显示装置和用于修复显示装置的方法与流程

显示装置和用于修复显示装置的方法
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2020年12月23日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0182541号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
3.本公开涉及一种显示装置和用于修复该显示装置的方法。


背景技术：

4.显示装置表示用于在屏幕上显示图像的装置，并且其可以是液晶显示器(lcd)和有机发光二极管显示器(oled)。显示装置用于诸如便携式电话、gps、数码相机、电子书、便携式游戏装置或各种终端的各种电子装置中。
5.有机发光器件可以包括两个电极和设置在这两个电极之间的有机发射层，并且从一个电极注入的电子与从另一个电极注入的空穴在有机发射层中复合以形成激子。激子从激发态跃迁到基态以输出能量并发射光。
6.有机发光器件可以包括多个像素，所述多个像素包括作为自发光器件的有机发光二极管，并且用于驱动有机发光二极管的多个晶体管和至少一个电容器形成在相应的像素中。
7.在构成显示装置的晶体管产生缺陷的情况下，对应的像素可能无法正常操作。可以进行用于修复像暗点一样的对应的像素的工艺，使得该像素的缺陷可以是不可见。在少量有缺陷的像素位于显示装置中的情况下，可能看不见有缺陷的像素。然而，在许多有缺陷的像素在显示装置中或者它们彼此靠近定位的情况下，它们会是可见的。
8.在该背景技术部分中公开的上述信息仅用于增强对所描述的技术的背景的理解，因此它可能包含可能不形成本领域普通技术人员可能已经知道的现有技术的信息。


技术实现要素：

9.所描述的技术提供了一种显示装置和用于修复显示装置的方法，该显示装置用于在晶体管产生缺陷时根据修复工艺使有缺陷的像素良好。
10.实施例提供了一种显示装置，该显示装置可以包括：驱动电压线、数据线、初始化电压线和光阻挡图案，设置在基底上；驱动晶体管的半导体层，电连接到驱动电压线；开关晶体管的半导体层，电连接到数据线的；初始化晶体管的半导体层，电连接到初始化电压线；驱动晶体管的栅极电极，与驱动晶体管的半导体层重叠；下存储电极，从驱动晶体管的栅极电极延伸并且电连接到开关晶体管的半导体层；上存储电极，电连接到驱动晶体管的半导体层、光阻挡图案和初始化晶体管的半导体层，并且与下存储电极重叠；第一辅助晶体管的半导体层，设置在与开关晶体管的半导体层和初始化晶体管的半导体层中的至少一个相邻的区域中；第一辅助晶体管的第一电极，电连接到第一辅助晶体管的半导体层且与数据线和初始化电压线中的至少一条重叠；以及第一辅助晶体管的第二电极，电连接到第一
辅助晶体管的半导体层且与下存储电极和光阻挡图案中的至少一个重叠。
11.显示装置还可以包括：扫描线，设置在基底上；以及开关晶体管的栅极电极、初始化晶体管的栅极电极和第一辅助晶体管的栅极电极，从扫描线延伸，其中，开关晶体管的栅极电极可以与开关晶体管的半导体层重叠，初始化晶体管的栅极电极可以与初始化晶体管的半导体层重叠，第一辅助晶体管的栅极电极可以与第一辅助晶体管的半导体层重叠。
12.显示装置还可以包括：开关晶体管的第一电极，电连接在开关晶体管的半导体层与数据线之间；开关晶体管的第二电极，电连接在开关晶体管的半导体层与下存储电极之间；以及初始化晶体管的第二电极，电连接在初始化晶体管的半导体层与初始化电压线之间。
13.数据线可以包括施加不同数据电压的第一数据线、第二数据线和第三数据线，并且第一辅助晶体管的第一电极可以与第一数据线、第二数据线和第三数据线重叠。
14.显示装置还可以包括：第二辅助晶体管的半导体层，设置在开关晶体管的半导体层的区域中；第二辅助晶体管的第一电极，电连接到第二辅助晶体管的半导体层并与数据线重叠；以及第二辅助晶体管的第二电极，电连接到第二辅助晶体管的半导体层且与下存储电极重叠，其中，第一辅助晶体管的半导体层可以与初始化晶体管的半导体层相邻设置，第一辅助晶体管的第一电极可以与初始化电压线重叠，并且第一辅助晶体管的第二电极可以与光阻挡图案重叠。
15.显示装置还可以包括：扫描线，设置在基底上；以及开关晶体管的栅极电极、初始化晶体管的栅极电极、第一辅助晶体管的栅极电极和第二辅助晶体管的栅极电极，从扫描线延伸，其中，开关晶体管的栅极电极可以与开关晶体管的半导体层重叠，初始化晶体管的栅极电极可以与初始化晶体管的半导体层重叠，第一辅助晶体管的栅极电极可以与第一辅助晶体管的半导体层重叠，第二辅助晶体管的栅极电极可以与第二辅助晶体管的半导体层重叠。
16.数据线可以包括施加不同数据电压的第一数据线、第二数据线和第三数据线，并且第二辅助晶体管的第一电极可以与第一数据线、第二数据线和第三数据线重叠。
17.实施例提供了一种用于修复显示装置的方法，该方法可以包括：将初始化晶体管的半导体层与初始化电压线之间断开；将初始化晶体管的半导体层与上存储电极之间断开；将第一辅助晶体管的第一电极与初始化电压线短路；以及将第一辅助晶体管的第二电极与上存储电极短路，其中，显示装置可以包括初始化晶体管、第一辅助晶体管、初始化电压线和上存储电极。
18.在第一辅助晶体管的第一电极与初始化电压线的短路中，可以将激光束照射到第一辅助晶体管的第一电极与初始化电压线的重叠部分，并且在第一辅助晶体管的第二电极与上存储电极的短路中，可以将激光束照射到第一辅助晶体管的第二电极与上存储电极的重叠部分。
19.该方法还可以包括：将开关晶体管的半导体层与数据线之间断开；将开关晶体管的半导体层与下存储电极之间断开；将第二辅助晶体管的第一电极与数据线短路；以及将第二辅助晶体管的第二电极与下存储电极短路，其中，显示装置还可以包括开关晶体管、第二辅助晶体管、数据线和下存储电极。
20.在使第二辅助晶体管的第一电极与数据线的短路中，可以将激光束照射到第二辅
助晶体管的第一电极与数据线的重叠部分，并且在使第二辅助晶体管的第二电极与下存储电极的短路中，可以将激光束照射到第二辅助晶体管的第二电极与下存储电极的重叠部分。
21.实施例提供了一种显示装置，该显示装置可以包括：驱动电压线、数据线、初始化电压线、光阻挡图案和虚设光阻挡图案，设置在基底上；驱动晶体管的半导体层，电连接到驱动电压线；开关晶体管的半导体层，电连接到数据线；初始化晶体管的半导体层，电连接到初始化电压线；驱动晶体管的栅极电极，与驱动晶体管的半导体层重叠；下存储电极，从驱动晶体管的栅极电极延伸并且电连接到开关晶体管的半导体层；上存储电极，电连接到驱动晶体管的半导体层、光阻挡图案和初始化晶体管的半导体层，并且与下存储电极重叠；虚设驱动晶体管的半导体层，设置在与驱动电压线相邻的区域中；虚设开关晶体管的半导体层，设置在与数据线相邻的区域中；虚设初始化晶体管的半导体层，设置在与初始化电压线相邻的区域中；虚设驱动晶体管的栅极电极，与虚设驱动晶体管的半导体层重叠；虚设下存储电极，从虚设驱动晶体管的栅极电极延伸并且电连接到虚设开关晶体管的半导体层；虚设上存储电极，电连接到虚设驱动晶体管的半导体层、虚设光阻挡图案和虚设初始化晶体管的半导体层，并且与虚设下存储电极重叠；以及驱动辅助线，与光阻挡图案和虚设光阻挡图案重叠。
22.显示装置还可以包括：扫描线和虚设扫描线，设置在基底上；开关晶体管的栅极电极和初始化晶体管的栅极电极，从扫描线延的；虚设开关晶体管的栅极电极和虚设初始化晶体管的栅极电极，从虚设扫描线延伸；以及扫描辅助线，与扫描线和虚设扫描线重叠，其中，开关晶体管的栅极电极可以与开关晶体管的半导体层重叠，初始化晶体管的栅极电极可以与初始化晶体管的半导体层重叠，虚设开关晶体管的栅极电极可以与虚设开关晶体管的半导体层重叠，虚设初始化晶体管的栅极电极可以与虚设初始化晶体管的半导体层重叠。
23.驱动辅助线可以包括：第一部分，与扫描线重叠；第二部分，与光阻挡图案重叠；第三部分，与初始化晶体管的半导体层重叠；以及第四部分，与开关晶体管的半导体层重叠，第一部分、第二部分、第三部分和第四部分可以彼此电连接，并且第三部分和第四部分可以与第一部分和第二部分设置在不同的层上。
24.显示装置还可以包括：开关晶体管的第一电极，电连接在开关晶体管的半导体层与数据线之间；开关晶体管的第二电极，电连接在开关晶体管的半导体层与下存储电极之间；以及初始化晶体管的第二电极，电连接在初始化晶体管的半导体层与初始化电压线之间，其中，开关晶体管的第一电极和第二电极以及初始化晶体管的第二电极可以与驱动辅助线的第一部分和第二部分设置在相同的层上。
25.基底可以包括显示区域和外围区域，驱动晶体管的半导体层和栅极电极、开关晶体管的半导体层和栅极电极以及初始化晶体管的半导体层和栅极电极可以设置在显示区域中，虚设驱动晶体管的半导体层和栅极电极、虚设开关晶体管的半导体层和栅极电极以及虚设初始化晶体管的半导体层和栅极电极可以设置在外围区域中，驱动电压线、数据线、初始化电压线、驱动辅助线和扫描辅助线可以从显示区域延伸到外围区域。
26.显示装置还可以包括：扫描线，设置在基底上；以及开关晶体管的栅极电极、初始化晶体管的栅极电极、虚设开关晶体管的栅极电极和虚设初始化晶体管的栅极电极，从扫
描线延伸，其中，开关晶体管的栅极电极可以与开关晶体管的半导体层重叠，初始化晶体管的栅极电极可以与初始化晶体管的半导体层重叠，虚设开关晶体管的栅极电极可以与虚设开关晶体管的半导体层重叠，虚设初始化晶体管的栅极电极可以与虚设初始化晶体管的半导体层重叠。
27.实施例提供了一种用于修复显示装置的方法，该方法可以包括：将驱动晶体管的半导体层与驱动电压线之间断开；将开关晶体管的半导体层与数据线之间断开；将初始化晶体管的半导体层与初始化电压线之间断开；将光阻挡图案和驱动辅助线短路；将上存储电极和下存储电极短路；将虚设驱动晶体管的半导体层与驱动电压线短路；将虚设开关晶体管的半导体层与数据线短路；将虚设初始化晶体管的半导体层与初始化电压线短路；以及将虚设光阻挡图案与驱动辅助线短路，其中，显示装置可以包括驱动晶体管、虚设驱动晶体管、开关晶体管、虚设开关晶体管、初始化晶体管、虚设初始化晶体管、驱动电压线、数据线、初始化电压线、光阻挡图案、虚设光阻挡图案、驱动辅助线以及上存储电极和下存储电极。
28.该方法还可以包括：将扫描线和扫描辅助线短路；以及将虚设扫描线和扫描辅助线短路，其中，显示装置还可以包括扫描线、虚设扫描线和扫描辅助线。
29.可以在光阻挡图案与驱动辅助线的短路中将激光束照射到光阻挡图案与驱动辅助线的重叠部分，可以在虚设光阻挡图案与驱动辅助线的短路中将激光束照射到虚设光阻挡图案与驱动辅助线的重叠部分，可以在扫描线与扫描辅助线的短路中将激光束照射到扫描线与扫描辅助线的重叠部分，可以在虚设扫描线与扫描辅助线的短路中将激光束照射到虚设扫描线与扫描辅助线的重叠部分。
30.根据实施例，在晶体管产生缺陷的情况下，可以根据修复工艺使有缺陷的像素良好。
附图说明
31.通过参照附图详细描述本公开的实施例，本公开的上述和其它方面和特征将变得更加明显。
32.图1示出了根据实施例的显示装置的像素的等效电路的示意图。
33.图2示出了根据实施例的显示装置的示意性俯视平面图。
34.图3示出了根据实施例的显示装置相对于图2的线iii-iii的示意性剖视图。
35.图4示出了根据实施例的显示装置相对于图2的线iv-iv的示意性剖视图。
36.图5至图8示出了按照用于制造根据实施例的显示装置的次序的顺序的示意性俯视平面图。
37.图9和图10示出了在根据实施例的显示装置的开关晶体管产生缺陷的情况下的修复方法。
38.图11和图12示出了在根据实施例的显示装置的初始化晶体管产生缺陷的情况下的修复方法。
39.图13和图14示出了在根据实施例的显示装置的初始化晶体管与数据线短路的情况下的修复方法。
40.图15示出了根据实施例的显示装置的像素的等效电路的示意图，并且图16示出了
根据实施例的显示装置的一部分的示意性俯视平面图。
41.图17和图18示出了在根据实施例的显示装置的开关晶体管和初始化晶体管产生缺陷的情况下的修复方法。
42.图19示出了根据实施例的显示装置的像素的等效电路的示意图。
43.图20示出了在根据实施例的显示装置的开关晶体管和初始化晶体管产生缺陷的情况下的修复方法。
44.图21示出了根据实施例的显示装置的示意性俯视平面图。
45.图22示出了根据实施例的显示装置的像素和虚设像素的等效电路的示意图。
46.图23示出了根据实施例的显示装置的显示区域的一部分的示意性俯视平面图。
47.图24示出了根据实施例的显示装置相对于图23的线xxiv-xxiv的示意性剖视图。
48.图25至图29示出了按照用于制造根据实施例的显示装置的次序的顺序的示意性俯视平面图。
49.图30示出了根据实施例的显示装置的外围区域的示意性俯视平面图。
50.图31至图33示出了在根据实施例的显示装置的像素产生缺陷的情况下的修复方法。
51.图34示出了根据实施例的显示装置的像素和虚设像素的等效电路的示意图，并且图35示出了根据实施例的显示装置的显示区域的一部分的示意性俯视平面图。
52.图36和图37示出了在根据实施例的显示装置的像素产生缺陷的情况下的修复方法。
53.图38示出了根据实施例的显示装置的一些组成元件的示意性剖视图。
具体实施方式
