具有切换传输线负载的移相器的制作方法

1.本发明的实施例涉及电子系统，尤其涉及射频(rf)电子设备。


背景技术：

2.移相器用于rf通信系统中，以控制经由天线无线发射或接收的rf信号的相位。
3.具有一个或多个移相器的rf通信系统的示例包括但不限于移动电话、平板电脑、基站、网络接入点、客户驻地设备(cpe)、笔记本电脑和可穿戴电子设备。例如，在使用蜂窝标准、无线局域网(wlan)标准和/或任何其他合适的通信标准进行通信的无线设备中，功率放大器可用于rf信号放大。rf信号可以具有在大约30khz到300ghz范围内的频率，例如在大约410mhz到大约7.125ghz范围内，用于使用频率范围1(fr1)的第五代(5g)通信或在约24.25ghz至52.6ghz，用于使用频率范围2(fr2)的5g通信。


技术实现要素：

4.在某些实施例中，本技术涉及一种移相器。所述移相器包括第一端口、第二端口、包括第一传输线和沿所述第一传输线连接的第一多个旁路(shunt)开关的第一可控反射负载、第二可控反射负载以及彼此电磁耦合的一对耦合线。所述一对耦合线包括连接在所述第一端口和所述第一可控反射负载之间的第一导线，以及连接在所述第二可控反射负载和所述第二端口之间的第二导线。
5.在一些实施例中，所述第一可控反射负载还包括在所述第一传输线的第一侧上的第一接地导体，以及在所述第一传输线的第二侧上的第二接地导体。根据多个实施例，所述第一多个旁路开关中的每一个被实现为一对场效应晶体管，所述一对场效应晶体管包括连接在所述第一传输线和所述第一接地导体之间的第一场效应晶体管以及连接在所述第一传输线和所述第二接地导体之间的第二场效应晶体管。
6.在若干实施例中，所述第一多个旁路开关中的一个或多个基于所述移相器的相移设置而闭合。
7.在各种实施例中，所述第一端口接收射频输入信号，并且所述第二端口提供相移射频输出信号。
8.在一些实施例中，所述第二端口接收射频输入信号，并且所述第一端口提供相移射频输出信号。
9.在若干实施例中，所述第一多个旁路开关在彼此具有均匀距离的多个点处连接到所述第一传输线。
10.在各种实施例中，所述第一多个旁路开关在彼此具有不均匀距离的多个点处连接到所述第一传输线。根据多个实施例，所述多个点的相邻对之间的距离沿着所述第一传输线的长度逐渐减小。
11.在一些实施例中，所述第一多个旁路开关每个都具有共同的尺寸。
12.在若干实施例中，所述第一多个旁路开关每个都具有不同的尺寸。根据多个实施
例，所述第一多个旁路晶体管的尺寸沿着所述第一传输线的长度逐渐增加。
13.在各种实施例中，所述第一传输线包括多个弯曲部分。根据一些实施例，所述多个弯曲部分中的至少一个包括环路。
14.在若干实施例中，所述第二可控反射负载包括第二传输线和沿所述第二传输线连接的第二多个旁路开关。
15.在一些实施例中，所述移相器还包括混合耦合器(hybrid coupler)，所述混合耦合器包括所述一对耦合线。
16.在某些实施例中，本技术涉及一种无线设备。所述无线设备包括收发器和耦接到所述收发器的前端系统。所述前端系统包括移相器，所述移相器包括第一端口、第二端口、包括第一传输线和沿所述第一传输线连接的第一多个旁路开关的第一可控反射负载、第二可控反射负载以及彼此电磁耦合的一对耦合线。所述一对耦合线包括连接在所述第一端口和所述第一可控反射负载之间的第一导线、以及连接在所述第二可控反射负载和所述第二端口之间的第二导线。
