显示面板及显示装置的制作方法

1.本公开涉及显示技术领域，特别涉及一种显示面板及显示装置。


背景技术：

2.低温多晶硅氧化物(low temperature polycrystalline oxide，ltpo)显示面板是一种包括低温多晶硅(low temperature polycrystalline，ltps)晶体管和铟镓锌氧化物(indium gallium zinc oxide，igzo)晶体管的显示面板。
3.相关技术中，ltpo显示面板中的igzo晶体管通常包括：位于衬底一侧且依次层叠的有源层、两层栅金属层、层间介定层和源漏金属层。其中，该两层栅金属层在衬底上的正投影相互重合，且与源漏金属层位于同层的信号线在衬底上的正投影和该两层栅金属层在衬底上的正投影均存在交叠。
4.但是，因相关技术中的两层栅金属层的边缘存在较大坡度角，故导致形成于该两层栅金属层远离衬底一侧的层间介定层易发生断裂，进而导致位于层间介定层上下两侧的源漏金属层与栅金属层易发生信号串扰。


技术实现要素：

5.本公开实施例提供了一种显示面板及显示装置，可以解决相关技术中具有双栅结构的晶体管中，层间介定层易发生断裂，而导致源漏金属层与栅金属层发生信号串扰的问题。所述技术方案如下：
6.一方面，提供了一种显示面板，所述显示面板包括：
7.衬底；
8.位于所述衬底一侧的多个像素，每个所述像素包括：第一晶体管，所述第一晶体管包括：沿远离所述衬底的方向依次层叠的第一栅金属层、第一有源层、第二栅金属层和第一源漏金属层；
9.以及，位于所述第二栅金属层与所述第一源漏金属层之间的层间介定层；
10.其中，所述第二栅金属层在所述衬底上的正投影位于所述第一栅金属层在所述衬底上的正投影内，所述第二栅金属层与所述第一栅金属层耦接，所述第一源漏金属层与所述第一有源层耦接。
11.可选的，所述第一源漏金属层包括：相互耦接的第一信号转接部和源漏金属部；
12.其中，所述第一信号转接部在所述衬底上的正投影与所述第一栅金属层在所述衬底上的正投影重叠，且与所述第二栅金属层在所述衬底上的正投影不重叠；所述源漏金属部在所述衬底上的正投影与所述第一栅金属层在所述衬底上的正投影和所述第二栅金属层在所述衬底上的正投影均存在交叠。
13.可选的，所述第二栅金属层与所述第一栅金属层的耦接部分在所述衬底上的正投影，与所述第一有源层在所述衬底上的正投影不重叠。
14.可选的，所述显示面板还包括：
15.位于所述第一栅金属层上的第一搭接过孔，位于所述第二栅金属层上的第二搭接过孔，以及第二信号转接部；
16.其中，所述第二信号转接部的两端分别与所述第一搭接过孔和所述第二搭接过孔耦接，以将所述第二栅金属层与所述第一栅金属层耦接。
17.可选的，所述第二信号转接部复用所述第一源漏金属层。
18.可选的，所述第一信号转接部距所述衬底的距离，小于所述第二信号转接部距所述衬底的距离。
19.可选的，所述第一源漏金属层与所述第一有源层耦接的部分与所述第一搭接过孔的间距大于间距阈值。
20.可选的，所述第一搭接过孔贯穿所述第一栅金属层，和/或，所述第二搭接过孔贯穿所述第二栅金属层。
21.可选的，所述显示面板还包括：
22.位于所述第一栅金属层与所述第一有源层之间的至少一层第一绝缘层，以及位于所述第一有源层与所述第二栅金属层之间的至少一层第二绝缘层；
23.其中，所述第二栅金属层与所述第一栅金属层通过贯穿所述至少一层第一绝缘层和所述至少一层第二绝缘层的过孔相互耦接。
24.可选的，所述显示面板包括：
25.位于所述第一栅金属层与所述第一有源层之间的两层第一绝缘层，以及位于所述第一有源层与所述第二栅金属层之间的一层第二绝缘层。
26.可选的，每个所述像素还包括：第二晶体管，所述第二晶体管包括：沿远离所述衬底的方向依次层叠的第二有源层、第三栅金属层和第二源漏金属层；