54.在下文中将参照附图更充分地描述本公开，附图中示出了实施例。如本领域技术人员将认识到的，在全部不脱离本公开的精神或范围的情况下，可以以各种不同的方式修改所描述的实施例。
55.为了清楚地描述本公开，可以省略可能与描述无关的部分，并且在整个说明书中，相同的元件将由相同的附图标记表示。
56.为了更好地理解和便于描述，任意地示出了附图中所示的每个构造的尺寸和厚度，但本公开不限于此。在附图中，为了清楚起见，夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。为了便于解释，夸大了一些层和区域的厚度。
57.如在此使用的，除非上下文另有明确说明，否则单数形式“一”、“一个(种/者)”和“该(所述)”也意图包括复数形式，。
58.在说明书和权利范围中，出于其含义和解释的目的，术语“和/或”意图包括术语“和”和“或”的任何组合。例如，“a和/或b”可以被理解为意指“a、b、或a和b”。术语“和”和“或”可以以连接词或非连接词的含义使用，并且可以被理解为等同于“和/或”。
59.在说明书和权利要求书中，出于其含义和解释的目的，短语
“……
中的至少一个(种/者)”意图包括“从
……
的组中选择的至少一个(种/者)”的含义。例如，“a和b中的至少一个(种/者)”可以被理解为意指“a、b、或a和b”。
60.将理解的是，尽管在此可以使用术语第一、第二等来描述各种元件，但这些元件不
应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如，在不脱离本公开的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，第二元件可以被称为第一元件。
61.为了便于描述，在此可以使用空间相对术语“在
……
下方”、“在
……
之下”、“下”、“在
……
上方”、“上”等来描述如附图中所示的一个元件或组件与另一元件或组件之间的关系。将理解的是，空间相对术语意图涵盖装置除了附图中描绘的方位之外在使用或操作中的不同方位。例如，在附图中所示的装置被翻转的情况下，被定位“在”其它装置“下方”或“之下”的装置可以位于其它装置“上方”。因此，说明性术语“在
……
下方”可以包括下部位置和上部位置两者。装置也可以在其它方向上取向，因此空间相对术语可以根据取向而不同地解释。
62.例如，当诸如层、膜、区域或基底的元件被称为“在”另一元件“上”时，该元件可以直接在所述另一元件上，或者也可以存在居间元件。相反，当元件被称为“直接在”另一元件“上”时，不存在居间元件。词语“在
……
上”或“在
……
上方”意指位于对象部分上或下方，并且不必然意指位于对象部分的基于重力方向的上侧上。
63.将理解的是，当元件(或区域、层、部分等)在说明书中被称为“在”另一元件“上”、“连接到”或“结合到”另一元件时，该元件可以直接设置在上述另一元件上、直接连接或结合到上述另一元件，或者可以在它们之间设置居间元件。
64.将理解的是，术语“连接到”或“结合到”可以包括物理连接或电连接或结合。
65.术语“与
……
重叠”或“重叠的”意指第一对象可以在第二对象的上方或下方或侧面，反之亦然。另外，术语“与
……
重叠”可以包括层叠、堆叠、面对或面向、在
……
之上延伸、覆盖或部分地覆盖或者本领域普通技术人员将领会和理解的任何其它合适的术语。
66.当元件被描述为“不与另一元件重叠”或“与另一元件不重叠”时，这可以包括元件彼此间隔开、彼此偏移或彼此分开或者本领域普通技术人员将领会和理解的任何其它合适的术语。
67.术语“面对”和“面向”意指第一元件可以直接地或间接地与第二元件相对。在第三元件置于第一元件与第二元件之间的情况下，尽管第一元件和第二元件仍然彼此面对，但第一元件和第二元件可以被理解为彼此间接相对。
68.除非明确相反地描述，否则词语“包括”及其诸如“含有”或“包括”的变型、“包括”和/或“包含”、“具有”、“具备”和/或“拥有”以及它们的变型将被理解为暗示包括所陈述的元件但不排除任何其它元件。
69.短语“在平面图中”意指从顶部观察对象部分，短语“在示意性剖视图中”意指从侧面观察对象部分的垂直切割的剖面。
70.考虑到所讨论的测量和与具体量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)，如在此使用的“大约(约)”或“几乎(或近似)”包括所陈述的值，并且意指在对于具体值的由本领域普通技术人员所确定的可接受的偏差范围内。例如，“大约(约)”可以意指在一个或多个标准偏差内，或者在所陈述值的
±
30％、
±
20％、
±
10％、
±
5％之内。
71.除非另有定义，否则在此使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，术语(诸如在通用字典中定义的术语)应被解释为具有与其在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且
将不以理想化或过于正式的含义进行解释，除非在此明确地如此定义。
72.现在将参照图1描述根据实施例的显示装置。
73.图1示出了根据实施例的显示装置的像素的等效电路的示意图。
74.显示装置可以包括像素px。如图1中所示，像素px可以分别包括晶体管t1、t2、t3和t4、电容器cst以及作为发光器件的至少一个发光二极管ed。在实施例中，将总体上描述其中一个像素px可以包括一个发光二极管ed的示例。
75.晶体管t1、t2、t3和t4包括驱动晶体管t1、开关晶体管t2、初始化晶体管t3和第一辅助晶体管t4。下面将描述的第一电极和第二电极连接到位于各个晶体管t1、t2、t3和t4的半导体层的沟道的相应侧上的第一区域和第二区域，并且它们可以是源极电极或漏极电极。第一电极和第二电极还可以表示位于半导体层的沟道的相应侧上的第一区域和第二区域。
76.驱动晶体管t1可以包括：栅极电极，连接到电容器cst的第一端；第一电极，连接到用于传输驱动电压elvdd的驱动电压线；以及第二电极，连接到发光二极管ed的阳极和电容器cst的第二端。驱动晶体管t1可以根据开关晶体管t2的开关操作接收数据电压da0，并且可以根据存储在电容器cst中的电压将驱动电流供应到发光二极管ed。
77.开关晶体管t2可以包括：栅极电极，连接到用于传输第一扫描信号sc的第一扫描线；第一电极，连接到用于传输数据电压da0或参考电压的数据线；以及第二电极，连接到电容器cst的第一端和驱动晶体管t1的栅极电极。开关晶体管t2可以根据第一扫描信号sc导通，并且可以将参考电压或数据电压da0传输到驱动晶体管t1的栅极电极和电容器cst的第一端。
78.初始化晶体管t3可以包括：栅极电极，连接到用于传输第一扫描信号sc的第一扫描线；第一电极，连接到电容器cst的第二端、驱动晶体管t1的第二电极和发光二极管ed的阳极；以及第二电极，连接到用于传输初始化电压init的初始化电压线。初始化晶体管t3可以通过第一扫描信号sc导通，并且可以将初始化电压init传输到发光二极管ed的阳极和电容器cst的第二端，以初始化发光二极管ed的阳极处的电压。
79.第一辅助晶体管t4的栅极电极可以电连接到用于传输第一扫描信号sc的第一扫描线。第一辅助晶体管t4中的一些或多个电极可以不电连接到其它布线，而是可以浮置。然而，在本公开的精神和范围内，它们可以电连接到其它布线。第一辅助晶体管t4的第一电极可以电连接到数据线或初始化电压线。第一辅助晶体管t4的第二电极可以电连接到驱动晶体管t1的栅极电极或第二电极。
80.各个像素px可以包括第一辅助晶体管t4，并且在大多数像素px中，第一辅助晶体管t4可以不电连接并且可以是不可操作的。然而，对于一些或多个像素px，第一辅助晶体管t4可以电连接到另一条布线并且可以是可操作的。例如，对于一些或多个像素px，在其中开关晶体管t2或初始化晶体管t3可能产生缺陷的像素的情况下，开关晶体管t2和初始化晶体管t3中的一个晶体管可能与其它布线分离，并且第一辅助晶体管t4可以电连接到其以代替分离的晶体管。在这种情况下，第一辅助晶体管t4用作开关晶体管t2或初始化晶体管t3。例如，第一辅助晶体管t4可以电连接在数据线与驱动晶体管t1的栅极电极之间，并且在这种情况下可以代替开关晶体管t2。作为另一示例，第一辅助晶体管t4可以电连接在初始化电压线与驱动晶体管t1的第二电极之间，并且在这种情况下可以代替初始化晶体管t3。
81.电容器cst的第一端连接到驱动晶体管t1的栅极电极，其第二端连接到初始化晶体管t3的第一电极和发光二极管ed的阳极。发光二极管ed的阴极连接到用于传输公共电压elvss的公共电压线。
82.发光二极管ed可以发射具有由驱动晶体管t1产生的驱动电流引起的亮度的光。
83.现在将参照图1和图2至图8描述根据实施例的显示装置的详细结构。
84.图2示出了根据实施例的显示装置的示意性俯视平面图，图3示出了根据实施例的显示装置相对于图2的线iii-iii的示意性剖视图，并且图4示出了根据实施例的显示装置相对于图2的线iv-iv的示意性剖视图。图5至图8示出了根据实施例的按照制造显示装置的次序的顺序的示意性俯视平面图。
85.图2至图8示出了根据实施例的显示装置的三个相邻像素，并且这三个像素可以重复地设置。
86.这里，像素px1、px2和px3可以分别表示其中上面提及的一个像素px所包括的构成元件(例如，晶体管t1、t2、t3和t4、电容器cst和发光二极管ed)所在的部分或区域。
87.根据实施例的显示装置可以包括基底110。基底110可以包括由于刚性特性而不弯曲的材料(诸如玻璃)，或者可以包括像塑料或聚酰亚胺一样的可以弯曲的柔性材料。
88.包括第一数据线171a、第二数据线171b和第三数据线171c的第一导电层可以位于基底110上。图5示出了第一导电层。
89.第一数据线171a、第二数据线171b和第三数据线171c在第一方向d1上延伸。例如，第一数据线171a、第二数据线171b和第三数据线171c可以具有宽度，并且可以具有在第一方向d1上延伸的条形形状。第一数据线171a、第二数据线171b和第三数据线171c可以在横穿第一方向d1的第二方向d2上彼此相邻定位。第一数据线171a、第二数据线171b和第三数据线171c可以被定位成在它们之间具有间隔。不同的数据电压da1、da2和da3被施加到第一数据线171a、第二数据线171b和第三数据线171c，第一数据线171a、第二数据线171b和第三数据线171c可以单独设置以防止它们之间的短路。第一方向d1可以是列方向，第二方向d2可以是行方向。第一方向d1和第二方向d2可以彼此交叉或相交，并且可以彼此正交。第二数据线171b可以相邻地位于第一数据线171a的右侧，第三数据线171c可以相邻地位于第二数据线171b的右侧。在这种情况下，数据线171a、171b和171c相邻定位的表述表示在数据线171a、171b和171c之间没有定位与数据线171a、171b和171c平行延伸的其它布线。例如，没有与相邻的第一数据线171a和第二数据线171b平行延伸的其它布线可以位于这些线之间。此外，没有其它布线可以位于彼此相邻的第二数据线171b和第三数据线171c之间。
90.第一导电层还可以包括公共电压线170、初始化电压线173、驱动电压线172和光阻挡图案177。
91.公共电压线170、初始化电压线173和驱动电压线172在第一方向d1上延伸。例如，公共电压线170、初始化电压线173和驱动电压线172可以平行于第一数据线171a、第二数据线171b和第三数据线171c延伸。公共电压线170、初始化电压线173和驱动电压线172可以被定位成彼此间隔开，且它们之间具有间隔。公共电压elvss可以被施加到公共电压线170，初始化电压init可以被施加到初始化电压线173，并且驱动电压elvdd可以被施加到驱动电压线172。施加不同电压的公共电压线170、初始化电压线173和驱动电压线172可以彼此间隔开，使得它们不会短路。初始化电压线173可以位于邻近第三数据线171c的区域附近或设置
在邻近第三数据线171c的区域中，并且公共电压线170可以位于邻近初始化电压线173的区域附近或设置在邻近初始化电压线173的区域中。然而，它们的位置不受限制并且可以改变。
92.在平面图中，光阻挡图案177可以位于驱动电压线172和第一数据线171a之间。第一像素px1、第二像素px2和第三像素px3分别包括光阻挡图案177，并且光阻挡图案177可以在第一方向d1上位于彼此相邻的区域附近或设置在彼此相邻的区域中。在平面图中，第二像素px2的光阻挡图案177可以位于第一像素px1的光阻挡图案177的底部处，并且第三像素px3的光阻挡图案177可以位于第二像素px2的光阻挡图案177的底部处。
93.光阻挡图案177的形状在平面图中可以是多边形。像素px1、px2和px3的光阻挡图案177的形状在平面图中可以相同或不同。例如，像素px1、px2和px3的光阻挡图案177可以是矩形的。
94.作为绝缘层的缓冲层111可以位于包括第一数据线171a、第二数据线171b、第三数据线171c、公共电压线170、初始化电压线173、驱动电压线172和光阻挡图案177的第一导电层上。