17.在各种实施例中，所述第一可控反射负载还包括在所述第一传输线的第一侧上的第一接地导体和在所述第一传输线的第二侧上的第二接地导体。根据多个实施例，所述第一多个旁路开关中的每一个被实现为一对场效应晶体管，所述一对场效应晶体管包括连接在所述第一传输线和所述第一接地导体之间的第一场效应晶体管、以及连接在所述第一传输线和所述第二接地导体之间的第二场效应晶体管。
18.在若干实施例中，所述第一多个旁路开关中的一个或多个基于所述移相器的相移设置而闭合。
19.在一些实施例中，所述第一端口接收射频输入信号，并且所述第二端口提供相移射频输出信号。
20.在各种实施例中，所述第二端口接收射频输入信号，并且所述第一端口提供相移射频输出信号。
21.在若干实施例中，所述第一多个旁路开关在彼此具有均匀距离的多个点处连接到所述第一传输线。
22.在一些实施例中，所述第一多个旁路开关在彼此具有不均匀距离的多个点处连接到所述第一传输线。根据多个实施例，所述多个点的相邻对之间的距离沿着所述第一传输线的长度逐渐减小。
23.在各种实施例中，所述第一多个旁路开关每个都具有共同的尺寸。
24.在若干实施例中，所述第一多个旁路开关每个都具有不同的尺寸。根据多个实施例，所述第一多个旁路晶体管的尺寸沿着所述第一传输线的长度逐渐增加。
25.在一些实施例中，所述第一传输线包括多个弯曲部分。根据各种实施例，所述多个弯曲部分中的至少一个包括环路。
26.在若干实施例中，所述第二可控反射负载包括第二传输线和沿所述第二传输线连接的第二多个旁路开关。
27.在各种实施例中，所述移相器还包括混合耦合器，所述混合耦合器包括所述一对耦合线。
28.在某些实施例中，本技术涉及一种相移的方法。所述方法包括在第一端口处接收
射频输入信号。所述方法还包括控制第一可控反射负载和第二可控反射负载，以控制在第二端口处射频输出信号的相移，所述第一可控反射负载包括第一传输线和沿所述第一条传输线连接的第一多个旁路开关。所述方法还包括提供在一对耦合线中的第一导线和第二导线之间的耦合，所述第一导线连接在所述第一端口和所述第一可控反射负载之间，所述第二导线连接在所述第二可控反射负载和所述第二端口之间。
29.在各种实施例中，所述第一可控反射负载还包括在所述第一传输线的第一侧上的第一接地导体和在所述第一传输线的第二侧上的第二接地导体。根据若干实施例，所述第一多个旁路开关中的每一个被实现为一对场效应晶体管，所述一对场效应晶体管包括连接在所述第一传输线和所述第一接地导体之间的第一场效应晶体管、以及连接在所述第一传输线和所述第二接地导体之间的第二场效应晶体管。
30.在多个实施例中，所述方法还包括基于所述移相器的相移设置来闭合所述第一多个旁路开关中的一个或多个。
31.在若干实施例中，所述第一多个旁路开关在彼此具有均匀距离的多个点处连接到所述第一传输线。
32.在各种实施例中，所述第一多个旁路开关在彼此具有不均匀距离的多个点处连接到所述第一传输线。根据多个实施例，所述多个点的相邻对之间的距离沿着所述第一传输线的长度逐渐减小。
33.在若干实施例中，所述第一多个旁路开关每个都具有共同的尺寸。
34.在一些实施例中，所述第一多个旁路开关每个都具有不同的尺寸。根据各种实施例，所述第一多个旁路晶体管的尺寸沿着所述第一传输线的长度逐渐增加。
35.在多个实施例中，所述第一传输线包括多个弯曲部分。根据若干实施例，所述多个弯曲部分中的至少一个包括环路。
36.在各种实施例中，所述第二可控反射负载包括第二传输线和沿着所述第二传输线连接的第二多个旁路开关。
37.在一些实施例中，所述移相器还包括混合耦合器，所述混合耦合器包括一对耦合线。