27.其中，所述第三栅金属层相对于所述第一栅金属层更靠近所述衬底，所述第二源漏金属层与所述第一源漏金属层位于同层，且所述第二源漏金属层与所述第二有源层耦接。
28.可选的，所述第一晶体管中，第一有源层的材料为铟镓锌氧化物igzo材料；且，所述第二晶体管中，第二有源层的材料为低温多晶硅ltps材料。
29.可选的，所述显示面板还包括：
30.位于所述第三栅金属层与所述第一栅金属层之间的至少一层第三绝缘层；
31.位于所述第二有源层与所述第三栅金属层之间的至少一层第四绝缘层；
32.以及，位于所述衬底与所述第二有源层之间的至少一层第五绝缘层。
33.可选的，所述衬底的材料为柔性材料。
34.另一方面，提供了一种显示装置，所述显示装置包括：供电组件，以及如上述方面所述的显示面板；
35.其中，所述供电组件与所述显示面板耦接，并用于为所述显示面板供电。
36.本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
37.提供了一种显示面板及显示装置。其中，该显示面板中，位于衬底一侧的像素包括具有双栅结构的第一晶体管，该第一晶体管包括沿远离衬底的方向依次层叠且相互耦接的第一栅金属层和第二栅金属层。由于该第二栅金属层在衬底上的正投影位于第一栅金属层在衬底上的正投影内，即第二栅金属层的边缘不会位于第一栅金属层的边缘处，而是位于
第一栅金属层在衬底上的正投影内。因此，形成第二栅金属层时，第二栅金属层的边缘不会因第一栅金属层的边缘存在的坡度角而进一步存在较大的坡度角，进而在第二栅金属层一侧再形成层间介定层时，层间介定层不易发生断裂。相应的，形成于层间介定层一侧的源漏金属层与第二栅金属层不会发生信号串扰的问题。
附图说明
38.为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
39.图1是相关技术中一种显示面板中氧化物晶体管对应区域的俯视图；
40.图2是图1所示结构对应的截面图；
41.图3是本公开实施例提供的一种显示面板的俯视简图；
42.图4是本公开实施例提供的一种包括第一晶体管的显示面板截面图；
43.图5是本公开实施例提供的一种包括第一晶体管的显示面板俯视图；
44.图6是本公开实施例提供的另一种包括第一晶体管的显示面板截面图；
45.图7是本公开实施例提供的另一种包括第一晶体管的显示面板俯视图；
46.图8是本公开实施例提供的一种包括第一晶体管和第二晶体管的显示面板截面图；
47.图9是本公开实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
48.通过上述附图，已示出本公开明确的实施例，后文中将有更详细的描述。这些附图和文字描述并不是为了通过任何方式限制本公开构思的范围，而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本公开的概念。
具体实施方式
49.为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本公开实施方式作进一步地详细描述。
50.本公开的实施方式部分使用的术语仅用于对本公开的实施例进行解释，而非旨在限定本公开。除非另作定义，本公开的实施方式使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开专利申请说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”或者“第三”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现在“包括”或者“包含”前面的元件或者物件涵盖出现在“包括”或者“包含”后面列举的元件或者物件及其等同，并不排除其他元件或者物件。