理解，以及
[0393]
r
614
至r
616
可以各自独立地是氢、氘、
‑
f、
‑
cl、
‑
br、
‑
i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、c1‑
c
20
烷基基团、c1‑
c
20
烷氧基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c3‑
c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c1‑
c
60
杂环基团。
[0394]
在实施方案中，式601和式601
‑
1中的xe1和xe611至xe613可以各自独立地是0、1或2。
[0395]
电子传输区可以包含以下化合物et1至化合物et45、2,9
‑
二甲基
‑
4,7
‑
二苯基
‑
1,10
‑
菲咯啉(bcp)、4,7
‑
二苯基
‑
1,10
‑
菲咯啉(bphen)、alq3、balq、taz、ntaz中的一种或其任意组合：
[0396]
[0397][0398]
电子传输区的厚度可以是约至约例如，电子传输区的厚度可以
是约至约当电子传输区包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层或其任意组合时，缓冲层、空穴阻挡层或电子控制层的厚度可以各自独立地是约至约并且电子传输层的厚度可以是约至约例如，缓冲层、空穴阻挡层或电子控制层的厚度可以各自独立地是约至约例如，电子传输层的厚度可以是约至约当缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层和/或电子传输区的厚度在这些范围内时，可以获得令人满意的电子传输特性，而没有驱动电压的显著增加。
[0399]
除了以上描述的材料之外，电子传输区(例如，电子传输区中的电子传输层)可以进一步包含含金属的材料。
[0400]
含金属的材料可以包括碱金属络合物、碱土金属络合物或其任意组合。碱金属络合物的金属离子可以是li离子、na离子、k离子、rb离子或cs离子，并且碱土金属络合物的金属离子可以是be离子、mg离子、ca离子、sr离子或ba离子。与碱金属络合物或碱土金属络合物的金属离子配位的配体可以是羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任意组合。
[0401]
在实施方案中，含金属的材料可以包括li络合物。li络合物可以包括，例如，化合物et
‑
d1(liq)或化合物et
‑
d2：
[0402][0403]
电子传输区可以包括促进来自第二电极150的电子的注入的电子注入层。电子注入层可以直接接触第二电极150。
[0404]
电子注入层可以具有：i)由由单一材料组成的单个层组成的单层结构，ii)由包含不同材料的单个层组成的单层结构，或者iii)包括包含不同材料的多个层的多层结构。
[0405]
电子注入层可以包含碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任意组合。
[0406]
碱金属可以包括li、na、k、rb、cs或其任意组合。碱土金属可以包括mg、ca、sr、ba或其任意组合。稀土金属可以包括sc、y、ce、tb、yb、gd或其任意组合。
[0407]
含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物和含稀土金属的化合物可以是碱金属、碱土金属和稀土金属的氧化物和卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物或碘化物)、碲化物或其任意组合。
[0408]
含碱金属的化合物可以是碱金属氧化物(例如li2o、cs2o或k2o)和碱金属卤化物(例如lif、naf、csf、kf、lii、nai、csi或ki)或其任意组合。含碱土金属的化合物可以包括碱
土金属化合物，例如bao、sro、cao、ba
x
sr1‑
x
o(x是满足0<x<1的条件的实数)或ba
x
ca1‑
x
o(x是满足0<x<1的条件的实数)。含稀土金属的化合物可以包括ybf3、scf3、sc2o3、y2o3、ce2o3、gdf3、tbf3、ybi3、sci3、tbi3或其任意组合。在实施方案中，含稀土金属的化合物可以包括镧系金属碲化物。镧系金属碲化物的实例是late、cete、prte、ndte、pmte、smte、eute、gdte、tbte、dyte、hote、erte、tmte、ybte、lute、la2te3、ce2te3、pr2te3、nd2te3、pm2te3、sm2te3、eu2te3、gd2te3、tb2te3、dy2te3、ho2te3、er2te3、tm2te3、yb2te3和lu2te3。
[0409]
碱金属络合物、碱土金属络合物和稀土金属络合物可以包含i)碱金属、碱土金属和稀土金属的离子中的一种，和ii)连接至金属离子的配体，例如羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任意组合。
[0410]
电子注入层可以由以下组成：碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任意组合，或者可以进一步包含有机材料(例如，由式601表示的化合物)。
[0411]
在实施方案中，电子注入层可以由以下组成：i)含碱金属的化合物(例如，碱金属卤化物)，或者ii)a)含碱金属的化合物(例如，碱金属卤化物)；和b)碱金属、碱土金属、稀土金属或其任意组合。在实施方案中，电子注入层可以是ki:yb共沉积层或rbi:yb共沉积层。
[0412]
当电子注入层进一步包含有机材料时，碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任意组合可以均匀地或非均匀地分散在包含有机材料的基体中。
[0413]