38.在某些实施例中，本技术涉及一种移相器。所述移相器包括耦合器，所述耦合器包括输入端子、直通端子(thru terminal)、连接在所述输入端子和所述直通端子之间的第一耦合线、隔离端子、耦合端子以及连接在所述隔离端子和所述耦合端子之间的第二耦合线。所述移相器还包括连接到所述耦合器的输入端子并且配置为接收射频输入信号的输入端口、连接到所述耦合器的耦合端子并且配置为输出相对于所述射频输入信号具有相移的射频输出信号的输出端口、以及连接到所述耦合器的直通端子的第一可控反射负载。所述第一可控反射负载包括传输线和多个旁路开关，每个旁路开关连接在地电压和沿所述传输线的不同点之间，所述多个旁路开关可选择以控制相移。
39.在各种实施例中，所述第一可控反射负载还包括在所述传输线的第一侧上的第一接地导体和在所述传输线的第二侧上的第二接地导体。根据多个实施例，所述多个旁路开关中的每一个被实现为一对场效应晶体管，所述一对场效应晶体管包括连接在所述传输线和所述第一接地导体之间的第一场效应晶体管和连接在所述传输线和所述第二接地导体之间的第二场效应晶体管。
40.在若干实施例中，所述多个旁路开关在不均匀间隔的多个点处连接到所述传输线。根据多个实施例，所述多个点的相邻对之间的距离沿着所述传输线的长度逐渐减小。
41.在各种实施例中，所述多个旁路开关每个都具有不同的尺寸。根据多个实施例，所述多个旁路晶体管的尺寸沿着所述第一传输线的长度逐渐增加。
42.在若干实施例中，所述传输线包括多个弯曲部分。根据一些实施例，所述多个弯曲部分中的至少一个包括环路。
43.在多个实施例中，所述移相器还包括连接到所述耦合器的隔离端子的第二可控反射负载。
44.在某些实施例中，本公开涉及一种无线设备。所述无线设备包括收发器和耦接到所述收发器的前端系统。所述前端系统包括移相器，所述移相器包括耦合器，所述耦合器具有配置为接收射频输入信号的输入端子、直通端子、连接在所述输入端子和所述直通端子之间的第一耦合线、隔离端子、配置为输出相对于所述射频输入信号具有相移的射频输出信号的耦合端子、以及连接在所述隔离端子和所述耦合端子之间的第二耦合线。所述移相器还包括第一可控反射负载，所述第一可控反射负载连接到所述耦合器的直通端子并且包括传输线和多个旁路开关，每个旁路开关连接在地电压和沿所述传输线的不同点之间，所述多个旁路开关可选择以控制相移。
45.在一些实施例中，所述第一可控反射负载还包括在所述传输线的第一侧上的第一接地导体和在所述传输线的第二侧上的第二接地导体。根据多个实施例，所述多个旁路开关中的每一个被实现为一对场效应晶体管，所述一对场效应晶体管包括连接在所述传输线和所述第一接地导体之间的第一场效应晶体管和连接在所述传输线和所述第二接地导体之间的第二场效应晶体管。
46.在各种实施例中，所述多个旁路开关在不均匀间隔的多个点处连接到所述传输线。根据一些实施例，所述多个点的相邻对之间的距离沿着所述传输线的长度逐渐减少。
47.在若干实施例中，所述多个旁路开关每个都具有不同的尺寸。根据多个实施例，所述多个旁路晶体管的尺寸沿着所述第一传输线的长度逐渐增加。
48.在一些实施例中，所述移动设备还包括连接到所述耦合器的隔离端子的第二可控反射负载。
49.在某些实施例中，本公开涉及一种相移的方法。所述方法包括在耦合器的输入端子处接收射频输入信号。所述方法还包括提供从所述耦合器的第一耦合线到所述耦合器的第二耦合线的耦合，所述第一耦合线连接在所述耦合器的所述输入端子和所述耦合器的直通端子之间，并且所述第二耦合线连接在所述耦合器的隔离端子和所述耦合器的耦合端子之间。所述方法还包括从所述耦合器的所述耦合端子提供射频输出信号，所述射频输出信号相对于所述射频输入信号具有相移。所述方法还包括使用连接到所述耦合器的所述直通端子的第一可控反射负载来控制所述相移，其包括选择所述第一可控反射负载的多个旁路开关中的一个或多个，所述多个旁路开关中的每个都连接在地电压和沿所述第一可控反射负载的传输线上的不同点之间。