95.缓冲层111位于基底110和半导体层之间，并且其可以通过在用于形成多晶硅的结晶工艺期间阻挡来自基底110的杂质来改善多晶硅的特性。此外，可以通过平坦化基底110来减轻缓冲层111上的半导体层的应力。缓冲层111可以包括诸如氮化硅(sin
x
)、氧化硅(sio
x
)或氮氧化硅(sio
x
ny)的无机绝缘材料。缓冲层111可以是材料的单层结构或多层结构。
96.包括第一像素px1、第二像素px2和第三像素px3的驱动晶体管t1的半导体层1130、开关晶体管t2的半导体层2130、初始化晶体管t3的半导体层3130和第一辅助晶体管t4的半导体层4130的半导体层可以位于缓冲层111上。图6示出了第一导电层和半导体层。半导体层可以包括诸如非晶硅、多晶硅或氧化物半导体的半导体材料。
97.驱动晶体管t1的半导体层1130可以包括第一区域1131、沟道1132和第二区域1133。第一区域1131和第二区域1133可以是源极区域或漏极区域。第一区域1131、沟道1132和第二区域1133可以彼此成一体，并且可以具有在第二方向d2上延伸的条形形状。驱动晶体管t1的半导体层1130的沟道1132可以位于第一区域1131和第二区域1133之间。驱动晶体管t1的第一区域1131可以与驱动电压线172重叠。驱动晶体管t1的第一区域1131可以连接到驱动电压线172，并且可以从驱动电压线172接收驱动电压elvdd。在这种情况下，驱动晶体管t1的第一区域1131可以不连接到或不直接连接到驱动电压线172，而是可以间接连接到驱动电压线172。驱动晶体管t1的沟道1132和第二区域1133可以与光阻挡图案177重叠。
98.第一像素px1、第二像素px2和第三像素px3的驱动晶体管t1可以在第一方向d1上顺序地定位。例如，在平面图中，第二像素px2的驱动晶体管t1可以位于第一像素px1的驱动晶体管t1的底部处，并且第三像素px3的驱动晶体管t1可以位于第二像素px2的驱动晶体管t1的底部处。
99.开关晶体管t2的半导体层2130可以包括第一区域2131、沟道2132和第二区域2133。在这种情况下，第一区域2131和第二区域2133可以是源极区域或漏极区域。第一区域2131、沟道2132和第二区域2133可以彼此成一体，并且可以具有在第二方向d2上延伸的条形形状。开关晶体管t2的半导体层2130的沟道2132可以位于第一区域2131和第二区域2133
之间。开关晶体管t2的第一区域2131可以连接到数据线171a、171b和171c中的一条。例如，第一像素px1的开关晶体管t2的第一区域2131可以连接到第三数据线171c。第二像素px2的开关晶体管t2的第一区域2131可以连接到第二数据线171b。第三像素px3的开关晶体管t2的第一区域2131可以连接到第一数据线171a。然而，第一像素px1、第二像素px2和第三像素px3的开关晶体管t2的第一区域2131可以不连接到或不直接连接到数据线171a、171b和171c，而是可以间接连接到数据线171a、171b和171c。第一像素px1、第二像素px2和第三像素px3的开关晶体管t2与数据线171a、171b和171c的连接关系不限于此，并且可以以许多方式变化。例如，第一像素px1的开关晶体管t2的第一区域2131可以连接到第一数据线171a，第三像素px3的开关晶体管t2的第一区域2131可以连接到第三数据线171c。
100.第一像素px1、第二像素px2和第三像素px3的开关晶体管t2可以在第一方向d1上顺序地定位。例如，在平面图中，第二像素px2的开关晶体管t2可以位于第一像素px1的开关晶体管t2的底部处，并且第三像素px3的开关晶体管t2可以位于第二像素px2的开关晶体管t2的底部处。第一像素px1、第二像素px2和第三像素px3的开关晶体管t2连接到彼此不同的数据线171a、171b和171c。
101.初始化晶体管t3的半导体层3130可以包括第一区域3131、沟道3132和第二区域3133。在这种情况下，第一区域3131和第二区域3133可以是源极区域或漏极区域。第一区域3131、沟道3132和第二区域3133可以彼此成一体，并且可以具有在第二方向d2上延伸的条形形状。初始化晶体管t3的半导体层3130的沟道3132可以位于第一区域3131和第二区域3133之间。初始化晶体管t3的第二区域3133可以连接到初始化电压线173，并且可以接收初始化电压init。然而，初始化晶体管t3的第二区域3133可以不连接到或不直接连接到初始化电压线173，而是可以间接连接到初始化电压线173。初始化晶体管t3的第一区域3131可以连接到驱动晶体管t1的第二区域1133和光阻挡图案177。然而，初始化晶体管t3的第一区域3131可以不连接到或不直接连接到驱动晶体管t1的第二区域1133和光阻挡图案177，而是可以间接连接到驱动晶体管t1的第二区域1133和光阻挡图案177。
102.第一像素px1、第二像素px2和第三像素px3的初始化晶体管t3可以在第一方向d1上顺序地定位。例如，在平面图中，第二像素px2的初始化晶体管t3可以位于第一像素px1的初始化晶体管t3的底部处，并且第三像素px3的初始化晶体管t3可以位于第二像素px2的初始化晶体管t3的底部处。
103.第一辅助晶体管t4的半导体层4130可以包括第一区域4131、沟道4132和第二区域4133。在这种情况下，第一区域4131和第二区域4133可以是源极区域或漏极区域。第一区域4131、沟道4132和第二区域4133可以彼此成一体，并且可以具有在第二方向d2上延伸的条形形状。第一辅助晶体管t4的半导体层4130的沟道4132可以位于第一区域4131与第二区域4133之间。
104.第一辅助晶体管t4的半导体层4130可以定位或设置在开关晶体管t2的半导体层2130和初始化晶体管t3的半导体层3130附近。例如，第一辅助晶体管t4的半导体层4130可以定位或设置在开关晶体管t2的半导体层2130和初始化晶体管t3的半导体层3130之间。例如，初始化晶体管t3的半导体层3130、第一辅助晶体管t4的半导体层4130和开关晶体管t2的半导体层2130可以在第一方向d1上顺序地定位或设置。在这种情况下，第一辅助晶体管t4的半导体层4130的第一区域4131可以定位或设置在开关晶体管t2的半导体层2130的第
一区域2131与初始化晶体管t3的半导体层3130的第二区域3133之间。第一辅助晶体管t4的半导体层4130的沟道4132可以定位或设置在开关晶体管t2的半导体层2130的沟道2132与初始化晶体管t3的半导体层3130的沟道3132之间。第一辅助晶体管t4的半导体层4130的第二区域4133可以定位或设置在开关晶体管t2的半导体层2130的第二区域2133与初始化晶体管t3的半导体层3130的第一区域3131之间。
105.第一辅助晶体管t4的半导体层4130可以不电连接到其它布线。然而，取决于情况，第一辅助晶体管t4的半导体层4130可以电连接到另一条布线。例如，第一辅助晶体管t4的半导体层4130的第一区域4131可以电连接到数据线171a、171b和171c以及初始化电压线173中的一条。然而，第一辅助晶体管t4的半导体层4130的第一区域4131可以不连接到或不直接连接到数据线171a、171b和171c以及初始化电压线173中的一条，而是可以间接连接到数据线171a、171b和171c以及初始化电压线173中的一条。第一辅助晶体管t4的半导体层4130的第二区域4133可以电连接到驱动晶体管t1的栅极电极1155和驱动晶体管t1的半导体层1130的第二区域1133中的一个。然而，第一辅助晶体管t4的半导体层4130的第二区域4133可以不连接到或不直接连接到驱动晶体管t1的栅极电极1155和驱动晶体管t1的半导体层1130的第二区域1133中的一个，而是可以间接连接到驱动晶体管t1的栅极电极1155和驱动晶体管t1的半导体层1130的第二区域1133中的一个。
106.第一像素px1、第二像素px2和第三像素px3的第一辅助晶体管t4可以在第一方向d1上顺序地定位。例如，在平面图中，第二像素px2的第一辅助晶体管t4可以位于第一像素px1的第一辅助晶体管t4的底部处，并且第三像素px3的第一辅助晶体管t4可以位于第二像素px2的第一辅助晶体管t4的底部处。
107.第一绝缘层120可以位于包括驱动晶体管t1的半导体层1130、开关晶体管t2的半导体层2130、初始化晶体管t3的半导体层3130和第一辅助晶体管t4的半导体层4130的半导体层上。
108.包括第一像素px1、第二像素px2和第三像素px3的驱动晶体管t1的栅极电极1155、下存储电极1153、开关晶体管t2的栅极电极2155、初始化晶体管t3的栅极电极3155和第一辅助晶体管t4的栅极电极4155的第二导电层可以位于第一绝缘层120上。图7示出了第一导电层、半导体层和第二导电层。
109.驱动晶体管t1的栅极电极1155可以与驱动晶体管t1的沟道1132重叠。驱动晶体管t1的栅极电极1155可以从下存储电极1153延伸并且可以彼此成一体。下存储电极1153可以连接到开关晶体管t2的第二区域2133。然而，下存储电极1153可以不连接到或不直接连接到开关晶体管t2的第二区域2133，而是可以间接连接到开关晶体管t2的第二区域2133。
110.下存储电极1153的形状在平面图中可以是多边形。第一像素px1、第二像素px2和第三像素px3的下存储电极1153的形状在平面图中可以彼此相同或不同。
111.开关晶体管t2的栅极电极2155可以与开关晶体管t2的沟道2132重叠。第一像素px1、第二像素px2和第三像素px3的开关晶体管t2的栅极电极2155可以彼此连接并且可以彼此成一体。因此，可以将相同的第一扫描信号sc施加到第一像素px1、第二像素px2和第三像素px3的开关晶体管t2的栅极电极2155。在这种情况下，开关晶体管t2的彼此连接的栅极电极2155可以具有在第一方向d1上延伸的条形形状。
112.初始化晶体管t3的栅极电极3155可以与初始化晶体管t3的沟道3132重叠。第一像
素px1、第二像素px2和第三像素px3的初始化晶体管t3的栅极电极3155可以彼此连接并且可以彼此成一体。因此，可以将相同的第一扫描信号sc施加到第一像素px1、第二像素px2和第三像素px3的初始化晶体管t3的栅极电极3155。在这种情况下，初始化晶体管t3的彼此连接的栅极电极3155可以具有在第一方向d1上延伸的条形形状。
113.第一辅助晶体管t4的栅极电极4155可以与第一辅助晶体管t4的沟道4132重叠。第一像素px1、第二像素px2和第三像素px3的第一辅助晶体管t4的栅极电极4155可以彼此电连接并且可以彼此成一体。第一辅助晶体管t4的栅极电极4155可以电连接到开关晶体管t2的栅极电极2155和初始化晶体管t3的栅极电极3155，并且可以彼此成一体。
114.第二导电层还可以包括第一扫描线151。第一扫描线151可以在第二方向d2上延伸，例如，它可以在行方向上延伸。第一扫描线151可以连接到第一像素px1、第二像素px2和第三像素px3的初始化晶体管t3的栅极电极3155、第一辅助晶体管t4的栅极电极4155和开关晶体管t2的栅极电极2155，并且可以彼此成一体。
115.可以在形成第二导电层之后执行掺杂工艺或等离子体工艺。半导体层的被第二导电层覆盖的部分未被掺杂或未被等离子体处理，并且半导体层的未被第二导电层覆盖的部分被掺杂或被等离子体处理，从而具有与导体相同的特性。例如，被第二导电层覆盖的驱动晶体管t1的沟道1132、开关晶体管t2的沟道2132、初始化晶体管t3的沟道3132和第一辅助晶体管t4的沟道4132未被掺杂或未被等离子体处理。未被第二导电层覆盖的驱动晶体管t1的第一区域1131和第二区域1133、开关晶体管t2的第一区域2131和第二区域2133、初始化晶体管t3的第一区域3131和第二区域3133以及第一辅助晶体管t4的第一区域4131和第二区域4133被掺杂或被等离子体处理，从而具有与导体相同的特性。
116.第二绝缘层160可以位于包括驱动晶体管t1的栅极电极1155、下存储电极1153、开关晶体管t2的栅极电极2155、初始化晶体管t3的栅极电极3155和第一辅助晶体管t4的栅极电极4155的第二导电层上。
117.包括驱动晶体管t1的第一电极1173、上存储电极1154、开关晶体管t2的第一电极2173和第二电极2175、初始化晶体管t3的第二电极3175以及第一辅助晶体管t4的第一电极4173和第二电极4175的第三导电层可以位于第二绝缘层160上。图8示出了第一导电层、半导体层、第二导电层和第三导电层。
