反射电极和具有反射电极的显示装置的制作方法

1.本公开的实施例涉及一种反射电极，例如，涉及反射电极和具有该反射电极的显示装置。


背景技术：

2.显示装置可以包括多个像素。多个像素中的每一个可以包括像素电极。此外，多个像素中的每一个可以包括电结合到像素电极的发光层。发光层可以通过像素电极接收电信号，并且可以发射具有与传输的电信号的强度对应的亮度的光。显示装置可以通过对从多个发光层发射的光进行组合来显示图像。
3.当从发光层发射的光被吸收到像素中时，由显示装置显示的图像的亮度可能会降低，显示装置的显示效率可能会降低。为了解决该问题，可以使用反射电极作为像素电极。


技术实现要素：

4.本公开的实施例提供了一种具有相对高的反射率和相对高的耐热性的反射电极。
5.一个或多个实施例提供了一种具有高显示效率的显示装置。
6.根据本公开的实施例，提供了一种反射电极，所述反射电极包括：反射层，包括铝(al)、铁(fe)和钒(v)，其中，以所述反射层的原子总数为基础，在所述反射层中包含的所述铁的含量为0.5原子％或更小。
7.在一个或多个实施例中，以所述反射层的原子总数为基础，所述反射层中的所述铁的含量与所述反射层中的所述钒的含量之和可以为0.5原子％或更小。
8.在一个或多个实施例中，以所述反射层的原子总数为基础，所述反射层中的所述铝的含量可以为99.5原子％或更大。
9.在一个或多个实施例中，所述反射层中的所述铁的所述含量可以比所述反射层中的所述钒的所述含量大。
10.在一个或多个实施例中，所述反射层中的所述铁的所述含量与所述反射层中的所述钒的所述含量之比可以为10:1。
11.在一个或多个实施例中，所述反射层的厚度可以为700埃或更大。
12.在一个或多个实施例中，所述反射电极还可以包括：导电氧化物层，在所述反射层的第一表面上。
13.在一个或多个实施例中，所述反射电极还可以包括：阻挡层，在所述反射层的与所述第一表面相对的第二表面上。
14.在一个或多个实施例中，所述阻挡层可以包括氧化铟锡(ito)、钛(ti)和/或氮化钛(tin)。
15.根据本公开的实施例，提供了一种显示装置，所述显示装置包括：基底；晶体管，在所述基底上；以及反射电极，电结合到所述晶体管并且在所述晶体管上，其中，所述反射电极包括反射层，所述反射层包括铝、铁和钒，其中，以所述反射层的原子总数为基础，所述反
射层中的所述铁的含量与所述反射层中的所述钒的含量之和为0.5原子％或更小。
16.在一个或多个实施例中，以所述反射层的原子总数为基础，所述反射层中的所述铝的含量可以为99.5原子％或更大。
17.在一个或多个实施例中，所述反射层中的所述铁的所述含量与所述反射层中的所述钒的所述含量之比为10:1。
18.在一个或更多个实施例中，所述反射电极还可以包括：导电氧化物层，在所述反射层的下表面上。
19.在一个或多个实施例中，所述反射电极还可以包括：阻挡层，在所述反射层的上表面上。
20.在一个或多个实施例中，所述阻挡层可以包括氧化铟锡(ito)、钛(ti)和/或氮化钛(tin)。
21.在一个或多个实施例中，所述显示装置还可以包括：发光层，在反射电极上；以及透明电极，在发光层上。
22.在一个或多个实施例中，所述反射电极可以是阳极，并且所述透明电极可以是阴极。
23.在一个或多个实施例中，所述显示装置还可以包括在所述反射电极与所述晶体管之间并且包括分隔壁开口的分隔壁，并且所述反射电极可以覆盖所述分隔壁的侧表面。
24.在一个或多个实施例中，所述显示装置还可以包括：发光层，在所述分隔壁的所述分隔壁开口上。
25.在一个或多个实施例中，所述显示装置还可以包括在所述反射电极上的第一透明电极和第二透明电极，并且所述第一透明电极和所述第二透明电极电结合到所述发光层。
