技术特征：
1.一种深紫外led封装方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：将若干倒装或薄膜倒装芯片按设计放置于黏性薄膜上且芯片电极朝向远离黏性薄膜的方向；步骤二：在黏性薄膜上涂覆一层胶体材料，在300
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350℃下固化为胶体层，令芯片位于胶体层内；步骤三：刻蚀胶体层直至露出芯片电极；步骤四：剥离黏性薄膜；步骤五：剥离黏性薄膜后在胶体层远离芯片电极的一面沉积一层保护层；步骤六：将芯片与胶体层同步焊接在设置有电路的基板上。2.根据权利要求1所述的一种深紫外led封装方法，其特征在于，在所述步骤一中，黏性薄膜为耐高温黏性薄膜。3.根据权利要求1所述的一种深紫外led封装方法，其特征在于，所述步骤六的具体流程如下：s1：在胶体层的边缘蒸镀一层金或金锡合金；s2：在基板上制作电路，并在在基板的边缘蒸镀一层金或金锡合金；s3：将芯片led与胶体层采用共晶工艺焊接在基板上，胶体层的边缘和基板的边缘焊接。4.根据权利要求3所述的一种深紫外led封装方法，其特征在于，胶体层边缘的一层金或金锡合金的厚度为1
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5um。5.根据权利要求4所述的一种深紫外led封装方法，其特征在于，基板的边缘蒸镀一层金或金锡合金的厚度为1
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10um。6.根据权利要求1所述的一种深紫外led封装方法，其特征在于，所述步骤二中的胶体材料为旋涂玻璃。7.根据权利要求1
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6任一所述的一种深紫外led封装方法，其特征在于，在所述步骤三中，芯片电极露出胶体层高度为1～5um。8.根据权利要求7所述的一种深紫外led封装方法，其特征在于，在所述步骤五中，在胶体层远离芯片电极的一面以蒸镀方式制备一层sio2钝化层或以旋涂方式制备一层旋涂玻璃层形成保护层。9.根据权利要求8所述的一种深紫外led封装方法，其特征在于，保护层的厚度为0.2
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2um。10.根据权利要求9所述的一种深紫外led封装方法，其特征在于，保护层的厚度为0.5um。
技术总结
本发明涉及一种深紫外LED封装方法，包括如下步骤：步骤一：将若干倒装或薄膜倒装芯片按设计放置于黏性薄膜上且芯片电极朝向远离黏性薄膜的方向；步骤二：在黏性薄膜上涂覆一层胶体材料并固化为胶体层，令芯片位于胶体层内；步骤三：刻蚀胶体层直至露出芯片电极；步骤四：剥离黏性薄膜；步骤五：剥离黏性薄膜后在胶体层远离芯片电极的一面沉积一层保护层；步骤六：将芯片与胶体层同步焊接在设置有电路的基板上。在本发明中，可将若干芯片按设计封置胶体层内，可实现深紫外LED的集成封装。芯片与胶体层同步焊接，提高深紫外封装可靠性与气密性，同时胶体层厚度与芯片相同，芯片表面仅沉积一层保护层，紫外光出射经过的介质层距离短，提高光的出射率。提高光的出射率。提高光的出射率。
技术研发人员：李文博 孙钱 张智聪 杨勇 汤文君
受保护的技术使用者：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
技术研发日：2021.07.13
技术公布日：2021/9/24