“上”、“下”、“左”或者“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则所述相对位置关系也可能相应地改变。在本公开实施例中提及的“和/或”，表示可以存在三种关系，例如，a和/或b，可以表示：单独存在a，同时存在a和b，单独存在b这三种情况。字符“/”一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
51.图1示出了一种相关技术中包括双栅的氧化物(oxide)晶体管的俯视图。图2是图1
所示结构对应的截面图。参考图1和图2可以看出，氧化物晶体管包括的靠近衬底一侧的一层栅金属层gate1(下述实施例称为第一栅金属层gate1)的边缘存在较大坡度角，一般约为45度，如此，导致形成于其远离衬底一侧的栅绝缘层(gate insulator，gi)的边缘也相应的存在较大坡度角。且，结合图2，因相关技术中在第一栅金属层gate1远离衬底的一侧，也可以理解为在栅绝缘层远离衬底的一侧形成另一层栅金属层gate2(下述实施例称为第二栅金属层gate2)时，常设置第二栅金属层gate2半包第一栅金属层gate1的边缘，故导致第二栅金属层gate2在该半包位置处也存在较大的坡度角，一般第二栅金属层gate2存在的坡度角能达到约70度甚至70度以上。
52.在此基础上，经测试，当在第二栅金属层gate2远离衬底的一侧形成层间介定(inter layer dielectric，ild)层时，ild层在该存在坡度角的位置处极易发生断裂(crack)，即ild层易出现裂缝，可参考图1和图2虚线所示。进而，会导致形成于ild层远离衬底一侧的源漏金属层与第二栅金属层gate2发生短路(short)，源漏金属层与第二栅金属层gate2之间产生信号串扰，影响双栅氧化物晶体管的正常工作，使得显示面板在显示时出现显示异常(如，满屏亮点或亮线)，严重影响产品良率。该问题也可以称为ild crack问题。
53.其中，ild层可以采用化学气相沉积法(chemical vapor deposition，cvd)形成。因cvd方法中常用的工艺为采用缓冲氧化物刻蚀液(buffered oxide etch，boe)刻蚀以及刻蚀后清洗(clean，cln)，故更易导致形成ild层时ild层出现断裂现象。此外，上述实施例记载的边缘可以是指长度方向与衬底不平行的边缘。图1还示出了双栅氧化物晶体管包括的有源层和源漏金属层。
54.本公开实施例提供了一种显示面板，该显示面板不存在ild crack问题，产品良率较好。图3是本公开实施例提供的一种显示面板的俯视图。如图3所示，该显示面板包括：衬底01。位于衬底01一侧的多个像素02。该多个像素02在衬底01上可以如图3所示阵列排布，或者也可以不规则排布。
55.图4是本公开实施例提供的一种显示面板的截面图。如图4所示，本公开实施例记载的每个像素02至少包括：第一晶体管t1。该第一晶体管t1包括：沿远离衬底01的方向依次层叠的第一栅金属层gate1、第一有源层(poly)p1、第二栅金属层gate2和第一源漏(source&drain)金属层sd1，以及位于第二栅金属层gate2与第一源漏金属层sd1之间的层间介定层ild。即，该第一晶体管t1为如氧化物晶体管的双栅晶体管。
56.图5是本公开实施例提供的一种包括第一晶体管的显示面板俯视图。结合图4和图5可以看出，在本公开实施例中，第一晶体管t1包括的第二栅金属层gate2在衬底01上的正投影位于第一栅金属层gate1在衬底01上的正投影内，第二栅金属层gate2与第一栅金属层gate1耦接(即，电连接)，且第一源漏金属层sd1与第一有源层p1耦接。