26.如上所述，反射电极可以包括反射层，并且反射层可以包括铝、铁和钒。因此，反射电极的反射率可以比纯铝的反射率大，反射电极的耐热性可以比纯铝的耐热性大。
27.如上所述，显示装置可以包括反射电极，并且反射电极可以包括反射层。反射层可以包括铝、铁和钒。因此，可以改善包括所述反射电极的显示装置的显示效率。
附图说明
28.通过下面结合附图的详细描述，将更清楚地理解说明性的非限制性实施例。
29.图1是示出根据实施例的显示装置的框图。
30.图2是示出根据实施例的像素的剖视图。
31.图3是示出根据实施例的像素的剖视图。
32.图4是图2的区域2a的放大剖视图。
33.图5a是示出对反射层进行蚀刻的工艺的剖视图。
34.图5b是示出对反射层进行蚀刻的工艺的剖视图。
35.图5c是示出对反射层进行蚀刻的工艺的剖视图。
36.图5d是示出对反射层进行蚀刻的工艺的剖视图。
37.图5e是示出对反射层进行蚀刻的工艺的剖视图。
38.图6a是示出图5e的暴露部分的图像。
39.图6b是示出图5e的暴露部分的图像。
40.图6c是示出图5e的暴露部分的图像。
41.图7是示出反射层的表面的一系列图像。
42.图8是示出根据反射层的组合物的相对反射率的图形。
43.图9是示出根据反射层的组合物的电阻的图形。
具体实施方式
44.在下文中，将参照附图详细地解释本公开的实施例，其中，同样的附图标记始终表示同样的元件。在这方面，本公开的实施例可以具有不同的形式，并且不应被解释为局限于在此阐述的描述。因此，以下通过参照图来仅描述实施例，以解释本描述的实施例的方面。在整个公开中，表述“a、b和c中的至少一个(种/者)”指示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c中的全部或者它们的变型。
45.因为本公开的主题可以具有各种修改和若干实施例，所以实施例被示出在附图中并将更详细地进行描述。通过对将参照附图更详细地描述的实施例进行参考，本公开的实施例的效果和特征以及实现它们的方式将变得清楚。然而，本公开的主题不限于下面的实施例，而是可以各种形式被实施。
46.将理解的是，尽管在此可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种组件，但这些组件不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个组件与另一组件区分开。
47.在以下实施例中，除非上下文另外明确指出，否则单数形式包括复数形式。
48.在本说明书中，将理解的是，诸如“包括”或“具有”的术语意图指示存在说明书中所公开的特征或组件，并且不意图排除可以添加一个或多个其他特征或组件的可能性。
49.在以下实施例中，将理解的是，当诸如层、区域或元件的部分被称为“在”另一部分(诸如层、区域或元件)“上”或“在”另一部分(诸如层、区域或元件)“上方”，该部分可以直接在所述另一部分上或直接在所述另一部分上方，或者还可以存在中间部分。
50.此外，在附图中，为了便于描述，可以夸大或缩小元件的尺寸。例如，因为附图中的组件的尺寸和厚度可以为了便于解释而被任意地示出，所以下面的实施例不限于此。
51.在本说明书中，“a和/或b”表示a、b、或者a和b。此外，在本说明书中，“a和b中的至少一个(种/者)”表示a、b、或者a和b。
52.在下面的实施例中，线“在第一方向或第二方向上延伸”的表述不但包括线在第一方向或第二方向上以直线形式延伸，而且包括线在第一方向或第二方向上以之字形形状或弯曲形状延伸。
53.在下面的实施例中，“在平面上”或“在平面中”的表述指示从上方观看目标，“在剖面上”或“在剖面中”的表述指示从侧面观看目标的竖直地切割的剖面。在下面的实施例中，“重叠”的表述包括“在平面上”重叠和“在剖面上”重叠。
54.以下将参照附图更详细地描述本公开的实施例。相同的或对应的那些组件利用相同的附图标记表示，而与图号无关。
