技术特征：
1.一种非挥发性存储器的存储单元，该存储单元具有存储元件，该存储元件包括：阱区；栅极结构，形成于该阱区的表面上，且该栅极结构包括至少一凸出部；间隙壁，围绕于该栅极结构的侧壁，且该间隙壁接触该阱区的该表面，其中该间隙壁包括第一部分与第二部分；以及第一掺杂区与第二掺杂区，形成于该阱区的该表面下方，且该第一掺杂区与该第二掺杂区之间为沟道区域，该沟道区域包括第一沟道与第二沟道；其中，该栅极结构的该侧壁包括多个表面，且该至少一凸出部的第一表面平行于该沟道区域中的沟道长度方向；其中，该第一沟道位于该栅极结构下方，该第二沟道位于该第一沟道与该第二掺杂区域之间，且该第一部分的该间隙壁位于该第二沟道上方；其中，在编程动作时，多个载流子经由该第二沟道注入该第一部分的该间隙壁中的电荷抓取层。2.如权利要求1所述的非挥发性存储器的存储单元，其中该沟道区域还包括第三沟道，该第三沟道位于该第一沟道与该第一掺杂区之间，该第二部分的该间隙壁位于该第三沟道上方，且该第二沟道的长度大于该第三沟道的长度。3.如权利要求1所述的非挥发性存储器的存储单元，其中该第一部分的该间隙壁围绕于该至少一凸出部，该第一部分的该间隙壁具有第一宽度，该第二部分的该间隙壁具有第二宽度，该第一宽度大于该第二宽度，且该第一宽度小于等于三倍的该第二宽度。4.如权利要求1所述的非挥发性存储器的存储单元，其中该间隙壁包括第一氧化硅层、氮化硅层与第二氧化硅层，该第一氧化硅层接触于该阱区的该表面以及该栅极结构的该侧壁，该第一氧化硅层位于该第二沟道上方，该氮化硅层覆盖于该第一氧化硅层，该第二氧化硅层覆盖于该氮化硅层，且该氮化硅层为该电荷抓取层。5.如权利要求1所述的非挥发性存储器的存储单元，其中该栅极结构的该侧壁具有两个表面相邻于该第二沟道。6.如权利要求1所述的非挥发性存储器的存储单元，其中该存储元件还包括：辅助电极与介电层，该辅助电极位于该第一部分的该间隙壁上方，且该介电层位于该辅助电极与该第一部分的该间隙壁之间。7.如权利要求6所述的非挥发性存储器的存储单元，其中该辅助电极接触于该栅极结构上的控制栅极层。8.如权利要求1所述的非挥发性存储器的存储单元，其中该存储元件还包括：辅助电极接触于该第一部分的该间隙壁。9.如权利要求8所述的非挥发性存储器的存储单元，其中该辅助电极接触于该栅极结构上的控制栅极层。10.如权利要求1所述的非挥发性存储器的存储单元，其中该栅极结构包括第一凸出部与第二凸出部，该第一凸出部的表面与该第二凸出部的表面为面对面并定义出该栅极结构的开口，且该第一部分的该间隙壁接触于该第一凸出部的该表面与该第二凸出部的该表面。11.一种非挥发性存储器的存储单元，该存储单元包括：
存储元件，包括：阱区、第一栅极结构、第一间隙壁、第一掺杂区与第二掺杂区；该第一栅极结构形成于该阱区的表面上，且该第一栅极结构包括至少一凸出部；该第一间隙壁围绕于该第一栅极结构的侧壁，该第一间隙壁接触该阱区的该表面，且该第一间隙壁包括第一部分与第二部分；该第一掺杂区与该第二掺杂区形成于该阱区的该表面下方，且该第一掺杂区与该第二掺杂区之间为沟道区域，该沟道区域包括第一沟道与第二沟道；该第一栅极结构的该侧壁包括多个表面，且该至少一凸出部的第一表面平行于该沟道区域中的沟道长度方向；该第一沟道位于该第一栅极结构下方，该第二沟道位于该第一沟道与该第二掺杂区域之间，该第一部分的该第一间隙壁位于该第二沟道上方；以及选择晶体管，包括：该阱区、第二栅极结构、第二间隙壁与第三掺杂区；该第二栅极结构形成于该阱区的该表面上；该第二间隙壁围绕于该第二栅极结构的侧壁，且该第二间隙壁接触该阱区的该表面；该第三掺杂区形成于该阱区的该表面下方；该第一掺杂区与该第三掺杂区之间为第四沟道，且该第四沟道位于该第二栅极结构下方；其中，在编程动作时，多个载流子经由该存储元件的该第二沟道注入该第一部分的该第一间隙壁中的电荷抓取层。12.如权利要求11所述的非挥发性存储器的存储单元，其中该沟道区域还包括第三沟道，该第三沟道位于该第一沟道与该第一掺杂区之间，该第二部分的该间隙壁位于该第三沟道上方，且该第二沟道的长度大于该第三沟道的长度。13.如权利要求11所述的非挥发性存储器的存储单元，其中该第一部分的该第一间隙壁围绕于该至少一凸出部，该第一部分的第一该间隙壁具有第一宽度，该第二部分的该第一间隙壁具有第二宽度，该第一宽度大于该第二宽度，且该第一宽度小于等于三倍的该第二宽度。14.如权利要求11所述的非挥发性存储器的存储单元，其中该第一间隙壁包括第一氧化硅层、氮化硅层与第二氧化硅层，该第一氧化硅层接触于该阱区的该表面以及该第一栅极结构的该侧壁，该第一氧化硅层位于该第二沟道上方，该氮化硅层覆盖于该第一氧化硅层，该第二氧化硅层覆盖于该氮化硅层，且该氮化硅层为该电荷抓取层。15.如权利要求11所述的非挥发性存储器的存储单元，其中该第一栅极结构的该侧壁具有两个表面相邻于该第二沟道。16.如权利要求11所述的非挥发性存储器的存储单元，其中该存储元件还包括：辅助电极与介电层，该辅助电极位于该第一部分的该第一间隙壁上方，且该介电层位于该辅助电极与该第一部分的该第一间隙壁之间。17.如权利要求16所述的非挥发性存储器的存储单元，其中该辅助电极接触于该第一栅极结构上的控制栅极层。18.如权利要求11所述的非挥发性存储器的存储单元，其中该存储元件还包括：辅助电极接触于该第一部分的该第一间隙壁。19.如权利要求18所述的非挥发性存储器的存储单元，其中该辅助电极接触于该第一栅极结构上的控制栅极层。20.如权利要求11所述的非挥发性存储器的存储单元，其中该第一栅极结构包括第一凸出部与第二凸出部，该第一凸出部的表面与该第二凸出部的表面为面对面并定义出该第一栅极结构的开口，且该第一部分的该第一间隙壁接触于该第一凸出部的该表面与该第二
凸出部的该表面。
技术总结
本发明公开一种非挥发性存储器的存储单元，包括一存储元件。存储元件为一晶体管，且存储元件具有不对称的间隙壁。在存储元件中，较宽间隙壁的下方具有较长的沟道。当存储元件进行编程动作时，将有更多的载流子(carrier)经由较长沟道注入间隙壁的电荷抓取层。因此，本发明的存储单元可更有效率的进行编程动作，并缩短编程动作的时间。缩短编程动作的时间。缩短编程动作的时间。
技术研发人员：陈英哲 孙文堂 黎俊霄 陈学威
受保护的技术使用者：力旺电子股份有限公司
技术研发日：2021.08.11
技术公布日：2022/3/15