57.其中，相互耦接的第二栅金属层gate2与第一栅金属层gate1可以作为第一晶体管t1的栅极，第一源漏金属层sd1可以作为第一晶体管t1的源极和漏极。如，参考图4，第一源漏金属层sd1可以包括彼此间隔的两部分，其中一部分可以作为源极s1，另一部分可以作为漏极d1。层间介定层ild可以用于将第二栅金属层gate2与第一源漏金属层sd1绝缘，避免信号干扰。需要说明的是，图5示出了相邻的两个第一晶体管t1的部分俯视图。
58.因本公开实施例中的第二栅金属层gate2在衬底01上的正投影位于第一栅金属层gate1在衬底01上的正投影内，故如图4和图5所示，第二栅金属层gate2不会形成于第一栅
金属层gate1的两端，即不会形成于第一栅金属层gate1具有坡度角的边缘。进而，在第一栅金属层gate1一侧形成该第二栅金属层gate2时，第二栅金属层gate2的边缘不会再产生较大坡度角。如此，在第二栅金属层gate2一侧形成层间介定层ild时，层间介定层ild即不易发生crack。即，不会出现上述实施例记载的ild crack问题。相应的，形成于层间介定层ild一侧的第一源漏金属层sd1与第二栅金属层gate2之间不易发生short，第二栅金属层gate2与第一源漏金属层sd1不会发生信号串扰问题，确保了显示面板的产品良率较好。
59.综上所述，本公开实施例提供了一种显示面板。该显示面板中，位于衬底一侧的像素包括具有双栅的第一晶体管，即，该第一晶体管包括沿远离衬底的方向依次层叠且相互耦接的第一栅金属层和第二栅金属层。由于该第二栅金属层在衬底上的正投影位于第一栅金属层在衬底上的正投影内，即第二栅金属层的边缘不会位于第一栅金属层的边缘处，而是位于第一栅金属层在衬底上的正投影内。因此，形成第二栅金属层时，第二栅金属层的边缘不会因第一栅金属层的边缘存在的坡度角而进一步存在较大的坡度角，进而在第二栅金属层一侧再形成层间介定层时，层间介定层不易发生断裂。相应的，形成于层间介定层一侧的源漏金属层与第二栅金属层不会发生信号串扰的问题。
60.图6是本公开实施例提供的另一种显示面板的截面图。图7是图6所示结构的俯视图。结合图6和图7可以看出，第一源漏金属层sd1可以包括：相互耦接的第一信号转接部sd11和源漏金属部sd12。图7也示意性示出了相邻的两个第一晶体管t1。
61.其中，第一信号转接部sd11在衬底01上的正投影与第一栅金属层gate1在衬底01上的正投影重叠，且与第二栅金属层gate2在衬底01上的正投影不重叠。源漏金属部sd12在衬底01上的正投影与第一栅金属层gate1在衬底01上的正投影和第二栅金属层gate2在衬底01上的正投影均存在交叠。
62.需要说明的是，像素p1除包括第一晶体管t1外，还包括其他多个晶体管，目前常见的像素有7t1c结构(即，包括7个晶体管和1个电容)。基于第一信号转接部sd11和源漏金属部sd12的设置位置，可以确定：其中，该源漏金属部sd12可以用于形成上述实施例记载的源极s1和漏极d1。该第一信号转接部sd11可以用于将第一晶体管t1与像素中除第一晶体管t1外的其他晶体管耦接，以与其他晶体管形成信号回路，最终实现点亮像素p1包括的发光元件的目的。如，该其他晶体管可以为像素p1中的驱动(driver)晶体管。
63.此外，参考图6还可以看出，第一栅金属层gate1可以包括：相互耦接的栅金属转接部gate11和栅金属部gate12。同第一信号转接部sd11，该栅金属转接部gate11也可以用于将第一晶体管t1与像素中除第一晶体管t1外的其他晶体管耦接，以形成信号回路。区别在于，第一信号转接部sd1可以是将第一晶体管t1的源极s1或漏极d1与其他晶体管的源极s1或漏极d1转接，栅金属部gate12可以是将第一晶体管t1的栅极与其他晶体管的栅极转接。