55.图1是示出根据实施例的显示装置的框图。
56.参照图1，显示装置100可以包括包含显示区域dp和非显示区域adp的显示面板pn、在非显示区域adp中的栅极驱动电路gdv、数据驱动电路ddv和时序控制器con。
57.显示区域dp可以包括多条栅极线gl1至gln、多条数据线dl1至dlm和多个像素p。多
条栅极线gl1至gln可以与多条数据线dl1至dlm交叉并绝缘。多个像素p可以电结合到对应的栅极线gl1至gln和数据线dl1至dlm。多个像素p中的每一个可以包括发光层。在显示区域dp中，发光层可以显示图像。例如，发光层可以包括有机发光二极管(oled)、量子点有机发光二极管(qdoled)、和/或量子点纳米发光二极管(qned)。
58.时序控制器con可以生成栅极控制信号gctrl、数据控制信号dctrl和输出图像数据odat。栅极控制信号gctrl、数据控制信号dctrl和输出图像数据odat可以基于控制信号ctrl和输入图像数据idat被生成。例如，控制信号ctrl可以包括垂直同步信号、水平同步信号、输入数据使能信号、主时钟信号等。例如，输入图像数据idat可以是包括红色图像数据、绿色图像数据、和/或蓝色图像数据的rgb数据。在一个或多个实施例中，输入图像数据idat可以包括品红色图像数据、青色图像数据、和/或黄色图像数据。
59.栅极驱动电路gdv可以基于来自时序控制器con的栅极控制信号gctrl生成栅极信号。例如，栅极控制信号gctrl可以包括垂直起始信号、时钟信号、栅极截止信号等。
60.栅极驱动电路gdv可以通过多条栅极线gl1至gln电结合到像素p，并且可以依次输出栅极信号。根据对每一个栅极信号的控制，多个像素p中的每一个可以被提供有数据电压。
61.数据驱动电路ddv可以基于从时序控制器con提供的数据控制信号dctrl和输出图像数据odat生成数据电压。例如，数据控制信号dctrl可以包括输出数据使能信号、水平起始信号和负载信号。
62.数据驱动电路ddv可以通过多条数据线dl1至dlm电结合到像素p，并且可以生成数据电压。每一个像素p可以分别接收与每一个数据电压对应的亮度的电信号以显示图像。
63.图2是示出根据实施例的像素的剖视图。
64.参照图2，一个或多个实施例的像素p可以包括基底200、缓冲层210、有源层10、源电极11、漏电极12、栅电极13、栅极绝缘层220、第一绝缘层230、第二绝缘层240、反射电极re、像素限定层pdl、发光层el和透明电极250。
65.基底200可以是包括玻璃、石英和/或塑料等的绝缘基底。缓冲层210可以在基底200上。缓冲层210可以阻挡或减少通过基底200的诸如氧和/或湿气的杂质的扩散。此外，缓冲层210可以包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机绝缘材料。
66.有源层10可以在缓冲层210上。有源层10可以由多晶硅、非晶硅和/或氧化物半导体等形成。
67.栅极绝缘层220可以在有源层10上。栅极绝缘层220可以覆盖有源层10，并且可以在缓冲层210上。栅极绝缘层220可以使在有源层10上的栅电极13与有源层10绝缘。栅极绝缘层220可以包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机绝缘材料。
68.栅电极13可以在栅极绝缘层220上。栅电极13可以包括诸如钼(mo)和/或铜(cu)的导电材料。
69.第一绝缘层230可以在栅电极13上。第一绝缘层230可以覆盖栅电极13，并且可以在栅极绝缘层220上。第一绝缘层230可以使在栅电极13上的源电极11和漏电极12与栅电极13绝缘。第一绝缘层230可以包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机绝缘材料。
