技术特征：
1.一种单片化方法，将在上表面形成了多个半导体元件构造的晶片进行单片化，其特征在于，依次包括：第1工序，在上述晶片的上表面形成表面保持膜；第2工序，将上述晶片的下表面减薄加工；第3工序，从上述晶片的上表面将上述表面保持膜除去；第4工序，在被减薄加工后的上述晶片的下表面形成厚度为10μm以上的金属层；第5工序，向上述金属层的下表面粘贴切割带；第6工序，对上述晶片的上表面实施使上述晶片的表面的亲水性提高的处理；第7工序，在上述晶片的表面形成水溶性保护层；第8工序，向上述晶片的上表面的规定的区域照射激光而将上述金属层切断；以及第9工序，使用清洗用水从上述晶片的表面将上述水溶性保护层除去；在从上述第6工序结束到上述第7工序开始的期间，还包括在不丧失上述晶片的表面的亲水性的保管环境中保管上述晶片的保管工序。2.如权利要求1所述的单片化方法，其特征在于，在从上述第6工序结束到上述第7工序开始的期间，将上述晶片在每立方英尺、即28.3升中0.5μm的颗粒物为5000个以下的环境中保管。3.如权利要求1所述的单片化方法，其特征在于，从上述第6工序结束起在240小时之内开始上述第7工序。4.如权利要求2或3所述的单片化方法，其特征在于，在上述第7工序的开始时间点，将电阻率为13.2mω～17.0mω的纯水1.77mm3静置于上述晶片的表面而形成的水滴与上述晶片的表面之间的接触角度小于60度。5.一种单片化方法，将在上表面形成了多个半导体元件构造的晶片进行单片化，其特征在于，依次包括：第1工序，在上述晶片的上表面形成表面保持膜；第2工序，将上述晶片的下表面减薄加工；第3工序，从上述晶片的上表面将上述表面保持膜除去；第4工序，在被减薄加工后的上述晶片的下表面形成厚度为10μm以上的金属层；第5工序，向上述金属层的下表面粘贴切割带；第6工序，对上述晶片的上表面实施使上述晶片的表面的亲水性提高的处理；第7工序，在上述晶片的表面形成水溶性保护层；第8工序，向上述晶片的上表面的规定的区域照射激光而将上述金属层切断；以及第9工序，使用清洗用水从上述晶片的表面将上述水溶性保护层除去；上述第9工序依次包括：第1清洗工序，使用第1水压的上述清洗用水；以及第2清洗工序，使用第2水压的上述清洗用水；上述第1水压是50bar以上，比上述第2水压高。6.如权利要求5所述的单片化方法，其特征在于，
上述第1清洗工序的期间是40秒以上。7.如权利要求5所述的单片化方法，其特征在于，上述第1清洗工序的期间是100秒以下。8.如权利要求5～7中任一项所述的单片化方法，其特征在于，在上述第1清洗工序中，使上述晶片以第1旋转速度旋转；在上述第2清洗工序中，使上述晶片以上述第1旋转速度以下的第2旋转速度旋转；上述第9工序还在上述第1清洗工序与上述第2清洗工序之间包括干燥工序，在该干燥工序中使上述晶片以比上述第1旋转速度快的第3旋转速度旋转。9.如权利要求1、5～7中任一项所述的单片化方法，其特征在于，在从上述第5工序结束到上述第6工序开始的期间，还包括在上述晶片的上表面的、上述多个半导体元件构造间的区域中形成槽的第10工序。10.如权利要求9所述的单片化方法，其特征在于，在上述晶片的平面视图中，上述规定的区域包含在上述槽的内部的区域中；上述规定的区域与上述槽的缘部之间的最短距离是14μm以上。11.如权利要求1、5～7中任一项所述的单片化方法，其特征在于，使上述亲水性提高的处理是对上述晶片的表面进行的等离子体清洗。
技术总结
一种单片化方法，将在上表面形成了多个半导体元件构造的晶片进行单片化，包括：第1工序，在上述晶片的上表面形成表面保持膜；第2工序，将上述晶片的下表面减薄加工；第3工序，从上述晶片的上表面将上述表面保持膜除去；第4工序，在被减薄加工后的上述晶片的下表面形成厚度为10μm以上的金属层；第5工序，向上述金属层的下表面粘贴切割带；第6工序，对上述晶片的上表面实施使上述晶片的表面的亲水性提高的处理；第7工序，在上述晶片的表面形成水溶性保护层；第8工序，向上述晶片的上表面的规定的区域照射激光而将上述金属层切断；以及第9工序，使用清洗用水从上述晶片的表面将上述水溶性保护层除去；在从上述第6工序结束到上述第7工序开始的期间，还包括在不丧失上述晶片的表面的亲水性的保管环境中保管上述晶片的保管工序。工序。工序。
技术研发人员：松岛芳宏 川上良彦 小田真也 原田刚史
受保护的技术使用者：新唐科技日本株式会社
技术研发日：2020.10.20
技术公布日：2022/1/21