64.其中，栅金属转接部gate11在衬底01上的正投影与第一信号转接部sd11在衬底01上的正投影可以存在交叠。
65.假设将第一信号转接部sd11和栅金属转接部gate11均称为是位于显示区的横向走线，则基于上述实施例可知，在本公开实施例中，位于显示区的横向走线仅包括第一栅金属层gate1，位于显示区的第一晶体管t1包括第一栅金属层gate1和第二栅金属层gate2。也即是，仅第一晶体管t1所在位置才存在第二栅金属层gate2。如此，结合图7可以看出，第一信号转接部sd11可以直接在第一栅金属层gate1远离衬底01的一侧(即，上方)跨线，可靠解
决了ild crack问题。
66.可选的，第二栅金属层gate2与第一栅金属层gate1的耦接部分在衬底01上的正投影，与第一有源层p1在衬底01上的正投影可以不重叠。
67.作为一种可选的实现方式，继续参考图7可以看出，本公开实施例记载的显示面板还可以包括：位于第一栅金属层gate1上的第一搭接过孔k1，位于第二栅金属层gate2上的第二搭接过孔k2，以及第二信号转接部b1。
68.其中，第二信号转接部b1的两端可以分别与第一搭接过孔k1和第二搭接过孔k2耦接，以将第二栅金属层gate2与第一栅金属层gate1耦接。
69.可选的，第一搭接过孔k1和第二搭接过孔k2均可以通过cnt刻蚀工艺形成，故第一搭接过孔k1和第二搭接过孔k2也可以称为cnt过孔。换言之，本公开实施例记载的第二栅金属层gate2与第一栅金属层gate1可以通过cnt过孔完成搭接。此外，第一搭接过孔k1和第二搭接过孔k2内均可以填充有碳纳米管材料，以增强第二栅金属层gate2与第一栅金属层gate1的转接导电性，确保信号的可靠传输。
70.可选的，依然结合图7可以看出，本公开实施例记载的第二信号转接部b1可以复用第一源漏金属层sd1。即，在本公开实施例中，可以通过一次构图工艺在层间介定层ild远离衬底01的一侧一次形成第一源漏金属层sd1，实现第二栅金属层gate2与第一栅金属层gate1的有效搭接，以及同时形成源极s1、漏极d1和第二信号线l2。如此，可以简化制作工艺，节省制作成本，且可以加快制作效率。
71.可选的，第一搭接过孔k1可以贯穿第一栅金属层gate1，和/或，第二搭接过孔k2可以贯穿第二栅金属层gate2。如此，可以进一步确保第一栅金属层gate1和第二栅金属层gate2的可靠耦接。
72.可选的，因第一信号转接部sd11靠近衬底01的一侧不存在第二栅金属层gate2，故本公开实施例记载的第一源漏金属层sd1中的第一信号转接部sd11距衬底01的距离，可以小于用于耦接第二栅金属层gate2与第一栅金属层gate1，且复用第一源漏金属层sd1的第二信号转接部b1距衬底01距离。如此也可以确定，第一源漏金属层sd1的部分距衬底01的距离较近，该部分断裂的风险明显降低。
73.可选的，在本公开实施例中，第一源漏金属层sd1与第一有源层p1耦接的部分与第一搭接过孔k1的间距d0可以大于间距阈值。即，第一源漏金属层sd1与第一有源层p1耦接的部分与第一搭接过孔k1的间距d0可以较大。
74.例如，该第一搭接过孔k1可以为图7所示的圆形，该间距阈值可以为第一搭接过孔k1的孔径。即，第一源漏金属层sd1与第一有源层p1耦接的部分与第一搭接过孔k1的间距d0可以大于一倍的第一搭接过孔k1的孔径。
75.可选的，参考图7，可以将第一有源层p1向远离第二信号转接部b1的一侧外延，并设置第二信号转接部b1在该外延的部分，通过转接过孔k0与第一有源层p1耦接。或者，结合图7，还可以将第一有源层p1向上延伸，并设置第一信号转接部sd11与第一有源层p1在向上延伸的部分处耦接。