70.源电极11和漏电极12可以在第一绝缘层230上。源电极11和漏电极12可以电结合到有源层10。例如，源电极11可以通过形成在第一绝缘层230和栅极绝缘层220中的接触孔
而接触有源层10的一个侧部。例如，漏电极12可以通过形成在第一绝缘层230和栅极绝缘层220中的接触孔而接触有源层10的另一个侧部。源电极11和漏电极12可以包括诸如铝(al)、钛(ti)和/或铜(cu)等的导电材料。有源层10、源电极11、漏电极12和栅电极13可以构成晶体管tr。
71.第二绝缘层240可以在源电极11和漏电极12上。第二绝缘层240可以覆盖源电极11和漏电极12，并且可以在第一绝缘层230上。第二绝缘层240可以在晶体管tr上提供平坦的表面。第二绝缘层240可以包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅等的无机材料，和/或诸如聚酰亚胺等的有机材料。
72.反射电极re可以在第二绝缘层240上。反射电极re可以包括导电材料。例如，反射电极re可以包括铝(al)、铁(fe)和/或钒(v)等。反射电极re的结构将在下面参照图4描述。反射电极re可以电结合到漏电极12。例如，反射电极re可以通过形成在第二绝缘层240中的接触孔而接触漏电极12的一个侧。
73.像素限定层pdl可以在反射电极re上。像素限定层pdl可以覆盖反射电极re的一部分，并且可以在第二绝缘层240上。像素限定层pdl可以具有像素开口，所述像素开口暴露反射电极re的至少一部分。例如，像素开口可以暴露反射电极re的中心部分，并且像素限定层pdl可以覆盖反射电极re的外围部分。像素限定层pdl可以包括诸如聚酰亚胺(pi)等的有机绝缘材料。反射电极re可以是阳极或阴极。
74.发光层el可以在反射电极re上。发光层el可以在被像素开口暴露的反射电极re上。发光层el可以包括有机发光材料和/或量子点中的至少一种。发光层el可以通过反射电极re从晶体管tr接收电信号。发光层el可以发射具有与电信号的强度对应的亮度的光。
75.在实施例中，有机发光材料可以包括低分子量有机化合物和/或高分子量有机化合物。例如，低分子量有机化合物可以包括铜酞菁、二苯基联苯胺(n,n'-二苯基联苯胺)、三-(8-羟基喹啉)铝等。例如，高分子量有机化合物可以包括聚(3,4-乙撑二氧噻吩)、聚苯胺、聚苯撑乙烯撑、聚芴等。
76.在实施例中，量子点可以包括核，所述核包括ii-vi族化合物、iii-v族化合物、iv-vi族化合物、iv族化合物、vi族化合物或者它们的组合。在实施例中，量子点可以具有核-壳结构，所述核-壳结构包括核和围绕核的壳。壳可以用作用于通过防止或减少核的化学改性来保持半导体性质的保护层，并且可以用作用于对量子点赋予电泳性质的充电层。
77.透明电极250可以在发光层el上。在实施例中，透明电极250还可以在像素限定层pdl上。透明电极250可以包括诸如金属、合金、透明导电氧化物等的导电材料。例如，透明电极250可以包括铝(al)、铂(pt)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、铬(cr)、钨(w)和/或钛(ti)等。透明电极250可以是阳极或阴极。
78.图3是示出根据实施例的像素的剖视图。
79.参照图3，分隔壁260可以在第二绝缘层240上。分隔壁260可以包括无机绝缘材料和/或有机绝缘材料。分隔壁260可以包括分隔壁开口，分隔壁开口暴露第二绝缘层240。
80.反射电极re可以在分隔壁260上。反射电极re可以覆盖分隔壁260的侧表面，并且可以覆盖第二绝缘层240的被分隔壁开口暴露的表面的一部分。反射电极re可以反射从发光层qn发射的光。