电子注入层的厚度可以是约至约例如，电子注入层的厚度可以是约至约当电子注入层的厚度在以上描述的范围内时，电子注入层可以具有令人满意的电子注入特性，而没有驱动电压的显著增加。
[0414]
[第二电极150]
[0415]
第二电极150可以位于具有此类结构的中间层130上。第二电极150可以是作为电子注入电极的阴极，并且可以使用各自具有低功函的金属、合金、导电化合物或其任意组合作为用于形成第二电极150的材料。
[0416]
第二电极150可以包含锂(li)、银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铝
‑
锂(al
‑
li)、钙(ca)、镁
‑
铟(mg
‑
in)、镁
‑
银(mg
‑
ag)、镱(yb)、银
‑
镱(ag
‑
yb)、ito、izo或其任意组合。第二电极150可以是透射电极、半透射电极或反射电极。
[0417]
第二电极150可以具有单层结构或者包括两层或多于两层的多层结构。
[0418]
[覆盖层]
[0419]
第一覆盖层可以位于第一电极110外部，和/或第二覆盖层可以位于第二电极150外部。发光装置10可以具有其中第一覆盖层、第一电极110、中间层130和第二电极150以此规定的顺序依次堆叠的结构，其中第一电极110、中间层130、第二电极150和第二覆盖层以此规定的顺序依次堆叠的结构，或者其中第一覆盖层、第一电极110、中间层130、第二电极150和第二覆盖层以此规定的顺序依次堆叠的结构。
[0420]
在发光装置10的中间层130的发射层中产生的光可以通过第一电极110(其是半透
射电极或透射电极)和第一覆盖层朝向外部发射，以及在发光装置10的中间层130的发射层中产生的光可以通过第二电极150(其是半透射电极或透射电极)和第二覆盖层朝向外部发射。
[0421]
第一覆盖层和第二覆盖层可以根据相长干涉的原理来增加外部光发射效率。因此，增加了发光装置10的光发射效率，使得可以改善发光装置10的光发射效率。
[0422]
第一覆盖层和第二覆盖层可以各自包含具有等于或大于约1.6(在589nm处)的折射率的材料。
[0423]
第一覆盖层和第二覆盖层可以各自独立地是包含有机材料的有机覆盖层、包含无机材料的无机覆盖层、或者包含有机材料和无机材料的复合覆盖层。
[0424]
第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含碳环化合物、杂环化合物、含胺基团的化合物、卟啉衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属络合物、碱土金属络合物或其任意组合。碳环化合物、杂环化合物和含胺基团的化合物可以被含有o、n、s、se、si、f、cl、br、i或其任意组合的取代基任选地取代。在实施方案中，第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含含胺基团的化合物。
[0425]
在实施方案中，第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任意组合。
[0426]
在实施方案中，第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含化合物ht28至化合物ht33中的一种、化合物cp1至化合物cp6中的一种、β
‑
npb或其任意组合：
[0427][0428]
[电子设备]
[0429]
发光装置可以被包括在各种电子设备中。在实施方案中，包括发光装置的电子设备可以是发光设备、验证设备等。
[0430]
除了发光装置之外，电子设备(例如，发光设备)可以进一步包括滤色器、颜色转换层、或者滤色器和颜色转换层。滤色器和/或颜色转换层可以位于从发光装置发射的光的至少一个行进方向上。在实施方案中，从发光装置发射的光可以是蓝色光或白色光。发光装置可以与以上描述的相同。在实施方案中，颜色转换层可以包含量子点。量子点可以是，例如，如本文描述的量子点。
[0431]
电子设备可以包括第一衬底。第一衬底可以包括子像素，滤色器可以包括分别对应于子像素的滤色器区域，并且颜色转换层可以包括分别对应于子像素的颜色转换区域。
[0432]
像素限定膜可以位于子像素之间以限定子像素中的每一个。
[0433]
滤色器可以进一步包括滤色器区域和位于滤色器区域之间的光阻挡图案，并且颜色转换层可以进一步包括颜色转换区域和位于颜色转换区域之间的光阻挡图案。
[0434]
滤色器区域(或颜色转换区域)可以包括发射第一颜色光的第一区域、发射第二颜色光的第二区域和/或发射第三颜色光的第三区域，并且第一颜色光、第二颜色光和/或第三颜色光可以具有彼此不同的最大发射波长。在实施方案中，第一颜色光可以是红色光，第二颜色光可以是绿色光，并且第三颜色光可以是蓝色光。在实施方案中，滤色器区域(或颜色转换区域)可以包含量子点。第一区域可以包含红色量子点，第二区域可以包含绿色量子点，并且第三区域可以不包含量子点。量子点与说明书中描述的相同。第一区域、第二区域和/或第三区域中的每一个可以进一步包含散射体。
[0435]
在实施方案中，发光装置可以发射第一光，第一区域可以吸收第一光以发射第一第一颜色光，第二区域可以吸收第一光以发射第二第一颜色光，并且第三区域可以吸收第一光以发射第三第一颜色光。在这点上，第一第一颜色光、第二第一颜色光和第三第一颜色光可以具有彼此不同的最大发射波长。第一光可以是蓝色光，第一第一颜色光可以是红色光，第二第一颜色光可以是绿色光，并且第三第一颜色光可以是蓝色光。
[0436]
除了如以上描述的发光装置之外，电子设备可以进一步包括薄膜晶体管。薄膜晶体管可以包括源电极、漏电极和有源层，其中源电极和漏电极中的任一个可以电连接至发光装置的第一电极和第二电极中的任一个。
[0437]
薄膜晶体管可以进一步包括栅电极、栅绝缘层等。
[0438]
有源层可以包含晶体硅、非晶硅、有机半导体、氧化物半导体等。
[0439]