118.驱动晶体管t1的第一电极1173可以与驱动电压线172重叠。第二绝缘层160可以包括与驱动晶体管t1的第一电极1173和驱动电压线172重叠的开口1161。开口1161还可以形成在第一绝缘层120和缓冲层111中。驱动晶体管t1的第一电极1173可以穿过开口1161连接到驱动电压线172。驱动晶体管t1的第一电极1173可以与驱动晶体管t1的半导体层1130的第一区域1131重叠。第二绝缘层160可以包括与驱动晶体管t1的第一电极1173和驱动晶体管t1的半导体层1130的第一区域1131重叠的开口1162。开口1162还可以形成在第一绝缘层120中。驱动晶体管t1的第一电极1173可以穿过开口1162连接到驱动晶体管t1的半导体层1130的第一区域1131。驱动晶体管t1的半导体层1130的第一区域1131可以通过驱动晶体管t1的第一电极1173连接到驱动电压线172。因此，驱动电压elvdd可以通过驱动电压线172被施加到驱动晶体管t1的半导体层1130的第一区域1131。
119.上存储电极1154可以与下存储电极1153重叠。下存储电极1153和上存储电极1154可以彼此重叠且它们之间具有第二绝缘层160，以形成电容器cst。下存储电极1153也可以
与光阻挡图案177重叠，且它们之间具有第一绝缘层120，从而形成另一电容器cst。
120.上存储电极1154可以与驱动晶体管t1的第二区域1133重叠。第二绝缘层160可以包括与上存储电极1154和驱动晶体管t1的第二区域1133重叠的开口1163。开口1163还可以形成在第一绝缘层120中。上存储电极1154可以穿过开口1163连接到驱动晶体管t1的第二区域1133。
121.上存储电极1154可以与光阻挡图案177重叠。第二绝缘层160可以包括与上存储电极1154和光阻挡图案177重叠的开口1164。开口1164还可以包括在第一绝缘层120和缓冲层111中。上存储电极1154可以穿过开口1164连接到光阻挡图案177。因此，光阻挡图案177可以通过上存储电极1154连接到驱动晶体管t1的第二区域1133。与施加到驱动晶体管t1的第二区域1133的电压相同的电压可以被施加到光阻挡图案177。
122.上存储电极1154可以与初始化晶体管t3的第一区域3131重叠。第二绝缘层160可以包括与上存储电极1154和初始化晶体管t3的第一区域3131重叠的开口1165。开口1165还可以包括在第一绝缘层120中。上存储电极1154可以穿过开口1165连接到初始化晶体管t3的第一区域3131。因此，初始化晶体管t3的第一区域3131可以通过上存储电极1154连接到驱动晶体管t1的第二区域1133。
123.各个第一像素px1、第二像素px2和第三像素px3包括上存储电极1154、下存储电极1153和光阻挡图案177。在平面图中，第一像素px1、第二像素px2和第三像素px3的上存储电极1154、下存储电极1153和光阻挡图案177可以位于驱动电压线172和第一数据线171a之间。第一像素px1、第二像素px2和第三像素px3的上存储电极1154可以在第一方向d1上位于彼此相邻的区域附近或设置在彼此相邻的区域中。在平面图中，第二像素px2的上存储电极1154可以位于第一像素px1的上存储电极1154的底部处，并且第三像素px3的上存储电极1154可以位于第二像素px2的上存储电极1154的底部处。第一像素px1、第二像素px2和第三像素px3的下存储电极1153可以在第一方向d1上位于彼此相邻的区域附近或设置在彼此相邻的区域中。在平面图中，第二像素px2的下存储电极1153可以位于第一像素px1的下存储电极1153的底部处，并且第三像素px3的下存储电极1153可以位于第二像素px2的下存储电极1153的底部处。
124.上存储电极1154的形状在平面图中可以是多边形。第一像素px1、第二像素px2和第三像素px3的上存储电极1154的形状在平面图中可以相同或不同。
125.开关晶体管t2的第一电极2173的第一侧端可以与开关晶体管t2的半导体层2130的第一区域2131重叠。第二绝缘层160可以包括与开关晶体管t2的第一电极2173和半导体层2130的第一区域2131重叠的开口2161。开口2161还可以形成在第一绝缘层120中。开关晶体管t2的第一电极2173可以穿过开口2161连接到开关晶体管t2的半导体层2130的第一区域2131。
126.开关晶体管t2的第一电极2173的第二侧端可以与数据线171a、171b和171c重叠。第二绝缘层160可以包括与开关晶体管t2的第一电极2173以及数据线171a、171b和171c重叠的开口2162。开口2162还可以形成在第一绝缘层120中。开关晶体管t2的第一电极2173可以穿过开口2162连接到数据线171a、171b和171c中的一条。关于第一像素px1，开关晶体管t2的第一电极2173可以穿过开口2162连接到第三数据线171c。关于第二像素px2，开关晶体管t2的第一电极2173可以连接到第二数据线171b，并且关于第三像素px3，开关晶体管t2的
第一电极2173可以连接到第一数据线171a。然而，不限于此，开关晶体管t2的第一电极2173与数据线171a、171b和171c的连接关系可以关于第一像素px1、第二像素px2和第三像素px3以各种方式改变。例如，关于第一像素px1，开关晶体管t2的第一电极2173可以连接到第一数据线171a。
127.开关晶体管t2的第二电极2175的第一侧端可以与开关晶体管t2的半导体层2130的第二区域2133重叠。第二绝缘层160可以包括与开关晶体管t2的第二电极2175和半导体层2130的第二区域2133重叠的开口1169。开口1169还可以形成在第一绝缘层120中。开关晶体管t2的第二电极2175可以穿过开口1169连接到开关晶体管t2的半导体层2130的第二区域2133。
128.开关晶体管t2的第二电极2175的第二侧端可以与下存储电极1153重叠。第二绝缘层160可以包括与开关晶体管t2的第二电极2175和下存储电极1153重叠的开口1168。开关晶体管t2的第二电极2175可以穿过开口1168连接到下存储电极1153。因此，开关晶体管t2的半导体层2130的第二区域2133可以通过第二电极2175和下存储电极1153连接到驱动晶体管t1的栅极电极1155。
129.初始化晶体管t3的第二电极3175的第一侧端可以与初始化晶体管t3的半导体层3130的第二区域3133重叠。第二绝缘层160可以包括与初始化晶体管t3的第二电极3175和半导体层3130的第二区域3133重叠的开口1166。开口1166还可以形成在第一绝缘层120中。初始化晶体管t3的第二电极3175可以穿过开口1166连接到初始化晶体管t3的半导体层3130的第二区域3133。
130.初始化晶体管t3的第二电极3175的第二侧端可以与初始化电压线173重叠。第二绝缘层160可以包括与初始化晶体管t3的第二电极3175和初始化电压线173重叠的开口1167。开口1167还可以形成在第一绝缘层120和缓冲层111中。初始化晶体管t3的第二电极3175可以穿过开口1167连接到初始化电压线173。因此，初始化晶体管t3的半导体层3130的第二区域3133可以通过第二电极3175连接到初始化电压线173。初始化晶体管t3的半导体层3130的第二区域3133可以通过初始化电压线173接收初始化电压init。
131.第一辅助晶体管t4的第一电极4173的第一侧端可以与第一辅助晶体管t4的半导体层4130的第一区域4131重叠。第二绝缘层160可以包括与第一辅助晶体管t4的第一电极4173和半导体层4130的第一区域4131重叠的开口2163。开口2163还可以形成在第一绝缘层120中。第一辅助晶体管t4的第一电极4173可以穿过开口2163电连接到第一辅助晶体管t4的半导体层4130的第一区域4131。
132.第一辅助晶体管t4的第一电极4173的第二侧端可以与数据线171a、171b和171c以及初始化电压线173重叠。第一辅助晶体管t4的第一电极4173可以不电连接到数据线171a、171b和171c以及初始化电压线173。然而，根据情况，一个像素px的第一辅助晶体管t4的第一电极4173可以电连接到数据线171a、171b和171c以及初始化电压线173中的一条。
133.第一辅助晶体管t4的第二电极4175可以包括第一部分4175a和第二部分4175b。第一辅助晶体管t4的第二电极4175的第一部分4175a和第二部分4175b可以彼此成一体。第一辅助晶体管t4的第二电极4175的第一部分4175a的第一侧端可以电连接到第一辅助晶体管t4的半导体层4130的第二区域4133中的第二部分4175b的第一侧端。例如，第一辅助晶体管t4的第二电极4175可以与第一辅助晶体管t4的半导体层4130的第二区域4133重叠。第二绝
缘层160可以包括与第一辅助晶体管t4的第二电极4175和半导体层4130的第二区域4133重叠的开口2164。开口2164还可以形成在第一绝缘层120中。第一辅助晶体管t4的第二电极4175可以穿过开口2164电连接到第一辅助晶体管t4的半导体层4130的第二区域4133。第一辅助晶体管t4的第二电极4175的第一部分4175a的第二侧端可以与下存储电极1153重叠。第一辅助晶体管t4的第二电极4175的第二部分4175b的第二侧端可以与光阻挡图案177重叠。第一辅助晶体管t4的第二电极4175可以不电连接到下存储电极1153和光阻挡图案177。然而，根据情况，一个像素px的第一辅助晶体管t4的第二电极4175可以电连接到下存储电极1153和光阻挡图案177。
134.第三绝缘层180可以位于包括驱动晶体管t1的第一电极1173、上存储电极1154、开关晶体管t2的第一电极2173和第二电极2175、初始化晶体管t3的第二电极3175以及第一辅助晶体管t4的第一电极4173和第二电极4175的第三导电层上。
135.第一导电层、第二导电层和第三导电层中的至少一个可以包括来自铜(cu)、铝(al)、镁(mg)、银(ag)、金(au)、铂(pt)、钯(pd)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、钼(mo)、钨(w)、钛(ti)、铬(cr)和钽(ta)之中的至少一种金属和它们的合金。第一导电层、第二导电层和第三导电层可以分别由单层或多层制成。例如，第一导电层、第二导电层和第三导电层中的至少一个可以具有包括包含钛的下层和包含铜的上层的多层结构。
136.缓冲层111、第一绝缘层120、第二绝缘层160和第三绝缘层180中的至少一个可以包括无机绝缘材料(诸如氮化硅(sin
x
)、氧化硅(sio
x
)或氮氧化硅(sio
x
ny))和/或有机绝缘材料(诸如聚酰亚胺、丙烯酸类聚合物或硅氧烷类聚合物)。
137.尽管未示出，但是像素电极可以位于第三绝缘层180上。像素电极可以连接到驱动晶体管t1，并且可以接收驱动晶体管t1的输出电流。第四绝缘层可以位于像素电极上。可以在第四绝缘层中形成开口，并且第四绝缘层的开口可以与像素电极重叠。发射层可以位于像素电极和第四绝缘层上，并且公共电极可以位于发射层上。像素电极、发射层和公共电极可以形成发光二极管ed。
138.现在将参照图9至图14描述根据实施例的用于修复显示装置的方法。
139.图9和图10示出了在根据实施例的显示装置的开关晶体管产生缺陷的情况下的修复方法，图11和图12示出了在根据实施例的显示装置的初始化晶体管产生缺陷的情况下的修复方法，图13和图14示出了在根据实施例的显示装置的初始化晶体管与数据线短路的情况下的修复方法。
140.如图9和图10中所示，根据实施例，显示装置的开关晶体管t2可能产生缺陷ft。例如，开关晶体管t2的半导体层2130的区域可能断开，或者开关晶体管t2的半导体层2130和栅极电极2155(见图4)可能短路。在这种情况下，开关晶体管t2可能无法正常操作。
141.产生缺陷ft的开关晶体管t2可以与对应的像素px分离。在开关晶体管t2与数据线171a、171b和171c之间进行断开ct1，并且在开关晶体管t2与驱动晶体管t1的栅极电极1155(见图3)之间可以进行断开ct2。例如，可以将激光束照射到开关晶体管t2的第一电极2173(见图4)而使开关晶体管t2的第一电极2173的区域断开ct1。在这种情况下，可以将激光束照射到第一电极2173的位于开关晶体管t2的半导体层2130的第一区域2131附近或设置在与开关晶体管t2的半导体层2130的第一区域2131相邻的区域中的部分。由此，开关晶体管t2的半导体层2130的第一区域2131与数据线171a、171b和171c之间的连接可以被解除。此
外，可以通过将激光束照射到开关晶体管t2的第二电极2175(见图4)而使开关晶体管t2的第二电极2175的区域断开ct2。在这种情况下，可以将激光束照射到第二电极2175的位于开关晶体管t2的半导体层2130的第二区域2133附近或设置在与开关晶体管t2的半导体层2130的第二区域2133相邻的区域中的部分。因此，开关晶体管t2的半导体层2130的第二区域2133和下存储电极1153之间的连接可以被解除。开关晶体管t2的半导体层2130的第二区域2133与驱动晶体管t1的栅极电极1155之间的连接可以被解除。例如，可以通过使开关晶体管t2的区域断开ct1和ct2将开关晶体管t2与对应的像素px分离。