81.第三绝缘层270可以在第二绝缘层240上。第三绝缘层270可以覆盖反射电极re的
一部分。第三绝缘层270可以传输从发光层qn发射的光。
82.发光层qn可以在第三绝缘层270上。发光层qn可以包括包含氮化镓(gan)的棒。发光层qn可以电结合到第一透明电极pe1和第二透明电极pe2。每个棒可以通过接收通过第一透明电极pe1和第二透明电极pe2输入的电信号来发光。
83.第四绝缘层280可以在发光层qn上。第四绝缘层280可以传输从发光层qn发射的光。
84.第一透明电极pe1和第二透明电极pe2可以在反射电极re上。第一透明电极pe1可以通过反射电极re电结合到晶体管tr。例如，反射电极re可以通过形成在第二绝缘层240和分隔壁260中的接触孔而接触漏电极12的一个侧部，第一透明电极pe1可以接触反射电极re。堤290可以在反射电极re与第二透明电极pe2之间。堤290可以包括有机绝缘材料。第二透明电极pe2可以电结合到另一晶体管。第一透明电极pe1和第二透明电极pe2可以覆盖第三绝缘层270、发光层qn和第四绝缘层280的一部分。
85.图4是图2的区域2a的放大剖视图。
86.参照图4，反射电极re可以电结合到漏电极12(在图2中)，并且可以将通过漏电极(图2中的12)传输的电信号传输到发光层el。此外，反射电极re可以反射从发光层el发射的光而不吸收或基本不吸收光，从而改善显示装置100(在图1中)的显示效率。
87.反射电极re可以包括反射层30、导电氧化物层31和阻挡层32。反射层30的反射率可以比导电氧化物层31的反射率大。反射层30的反射率可以比阻挡层32的反射率大。导电氧化物层31可以在反射层30的第一表面30a上。导电氧化物层31可以电结合到漏电极12(在图2中)，并且将通过漏电极12(在图2中)传输的电信号传输到反射层30。导电氧化物层31可以包括ito。阻挡层32可以在反射层30的第二表面30b上。阻挡层32可以包括ito、ti和/或tin等。阻挡层32对像素限定层pdl的粘附性可以比反射层30对像素限定层pdl的粘附性高。此外，阻挡层32对发光层el的粘附性可以比反射层30对发光层el的粘附性高。因此，当阻挡层32在反射层30的第二表面30b上，并且像素限定层pdl和发光层el在反射电极re上时，可以增大显示装置100(在图1中)的耐久性。
88.在一个或多个实施例中，反射层30可以是包括铁的铝合金，在这种情况下，以反射层30的原子总数为基础，包括在反射层30中的铁的含量可以为大约0.5原子％或更小。在一个或多个实施例中，以所述反射层的原子总数为基础，所述反射层中的所述铝的含量为99.5原子％或更大。如在此使用的，术语“原子％”还可以称为“原子百分比”或“at.％”，并且术语“含量”可以表示“量”或“原子％”。铁可以减小反射层30的表面的粗糙度。因此，反射层30的反射率可以增大。当以反射层30的原子总数为基础，反射层30中的铁含量大于大约0.5原子％时，可能无法对反射层30进行干蚀刻。这将在下面参照图5a至图5e和图6a至图6c更详细地描述。
89.在一个或多个实施例中，反射层30可以是包括铁和钒的铝合金，在这种情况下，以反射层30的原子总数为基础，包含在反射层30中的铁的含量可以为大约0.5原子％或更小。在大约200℃至大约250℃的温度下制造显示装置100(在图1中)的工艺中，可以使反射层30的表面上的应力集中，并且可以在反射层30的表面上出现呈半球形投影的小丘(hillock)。钒可以缓解反射层30中的应力，使得小丘不出现或基本不出现。这将在下面参照图7更详细地描述。
90.在一些实施例中，反射层30可以是包括铁和钒的铝合金，在这种情况下，以反射层30的原子总数为基础，包含在反射层30中的铁的含量与包含在反射层30中的钒的含量之和可以为大约0.5原子％或更小，并且铁含量与钒含量之比可以为大约10:1。这将在下面参照图7至图9更详细地描述。