电子设备可以进一步包括用于密封发光装置的密封部。密封部可以位于滤色器和/或颜色转换层与发光装置之间。密封部允许来自发光装置10的光被发射至外部，而同时地防止环境空气和湿气渗透进入发光装置10中。密封部可以是包括透明玻璃衬底或塑料衬底的密封衬底。密封部可以是包括一个或多于一个的有机层和/或一个或多于一个的无机层的薄膜封装层。当密封部是薄膜封装层时，电子设备可以是柔性的。
[0440]
在密封部上，除了滤色器和/或颜色转换层之外，根据电子设备的用途可以进一步定位各种功能层。功能层的实例可以包括触摸屏层、偏振层等。触摸屏层可以是压敏触摸屏层、电容触摸屏层或红外触摸屏层。验证设备可以是，例如，用于通过使用生物测量体(例如，指尖、瞳孔等)的生物测量信息来验证个体的生物测量验证设备。
[0441]
除了发光装置之外，验证设备可以进一步包括生物测量信息收集器。
[0442]
电子设备可以应用于各种显示器、光源、照明设备、个人计算机(例如，移动个人计算机)、移动电话、数码相机、电子记事本、电子词典、电子游戏机、医疗仪器(例如，电子温度计、血压计、血糖仪、脉搏测量装置、脉搏波测量装置、心电图显示器、超声诊断装置或内窥镜显示器)、探鱼仪、各种测量仪器、仪表(例如，用于车辆、飞行器和船舶的仪表)、投影仪等。
[0443]
[图2和图3的描述]
[0444]
图2是示出根据本公开内容的实施方案的发光设备的示意性横截面视图；以及
[0445]
图2的发光设备包括衬底100、薄膜晶体管(tft)、发光装置和密封发光装置的封装部300。
[0446]
衬底100可以是柔性衬底、玻璃衬底或金属衬底。缓冲层210可以位于衬底100上。缓冲层210防止杂质渗透穿过衬底100，并且可以在衬底100上提供平坦表面。
[0447]
tft可以位于缓冲层210上。tft可以包括有源层220、栅电极240、源电极260和漏电极270。
[0448]
有源层220可以包含无机半导体(例如硅或多晶硅)、有机半导体或氧化物半导体，并且可以包括源区、漏区和沟道区。
[0449]
用于使有源层220与栅电极240绝缘的栅绝缘膜230可以位于有源层220上，并且栅电极240可以位于栅绝缘膜230上。
[0450]
中间绝缘膜250可以位于栅电极240上。中间绝缘膜250位于栅电极240与源电极260之间以使栅电极240与源电极260绝缘，并且位于栅电极240与漏电极270之间以使栅电极240与漏电极270绝缘。
[0451]
源电极260和漏电极270可以位于中间绝缘膜250上。可以形成中间绝缘膜250和栅绝缘膜230以暴露有源层220的源区和漏区，并且源电极260和漏电极270可以定位成与有源层220的源区和漏区的暴露部分接触。
[0452]
tft可以电连接至发光装置以驱动发光装置，并且可以被钝化层280覆盖。钝化层280可以包括无机绝缘膜、有机绝缘膜或其组合。可以在钝化层280上提供发光装置。发光装置包括第一电极110、中间层130和第二电极150。
[0453]
第一电极110可以位于钝化层280上。钝化层280可以不完全覆盖漏电极270并且可以暴露漏电极270的一部分，并且第一电极110可以连接至漏电极270的暴露部分。
[0454]
包含绝缘材料的像素限定层290可以位于第一电极110上。像素限定层290可以暴露第一电极110的区域，并且可以在第一电极110的暴露区域中形成中间层130。像素限定层290可以是基于聚酰亚胺或聚丙烯酰基的有机膜。尽管在图2中未示出，但中间层130的至少一些层可以延伸超过像素限定层290的上部，并且因此可以以公共层的形式设置。
[0455]
第二电极150可以设置在中间层130上，并且可以在第二电极150上额外地形成覆盖层170。可以形成覆盖层170以覆盖第二电极150。
[0456]
封装部300可以位于覆盖层170上。封装部300可以位于发光装置上并且保护发光装置免受湿气或氧气影响。封装部300可以包括：无机膜，所述无机膜包含硅氮化物(sin
x
)、硅氧化物(sio
x
)、氧化铟锡、氧化铟锌或其组合；有机膜，所述有机膜包含聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸酯、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅氧烷、丙烯酸树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯或聚丙烯酸)、基于环氧的树脂(例如，脂肪
族缩水甘油醚(age))或其任意组合；或者无机膜和有机膜的组合。
[0457]
图3是根据另一个实施方案的发光设备的示意性横截面视图。
[0458]
图3的发光设备与图2的发光设备相同，但光阻挡图案500和功能区400额外地位于封装部300上。功能区400可以是i)滤色器区域、ii)颜色转换区域、或者iii)滤色器区域和颜色转换区域的组合。在实施方案中，包括在图3的发光设备中的发光装置可以是串联发光装置。
[0459]
[制备方法]
[0460]
可以通过使用选自真空沉积、旋涂、流延、兰格缪尔
‑
布罗杰特(langmuir
‑
blodgett，lb)沉积、喷墨印刷、激光印刷和激光诱导热成像中的一种或多于一种的适合的方法在特定区中形成构成空穴传输区的层、发射层和构成电子传输区的层。
[0461]
当通过真空沉积形成构成空穴传输区的层、发射层和构成电子传输区的层时，通过考虑待包含在待形成的层中的材料以及待形成的层的结构，可以以约100℃至约500℃的沉积温度、约10
‑8托至约10
‑3托的真空度和约至约的沉积速度进行沉积。
[0462]
[术语的定义]
[0463]
如本文使用的术语“c3‑
c
60
碳环基团”是指仅由碳和氢组成并且具有三个至六十个碳原子(例如三个至三十个、三个至二十四个或三个至十八个碳原子)的环状基团，并且如本文使用的术语“c1‑
c
60
杂环基团”是指具有一个至六十个碳原子(例如一个至三十个、一个至二十四个或一个至十八个碳原子)并且进一步包含除了碳之外的杂原子(例如一个至五个或一个至三个杂原子)的环状基团。c3‑