142.第一辅助晶体管t4可以代替开关晶体管t2，并且可以通过将第一辅助晶体管t4连接到对应的像素px而起到相同的作用。第一辅助晶体管t4与数据线171a、171b和171c中的一条可以进行短路st1，并且第一辅助晶体管t4与驱动晶体管t1的栅极电极1155(见图3)可以进行短路st2。例如，可以通过将激光束照射到第一辅助晶体管t4的第一电极4173与数据线171a、171b和171c中的一条的重叠部分而使第一辅助晶体管t4的第一电极4173与数据线171a、171b和171c中的一条短路st1。因此，第一辅助晶体管t4的第一电极4173可以连接到数据线171a、171b和171c中的一条。连接到对应的像素px的开关晶体管t2的数据线171a、171b和171c可以连接到第一辅助晶体管t4的第一电极4173。例如，在关于对应的像素px，开关晶体管t2连接到第三数据线171c的情况下，该连接被解除，并且第三数据线171c可以连接到第一辅助晶体管t4的第一电极4173。可以通过将激光束照射到第一辅助晶体管t4的第二电极4175(见图4)的第一部分4175a和下存储电极1153的重叠部分而使第一辅助晶体管t4的第二电极4175的第一部分4175a和下存储电极1153短路st2。第一辅助晶体管t4的第二电极4175可以相应地连接到下存储电极1153。第一辅助晶体管t4的半导体层4130的第二区域4133可以通过第二电极4175和下存储电极1153连接到驱动晶体管t1的栅极电极1155。例如，可以通过使第一辅助晶体管t4和另一条布线或电极短路st1和st2而将第一辅助晶体管t4连接到对应的像素px。
143.关于根据实施例的显示装置，每个像素px可以包括第一辅助晶体管t4，因此在开关晶体管t2产生缺陷ft的情况下，第一辅助晶体管t4可以根据包括激光切割工艺和激光短路工艺的修复工艺来代替开关晶体管t2。
144.如图11和图12中所示，根据实施例，显示装置的初始化晶体管t3可能产生缺陷ft。例如，初始化晶体管t3的半导体层3130的区域可能断开，或者初始化晶体管t3的半导体层3130和栅极电极3155可能短路。在这种情况下，初始化晶体管t3可能无法适当地操作。
145.产生缺陷ft的初始化晶体管t3可以与对应的像素px分离。在初始化晶体管t3和初始化电压线173之间可以进行断开ct1，并且在初始化晶体管t3和驱动晶体管t1的第二电极之间可以进行断开ct2。例如，可以通过将激光束照射到初始化晶体管t3的第二电极3175而使初始化晶体管t3的第二电极3175的区域断开ct1。在这种情况下，可以将激光束照射到第二电极3175的位于初始化晶体管t3的半导体层3130的第二区域3133附近或设置在与初始化晶体管t3的半导体层3130的第二区域3133相邻的区域中的部分。因此，初始化晶体管t3的半导体层3130的第二区域3133与初始化电压线173之间的连接可以被解除。可以通过将激光束照射到上存储电极1154而使上存储电极1154的区域断开ct2。在这种情况下，可以将激光束照射到上存储电极1154的位于初始化晶体管t3的半导体层3130的第一区域3131附近或设置在与初始化晶体管t3的半导体层3130的第一区域3131相邻的区域中的部分。上存
储电极1154与初始化晶体管t3的半导体层3130的第一区域3131之间的连接可以被解除。初始化晶体管t3的半导体层3130的第一区域3131与驱动晶体管t1的半导体层1130(见图6)的第二区域1133(见图6)之间的连接可以被解除。例如，可以通过使初始化晶体管t3的区域断开ct1并使上存储电极1154的区域来断开ct2将初始化晶体管t3与对应的像素px分离。
146.通过将第一辅助晶体管t4和对应的像素px连接，第一辅助晶体管t4可以代替初始化晶体管t3并且可以起到相同的作用。第一辅助晶体管t4和初始化电压线173可以短路st1，并且第一辅助晶体管t4和驱动晶体管t1的第二电极可以短路st2。例如，可以通过将激光束照射到第一辅助晶体管t4的第一电极4173和初始化电压线173的重叠部分而使第一辅助晶体管t4的第一电极4173和初始化电压线173短路st1。因此，第一辅助晶体管t4的第一电极4173可以连接到初始化电压线173。此外，可以通过将激光束照射到第一辅助晶体管t4的第二电极4175的第二部分4175b和光阻挡图案177的重叠部分而使第一辅助晶体管t4的第二电极4175的第二部分4175b和光阻挡图案177短路st2。第一辅助晶体管t4的第二电极4175可以相应地连接到光阻挡图案177。第一辅助晶体管t4的半导体层4130的第二区域4133可以通过第二电极4175、光阻挡图案177和上存储电极1154连接到驱动晶体管t1的半导体层1130的第二区域1133。例如，可以通过使第一辅助晶体管t4和另一条布线或电极短路st1和st2而将第一辅助晶体管t4连接到对应的像素px。
147.关于根据实施例的显示装置，每个像素px可以包括第一辅助晶体管t4，因此在初始化晶体管t3产生缺陷ft的情况下，第一辅助晶体管t4可以根据包括激光切割工艺和激光短路工艺的修复工艺来代替初始化晶体管t3。
148.如图13和图14中所示，根据实施例，显示装置的初始化晶体管t3可能产生缺陷ft。例如，初始化晶体管t3的第二电极3175和数据线171a、171b和171c可能短路。在这种情况下，初始化晶体管t3的第二电极3175和第一数据线171a可能短路。由此，初始化晶体管t3可能无法正常操作，并且第一数据线171a可以通过初始化晶体管t3的第二电极3175连接到初始化电压线173。
149.产生缺陷ft的初始化晶体管t3可以与对应的像素px分离。例如，以与参照图11和图12描述的示例类似的方式，可以通过将激光束照射到第二电极3175的位于初始化晶体管t3的半导体层3130的第二区域3133附近或设置在与初始化晶体管t3的半导体层3130的第二区域3133相邻的区域中的部分而使初始化晶体管t3的第二电极3175的区域断开ct1。可以通过将激光束照射到上存储电极1154的位于初始化晶体管t3的半导体层3130的第一区域3131附近或设置在与初始化晶体管t3的半导体层3130的第一区域3131相邻的区域中的部分而使上存储电极1154的区域断开ct2。由此，初始化晶体管t3可以与对应的像素px分离。
150.可以通过将激光束照射到初始化晶体管t3的位于数据线171a、171b和171c与初始化电压线173之间的第二电极3175而使初始化晶体管t3的第二电极3175的区域断开ct3。可以将激光束照射到初始化晶体管t3的第二电极3175的位于第一数据线171a和第二数据线171b之间的部分。初始化电压线173与第一数据线171a之间的连接可以解除。例如，可以分离产生缺陷ft的部分，使得该部分可以不通过初始化晶体管t3的第二电极3175和第一数据线171a之间的短路而连接到另一条布线。
151.通过将第一辅助晶体管t4连接到对应的像素px，第一辅助晶体管t4可以代替初始
化晶体管t3并且可以起到相同的作用。例如，以与参照图11和图12描述的示例类似的方式，可以通过将激光束照射到第一辅助晶体管t4的第一电极4173和初始化电压线173的重叠部分而使第一辅助晶体管t4的第一电极4173和初始化电压线173短路st1。可以通过将激光束照射到第一辅助晶体管t4的第二电极4175的第二部分4175b和光阻挡图案177的重叠部分而使第一辅助晶体管t4的第二电极4175的第二部分4175b和光阻挡图案177短路st2。由此，第一辅助晶体管t4可以连接到对应的像素px。
152.现在将参照图15和图16描述根据实施例的显示装置。
153.根据参照图15和图16描述的实施例的显示装置主要对应于根据参照图1至图8描述的实施例的显示装置，因此将不描述相同的部分。该实施例与前述实施例的不同之处在于，它还可以包括第二辅助晶体管，现在将对其进行描述。
154.图15示出了根据实施例的显示装置的像素的等效电路的示意图，并且图16示出了根据实施例的显示装置的一部分的示意性俯视平面图。
155.根据实施例的显示装置可以包括像素px。如图15和图16中所示，像素px可以分别包括晶体管t1、t2、t3、t4和t5、电容器cst和作为发光器件的至少一个发光二极管ed。
156.晶体管t1、t2、t3、t4和t5以与前述实施例一样的方式包括驱动晶体管t1、开关晶体管t2、初始化晶体管t3和第一辅助晶体管t4，并且在实施例中，它们另外包括第二辅助晶体管t5。
157.第一辅助晶体管t4的栅极电极可以连接到用于传输第一扫描信号sc的第一扫描线。第一辅助晶体管t4的电极可以不连接到其它布线，而是可以浮置。然而，根据情况，它可以连接到其它布线。第一辅助晶体管t4的第一电极可以连接到初始化电压线173。第一辅助晶体管t4的第二电极可以连接到驱动晶体管t1的第二电极。
158.各个像素px包括第一辅助晶体管t4，并且在大多数像素px中，第一辅助晶体管t4未连接并且可以是不可操作的。然而，对于像素px，第一辅助晶体管t4可以连接到另一条布线并且可以操作。例如，对于像素px，在初始化晶体管t3产生缺陷的情况下，初始化晶体管t3与其它布线分离，并且作为代替，可以连接第一辅助晶体管t4。第一辅助晶体管t4用作初始化晶体管t3。例如，第一辅助晶体管t4可以连接在初始化电压线173和驱动晶体管t1的第二电极之间，并且可以代替初始化晶体管t3。
159.第二辅助晶体管t5的栅极电极可以连接到用于传输第一扫描信号sc的第一扫描线。第二辅助晶体管t5的电极可以不连接到其它布线，而是可以浮置。然而，根据情况，它可以连接到其它布线。第二辅助晶体管t5的第一电极可以连接到数据线171a、171b和171c。第二辅助晶体管t5的第二电极可以连接到驱动晶体管t1的栅极电极1155。
160.各个像素px包括第二辅助晶体管t5，并且在大多数像素px中，第二辅助晶体管t5未连接并且可以是不可操作的。然而，对于像素px，第二辅助晶体管t5可以连接到另一条布线并且可以操作。例如，对于像素px，在开关晶体管t2产生缺陷的情况下，开关晶体管t2与其它布线分离，并且作为代替，可以连接第二辅助晶体管t5。第二辅助晶体管t5用作开关晶体管t2。例如，第二辅助晶体管t5可以连接在数据线171a、171b和171c和驱动晶体管t1的栅极电极1155之间，并且可以代替开关晶体管t2。
161.根据实施例的显示装置可以包括图3中的基底110以及位于基底110上的第一导电层、半导体层、第二导电层和第三导电层。
162.以与前述实施例一样的方式，在实施例中，半导体层可以包括驱动晶体管t1的半导体层1130、开关晶体管t2的半导体层2130、初始化晶体管t3的半导体层3130和第一辅助晶体管t4的半导体层4130，并且还可以包括第二辅助晶体管t5的半导体层5130。
163.第一辅助晶体管t4的半导体层4130可以包括第一区域4131、沟道4132和第二区域4133。第二辅助晶体管t5的半导体层5130可以包括第一区域5131、沟道5132和第二区域5133。
164.第一辅助晶体管t4的半导体层4130可以位于与初始化晶体管t3的半导体层3130相邻的区域附近或设置在与初始化晶体管t3的半导体层3130相邻的区域中。例如，在平面图中，第一辅助晶体管t4的半导体层4130可以位于初始化晶体管t3的半导体层3130的底部处。
165.第二辅助晶体管t5的半导体层5130可以位于与开关晶体管t2的半导体层2130相邻的区域附近或设置在与开关晶体管t2的半导体层2130相邻的区域中。例如，在平面图中，第二辅助晶体管t5的半导体层5130可以位于开关晶体管t2的半导体层2130的上侧上。例如，初始化晶体管t3的半导体层3130、第一辅助晶体管t4的半导体层4130、第二辅助晶体管t5的半导体层5130和开关晶体管t2的半导体层2130可以在第一方向d1上顺序地定位。然而，半导体层在平面图中的设置形式不限于此，并且可以以许多方式变化。例如，第一辅助晶体管t4的半导体层4130、初始化晶体管t3的半导体层3130、开关晶体管t2的半导体层2130和第二辅助晶体管t5的半导体层5130可以在第一方向d1上顺序地定位。
166.第一辅助晶体管t4的半导体层4130和第二辅助晶体管t5的半导体层5130可以不电连接到其它布线。然而，根据情况，第一辅助晶体管t4的半导体层4130可以连接到另一条布线。例如，第一辅助晶体管t4的半导体层4130的第一区域4131可以连接到初始化电压线173。第一辅助晶体管t4的半导体层4130的第二区域4133可以连接到驱动晶体管t1的半导体层1130的第二区域1133。第二辅助晶体管t5的半导体层5130的第一区域5131可以连接到数据线171a、171b和171c中的一条。第二辅助晶体管t5的半导体层5130的第二区域5133可以连接到驱动晶体管t1的栅极电极1155。
167.以与前述实施例一样的方式，在实施例中，第二导电层可以包括驱动晶体管t1的栅极电极1155、下存储电极1153、开关晶体管t2的栅极电极2155、初始化晶体管t3的栅极电极3155和第一辅助晶体管t4的栅极电极4155，并且还可以包括第二辅助晶体管t5的栅极电极5155。
168.第二辅助晶体管t5的栅极电极5155可以与第二辅助晶体管t5的沟道5132重叠。第一像素px1、第二像素px2和第三像素px3的第二辅助晶体管t5的栅极电极5155可以彼此连接，并且可以彼此成一体。第二辅助晶体管t5的栅极电极5155可以连接到开关晶体管t2的栅极电极2155、初始化晶体管t3的栅极电极3155和第一辅助晶体管t4的栅极电极4155，并且可以彼此成一体。
