技术特征：
1.一种裸硅封装mos管，包括基板(1)、陶瓷座(2)、mos管的主体(3)、定位结构、调节座结构以及快速固定结构，其特征在于：所述陶瓷座(2)固定安装于基板(1)的上端表面处，所述陶瓷座(2)的上端表面处开设有两个定位槽(4)，所述主体(3)通过定位结构安装于陶瓷座(2)的上端表面处，且所述定位结构与定位槽(4)连接，所述陶瓷座(2)的上端表面横向开设有两道调节槽(5)，所述陶瓷座(2)的上端表面处开设有一个螺纹槽(6)，所述调节座结构活动安装于陶瓷座(2)上端表面的两道调节槽(5)处，所述快速固定结构安装于调节座结构处，且所述快速固定结构与定位结构连接。2.根据权利要求1所述的一种裸硅封装mos管，其特征在于：所述定位结构包括两个定位板(7)，两个所述定位板(7)均为l型板，两个所述定位板(7)分别固定安装于主体(3)的顶部处，且两个所述定位板(7)的l型转折面分别与主体(3)的前后两侧处贴合，且两个所述定位板(7)分别与两个定位槽(4)卡合连接，所述定位板(7)的尺寸与定位槽(4)的尺寸相匹配。3.根据权利要求2所述的一种裸硅封装mos管，其特征在于：两个所述定位板(7)的上端表面处均开设有限位槽(8)。4.根据权利要求1所述的一种裸硅封装mos管，其特征在于：所述调节座结构包括调节板(9)、安装板(10)、侧面板(11)以及固定旋钮(12)，所述调节板(9)的底部通过多个连接件与两道调节槽(5)活动连接，所述安装板(10)为l型，所述安装板(10)固定安装于调节板(9)的上端表面处，所述侧面板(11)固定安装于调节板(9)的一侧处，所述固定旋钮(12)的一端通过螺纹连接贯穿侧面板(11)，且所述固定旋钮(12)与螺纹槽(6)螺纹连接。5.根据权利要求4所述的一种裸硅封装mos管，其特征在于：所述安装板(10)的l型转折处斜角度设置有加强板(13)。6.根据权利要求1所述的一种裸硅封装mos管，其特征在于：所述快速固定结构包括压板(14)和紧固旋钮(15)，所述压板(14)通过多个伸缩连接杆(16)安装于安装板(10)的l型转折面底部处，所述紧固旋钮(15)的一端通过螺纹连接贯穿安装板(10)，且所述紧固旋钮(15)通过轴承与压板(14)的顶部处转动连接，所述压板(14)的底部设置有两个限位块(17)，且两个所述限位块(17)分别与两个限位槽(8)卡合连接，所述限位块(17)的尺寸与限位槽(8)的尺寸相匹配。
技术总结
本发明公开了一种裸硅封装MOS管，包括基板、陶瓷座、MOS管的主体、定位结构、调节座结构以及快速固定结构，所述陶瓷座固定安装于基板的上端表面处，所述陶瓷座的上端表面处开设有两个定位槽，所述主体通过定位结构安装于陶瓷座的上端表面处，且所述定位结构与定位槽连接，所述陶瓷座的上端表面横向开设有两道调节槽，所述陶瓷座的上端表面处开设有一个螺纹槽，所述调节座结构活动安装于陶瓷座上端表面的两道调节槽处，所述快速固定结构安装于调节座结构处，且所述快速固定结构与定位结构连接。本发明在封装安装MOS管时，操作简单，省时省力，大大提高了工作效率，且封装安装后的MOS管稳定性较高，整体实用性较高。整体实用性较高。整体实用性较高。
技术研发人员：涂振坤 苗义敬 王泽斌
受保护的技术使用者：普森美微电子技术（苏州）有限公司
技术研发日：2021.12.21
技术公布日：2022/5/17