c
60
碳环基团和c1‑
c
60
杂环基团可以各自是由一个环组成的单环基团或者其中两个或多于两个的环彼此稠合的多环基团。在实施方案中，c1‑
c
60
杂环基团的成环原子数可以是3至61。
[0464]
如本文使用的术语“环状基团”包括c3‑
c
60
碳环基团和c1‑
c
60
杂环基团。
[0465]
如本文使用的术语“富π电子的c3‑
c
60
环状基团”是指具有三个至六十个碳原子(例如三个至三十个、三个至二十四个或三个至十八个碳原子)并且不包含*
‑
n＝*'作为成环部分的环状基团，并且如本文使用的术语“含缺π电子的氮的c1‑
c
60
环状基团”是指具有一个至六十个碳原子(例如一个至三十个、一个至二十四个或一个至十八个碳原子)并且包含*
‑
n＝*'作为成环部分的杂环基团。
[0466]
例如，
[0467]
c3‑
c
60
碳环基团可以是i)基团t1或者ii)其中两个或多于两个的基团t1彼此稠合的稠合环状基团(例如，环戊二烯基团、金刚烷基团、降冰片烷基团、苯基团、戊搭烯基团、萘基团、甘菊环基团、引达省基团、苊烯基团、非那烯基团、菲基团、蒽基团、荧蒽基团、苯并菲基团、芘基团、基团、苝基团、五苯基团、庚搭烯基团、并四苯基团、苉基团、并六苯基团、并五苯基团、玉红省基团、蔻基团、卵苯基团、茚基团、芴基团、螺
‑
二芴基团、苯并芴基团、茚并菲基团或茚并蒽基团)，
[0468]
c1‑
c
60
杂环基团可以是i)基团t2，ii)其中两个或多于两个的基团t2彼此稠合的稠合环状基团，或者iii)其中至少一个基团t2和至少一个基团t1彼此稠合的稠合环状基团(例如，吡咯基团、噻吩基团、呋喃基团、吲哚基团、苯并吲哚基团、萘并吲哚基团、异吲哚基团、苯并异吲哚基团、萘并异吲哚基团、苯并噻咯基团、苯并噻吩基团、苯并呋喃基团、咔唑
基团、二苯并噻咯基团、二苯并噻吩基团、二苯并呋喃基团、茚并咔唑基团、吲哚并咔唑基团、苯并呋喃并咔唑基团、苯并噻吩并咔唑基团、苯并噻咯并咔唑基团、苯并吲哚并咔唑基团、苯并咔唑基团、苯并萘并呋喃基团、苯并萘并噻吩基团、苯并萘并噻咯基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基团、苯并噻吩并二苯并噻吩基团、吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并异噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并异噻唑基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、苯并喹啉基团、苯并异喹啉基团、喹喔啉基团、苯并喹喔啉基团、喹唑啉基团、苯并喹唑啉基团、菲咯啉基团、噌啉基团、酞嗪基团、萘啶基团、咪唑并吡啶基团、咪唑并嘧啶基团、咪唑并三嗪基团、咪唑并吡嗪基团、咪唑并哒嗪基团、氮杂咔唑基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、氮杂二苯并噻吩基团或氮杂二苯并呋喃基团)，
[0469]
富π电子的c3‑
c
60
环状基团可以是i)基团t1，ii)其中两个或多于两个的基团t1彼此稠合的稠合环状基团，iii)基团t3，iv)其中两个或多于两个的基团t3彼此稠合的稠合环状基团，或者v)其中至少一个基团t3和至少一个基团t1彼此稠合的稠合环状基团(例如，c3‑
c
60
碳环基团、吡咯基团、噻吩基团、呋喃基团、吲哚基团、苯并吲哚基团、萘并吲哚基团、异吲哚基团、苯并异吲哚基团、萘并异吲哚基团、苯并噻咯基团、苯并噻吩基团、苯并呋喃基团、咔唑基团、二苯并噻咯基团、二苯并噻吩基团、二苯并呋喃基团、茚并咔唑基团、吲哚并咔唑基团、苯并呋喃并咔唑基团、苯并噻吩并咔唑基团、苯并噻咯并咔唑基团、苯并吲哚并咔唑基团、苯并咔唑基团、苯并萘并呋喃基团、苯并萘并噻吩基团、苯并萘并噻咯基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基团或苯并噻吩并二苯并噻吩基团)，
[0470]
含缺π电子的氮的c1‑
c
60
环状基团可以是i)基团t4，ii)其中两个或多于两个的基团t4彼此稠合的稠合环状基团，iii)其中至少一个基团t4和至少一个基团t1彼此稠合的稠合环状基团，iv)其中至少一个基团t4和至少一个基团t3彼此稠合的稠合环状基团，或者v)其中至少一个基团t4、至少一个基团t1和至少一个基团t3彼此稠合的稠合环状基团(例如，吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并异噁唑基团、苯并噻唑基团，苯并异噻唑基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、苯并喹啉基团、苯并异喹啉基团、喹喔啉基团、苯并喹喔啉基团、喹唑啉基团、苯并喹唑啉基团、菲咯啉基团、噌啉基团、酞嗪基团、萘啶基团、咪唑并吡啶基团、咪唑并嘧啶基团、咪唑并三嗪基团、咪唑并吡嗪基团、咪唑并哒嗪基团、氮杂咔唑基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、氮杂二苯并噻吩基团或氮杂二苯并呋喃基团)，
[0471]
基团t1可以是环丙烷基团、环丁烷基团、环戊烷基团、环己烷基团、环庚烷基团、环辛烷基团、环丁烯基团、环戊烯基团、环戊二烯基团、环己烯基团、环己二烯基团、环庚烯基团、金刚烷基团、降冰片烷基团(或双环[2.2.1]庚烷基团)、降冰片烯基团、双环[1.1.1]戊烷基团、双环[2.1.1]己烷基团、双环[2.2.2]辛烷基团或苯基团，
[0472]
基团t2可以是呋喃基团、噻吩基团、1h
‑
吡咯基团、噻咯基团、硼杂环戊二烯基团、2h
‑
吡咯基团、3h
‑
吡咯基团、咪唑基团、吡唑基团、三唑基团、四唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、氮杂噻咯基团、氮杂硼杂环戊二烯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团或四嗪基团，