169.可以在形成第二导电层之后执行掺杂工艺或等离子体工艺。第二辅助晶体管t5的沟道5132可以未掺杂或未等离子体处理。第二辅助晶体管t5的第一区域5131和第二区域5133可以掺杂或等离子体处理以具有与导体相同的特性。
170.以与前述实施例一样的方式，在实施例中，第三导电层可以包括驱动晶体管t1的第一电极1173、上存储电极1154、开关晶体管t2的第一电极2173和第二电极2175、初始化晶
体管t3的第二电极3175以及第一辅助晶体管t4的第一电极4173和第二电极4175，并且还可以包括第二辅助晶体管t5的第一电极5173和第二电极5175。
171.第一辅助晶体管t4的第一电极4173的第一侧端可以连接到第一辅助晶体管t4的半导体层4130的第一区域4131。第一辅助晶体管t4的第一电极4173的第二侧端可以与初始化电压线173重叠。
172.第一辅助晶体管t4的第二电极4175的第一侧端可以连接到第一辅助晶体管t4的半导体层4130的第二区域4133。第一辅助晶体管t4的第二电极4175的第二侧端可以与光阻挡图案177重叠。
173.第二辅助晶体管t5的第一电极5173的第一侧端可以连接到第二辅助晶体管t5的半导体层5130的第一区域5131。第二辅助晶体管t5的第一电极5173的第二侧端可以与数据线171a、171b和171c重叠。
174.第二辅助晶体管t5的第二电极5175的第一侧端可以连接到第二辅助晶体管t5的半导体层5130的第二区域5133。第二辅助晶体管t5的第二电极5175的第二侧端可以与下存储电极1153重叠。
175.现在将参照图17和图18描述根据实施例的用于修复显示装置的方法。
176.图17和图18示出了在根据实施例的显示装置的开关晶体管和初始化晶体管产生缺陷的情况下的修复方法。
177.如图17和图18中所示，根据实施例，显示装置的开关晶体管t2和初始化晶体管t3可能产生缺陷ft。例如，开关晶体管t2的半导体层2130的区域可能断开，或者开关晶体管t2的半导体层2130和栅极电极2155(见图16)可能短路。初始化晶体管t3的半导体层3130的区域可能断开，或者初始化晶体管t3的半导体层3130和栅极电极3155(见图16)可能短路。在这种情况下，开关晶体管t2和初始化晶体管t3可能无法正常操作。
178.产生缺陷ft的开关晶体管t2和初始化晶体管t3可以与对应的像素px分离。例如，可以通过将激光束照射到第一电极2173的位于与开关晶体管t2的半导体层2130的第一区域2131相邻的区域附近或设置在与开关晶体管t2的半导体层2130的第一区域2131相邻的区域中的部分而使开关晶体管t2的第一电极2173的区域断开ct1。可以通过将激光束照射到第二电极2175的位于开关晶体管t2的半导体层2130的第二区域2133附近或设置在与开关晶体管t2的半导体层2130的第二区域2133相邻的区域中的部分而使开关晶体管t2的第二电极2175的区域断开ct2。可以通过将激光束照射到第二电极3175的位于初始化晶体管t3的半导体层3130的第二区域3133附近或设置在与初始化晶体管t3的半导体层3130的第二区域3133相邻的区域中的部分而使初始化晶体管t3的第二电极3175的区域断开ct3。可以通过将激光束照射到上存储电极1154的位于初始化晶体管t3的半导体层3130的第一区域3131附近或设置在与初始化晶体管t3的半导体层3130的第一区域3131相邻的区域中的部分而使上存储电极1154的区域断开ct4。开关晶体管t2和初始化晶体管t3可以与对应的像素px分离。
179.通过将第一辅助晶体管t4连接到对应的像素px，第一辅助晶体管t4可以代替初始化晶体管t3并且可以起到相同的作用。例如，可以通过将激光束照射到第一辅助晶体管t4的第一电极4173和初始化电压线173的重叠部分来使第一辅助晶体管t4的第一电极4173和初始化电压线173短路st3。可以通过将激光束照射到第一辅助晶体管t4的第二电极4175和
光阻挡图案177的重叠部分来使第一辅助晶体管t4的第二电极4175和光阻挡图案177短路st4。由此，第一辅助晶体管t4可以连接到对应的像素px。
180.通过将第二辅助晶体管t5连接到对应的像素px，第二辅助晶体管t5可以代替开关晶体管t2，并且可以起到相同的作用。例如，可以通过将激光束照射到第二辅助晶体管t5的第一电极5173与数据线171a、171b和171c中的一条的重叠部分来使第二辅助晶体管t5的第一电极5173与数据线171a、171b和171c中的一条短路st1。可以通过将激光束照射到第二辅助晶体管t5的第二电极5175和下存储电极1153的重叠部分来使第二辅助晶体管t5的第二电极5175和下存储电极1153短路st2。由此，第二辅助晶体管t5可以连接到对应的像素px。
181.关于根据实施例的显示装置，每个像素px可以包括第一辅助晶体管t4和第二辅助晶体管t5，因此在开关晶体管t2和初始化晶体管t3产生缺陷ft的情况下，根据包括激光切割工艺和激光短路工艺的修复工艺，第一辅助晶体管t4可以代替初始化晶体管t3，第二辅助晶体管t5可以代替开关晶体管t2。
182.在开关晶体管t2和初始化晶体管t3中的一个产生缺陷ft的情况下，可以通过根据包括激光切割工艺和激光短路工艺的修复工艺选择性地连接第一辅助晶体管t4和第二辅助晶体管t5中的一个来代替初始化晶体管t3或开关晶体管t2。
183.现在将参照图19描述根据实施例的显示装置。
184.根据参照图19描述的实施例的显示装置主要对应于根据参照图15至图16描述的实施例的显示装置，因此将不描述相同的部分。该实施例与前述实施例的不同之处在于，开关晶体管和初始化晶体管连接到不同的扫描线，现在将对其进行描述。
185.图19示出了根据实施例的显示装置的像素的等效电路的示意图。
186.根据实施例的显示装置可以包括像素px。如图19中所示，像素px可以分别包括晶体管t1、t2、t3、t4和t5、电容器cst和作为发光器件的至少一个发光二极管ed。
187.以与先前实施例一样的方式，晶体管t1、t2、t3、t4和t5包括驱动晶体管t1、开关晶体管t2、初始化晶体管t3、第一辅助晶体管t4和第二辅助晶体管t5。
188.在前述实施例中，开关晶体管t2和初始化晶体管t3可以连接到同一条第一扫描线，并且在实施例中，开关晶体管t2和初始化晶体管t3可以连接到不同的扫描线。开关晶体管t2的栅极电极可以连接到用于传输第一扫描信号sc的第一扫描线。初始化晶体管t3的栅极电极可以连接到用于传输第二扫描信号ss的第二扫描线。
189.第一辅助晶体管t4的栅极电极可以连接到用于传输第二扫描信号ss的第二扫描线。第一辅助晶体管t4的电极可以不连接到其它布线，而是可以浮置。然而，根据情况，第一辅助晶体管t4的电极可以连接到其它布线。第一辅助晶体管t4的第一电极可以连接到初始化电压线。第一辅助晶体管t4的第二电极可以连接到驱动晶体管t1的第二电极。
190.每个像素px可以包括第一辅助晶体管t4，并且在大多数像素px中，第一辅助晶体管t4未连接，并且可以是不可操作的。然而，对于一些像素px，第一辅助晶体管t4可以连接到另一条布线并且可以是可操作的。例如，对于一些像素px，在其中初始化晶体管t3产生缺陷的像素的情况下，初始化晶体管t3与布线分离，并且第一辅助晶体管t4可以连接到其以代替分离的初始化晶体管t3。第一辅助晶体管t4用作初始化晶体管t3。例如，第一辅助晶体管t4可以连接在初始化电压线和驱动晶体管t1的第二电极之间，并且可以代替初始化晶体管t3。
191.第二辅助晶体管t5的栅极电极可以连接到用于传输第一扫描信号sc的第一扫描线。第二辅助晶体管t5的电极不连接到其它布线，而是可以浮置。根据情况，它们可以连接到其它布线。第二辅助晶体管t5的第一电极可以连接到数据线。第二辅助晶体管t5的第二电极可以连接到驱动晶体管t1的栅极电极。
192.各个像素px包括第二辅助晶体管t5，并且在大多数像素px中，第二辅助晶体管t5可以不被连接并且可以是不可操作的。然而，对于一些像素px，第二辅助晶体管t5可以连接到另一条布线并且可以是可操作的。例如，对于像素px，在开关晶体管t2产生缺陷的情况下，开关晶体管t2与其它布线分离，并且作为代替，可以连接第二辅助晶体管t5。第二辅助晶体管t5用作开关晶体管t2。例如，第二辅助晶体管t5可以连接在数据线和驱动晶体管t1的栅极电极之间，并且可以用作开关晶体管t2。
193.现在将参照图20描述根据实施例的用于修复显示装置的方法。
194.图20示出了在根据实施例的显示装置的开关晶体管和初始化晶体管产生缺陷的情况下的修复方法。
195.如图20中所示，根据实施例，显示装置的开关晶体管t2和初始化晶体管t3可能产生缺陷ft。
196.产生缺陷ft的开关晶体管t2和初始化晶体管t3可以与对应的像素px分离。例如，可以通过将激光束照射到开关晶体管t2的第一电极而使开关晶体管t2的第一电极的区域断开ct1。可以通过将激光束照射到开关晶体管t2的第二电极而使开关晶体管t2的第二电极的区域断开ct2。可以通过将激光束照射到初始化晶体管t3的第二电极而使初始化晶体管t3的第二电极的区域断开ct3。可以通过将激光束照射到初始化晶体管t3的第一电极而使初始化晶体管t3的第一电极的区域断开ct4。由此，开关晶体管t2和初始化晶体管t3可以与对应的像素px分离。
197.通过将第一辅助晶体管t4连接到对应的像素px，第一辅助晶体管t4可以代替初始化晶体管t3并且可以起到相同的作用。例如，可以通过照射激光束来使第一辅助晶体管t4的第一电极和初始化电压线短路st3。可以通过照射激光束来使第一辅助晶体管t4的第二电极和驱动晶体管t1的第二电极短路st4。因此，第一辅助晶体管t4可以连接到对应的像素px。
198.通过将第二辅助晶体管t5连接到对应的像素px，第二辅助晶体管t5可以代替开关晶体管t2，并且可以起到相同的作用。例如，可以通过照射激光束来使第二辅助晶体管t5的第一电极和数据线短路st1。可以通过照射激光束来使第二辅助晶体管t5的第二电极和下存储电极短路st2。由此，第二辅助晶体管t5可以连接到对应的像素px。
199.关于根据实施例的显示装置，每个像素px可以包括连接到第二扫描线的第一辅助晶体管t4和连接到第一扫描线的第二辅助晶体管t5，因此在开关晶体管t2和初始化晶体管t3产生缺陷ft的情况下，根据包括激光切割工艺和激光短路工艺的修复工艺，第一辅助晶体管t4可以代替初始化晶体管t3，第二辅助晶体管t5可以代替开关晶体管t2。
200.在开关晶体管t2和初始化晶体管t3中的一个产生缺陷ft的情况下，可以通过根据包括激光切割工艺和激光短路工艺的修复工艺选择性地连接第一辅助晶体管t4和第二辅助晶体管t5中的一个来代替初始化晶体管t3或开关晶体管t2。
201.现在将参照图21至图29描述根据实施例的显示装置。
202.根据参照图21至图29描述的实施例的显示装置主要对应于根据参照图1至图8描述的实施例的显示装置，因此可以不描述相同的部分。该实施例与前述实施例的不同之处在于，它还可以包括虚设像素，现在将对其进行描述。
203.图21示出了根据实施例的显示装置的示意性俯视平面图，并且图22示出了根据实施例的显示装置的像素和虚设像素的等效电路的示意图。图23示出了根据实施例的显示装置的显示区域的一部分的示意性俯视平面图，并且图24示出了根据实施例的显示装置相对于图23的线xxiv-xxiv的示意性剖视图。图25至图29示出了根据实施例的按照制造显示装置的次序的顺序的示意性俯视平面图。图25至图29示出了根据实施例的显示装置的三个相邻像素，并且三个像素可以重复设置。图30示出了根据实施例的显示装置的外围区域的示意性俯视平面图。
204.如图21中所示，基底110可以包括显示区域da和外围区域pa。显示区域da表示其中形成有包括发光二极管ed和晶体管的像素并且显示图像的区域，外围区域pa表示不显示图像的区域。外围区域pa位于显示区域da外部，并且可以围绕显示区域da。外围区域pa表示其中形成有用于将驱动信号供应到像素和虚设像素的布线和焊盘的区域。
205.包括晶体管和发光二极管ed的像素可以位于显示区域da中。像素可以以各种形式(例如，矩阵形式)布置。
206.用于将诸如电压或信号的驱动信号传输到位于显示区域da中的像素的电源线和焊盘单元可以位于外围区域pa中。具有与位于显示区域da中的像素的结构类似的结构的虚设像素可以位于外围区域pa中。
207.如图22中所示，一个像素px可以包括晶体管t1、t2和t3、电容器cst和发光二极管ed。晶体管t1、t2和t3包括驱动晶体管t1、开关晶体管t2和初始化晶体管t3。与前述实施例不同，各个像素px不包括第一辅助晶体管。
208.与位于显示区域da中的像素px类似，一个虚设像素dpx可以包括虚设晶体管dt1、dt2和dt3以及虚设电容器dcst。然而，虚设像素dpx与像素px的不同之处在于其不包括发光二极管ed。虚设晶体管dt1、dt2和dt3包括虚设驱动晶体管dt1、虚设开关晶体管dt2和虚设初始化晶体管dt3。