50.在一些实施例中，所述方法还包括控制连接到所述耦合器的所述隔离端子的第二可控反射负载。
51.在某些实施例中，本技术涉及一种移相器。所述移相器包括第一端口、第二端口、
第一可控反射负载以及第二可控反射负载，所述第二可控反射负载包括第一传输线和沿所述第一传输线连接的第一多个旁路开关。所述移相器还包括彼此电磁耦合的一对耦合线。所述一对耦合线包括连接在所述第一端口和所述第一可控反射负载之间的第一导线和连接在所述第二可控反射负载和所述第二端口之间的第二导线。
52.在各种实施例中，所述第二可控反射负载还包括在所述第一传输线的第一侧上的第一接地导体和在所述第一传输线的第二侧上的第二接地导体。根据若干实施例，所述第一多个旁路开关中的每一个被实现为一对场效应晶体管，所述一对场效应晶体管包括连接在所述第一传输线和所述第一接地导体之间的第一场效应晶体管以及连接在所述第一传输线和所述第二接地导体之间的第二场效应晶体管。
53.在一些实施例中，所述第一多个旁路开关中的一个或多个基于所述移相器的相移设置而闭合。
54.在一些实施例中，所述第一端口接收射频输入信号，并且所述第二端口提供相移射频输出信号。
55.在若干实施例中，所述第二端口接收射频输入信号，并且所述第一端口提供相移射频输出信号。
56.在各种实施例中，所述第一多个旁路开关在彼此具有均匀距离的多个点处连接到所述第一传输线。
57.在一些实施例中，所述第一多个旁路开关在彼此具有不均匀距离的多个点处连接到所述第一传输线。根据多个实施例，所述多个点的相邻对之间的距离沿着所述第一传输线的长度逐渐减小。
58.在若干实施例中，所述第一多个旁路开关每个具有共同的尺寸。
59.在一些实施例中，所述第一多个旁路开关每个都具有不同的尺寸。根据一些实施例，所述第一多个旁路晶体管的尺寸沿着所述第一传输线的长度逐渐增加。
60.在各种实施例中，所述第一传输线包括多个弯曲部分。根据多个实施例，所述多个弯曲部分中的至少一个包括环路。
61.在若干实施例中，所述第一可控反射负载包括第二传输线和沿所述第二传输线连接的第二多个旁路开关。
62.在一些实施例中，所述移相器还包括混合耦合器，所述混合耦合器包括所述一对耦合线。
63.在某些实施例中，本技术涉及一种无线设备。所述无线设备包括收发器和与耦接到所述收发器的前端系统。所述前端系统包括移相器，所述移相器包括第一端口、第二端口、第一可控反射负载、包括第一传输线和沿所述第一传输线连接的第一多个旁路开关的第二可控反射负载。所述移相器还包括彼此电磁耦合的一对耦合线。所述一对耦合线包括连接在所述第一端口和所述第一可控反射负载之间的第一导线、以及连接在所述第二可控反射负载和所述第二端口之间的第二导线。
64.在各种实施例中，所述第二可控反射负载还包括所述第一传输线的第一侧上的第一接地导体和在所述第一传输线的第二侧上的第二接地导体。根据多个实施例，所述第一多个旁路开关中的每一个被实现为一对场效应晶体管，所述一对场效应晶体管包括连接在所述第一传输线和所述第一接地导体之间的第一场效应晶体管、以及连接在所述第一传输
线和所述第二接地导体之间的第二场效应晶体管。
65.在若干实施例中，所述第一多个旁路开关中的一个或多个基于所述移相器的相移设置而闭合。
66.在各种实施例中，所述第一端口接收射频输入信号，并且所述第二端口提供相移射频输出信号。