[0473]
基团t3可以是呋喃基团、噻吩基团、1h
‑
吡咯基团、噻咯基团或硼杂环戊二烯基团，以及
[0474]
基团t4可以是2h
‑
吡咯基团、3h
‑
吡咯基团、咪唑基团、吡唑基团、三唑基团、四唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、氮杂噻咯基团、氮杂硼杂环戊二烯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团或四嗪基团。
[0475]
如本文使用的术语“环状基团、c3‑
c
60
碳环基团、c1‑
c
60
杂环基团、富π电子的c3‑
c
60
环状基团或含缺π电子的氮的c1‑
c
60
环状基团”是指根据由相应术语描述的式的结构，与环状基团稠合的基团、单价基团、多价基团(例如，二价基团、三价基团、四价基团等)。在实施方案中，术语“苯基团”可以是苯并基团、苯基基团、亚苯基基团等，其可以是本领域普通技术人员根据包括“苯基团”的式的结构容易理解的。
[0476]
在实施方案中，单价c3‑
c
60
碳环基团和单价c1‑
c
60
杂环基团的实例是c3‑
c
10
环烷基基团、c1‑
c
10
杂环烷基基团、c3‑
c
10
环烯基基团、c1‑
c
10
杂环烯基基团、c6‑
c
60
芳基基团、c1‑
c
60
杂芳基基团、单价非芳香族稠合多环基团和单价非芳香族稠合杂多环基团，并且二价c3‑
c
60
碳环基团和二价c1‑
c
60
杂环基团的实例是c3‑
c
10
亚环烷基基团、c1‑
c
10
亚杂环烷基基团、c3‑
c
10
亚环烯基基团、c1‑
c
10
亚杂环烯基基团、c6‑
c
60
亚芳基基团、c1‑
c
60
亚杂芳基基团、二价非芳香族稠合多环基团和二价非芳香族稠合杂多环基团。
[0477]
如本文使用的术语“c1‑
c
60
烷基基团”是指具有1个至60个碳原子(例如1个至30个、1个至20个或1个至10个碳原子)的直链或支链脂肪族烃单价基团，并且其实例是甲基基团、乙基基团、正丙基基团、异丙基基团、正丁基基团、仲丁基基团、异丁基基团、叔丁基基团、正戊基基团、叔戊基基团、新戊基基团、异戊基基团、仲戊基基团、3
‑
戊基基团、仲异戊基基团、正己基基团、异己基基团、仲己基基团、叔己基基团、正庚基基团、异庚基基团、仲庚基基团、叔庚基基团、正辛基基团、异辛基基团、仲辛基基团、叔辛基基团、正壬基基团、异壬基基团、仲壬基基团、叔壬基基团、正癸基基团、异癸基基团、仲癸基基团和叔癸基基团。如本文使用的术语“c1‑
c
60
亚烷基基团”是指具有与c1‑
c
60
烷基基团相同的结构的二价基团。
[0478]
如本文使用的术语“c2‑
c
60
烯基基团”是指在c2‑
c
60
烷基基团的中间或末端处具有至少一个碳
‑
碳双键的单价烃基团(例如2个至30个、2个至20个或2个至10个碳原子)，并且其实例包括乙烯基基团、丙烯基基团和丁烯基基团。如本文使用的术语“c2‑
c
60
亚烯基基团”是指具有与c2‑
c
60
烯基基团相同的结构的二价基团。
[0479]
如本文使用的术语“c2‑
c
60
炔基基团”是指在c2‑
c
60
烷基基团的中间或末端处具有至少一个碳
‑
碳叁键的单价烃基团(例如2个至30个、2个至20个或2个至10个碳原子)，并且其实例包括乙炔基基团和丙炔基基团。如本文使用的术语“c2‑
c
60
亚炔基基团”是指具有与c2‑
c
60
炔基基团相同的结构的二价基团。
[0480]
如本文使用的术语“c1‑
c
60
烷氧基基团”是指由
‑
oa
101
(其中a
101
是c1‑
c
60
烷基基团)表示的单价基团，并且其实例包括甲氧基基团、乙氧基基团和异丙氧基基团。
[0481]
如本文使用的术语“c3‑
c
10
环烷基基团”是指具有3个至10个碳原子的单价饱和烃环状基团，并且其实例是环丙基基团、环丁基基团、环戊基基团、环己基基团、环庚基基团、环辛基基团、金刚烷基基团、降冰片烷基基团(或双环[2.2.1]庚基基团)、双环[1.1.1]戊基基团、双环[2.1.1]己基基团和双环[2.2.2]辛基基团。如本文使用的术语“c3‑
c
10
亚环烷基
基团”是指具有与c3‑
c
10
环烷基基团相同的结构的二价基团。
[0482]
如本文使用的术语“c1‑
c
10
杂环烷基基团”是指进一步包含除了碳原子之外的至少一个杂原子(例如1个至5个或1个至3个杂原子)作为成环原子并且具有1个至10个碳原子的单价环状基团，并且其实例是1,2,3,4
‑
噁三唑烷基基团、四氢呋喃基基团和四氢噻吩基基团。如本文使用的术语“c1‑
c
10
亚杂环烷基基团”是指具有与c1‑
c
10
杂环烷基基团相同的结构的二价基团。
[0483]
如本文使用的术语“c3‑
c
10
环烯基基团”是指在其环中具有3个至10个碳原子和至少一个碳
‑
碳双键且没有芳香性的单价单环基团，并且其实例包括环戊烯基基团、环己烯基基团和环庚烯基基团。如本文使用的术语“c3‑
c
10
亚环烯基基团”是指具有与c3‑
c
10
环烯基基团相同的结构的二价基团。
[0484]
如本文使用的术语“c1‑
c
10
杂环烯基基团”是指在其环状结构中具有作为成环原子的除了碳原子之外的至少一个杂原子(例如1个至5个或1个至3个杂原子)、1个至10个碳原子和至少一个双键的单价环状基团。c1‑
c
10
杂环烯基基团的实例包括4,5
‑
二氢
‑
1,2,3,4
‑
噁三唑基基团、2,3
‑
二氢呋喃基基团和2,3
‑
二氢噻吩基基团。如本文使用的术语“c1‑
c
10
亚杂环烯基基团”是指具有与c1‑
c
10
杂环烯基基团相同的结构的二价基团。
[0485]
如本文使用的术语“c6‑
c
60
芳基基团”是指具有含6个至60个碳原子(例如6个至30个、6个至24个或6个至18个碳原子)的碳环芳香族体系的单价基团，并且如本文使用的术语“c6‑
c
60