91.在一个或更多个实施例中，反射层30的厚度可以是大约700埃或更大。当反射层30的厚度小于大约700埃时，从发光层el发射的光可以穿过反射层30，并且反射层30的反射率可以降低。因此，显示装置100(在图1中)的显示效率会减小。
92.图5a至图5e是示出对反射层进行蚀刻的工艺的剖视图。图6a至图6c是示出图5e的暴露部分500a的图像。
93.参照图5a，反射层30可以在基底500上。基底500可以包括无机绝缘材料、有机绝缘材料和/或导电氧化物。反射层30可以包括铝和/或铁。
94.参照图5b，抗蚀剂图案510可以在反射层30上。抗蚀剂图案510可以包括聚合物有机材料。抗蚀剂图案510可以具有第一开口511，第一开口511暴露反射层30的至少一部分。
95.参照图5c，可以将等离子体520照射在抗蚀剂图案510和反射层30上或者照射到抗蚀剂图案510和反射层30。等离子体520可以是氩阳离子。
96.参照图5d，可以通过等离子体520来去除反射层30的被抗蚀剂图案510暴露的部分，并且可以形成反射图案530。反射图案530可以具有第二开口531，第二开口531暴露基底500的一部分。
97.参照图5e，可以去除抗蚀剂图案510。在这种情况下，当以反射层30的原子总数为基础，包含在反射层30中的铁的含量大于大约0.5原子％时，基底500的被第二开口531暴露的暴露部分500a中的反射层30的残余量会残留。
98.参照图6a，反射层30可以包括铝和铁，并且以反射层30的原子总数为基础，包含在反射层30中的铁的含量可以为大约0.2原子％。在该实施例中，在对反射层30进行蚀刻之后，反射层30的残余量可以不残留在暴露部分500a中。
99.参照图6b，反射层30可以包括铝和铁，并且以反射层30的原子总数为基础，包含在反射层30中的铁的含量可以为大约0.4原子％。在该实施例中，在对反射层30进行蚀刻之后，反射层30的残余量可以不残留在暴露部分500a中。
100.参照图6c，反射层30可以包括铝和铁，并且以反射层30的原子总数为基础，包含在反射层30中的铁的含量可以为大约0.6原子％。在该实施例中，在对反射层30进行蚀刻之后，反射层30的残余量可以残留在暴露部分500a中。
101.图7是示出反射层的表面的一系列图像。
102.参照图7，反射层(图4中的30)由具有3000埃的厚度的7cm
×
7cm的样品制成，并且可以在充有氮气的炉中在250℃下被加热1小时。反射层30的组合物在以下表1中示出。
103.表1
[0104] w0w1w2w3铝100原子％99.4原子％99.4原子％99.78原子％铁00.45原子％0.6原子％0.2原子％钒00.15原子％00.02原子％
[0105]
w0表示仅由铝组成的组合物，并且w1表示由大约99.4原子％的铝、大约0.45原
子％的铁和大约0.15原子％的钒组成的组合物。w2表示由大约99.4原子％的铝和大约0.6原子％的铁组成的组合物，并且w3表示由大约99.78原子％的铝、大约0.2原子％的铁和大约0.02原子％的钒组成的组合物。当反射层30由纯铝(w0)制成时，可以出现在图像中的由黑点指示的多个小丘。当反射层30具有w2的组合物时的小丘的数量可以比当反射层30为纯铝时的小丘的数量小。当反射层30具有w1或w3的组合物时，在反射层30中可以不出现小丘。例如，当将钒被添加到包括铝和铁的反射层30中时，有可能抑制或减少小丘的出现。
[0106]
图8是示出根据反射层的组合物的相对反射率的图形。图9是示出根据反射层的组合物的电阻的图形。
[0107]
