技术特征：
1.一种降低硅片抛光雾发生率的cmp工艺，其特征在于，包括如下步骤：(1)涂蜡贴附：将待处理硅片放置在涂蜡机上，转速1700～2500rpm，涂蜡量0.7～1.2ml，烘烤温度80～120℃；(2)粗抛：将步骤(1)处理后的硅片进行抛光，抛光头转速50～65rpm，定盘转速50～65rpm，粗抛压力3.5～4.5kg/cm2，粗抛液流量1.8～2.5l/min，ph值10.5～11.2；(3)中抛：布时周期为80h，在布时50h之前工艺条件如下：中抛压力2.2～2.5kg/cm2，抛光液流量1.9～2.1l/min，中抛时间8～12min，抛光头转速35～45rpm，定盘转速35～45rpm；在布时50h之后，中抛压力提高到2.5～2.7kg/cm2，抛光液流量提高到2.4～2.6l/min，抛光时间延长到15～17min；(4)精抛：布时周期为80h，在布时50h之前工艺条件如下：抛光液流量0.4～0.6l/min，精抛时间7～9min，抛光头转速35～45rpm，定盘转速35～45rpm；在布时50h之后，抛光液流量提高到0.7～0.9l/min，抛光时间延长到9～11min；(5)剥离及去蜡清洗：在纯水流模式下，使用剥离刀手动剥离并进行去蜡清洗。2.根据权利要求1所述的降低硅片抛光雾发生率的cmp工艺，其特征在于：其中，粗抛液中含有质量分数为20～21％的sio2，ph 11～12，粒径60～100nm；中抛液中含有质量分数为8.5～9.7％的sio2，ph 10.1～10.5，粒径62～82nm；精抛液中含有质量分数为6～9％的sio2，ph 10～11，粒径60～80nm。3.根据权利要求1所述的降低硅片抛光雾发生率的cmp工艺，其特征在于：其中，步骤(5)中，进行剥离时，纯水流量为1.5～2.5l/min。4.根据权利要求1所述的降低硅片抛光雾发生率的cmp工艺，其特征在于：其中，步骤(5)中，进行去蜡清洗时，依次采用4级纯水、1级hf、1级纯水、2级sc-1、1级纯水进行清洗，纯水流量5～20l/min，hf浓度10～20％，sc-1温度40～70℃。5.根据权利要求1所述的降低硅片抛光雾发生率的cmp工艺，其特征在于：其中，步骤(3)中，在布时50h之前工艺条件如下：抛光头转速40rpm，定盘转速40rpm，抛光压力2.5kg/cm2，抛光液流量2.0l/min，中抛时间10min；在布时50h之后，中抛压力提高到2.6kg/cm2，中抛光液流量提高到2.5l/min，中抛时间提升至16min。6.根据权利要求1所述的降低硅片抛光雾发生率的cmp工艺，其特征在于：其中，步骤(4)中，在布时50h之前工艺条件如下：抛光头转速40rpm，定盘转速40rpm，精抛光液流量0.5l/min，精抛时间8min；在布时50h之后，精抛光液流量提高到0.8l/min，精抛时间提升至10min。
技术总结
本发明涉及降低硅片抛光雾发生率的CMP工艺，包括涂蜡贴附、粗抛、中抛、精抛、剥离及去蜡清洗工序。通过在抛光布不同布时期间，调整抛光压力、中精抛时间以及抛光液流量等工艺条件弥补布时中后期修复损伤层能力不足：中精抛布时周期均为80h，在布时50h之前采用一贯CMP工艺：中抛压力2.2～2.4kg/cm2，中抛光液流量1.9～2.1L/min，精抛光液流量0.4～0.6L/min，中抛时间8～12min，精抛时间7～9min，抛头和定盘转速35～45rpm；在布时50h之后，中抛压力提高到2.5～2.7kg/cm2，中抛光液流量提高到2.4～2.6L/min，精抛光液流量提高到0.7～0.9L/min，中抛时间延长到15～17min，精抛时间延长到9～11min,粗抛抛头和定盘转速55～65rpm，中精抛抛头和定盘转速35～45rpm。通过改进降低抛光雾的发生率，并在不降低抛光布使用寿命情况下使得整个布时周期过程均保持高抛光质量。使得整个布时周期过程均保持高抛光质量。使得整个布时周期过程均保持高抛光质量。
技术研发人员：陈凯 刘西安
受保护的技术使用者：上海中欣晶圆半导体科技有限公司
技术研发日：2021.12.16
技术公布日：2022/5/6