亚芳基基团”是指具有含6个至60个碳原子(例如6个至30个、6个至24个或6个至18个碳原子)的碳环芳香族体系的二价基团。c6‑
c
60
芳基基团的实例是苯基基团、戊搭烯基基团、萘基基团、甘菊环基基团、引达省基基团、苊基基团、非那烯基基团、菲基基团、蒽基基团、荧蒽基基团、苯并菲基基团、芘基基团、基基团、苝基基团、五苯基基团、庚搭烯基基团、并四苯基基团、苉基基团、并六苯基基团、并五苯基基团、玉红省基基团、蔻基基团和卵苯基基团。当c6‑
c
60
芳基基团和c6‑
c
60
亚芳基基团各自包含两个或多于两个的环时，所述两个或多于两个的环可以彼此稠合。
[0486]
如本文使用的术语“c1‑
c
60
杂芳基基团”是指具有含作为成环原子的除了碳原子之外的至少一个杂原子(例如1个至5个或1个至3个杂原子)和1个至60个碳原子(例如1个至30个、1个至24个或1个至18个碳原子)的杂环芳香族体系的单价基团。如本文使用的术语“c1‑
c
60
亚杂芳基基团”是指具有含作为成环原子的除了碳原子之外的至少一个杂原子(例如1个至5个或1个至3个杂原子)和1个至60个碳原子(例如1个至30个、1个至24个或1个至18个碳原子)的杂环芳香族体系的二价基团。c1‑
c
60
杂芳基基团的实例是吡啶基基团、嘧啶基基团、吡嗪基基团、哒嗪基基团、三嗪基基团、喹啉基基团、苯并喹啉基基团、异喹啉基基团、苯并异喹啉基基团、喹喔啉基基团、苯并喹喔啉基基团、喹唑啉基基团、苯并喹唑啉基基团、噌啉基基团、菲咯啉基基团、酞嗪基基团和萘啶基基团。当c1‑
c
60
杂芳基基团和c1‑
c
60
亚杂芳基基团各自包含两个或多于两个的环时，所述两个或多于两个的环可以彼此稠合。
[0487]
如本文使用的术语“单价非芳香族稠合多环基团”是指单价基团(例如，具有8个至60个碳原子，如8个至30个、8个至24个或8个至18个碳原子)，其具有彼此稠合的两个或多于两个的环、仅碳原子作为成环原子并且在其整个分子结构中无芳香性。单价非芳香族稠合多环基团的实例是茚基基团、芴基基团、螺
‑
二芴基基团、苯并芴基基团、茚并菲基基团和茚并蒽基基团。如本文使用的术语“二价非芳香族稠合多环基团”是指具有与单价非芳香族稠
合多环基团相同的结构的二价基团。
[0488]
如本文使用的术语“单价非芳香族稠合杂多环基团”是指单价基团(例如，具有1个至60个碳原子，如1个至30个、1个至24个或1个至18个碳原子)，其具有彼此稠合的两个或多于两个的环、除了碳原子之外的至少一个杂原子(例如1个至5个或1个至3个杂原子)作为成环原子并且在其整个分子结构中无芳香性。单价非芳香族稠合杂多环基团的实例包括吡咯基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、吲哚基基团、苯并吲哚基基团、萘并吲哚基基团、异吲哚基基团、苯并异吲哚基基团、萘并异吲哚基基团、苯并噻咯基基团、苯并噻吩基基团、苯并呋喃基基团、咔唑基基团、二苯并噻咯基基团、二苯并噻吩基基团、二苯并呋喃基基团、氮杂咔唑基基团、氮杂芴基基团、氮杂二苯并噻咯基基团、氮杂二苯并噻吩基基团、氮杂二苯并呋喃基基团、吡唑基基团、咪唑基基团、三唑基基团、四唑基基团、噁唑基基团、异噁唑基基团、噻唑基基团、异噻唑基基团、噁二唑基基团、噻二唑基基团、苯并吡唑基基团、苯并咪唑基基团、苯并噁唑基基团、苯并噻唑基基团、苯并噁二唑基基团、苯并噻二唑基基团、咪唑并吡啶基基团、咪唑并嘧啶基基团、咪唑并三嗪基基团、咪唑并吡嗪基基团、咪唑并哒嗪基基团、茚并咔唑基基团、吲哚并咔唑基基团、苯并呋喃并咔唑基基团、苯并噻吩并咔唑基基团、苯并噻咯并咔唑基基团、苯并吲哚并咔唑基基团、苯并咔唑基基团、苯并萘并呋喃基基团、苯并萘并噻吩基基团、苯并萘并噻咯基基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基基团和苯并噻吩并二苯并噻吩基基团。如本文使用的术语“二价非芳香族稠合杂多环基团”是指具有与单价非芳香族稠合杂多环基团相同的结构的二价基团。
[0489]
如本文使用的术语“c6‑
c
60
芳氧基基团”是指
‑
oa
102
(其中a
102
是c6‑
c
60
芳基基团)，并且如本文使用的术语“c6‑
c
60
芳硫基基团”是指
‑
sa
103
(其中a
103
是c6‑
c
60
芳基基团)。
[0490]
如本文使用的基团r
10a
可以是：
[0491]
氘(
‑
d)、
‑
f、
‑
cl、
‑
br、
‑
i、羟基基团、氰基基团或硝基基团；
[0492]
各自未取代的或者被氘、
‑
f、
‑
cl、
‑
br、
‑
i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、c3‑
c
60
碳环基团、c1‑
c
60
杂环基团、c6‑
c
60
芳氧基基团、c6‑
c
60
芳硫基基团、
‑
si(q
11
)(q
12
)(q
13
)、
‑
n(q
11
)(q
12
)、
‑
b(q
11
)(q
12
)、
‑
c(＝o)(q
11
)、
‑
s(＝o)2(q
11
)、
‑
p(＝o)(q
11
)(q
12
)或其任意组合取代的c1‑
c
60
烷基基团、c2‑
c
60
烯基基团、c2‑
c
60
炔基基团或c1‑
c
60
烷氧基基团；
[0493]
各自未取代的或者被氘、
‑
f、
‑
cl、
‑
br、
‑
i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、c1‑
c
60
烷基基团、c2‑
c
60
烯基基团、c2‑
c
60
炔基基团、c1‑
c
60
烷氧基基团、c3‑
c
60
碳环基团、c1‑
c
60
杂环基团、c6‑
c
60
芳氧基基团、c6‑
c
60
芳硫基基团、
‑
si(q
21
)(q
22
)(q
23
)、
‑
n(q
21
)(q
22
)、
‑
b(q
21
)(q
22
)、
‑
c(＝o)(q
21
)、
‑
s(＝o)2(q
21
)、
‑
p(＝o)(q
21
)(q
22
)或其任意组合取代的c3‑
c
60