参照图8，在图8的图形中，当反射层(图4中的30)为纯铝时，各种波长的光从反射层30反射的程度被示出为100％。此外，在图8的图形中，当反射层30的组合物为w1至w3时，各种波长从反射层30反射的程度被相对地示出。当反射层30的组合物为w1时，可以反射具有550nm的波长的光的大约100％，并且可以平均反射具有可见光区域的波长的光的大约100％。当反射层30的组合物为w2时，可以反射具有550nm的波长的光的大约100％，并且可以平均反射具有可见光区域的波长的光的大约100％。当反射层30的组合物为w3时，可以反射具有550nm的波长的光的大约103％，并且可以平均反射具有可见光区域的波长的光的大约103％。
[0108]
当反射层30的组合物为w1时，在可见光区域中的波长处可以表现出等于或大于纯铝的反射率的反射率。当反射层30的组合物为w3时，在可见光区域中的波长下可以表现出比纯铝更高的反射率。例如，当反射层30中的铁含量与钒含量之和小于大约0.5原子％时，反射层30的反射率可以比纯铝的反射率大。例如，当包括在反射层30中的铁原子的含量与包括在反射层30中的钒原子的含量之比为大约10:1时，可以表现出比纯铝更高的反射率。
[0109]
参照图9，图9的图形示出了当反射层(图4中的30)由具有大致3000埃的厚度的7cm
×
7cm的样品制成并在充有氮气的炉中在大致250℃下被加热1小时时的比电阻(specific resistance)和薄层电阻(sheet resistance)。当反射层30为纯铝时，反射层30可以具有大约2.8μωcm的比电阻。当反射层30具有w1的组合物时，反射层30可以具有大约3.2μωcm的比电阻和大约0.11ω/
□
(还被称为“欧姆每平方(ohms per square)”或“ω/sq”)的薄层电阻。当反射层30具有w2的组合物时，反射层30可以具有大约4.1μωcm的比电阻和大约0.14ω/
□
的薄层电阻。当反射层30具有w3的组合物时，反射层30可以具有大约3.3μωcm的比电阻和大约0.11ω/
□
的薄层电阻。
[0110]
当反射层30具有w2的组合物时的比电阻比当反射层30具有w1或w3的组合物时的比电阻大。例如，当包含在反射层30中的铁的含量超过大约0.5原子％时，比电阻可以在施加大约250℃的高温时增大。因此，电特性可以劣化，并且显示装置100(在图1中)的显示效率可以降低。当反射层30具有w1的组合物时，即使当施加大约250℃的高温时，反射层30也可以具有大约3.2μωcm的比电阻。例如，当包含在反射层30中的铁的含量小于大约0.5原子％时，即使当施加大约250℃的高温时，也可以获得相对低的比电阻。当反射层30具有w3的组合物时，即使当施加大约250℃的高温时，反射层30也可以具有大约3.3μωcm的比电阻。例如，当反射层30中的铁含量与钒含量之和为大约0.5原子％或更小，并且铁原子含量与钒原子含量之比为大约10:1时，即使当施加大约250℃的高温时，反射层30也可以具有相对低的比电阻。
[0111]
本公开的主题可以应用于任何反射电极。例如，本公开的主题可以应用于包括在移动电话、智能电话、可穿戴电子装置、平板计算机、电视机(tv)、数字tv、3d tv、个人计算机(pc)、家用电器、膝上型计算机、个人数字助理(pda)、便携式多媒体播放器(pmp)、数码相机、音乐播放器、便携式游戏机、导航装置等中的显示装置的反射电极。
[0112]
前述是对实施例的说明，并且将不被解释为实施例的限制。尽管已经描述了一些实施例，但本领域技术人员将容易地理解的是，在实质上不脱离本公开的精神和范围的情况下，许多修改在实施例中是可行的。因此，所有这样的修改意图被包括在如权利范围中所限定的本公开的范围内。因此，将理解的是，前述是对各种实施例的说明并将不被解释为局限于公开的特定实施例，并且对公开的实施例以及其他实施例的修改意图被包括在所附权利范围及其等同物的范围内。