技术特征：
1.一种显示装置，其中，所述显示装置包括：基底；防腐蚀层，所述防腐蚀层在所述基底上，并且包括无机材料；第一导电层，所述第一导电层在所述防腐蚀层上，并且包括铝或铝合金；第一绝缘膜，所述第一绝缘膜在所述第一导电层上；半导体层，所述半导体层在所述第一绝缘膜上，并且包括晶体管的沟道区域；第二绝缘膜，所述第二绝缘膜在所述半导体层上；以及第二导电层，所述第二导电层在所述第二绝缘膜上，并且包括包含钛的阻挡层和包含铝或铝合金的主导电层，其中，所述半导体层包括氧化物半导体，并且所述阻挡层在所述半导体层和所述主导电层之间，并且与所述晶体管的所述沟道区域重叠。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二导电层包括所述晶体管的栅极电极。3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：第三绝缘膜，所述第三绝缘膜在所述第二导电层上；和第三导电层，所述第三导电层在所述第三绝缘膜上，其中，所述第三导电层包括所述晶体管的源极电极和漏极电极。4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述晶体管的所述源极电极电连接到所述半导体层和所述第一导电层两者。5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第三导电层包括第一电源线。6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二导电层通过暴露所述第一导电层的接触孔电连接到所述第一导电层，并且其中，所述第二导电层与所述第一导电层直接接触。7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述第一导电层还包括包含钛的金属图案作为所述第一导电层的顶层，其中，所述金属图案和所述阻挡层彼此直接接触。8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述阻挡层在平面图中具有与所述主导电层相同的形状。9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述阻挡层在平面图中具有与所述第二绝缘膜相同的形状。10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述阻挡层的侧表面、所述主导电层的侧表面和所述第二绝缘膜的侧表面对齐。11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述阻挡层的厚度在100埃至300埃的范围内。12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述主导电层的厚度在2500埃至4000埃的范围内。13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：
覆盖层，所述覆盖层在所述主导电层上，并且包括钛和钛化合物中的至少一种。14.一种显示装置，其中，所述显示装置包括：基底；半导体层，所述半导体层在所述基底上，并且包括晶体管的沟道区域；第一绝缘膜，所述第一绝缘膜在所述半导体层上；第一导电层，所述第一导电层在所述第一绝缘膜上，并且包括包含钛的阻挡层、包含铝或铝合金的主导电层以及包含钛的覆盖层；第二绝缘膜，所述第二绝缘膜在所述第一导电层上；以及第二导电层，所述第二导电层在所述第二绝缘膜上，并且包括所述晶体管的源极电极和漏极电极，其中，所述半导体层包括氧化物半导体，所述第一导电层包括所述晶体管的栅极电极，并且所述阻挡层在所述半导体层和所述主导电层之间，并且与所述晶体管的所述沟道区域重叠。15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：防腐蚀层，所述防腐蚀层在所述基底上，并且包括无机材料；第三导电层，所述第三导电层在所述防腐蚀层上，并且包括铝或铝合金；以及第三绝缘膜，所述第三绝缘膜在所述第三导电层上，其中，所述防腐蚀层、所述第三导电层和所述第三绝缘膜在所述基底和所述半导体层之间。16.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述第三导电层包括与所述晶体管的所述沟道区域重叠的下部导电图案。17.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述下部导电图案电连接到所述晶体管的所述栅极电极。18.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述阻挡层在平面图中具有与所述主导电层相同的形状。19.根据权利要求18所述的显示装置，其中，所述阻挡层在平面图中具有与所述第一绝缘膜相同的形状。20.根据权利要求19所述的显示装置，其中，所述阻挡层的侧表面，所述主导电层的侧表面以及所述第一绝缘膜的侧表面对齐。
技术总结
一种显示装置，包括：基底；防腐蚀层，所述防腐蚀层在所述基底上，并且包括无机材料；第一导电层，所述第一导电层在所述防腐蚀层上，并且包括铝或铝合金；第一绝缘膜，所述第一绝缘膜在所述第一导电层上；半导体层，所述半导体层在所述第一绝缘膜上，并且包括晶体管的沟道区域；第二绝缘膜，所述第二绝缘膜在所述半导体层上；以及第二导电层，所述第二导电层在所述第二绝缘膜上，并且包括包含钛的阻挡层和包含铝或铝合金的主导电层，其中，所述半导体层包括氧化物半导体，并且所述阻挡层在所述半导体层和所述主导电层之间，并且与所述晶体管的所述沟道区域重叠。的所述沟道区域重叠。的所述沟道区域重叠。
技术研发人员：金连洪 高殷慧 金恩贤 李京垣 李善熙 林俊亨
受保护的技术使用者：三星显示有限公司
技术研发日：2021.06.23
技术公布日：2022/1/18