碳环基团、c1‑
c
60
杂环基团、c6‑
c
60
芳氧基基团或c6‑
c
60
芳硫基基团；或者
[0494]
‑
si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、
‑
n(q
31
)(q
32
)、
‑
b(q
31
)(q
32
)、
‑
c(＝o)(q
31
)、
‑
s(＝o)2(q
31
)或
‑
p(＝o)(q
31
)(q
32
)。
[0495]
本文使用的q1至q3、q
11
至q
13
、q
21
至q
23
以及q
31
至q
33
可以各自独立地是氢；氘；
‑
f；
‑
cl；
‑
br；
‑
i；羟基基团；氰基基团；硝基基团；c1‑
c
60
烷基基团；c2‑
c
60
烯基基团；c2‑
c
60
炔基基团；c1‑
c
60
烷氧基基团；或者各自未取代的或者被氘、
‑
f、氰基基团、c1‑
c
60
烷基基团、c1‑
c
60
烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团或其任意组合取代的c3‑
c
60
碳环基团或c1‑
c
60
杂环基团。
[0496]
如本文使用的术语“杂原子”是指除了碳原子之外的任何原子。杂原子的实例是o、s、n、p、si、b、ge、se或其任意组合。
[0497]
如本文使用的术语“ph”是指苯基基团，如本文使用的术语“me”是指甲基基团，如本文使用的术语“et”是指乙基基团，如本文使用的术语“tert
‑
bu”或“bu
t”是指叔丁基基团，并且如本文使用的术语“ome”是指甲氧基基团。
[0498]
如本文使用的术语“联苯基基团”是指“被苯基基团取代的苯基基团”。换而言之，“联苯基基团”是具有c6‑
c
60
芳基基团作为取代基的取代的苯基基团。
[0499]
如本文使用的术语“三联苯基基团”是指“被联苯基基团取代的苯基基团”。换而言之，“三联苯基基团”是具有被c6‑
c
60
芳基基团取代的c6‑
c
60
芳基基团作为取代基的取代的苯基基团。
[0500]
除非另外定义，如本文使用的*和*'各自是指在相应的式中与相邻原子的结合位点。
[0501]
在下文，将参考实施例详细地描述根据实施方案的化合物和根据实施方案的发光装置。用于描述实施例的措辞“使用b代替a”是指使用等摩尔当量的b代替a。
[0502]
[实施例]
[0503]
实施例1
‑1[0504]
作为阳极，将ito/ag/ito衬底(在下文，称为“ito衬底”)切割成50mm
×
50mm
×
0.7mm的尺寸，通过使用异丙醇和纯水各自超声5分钟，并且通过紫外线照射和向其暴露臭氧30分钟进行清洁。将ito衬底装载到真空沉积设备上。
[0505]
将化合物6真空沉积在ito衬底上以形成具有110nm的厚度的空穴注入层，并且将ht45真空沉积在空穴注入层上以形成具有10nm的厚度的空穴传输层。
[0506]
将h125和pd11以90:10的重量比共沉积在空穴传输层上以形成具有30nm的厚度的发射层。随后，将balq真空沉积在其上以形成具有10nm的厚度的空穴阻挡层。随后，将alq3沉积在空穴阻挡层上以形成具有20nm的厚度的电子传输层，将作为碱金属卤化物的lif沉积在电子传输层上以形成具有1nm的厚度的电子注入层，并且将al真空沉积在其上以形成具有30nm的厚度的lif/al阴极，从而完成发光装置的制造。
[0507][0508]
实施例1
‑
2至实施例1
‑
8以及比较例1
‑
1和比较例1
‑2[0509]
以与实施例1
‑
1中相同的方式制造发光装置，但使用表1中显示的化合物代替实施例1
‑
1中使用的化合物6、ht45、ht125和pd11。
[0510]
评估例1
[0511]
为了评估实施例1
‑
1至实施例1
‑
8以及比较例1
‑
1和比较例1
‑
2中制造的发光装置的特性，关于实施例1
‑
1至实施例1
‑
8以及比较例1
‑
1和比较例1
‑
2的发光装置中的每一个，各自通过使用吉时利(keithley)mu 236和亮度计pr650测量在1000cd/m2的驱动电压(v)、光发射效率(cd/a)、发射颜色和使用寿命(lt
97
)，并且其结果显示在表1中。在表1中，使用寿命(lt
97
)表示当亮度为初始亮度的97％时流逝的时间的量，其中基于比较例1
‑
2的发光装置的使用寿命为100％来表示结果。
[0512]
[表1]
[0513]
[0514][0515][0516]
参考表1，证实与比较例1
‑
1的发光装置相比，实施例1
‑
1至实施例1
‑
4的发光装置具有低驱动电压、高效率或长使用寿命，并且与比较例1
‑
2的发光装置相比，实施例1
‑
5至实施例1
‑
8的发光装置具有低驱动电压、高效率或长使用寿命。
[0517]
实施例2
‑1[0518]
以与实施例1
‑
1中相同的方式制造发光装置，但将化合物6真空沉积在ito衬底上以形成具有110nm的厚度的空穴注入层，将ht45真空沉积在空穴注入层上以形成具有10nm的厚度的空穴传输层，以及将h125和pd13以90:10的重量比共沉积在空穴传输层上以形成具有30nm的厚度的发射层。
[0519][0520]
实施例2
‑
2至实施例2
‑
8以及比较例2
‑
1和比较例2
‑2[0521]
以与实施例2
‑
1中相同的方式制造发光装置，但使用表2中显示的化合物代替实施例2
‑
1中使用的化合物6、ht45、ht125和pd13。
[0522]
评估例2
[0523]
以与评估例1相同的方式测量评估例2，但使用比较例2
‑
2的使用寿命作为100％的标准。对实施例2
‑
1至实施例2
‑
8以及比较例1
‑
1和比较例2
‑
2中制造的发光装置的特性的评估的结果显示在表2中。
[0524]
[表2]
[0525][0526]
[0527][0528]
参考表2，证实与比较例2
‑
1的发光装置相比，实施例2
‑
1至实施例2
‑
4的发光装置具有低驱动电压、高效率或长使用寿命，并且与比较例2
‑
2的发光装置相比，实施例2
‑