76.需要说明的是，图7仅示意性示出第一源漏金属层sd1包括的第一信号转接部sd11与第一有源层p1的耦接。通过设置第一源漏金属层sd1与第一有源层p1耦接的部分与第一搭接过孔k1的间距d0较大，可以确保第一有源层p1与第一信号转接部sd11的耦接部分，与
耦接第二栅金属层gate2与第一栅金属层gate1的第二信号转接部b1之间存在足够空间，避免在第二信号转接部b1复用第一源漏金属层sd1时出现信号相互干扰的问题，防止信号短路的发生，进一步降低信号串扰的概率。
77.还需要说明的是，为了防止相邻两层能够导电的膜层之间信号干扰，一般在该相邻两层膜层之间还会设置至少一层绝缘层。基于此，在本公开实施例中，可以设置第一源漏金属层sd1与第一有源层p1耦接的部分处的绝缘层的厚度较厚，如此可以防止位于该耦接部分远离衬底01一侧的其他信号线发生断裂。
78.作为另一种可选的实现方式，结合图4可以看出，本公开实施例记载的显示面板还可以包括：位于第一栅金属层gate1与第一有源层p1之间的至少一层第一绝缘层m1，以及位于第二栅金属层gate2与第一栅金属层gate1之间的至少一层第二绝缘层m2。在此基础上，第二栅金属层gate2与第一栅金属层gate1可以通过贯穿该至少一层第一绝缘层m1和至少一层第二绝缘层m2的过孔相互耦接。
79.例如，可以在形成该至少一层第一绝缘层m1和该至少一层第二绝缘层m2后，预先开设(如，刻蚀)贯穿该至少一层第一绝缘层m1和该至少一层第二绝缘层m2的过孔，使得第二栅金属层gate2与第一栅金属层gate1均暴露出来。然后，可以将第二栅金属层gate2从该过孔延伸至第一栅金属层gate1一侧，以与第一栅金属层gate1搭接。
80.可选的，本公开实施例记载的显示面板可以包括：位于第一栅金属层gate1与第一有源层p1之间的两层第一绝缘层m1，以及位于第二栅金属层gate2与第一栅金属层gate1之间的一层第二绝缘层m2。
81.可选的，该两层第一绝缘层m1可以分别称为第一栅绝缘层gi1和缓冲层buffer。且，该两层第一绝缘层m1的材料可以分别为氮化硅和氧化硅，该一层第二绝缘层m2的材料可以为氮化硅。当然，本公开实施例对绝缘层的材料并不作限定。
82.图8是本公开实施例提供的再一种显示面板的截面图。如图8所示，每个像素02还可以包括：第二晶体管t2，且该第二晶体管t2可以包括：沿远离衬底01的方向依次层叠的第二有源层p2、第三栅金属层gate3和第二源漏金属层sd2。即，该第二晶体管t2可以为单栅晶体管。
83.参考图8可以看出，第三栅金属层gate3相对于第一栅金属层gate1更靠近衬底01，即本公开实施例记载的gate1、gate2和gate3仅是对膜层的标识，而不用于限定于膜层的位置关系。第二源漏金属层sd2与第一源漏金属层sd1可以位于同层，且第二源漏金属层sd2可以与第二有源层p2耦接。
84.其中，第三栅金属层gate3可以作为第二晶体管t2的栅极，第二源漏金属层sd2可以作为第二晶体管t2的源极和漏极。如，参考图8，同第一源漏金属层sd1，第二源漏金属层sd2也可以包括彼此间隔的两部分，其中一部分可以作为源极s2，另一部分可以作为漏极d2。
85.可选的，继续参考图8还可以看出，本公开实施例记载的显示面板还可以包括：位于第三栅金属层gate3与第一栅金属层gate1之间的至少一层第三绝缘层m3，位于第二有源层p2与第三栅金属层gate3之间的至少一层第四绝缘层m4，以及位于衬底01与第二有源层p2之间的至少一层第五绝缘层m5。
86.示例的，图8示出的显示面板包括：一层第三绝缘层m3，一层第四绝缘层m4和两层
第五绝缘层m5。第四绝缘层m4也可以称为第二栅绝缘层gi2。