209.在虚设像素dpx中，虚设驱动晶体管dt1可以不连接到驱动电压线，虚设开关晶体管dt2可以不连接到数据线，虚设初始化晶体管dt3可以不连接到初始化电压线。然而，根据情况，在虚设像素dpx中，虚设驱动晶体管dt1可以连接到驱动电压线，虚设开关晶体管dt2可以连接到数据线，并且虚设初始化晶体管dt3可以连接到初始化电压线。
210.在虚设像素dpx中，虚设开关晶体管dt2和虚设初始化晶体管dt3连接到虚设第一扫描线。连接到像素px的第一扫描线可以不连接到与虚设像素dpx连接的虚设第一扫描线。然而，根据情况，连接到像素px的第一扫描线可以通过扫描辅助线500连接到与虚设像素dpx连接的虚设第一扫描线。在虚设第一扫描线通过扫描辅助线500连接到第一扫描线的情况下，第一扫描信号sc可以施加到虚设第一扫描线。
211.在实施例中，开关晶体管t2和初始化晶体管t3连接到同一条扫描线，但不限于此。开关晶体管t2可以连接到第一扫描线，初始化晶体管t3可以连接到第二扫描线。虚设开关晶体管dt2可以连接到虚设第一扫描线，虚设初始化晶体管dt3可以连接到虚设第二扫描线。
212.像素px的驱动晶体管t1的第二电极可以不连接到虚设像素dpx的虚设驱动晶体管dt1的第二电极。然而，根据情况，像素px的驱动晶体管t1的第二电极可以通过驱动辅助线600连接到虚设像素dpx的虚设驱动晶体管dt1的第二电极。
213.如图23至图29中所示，根据实施例的显示装置可以包括基底110以及位于基底110上的第一导电层、半导体层、第二导电层和第三导电层。图25示出了第一导电层。
214.以与前述实施例一样的方式，半导体层可以包括驱动晶体管t1的半导体层1130、开关晶体管t2的半导体层2130和初始化晶体管t3的半导体层3130。在实施例中，不形成第一辅助晶体管的半导体层。图26示出了第一导电层和半导体层。
215.以与前述实施例一样的方式，第二导电层可以包括驱动晶体管t1的栅极电极1155、下存储电极1153、开关晶体管t2的栅极电极2155和初始化晶体管t3的栅极电极3155。在实施例中，不形成第一辅助晶体管的栅极电极。图27示出了第一导电层、半导体层和第二导电层。
216.以与前述实施例一样的方式，第三导电层可以包括上存储电极1154、开关晶体管t2的第一电极2173和第二电极2175以及初始化晶体管t3的第二电极3175。在本实施例中，不形成第一辅助晶体管的第一电极和第二电极。图28示出了第一导电层、半导体层、第二导电层和第三导电层。
217.在实施例中，第三导电层还可以包括扫描辅助线500以及驱动辅助线600的第一部分610和第二部分620。
218.扫描辅助线500可以在第一方向d1上延伸，并且可以与第一扫描线151重叠。扫描辅助线500可以位于初始化电压线173和公共电压线170之间。然而，不限于此，扫描辅助线500的位置可以以许多方式变化。
219.驱动辅助线600的第一部分610可以在第一方向d1上延伸，并且可以与第一扫描线151重叠。驱动辅助线600的第二部分620可以在第一方向d1上延伸，并且可以与光阻挡图案177重叠。驱动辅助线600的第一部分610和第二部分620可以彼此间隔开。初始化晶体管t3可以位于驱动辅助线600的第一部分610与第二部分620之间。驱动辅助线600的第二部分620可以位于初始化晶体管t3和开关晶体管t2之间。驱动辅助线600的第一部分610和第二部分620不与初始化晶体管t3和开关晶体管t2重叠。
220.第三绝缘层180可以位于包括扫描辅助线500以及驱动辅助线600的第一部分610和第二部分620的第三导电层上。
221.包括驱动辅助线600的第三部分630和第四部分640的第四导电层可以位于第三绝缘层180上。图29示出了第一导电层、半导体层、第二导电层、第三导电层和第四导电层。
222.驱动辅助线600的第三部分630可以在第一方向d1上延伸，并且可以与初始化晶体管t3的半导体层3130重叠。驱动辅助线600的第三部分630可以与驱动辅助线600的第一部分610和第二部分620重叠。第三绝缘层180可以包括与驱动辅助线600的第一部分610和第三部分630重叠的开口1181。驱动辅助线600的第三部分630可以穿过开口1181连接到第一部分610。第三绝缘层180可以包括与驱动辅助线600的第二部分620和第三部分630重叠的开口1182。驱动辅助线600的第三部分630可以穿过开口1182连接到第二部分620。
223.驱动辅助线600的第四部分640可以在第一方向d1上延伸，并且可以与开关晶体管t2的半导体层2130重叠。驱动辅助线600的第四部分640可以与驱动辅助线600的第二部分
620重叠。第三绝缘层180可以包括与驱动辅助线600的第二部分620和第四部分640重叠的开口1183。驱动辅助线600的第四部分640可以穿过开口1183连接到第二部分620。驱动辅助线600的第四部分640可以连接到位于另一像素上的驱动辅助线600的第二部分620。
224.例如，在第一方向d1上延伸的驱动辅助线600的第一部分610、第二部分620、第三部分630和第四部分640中的至少一些可以位于其它层上，或者可以彼此连接以传输相同的电压。如上所述，驱动辅助线600的第三部分630和第四部分640可以与第一部分610和第二部分620位于不同的层上。驱动辅助线600的第一部分610和第二部分620可以与开关晶体管t2的第一电极2173和第二电极2175以及初始化晶体管t3的第二电极3175位于相同的层上。
225.尽管未示出，但是第四导电层还可以包括像素电极。驱动辅助线600的第三部分630和第四部分640可以与像素电极位于相同的层上。像素电极可以连接到驱动晶体管t1，并且可以接收驱动晶体管t1的输出电流。第四绝缘层可以位于像素电极上。在第四绝缘层中形成开口，第四绝缘层的开口可以与像素电极重叠。发射层可以位于像素电极和第四绝缘层上，并且公共电极可以位于发射层上。像素电极、发射层和公共电极可以形成发光二极管ed。
226.如图30中所示，根据实施例的显示装置还可以包括虚设驱动晶体管dt1、虚设开关晶体管dt2、虚设初始化晶体管dt3和虚设电容器dcst。虚设驱动晶体管dt1、虚设开关晶体管dt2、虚设初始化晶体管dt3和虚设电容器dcst与图23中的驱动晶体管t1、开关晶体管t2、初始化晶体管t3和电容器cst具有类似的构造，因此下面将参照图21、图23、图28和图30描述不同之处。
227.驱动晶体管t1(见图28)的第一电极1173(见图28)可以穿过开口1161(见图28)连接到驱动电压线172(见图28)。虚设驱动晶体管dt1的第一电极1173d可以不连接到驱动电压线172。然而，根据情况，对于虚设像素dpx，虚设驱动晶体管dt1的第一电极1173d可以连接到驱动电压线172。虚设驱动晶体管dt1的半导体层1130d可以包括第一区域1131d、沟道1132d和第二区域1133d，并且虚设驱动晶体管dt1的栅极电极1155d可以与半导体层1130d的沟道1132d重叠。从虚设驱动晶体管dt1的栅极电极1155d延伸的虚设下存储电极1153d可以与虚设光阻挡图案177d和虚设上存储电极1154d重叠。
228.虚设开关晶体管dt2的栅极电极2155d和虚设初始化晶体管dt3的栅极电极3155d可以从虚设第一扫描线151d延伸并且可以彼此成一体。
229.开关晶体管t2(见图23)的第一电极2173(见图23)可以穿过开口2162(见图28)连接到数据线171a、171b和171c中的一条。虚设开关晶体管dt2的第一电极2173d可以不连接到数据线171a、171b和171c。然而，根据情况，对于虚设像素dpx，虚设开关晶体管dt2的第一电极2173d可以连接到数据线171a、171b和171c中的一条。虚设开关晶体管dt2的半导体层2130d的第一侧连接到第一电极2173d，并且第二侧连接到第二电极2175d。
230.初始化晶体管t3(见图23)的第二电极3175(见图23)可以穿过开口1167(见图28)连接到初始化电压线173。虚设初始化晶体管dt3的第二电极3175d可以不连接到初始化电压线173。然而，根据情况，对于虚设像素dpx，虚设初始化晶体管dt3的第二电极3175d可以连接到初始化电压线173。虚设初始化晶体管dt3的半导体层3130d的第一侧连接到虚设上存储电极1154d，并且第二侧连接到第二电极3175d。
231.扫描辅助线500可以从显示区域da(见图21)延伸到外围区域pa(见图21)。扫描辅
助线500可以与第一扫描线151(见图23)和虚设第一扫描线151d重叠。
232.数据线171a、171b和171c、初始化电压线173和驱动辅助线600可以从显示区域da延伸到外围区域pa。驱动辅助线600可以与图23中的光阻挡图案177和虚设光阻挡图案177d重叠。
233.驱动辅助线600还可以包括在第一方向d1上延伸的第五部分650、第六部分660、第七部分670和第八部分680。驱动辅助线600的第五部分650可以与虚设第一扫描线151d重叠，第六部分660可以与虚设光阻挡图案177d重叠。驱动辅助线600的第七部分670可以与虚设初始化晶体管dt3的半导体层3130d重叠，第八部分680可以与虚设开关晶体管dt2的半导体层2130d重叠。
234.驱动辅助线600的第五部分650、第六部分660、第七部分670和第八部分680中的至少一些可以位于另一层上，并且可以彼此连接以传输相同的电压。驱动辅助线600的第五部分650和第六部分660可以与虚设开关晶体管dt2的第一电极2173d和第二电极2175d以及虚设初始化晶体管dt3的第二电极3175d位于相同的层上。
235.发光二极管ed(见图22)可以不位于虚设像素dpx中。像素电极可以不位于虚设像素dpx上。
236.现在将参照图31至图33说明根据实施例的用于显示装置的修复方法。
237.图31至图33示出了在根据实施例的显示装置的像素产生缺陷的情况下的修复方法。
238.如图31至图33中所示，根据实施例的显示装置的像素px可能产生缺陷。例如，像素px的驱动晶体管t1可能产生缺陷。
239.产生缺陷的像素px的驱动晶体管t1、开关晶体管t2和初始化晶体管t3可以与对应的像素px分离。在驱动晶体管t1与驱动电压线172之间可以进行断开ct1，在开关晶体管t2与数据线171a、171b和171c之间可以进行断开ct2，在初始化晶体管t3与初始化电压线173之间可以进行断开ct3。例如，可以通过将激光束照射到驱动晶体管t1的半导体层1130(见图23)的第一区域1131(见图23)而使驱动晶体管t1和驱动电压线172之间断开ct1。可以通过将激光束照射到开关晶体管t2的第一电极2173而使开关晶体管t2与数据线171a、171b和171c之间断开ct2。可以通过将激光束照射到初始化晶体管t3的第二电极3175而使初始化晶体管t3和初始化电压线173之间断开ct3。
240.通过将产生缺陷的像素px连接到虚设像素dpx，虚设驱动晶体管dt1、虚设开关晶体管dt2和虚设初始化晶体管dt3可以代替驱动晶体管t1、开关晶体管t2和初始化晶体管t3，并且可以起到相同的作用。
241.可以使连接到产生缺陷的像素px的第一扫描线151(见图23)和扫描辅助线500短路st1，可以使驱动晶体管t1和驱动辅助线600短路st2，并且可以使电容器cst的各个电极短路st3。例如，可以通过将激光束照射到第一扫描线151和扫描辅助线500的重叠部分来使第一扫描线151和扫描辅助线500短路st1。可以通过将激光束照射到光阻挡图案177和驱动辅助线600的第三部分630(见图23)的重叠部分来使光阻挡图案177和驱动辅助线600短路st2。由此，驱动晶体管t1的半导体层1130的第二区域1133(见图23)可以通过上存储电极1154和光阻挡图案177连接到驱动辅助线600。可以通过将激光束照射到上存储电极1154和下存储电极1153的重叠部分来使上存储电极1154和下存储电极1153短路st3。
242.可以使连接到虚设像素dpx的虚设第一扫描线151d和扫描辅助线500短路st4，并且可以使虚设驱动晶体管dt1和驱动辅助线600短路st5。可以使虚设驱动晶体管dt1和驱动电压线172短路st6，可以使虚设开关晶体管dt2和数据线171a、171b和171c中的一条短路st7，可以使虚设初始化晶体管dt3和初始化电压线173短路st8。例如，可以通过将激光束照射到虚设第一扫描线151d和扫描辅助线500的重叠部分来使连接到虚设像素dpx的虚设第一扫描线151d和扫描辅助线500短路st4。可以通过将激光束照射到虚设光阻挡图案177d和驱动辅助线600的重叠部分来使虚设光阻挡图案177d和驱动辅助线600短路st5。由此，虚设驱动晶体管dt1的半导体层1130d的第二区域1133d可以通过虚设上存储电极1154d和虚设光阻挡图案177d连接到驱动辅助线600。可以通过将激光束照射到虚设驱动晶体管dt1的第一电极1173d和驱动电压线172的重叠部分来使虚设驱动晶体管dt1的第一电极1173d和驱动电压线172短路st6。可以通过将激光束照射到虚设开关晶体管dt2的第一电极2173d与数据线171a、171b和171c中的一条的重叠部分来使虚设开关晶体管dt2的第一电极2173d与数据线171a、171b和171c中的一条短路st7。可以通过将激光束照射到虚设初始化晶体管dt3的第二电极3175d和初始化电压线173的重叠部分来使虚设初始化晶体管dt3的第二电极3175d和初始化电压线173短路st8。例如，虚设像素dpx的虚设驱动晶体管dt1、虚设开关晶体管dt2和虚设初始化晶体管dt3可以通过扫描辅助线500和驱动辅助线600连接到像素px。因此，对应像素px的发光二极管ed可以通过虚设像素dpx的虚设驱动晶体管dt1、虚设开关晶体管dt2和虚设初始化晶体管dt3发光。