5至实施例2
‑
8的发光装置具有低驱动电压、高效率或长使用寿命。
[0529]
实施例3
‑1[0530]
以与实施例1
‑
1中相同的方式制造发光装置，但将化合物6真空沉积在ito衬底上以形成具有110nm的厚度的空穴注入层，将ht45真空沉积在空穴注入层上以形成具有10nm的厚度的空穴传输层，以及将h127和fd1以90:10的重量比共沉积在空穴传输层上以形成具有30nm的厚度的发射层。
[0531][0532]
实施例3
‑
2至实施例3
‑
8以及比较例3
‑
1和比较例3
‑2[0533]
以与实施例3
‑
1中相同的方式制造发光装置，但使用表3中显示的化合物代替实施例3
‑
1中使用的化合物6、ht45、ht127和fd1。
[0534]
评估例3
[0535]
以与评估例1相同的方式测量评估例3，但使用比较例3
‑
1的使用寿命作为100％的标准。对实施例3
‑
1至实施例3
‑
8以及比较例3
‑
1和比较例3
‑
2中制造的发光装置的特性的评估的结果显示在表3中。
[0536]
[表3]
[0537]
[0538][0539]
参考表3，证实与比较例3
‑
1的发光装置相比，实施例3
‑
1至实施例3
‑
4的发光装置具有低驱动电压、高效率或长使用寿命，并且与比较例3
‑
2的发光装置相比，实施例3
‑
5至实施例3
‑
8的发光装置具有低驱动电压、高效率或长使用寿命。
[0540]
实施例4
‑1[0541]
以与实施例1
‑
1中相同的方式制造发光装置，但将化合物24真空沉积在ito衬底上以形成具有110nm的厚度的空穴注入层，将ht45真空沉积在空穴注入层上以形成具有10nm的厚度的空穴传输层，以及将h125和pd11以90:10的重量比共沉积在空穴传输层上以形成具有30nm的厚度的发射层。
[0542][0543]
实施例4
‑
2至实施例4
‑
6以及比较例4
‑
1和比较例4
‑2[0544]
以与实施例4
‑
1中相同的方式制造发光装置，但使用表4中显示的化合物代替实施例4
‑
1中使用的化合物24、ht45、ht125和pd11。
[0545]
评估例4
[0546]
以与评估例1相同的方式测量评估例4，但使用比较例4
‑
2的使用寿命作为100％的
标准。对实施例4
‑
1至实施例4
‑
6以及比较例4
‑
1和比较例4
‑
2中制造的发光装置的特性的评估的结果显示在表4中。
[0547]
[表4]
[0548]
[0549][0550]
参考表4，证实与比较例4
‑
1的发光装置相比，实施例4
‑
1至实施例4
‑
3的发光装置具有低驱动电压、高效率或长使用寿命，并且与比较例4
‑
2的发光装置相比，实施例4
‑
4至实施例4
‑
6的发光装置具有低驱动电压、高效率或长使用寿命。
[0551]
实施例5
‑1[0552]
以与实施例1
‑
1中相同的方式制造发光装置，但将化合物24真空沉积在ito衬底上以形成具有110nm的厚度的空穴注入层，将ht45真空沉积在空穴注入层上以形成具有10nm的厚度的空穴传输层，以及将h125和pd13以90:10的重量比共沉积在空穴传输层上以形成具有30nm的厚度的发射层。
[0553][0554]
实施例5
‑
2至实施例5
‑
6以及比较例5
‑
1和比较例5
‑2[0555]
以与实施例5
‑
1中相同的方式制造发光装置，但使用表5中显示的化合物代替实施例5
‑
1中使用的化合物24、ht45、ht125和pd13。
[0556]
评估例5
[0557]
以与评估例1相同的方式测量评估例5，但使用比较例5
‑
2的使用寿命作为100％的标准。对实施例5
‑
1至实施例5
‑
6以及比较例5
‑
1和比较例5
‑
2中制造的发光装置的特性的评估的结果显示在表5中。
[0558]
[表5]
[0559]
[0560][0561]
参考表5，证实与比较例5
‑
1的发光装置相比，实施例5
‑
1至实施例5
‑
3的发光装置具有低驱动电压、高效率或长使用寿命，并且与比较例5
‑
2的发光装置相比，实施例5
‑
4至实施例5
‑
6的发光装置具有低驱动电压、高效率或长使用寿命。
[0562]
实施例6
‑1[0563]
以与实施例1
‑
1中相同的方式制造发光装置，但将化合物24真空沉积在ito衬底上以形成具有110nm的厚度的空穴注入层，将ht45真空沉积在空穴注入层上以形成具有10nm的厚度的空穴传输层，以及将h127和fd1以90:10的重量比共沉积在空穴传输层上以形成具有30nm的厚度的发射层。
[0564][0565]
实施例6
‑
2至实施例6
‑
6以及比较例6
‑
1和比较例6
‑2[0566]
以与实施例6
‑
1中相同的方式制造发光装置，但使用表6中显示的化合物代替实施例6
‑
1中使用的化合物24、ht45、ht127和fd1。
[0567]
评估例6
[0568]
以与评估例1相同的方式测量评估例6，但使用比较例6
‑
1的使用寿命作为100％的
标准。对实施例6
‑
1至实施例6
‑
6以及比较例6
‑
1和比较例6
‑
2中制造的发光装置的特性的评估的结果显示在表6中。
[0569]
[表6]
[0570]
[0571][0572]
参考表6，证实与比较例6
‑
1的发光装置相比，实施例6
‑
1至实施例6
‑
3的发光装置具有低驱动电压、高效率或长使用寿命，并且与比较例6
‑
2的发光装置相比，实施例6
‑
4至实施例6
‑
6的发光装置具有低驱动电压、高效率或长使用寿命。
[0573]
发光装置可以具有高效率和长使用寿命，并且可以用于制造具有优异的光发射效率和长的使用寿命的高品质电子设备。
[0574]
应理解，本文描述的实施方案应仅以描述性含义考虑，而非出于限制的目的。每一个实施方案内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其它实施方案中的其它类似的特征或方面。尽管已经参考附图描述了实施方案，但本领域普通技术人员应理解，在不背离由权利要求限定的主旨和范围的情况下，可以在本文中进行形式和细节的各种改变。