87.上述实施例记载的绝缘层均可以用于将其相邻的上下两层进行绝缘，避免信号相互干扰，且绝缘层的材料可以为无机材料。
88.在上述结构基础上，参考图8可以进一步看出，第一源漏金属层sd1与第一有源层p1可以通过贯穿位于第一源漏金属层sd1与第一有源层p1之间的膜层的过孔耦接。第二源漏金属层sd2与第二有源层p2也可以通过贯穿位于第二源漏金属层sd2与第二有源层p2之间的膜层的过孔耦接。
89.可选的，在本公开实施例中，第一晶体管t1可以为氧化物晶体管，即第一晶体管t1中第一有源层p1可以由氧化物材料制成。如，该第一有源层p1的材料可以为铟镓锌氧化物(indium gallium zinc oxide，igzo)材料。相应的，第一晶体管t1也可以称为igzo晶体管。第二晶体管t2可以为非氧化物晶体管，即第二晶体管t1中第二有源层p2的材料可以不由氧化物材料制成。如，该第二有源层p2的材料可以为低温多晶硅(low temperature poly-silicon，ltps)材料。相应的，第二晶体管t2可以为ltps晶体管。在此基础上，本公开实施例记载的显示面板可以称为ltpo显示面板。
90.可选的，每个像素02一般包括相互耦接的像素电路和发光元件，上述第一晶体管t1和第二晶体管t2均属于像素电路的结构。且如上述示例记载，像素电路通常至少包括开关晶体管和驱动晶体管。其中，开关晶体管与驱动晶体管耦接，驱动晶体管与发光元件耦接。开关晶体管用于向驱动晶体管传输数据信号，以供驱动晶体管基于该数据信号向所耦接的发光元件传输驱动信号以驱动发光元件发光。像素电路中的开关晶体管一般为igzo材料制成的第一晶体管t1，除开关晶体管之外的其他晶体管(如，驱动晶体管)一般为ltps材料制成的第二晶体管t2。
91.经测试，igzo材料制成的晶体管相对于ltps材料制成的晶体管，漏电程度较小，即具有低漏电特性。如此，可以使得显示面板在低刷新率场景下功耗较低，同时可以避免ltps材料制成的晶体管漏电所造成的低刷新率显示异常问题。此外，igzo材料制成的晶体管工作均一性较好，可以改善色偏现象。
92.可选的，本公开实施例记载的衬底01的材料可以为柔性材料。如，该柔性材料可以为聚酰亚胺(polyimide，pi)。当然，在一些实施例中，衬底01还可以采用其他材料，如玻璃。
93.综上所述，本公开实施例提供了一种显示面板。该显示面板中，位于衬底一侧的像素包括具有双栅结构的第一晶体管，即，该第一晶体管包括沿远离衬底的方向依次层叠且相互耦接的第一栅金属层和第二栅金属层。由于该第二栅金属层在衬底上的正投影位于第一栅金属层在衬底上的正投影内，即第二栅金属层的边缘不会位于第一栅金属层的边缘处，而是位于第一栅金属层在衬底上的正投影内。因此，形成第二栅金属层时，第二栅金属层的边缘不会因第一栅金属层的边缘存在的坡度角而进一步存在较大的坡度角，进而在第二栅金属层一侧再形成层间介定层时，层间介定层不易发生断裂。相应的，形成于层间介定层一侧的源漏金属层与第二栅金属层不会发生信号串扰的问题。
94.图9是本公开实施例提供的一种显示装置的结构示意图。如图9所示，该显示装置包括：供电组件j1，以及如图3至图8任一所示的显示面板00。
95.其中，供电组件j1可以与显示面板00耦接，并用于为显示面板00供电。
96.可选的，该显示装置可以为：柔性oled显示装置、ltpo显示装置、手机、平板电脑、
电视机、显示器、笔记本电脑和导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
97.以上所述仅为本公开的可选实施例，并不用以限制本公开，凡在本公开的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本公开的保护范围之内。