243.根据实施例的显示装置可以包括虚设像素dpx、扫描辅助线500和驱动辅助线600，因此在像素px产生缺陷的情况下，像素px和虚设像素dpx可以根据包括激光切割工艺和激光短路工艺的修复工艺通过扫描辅助线500和驱动辅助线600彼此连接。因此，虚设像素dpx的虚设驱动晶体管dt1、虚设开关晶体管dt2和虚设初始化晶体管dt3可以代替驱动晶体管t1、开关晶体管t2和初始化晶体管t3。
244.现在将参照图34和图35描述根据实施例的显示装置。
245.根据参照图34和图35描述的实施例的显示装置主要对应于根据参照图21至图29描述的实施例的显示装置，因此可以不描述相同的部分。该实施例与前述实施例的不同之处在于虚设像素位于显示区域中，现在将对其进行描述。
246.图34示出了根据实施例的显示装置的像素和虚设像素的等效电路的示意图，图35示出了根据实施例的显示装置的显示区域的一部分的示意性俯视平面图。
247.如图34中所示，一个像素px可以包括晶体管t1、t2和t3、电容器cst和发光二极管ed。一个虚设像素dpx可以包括虚设晶体管dt1、dt2和dt3以及虚设电容器dcst。
248.虽然根据前述实施例的显示装置可以包括扫描辅助线，但根据实施例的显示装置可以不包括扫描辅助线。在实施例中，像素px的开关晶体管t2连接到虚设像素dpx的虚设开关晶体管dt2。开关晶体管t2的栅极电极和虚设开关晶体管dt2的栅极电极可以连接到同一条第一扫描线。像素px的初始化晶体管t3连接到虚设像素dpx的虚设初始化晶体管dt3。初始化晶体管t3的栅极电极和虚设初始化晶体管dt3的栅极电极可以连接到同一条第一扫描线。
249.如图35中所示，关于根据实施例的显示装置，虚设像素dpx可以位于与第一像素px1、第二像素px2和第三像素px3相邻的区域附近或设置在与第一像素px1、第二像素px2和
第三像素px3相邻的区域中。在前述实施例中，虚设像素dpx可以位于外围区域中，并且在实施例中，虚设像素dpx可以位于显示区域中。虚设像素dpx可以与三个像素px1、px2和px3形成一组。因此，根据实施例的显示装置的像素的数量可以是虚设像素dpx的数量的三倍。
250.虚设像素dpx的虚设开关晶体管dt2的栅极电极2155d和虚设初始化晶体管dt3的栅极电极3155d可以从第一扫描线151延伸。例如，开关晶体管t2的栅极电极2155、初始化晶体管t3的栅极电极、虚设开关晶体管dt2的栅极电极2155d和虚设初始化晶体管dt3的栅极电极3155d可以从同一条第一扫描线151接收相同的第一扫描信号sc。
251.驱动辅助线600可以包括第一部分610、第二部分620、第三部分630、第四部分640、第六部分660、第七部分670和第八部分680。第一部分610、第二部分620、第三部分630、第四部分640、第六部分660、第七部分670和第八部分680中的至少一些可以位于另一层上，并且可以彼此连接以传输相同的电压。
252.现在将参照图36和图37描述根据实施例的用于显示装置的修复方法。
253.图36和图37示出了根据实施例的在显示装置的像素产生缺陷的情况下的修复方法。
254.如图36和图37中所示，根据实施例的显示装置的像素px可能产生缺陷。例如，像素px的驱动晶体管t1可能产生缺陷。
255.产生缺陷的像素px的驱动晶体管t1、开关晶体管t2和初始化晶体管t3可以与对应的像素px分离。在驱动晶体管t1与驱动电压线172之间可以进行断开ct1，在开关晶体管t2与数据线171a、171b和171c之间可以进行断开ct2，在初始化晶体管t3与初始化电压线173之间可以进行断开ct3。
256.通过将产生缺陷的像素px连接到虚设像素dpx，虚设驱动晶体管dt1、虚设开关晶体管dt2和虚设初始化晶体管dt3可以代替驱动晶体管t1、开关晶体管t2和初始化晶体管t3，并且可以起到相同的作用。
257.可以使产生缺陷的像素px的驱动晶体管t1和驱动辅助线600短路st2，可以使电容器cst的各个电极短路st3。可以使虚设驱动晶体管dt1和驱动辅助线600短路st5。可以使虚设驱动晶体管dt1和驱动电压线172短路st6，可以使虚设开关晶体管dt2和数据线171a、171b和171c中的一条短路st7，可以使虚设初始化晶体管dt3和初始化电压线173短路st8。
258.根据实施例的显示装置可以包括虚设像素dpx和驱动辅助线600，因此在像素px产生缺陷的情况下，像素px和虚设像素dpx可以根据包括激光切割工艺和激光短路工艺的修复工艺通过驱动辅助线600连接。因此，虚设像素dpx的虚设驱动晶体管dt1、虚设开关晶体管dt2和虚设初始化晶体管dt3可以代替驱动晶体管t1、开关晶体管t2和初始化晶体管t3。
259.现在将参照图38描述根据实施例的显示装置的示意性剖面结构。还将参照上述各种实施例的附图。所述附图示出了第三绝缘层或第三导电层作为最高层，并且另一层可以在其上，现在将对其进行描述。
260.图38示出了根据实施例的显示装置的一些组成元件的示意性剖视图。图38省略了根据实施例的显示装置的第一扫描线、驱动电压线、数据线和晶体管的图示，并且示出了位于第三绝缘层上的组成元件。
261.如图38中所示，根据实施例的显示装置可以包括像素px1、px2和px3。像素电极191(可以包括191a、191b和191c)可以位于或设置在基底110上的各个像素px1、px2和px3中。未
示出位于基底110与像素电极191a、191b和191c之间的晶体管和绝缘层，但是例如，它们可以如上述各种实施例的附图中所示地设置。
262.第四绝缘层350可以位于像素电极191a、191b和191c上，并且第四绝缘层350可以包括开口351。发射层370可以位于像素电极191a、191b和191c以及第四绝缘层350上，并且公共电极270可以位于发射层370上。发射层370可以包括用于发出可以是蓝光的第一颜色光的发光材料。
263.包括绝缘层381、382和383的封装层380可以位于公共电极270上。绝缘层381和绝缘层383可以包括无机绝缘材料，绝缘层381与绝缘层383之间的绝缘层382可以包括有机绝缘材料。
264.包括填料的填充层390可以位于封装层380上。包括绝缘材料的盖层400以及颜色转换层430a和430b和透射层430c可以位于填充层390上。
265.透射层430c可以透射入射光。例如，透射层430c可以透射可以是蓝光的第一颜色光。透射层430c可以包括用于透射第一颜色光的聚合物材料。其中透射层430c所在的区域可以对应于用于发射蓝光的发光区域，并且透射层430c可以不包括半导体纳米晶体并且可以透射入射的第一颜色光。
266.颜色转换层430a和430b可以包括不同类型的半导体纳米晶体。例如，输入到颜色转换层430a的第一颜色光可以被转换为第二颜色光，并且可以通过颜色转换层430a所包括的半导体纳米晶体发出。输入到颜色转换层430b的第一颜色光可以被转换为第三颜色光，并且可以通过颜色转换层430b所包括的半导体纳米晶体发出。
267.半导体纳米晶体可以包括用于将入射的第一颜色光转换为第二颜色光或第三颜色光的荧光物质和量子点材料中的至少一种。
268.量子点的核可以选自于ii-vi族化合物、iii-v族化合物、iv-vi族化合物、iv族元素、iv族化合物和它们的组合。
269.ii-vi族化合物可以选自于：二元化合物，选自于cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、mgse、mgs和它们的混合物；三元化合物，选自于agins、cuins、cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、mgznse、mgzns和它们的混合物；以及四元化合物，选自于hgzntes、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete、hgznste和它们的混合物。
270.iii-v族化合物可以选自于：二元化合物，选自于gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb和它们的混合物；三元化合物，选自于ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、ingap、innp、innas、innsb、inpas、inpsb和它们的混合物；以及四元化合物，选自于gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas、inalpsb和它们的混合物。
271.iv-vi族化合物可以选自于：二元化合物，选自于sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte和它们的混合物；三元化合物，选自于snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte和它们的混合物；以及四元化合物，选自于snpbsse、snpbsete、snpbste和它们的混合物。iv族元素可以选自于si、ge和它们的混合物。iv族化合物可以是选自于sic、
sige和它们的混合物的二元化合物。
272.在这种情况下，二元化合物、三元化合物或四元化合物可以以均匀的浓度存在于颗粒中，或者可以以部分地分成一些状态的浓度分布存在于同一颗粒中。此外，颜色转换层可以具有其中一个量子点围绕另一个量子点的核或壳结构。核和壳之间的界面可以具有浓度梯度，使得存在于壳中的元素的浓度靠近其中心逐渐减小。
273.在一些实施例中，量子点可以具有核-壳结构，所述核-壳结构包括包含上述纳米晶体的核和围绕核的壳。量子点的壳可以用作用于通过防止核的化学变性来维持半导体特性的保护层和/或用于向量子点提供电泳特性的荷电层。壳可以是单层或多层。核和壳之间的界面可以具有浓度梯度，使得存在于壳中的元素的浓度靠近其中心逐渐减小。量子点的壳的示例包括金属或非金属氧化物、半导体化合物或它们的组合。
274.例如，金属或非金属氧化物可以包括：二元化合物，例如sio2、al2o3、tio2、zno、mno、mn2o3、mn3o4、cuo、feo、fe2o3、fe3o4、coo、co3o4或nio；或者三元化合物，例如mgal2o4、cofe2o4、nife2o4或comn2o4，并且本公开不限于此。
275.半导体化合物可以包括cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、znses、zntes、gaas、gap、gasb、hgs、hgse、hgte、inas、inp、ingap、insb、alas、alp和alsb，并且本公开不限于此。
276.量子点可以具有小于大约45nm(例如小于大约40nm，或进一步例如小于大约30nm)的发光波长光谱的半高全宽(fwhm)，并且在该范围内，这可以改善色纯度或颜色再现性。此外，通过量子点发射的光在所有方向上输出，从而改善光视角。
277.此外，量子点的形式不受特别限制，但更例如，其可以形成为大致球形、大致角锥形、大致多臂或大致立方体的纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维和纳米板形颗粒。
278.量子点可以根据颗粒的尺寸来控制光的输出颜色，因此，量子点可以具有诸如蓝色、红色和绿色的各种发光颜色。
279.绝缘层440可以位于颜色转换层430a和430b以及透射层430c上，并且滤色器450a、450b和450c以及光阻挡构件460可以位于绝缘层440上。
280.滤色器450a可以表现第二颜色光，滤色器450b可以表现第三颜色光，滤色器450c可以表现第一颜色光。
281.光阻挡构件460可以在相邻的滤色器450a、450b和450c之间。
282.基底210可以位于滤色器450a、450b和450c以及光阻挡构件460上。例如，颜色转换层430a、430b、透射层430c以及滤色器450a、450b、450c可以位于基底110与基底210之间。
283.根据实施例，发射层370可以包括量子点，而不是颜色转换层430a和430b以及透射层430c包括量子点。
284.虽然已经结合被认为是实际的实施例描述了本公开，但将理解的是，公开不限于所公开的实施例，而是相反地，意图覆盖包括在公开和所附权利范围的精神和范围内的各种修改和等同布置。