67.在一些实施例中，所述第二端口接收射频输入信号，并且所述第一端口提供相移射频输出信号。
68.在多个实施例中，所述第一多个旁路开关在彼此具有均匀距离的多个点处连接到所述第一传输线。
69.在若干实施例中，所述第一多个旁路开关在彼此具有不均匀距离的多个点处连接到所述第一传输线。根据多个实施例，所述多个点的相邻对之间的距离沿着所述第一传输线的长度逐渐减少。
70.在各种实施例中，所述第一多个旁路开关每个都具有共同的尺寸。
71.在各种实施例中，所述第一多个旁路开关每个都具有不同的尺寸。根据一些实施例，所述第一多个旁路晶体管的尺寸沿着所述第一传输线的长度逐渐增加。
72.在多个实施例中，所述第一传输线包括多个弯曲部分。根据各种实施例，所述多个弯曲部分中的至少一个包括环路。
73.在一些实施例中，所述第一可控反射负载包括第二传输线和沿所述第二传输线连接的第二多个旁路开关。
74.在若干实施例中，所述移相器还包括混合耦合器，所述混合耦合器包括所述一对耦合线。
75.在某些实施例中，提供了一种相移的方法。所述方法包括在第一端口处接收射频输入信号。所述方法还包括控制第一可控反射负载和第二可控反射负载以控制在第二端口处的射频输出信号的相移，所述第一可控反射负载包括第一传输线和沿所述第一传输线连接的第一多个旁路开关。所述方法还包括提供在一对耦合线中的第一导线和第二导线之间的耦合，所述第一导线连接在所述第一端口和所述第一可控反射负载之间，所述第二导线连接在所述第二可控反射负载和所述第二端口之间。
76.在若干实施例中，所述第二可控反射负载还包括在所述第一传输线的第一侧上的第一接地导体和在所述第一传输线的第二侧上的第二接地导体。根据一些实施例，所述第一多个旁路开关中的每一个被实现为一对场效应晶体管，所述一对场效应晶体管包括连接在所述第一传输线和所述第一接地导体之间的第一场效应晶体管、以及连接在所述第一传输线和所述第二接地导体之间的第二场效应晶体管。
77.在多个实施例中，所述方法还包括基于所述移相器的相移设置来闭合所述第一多个旁路开关中的一个或多个。
78.在各种实施例中，所述第一多个旁路开关在彼此具有均匀距离的多个点处连接到所述第一传输线。
79.在若干实施例中，所述第一多个旁路开关在彼此具有不均匀距离的多个点处连接到所述第一传输线。根据多个实施例，所述多个点的相邻对之间的距离沿着所述第一传输线的长度逐渐减小。
80.在各种实施例中，所述第一多个旁路开关每个都具有共同的尺寸。
81.在一些实施例中，所述第一多个旁路开关每个都具有不同的尺寸。根据多个实施例，所述第一多个旁路晶体管的尺寸沿着所述第一传输线的长度逐渐增加。
82.在若干实施例中，所述第一传输线包括多个弯曲部分。根据多个实施例，所述多个弯曲部分中的至少一个包括环路。
83.在各种实施例中，所述第一可控反射负载包括第二传输线和沿着所述第二传输线连接的第二多个旁路开关。
84.在一些实施例中，所述移相器还包括混合耦合器，所述混合耦合器包括所述一对耦合线。
附图说明
85.现在将参考附图，以非限制性示例的方式描述本技术的实施例。
86.图1是通信网络的一个示例的示意图。
87.图2a是使用波束成形操作的通信系统的一个实施例的示意图。
88.图2b是提供发射波束的波束成形的一个实施例的示意图。
89.图2c是提供接收波束的波束成形的一个实施例的示意图。
90.图3是根据一个实施例的移相器的示意图。
91.图4a是根据一个实施例的切换传输线的示意图。
92.图4b是根据另一实施例的切换传输线的示意图。
93.图5a是根据另一实施例的切换传输线的示意图。
94.图5b是根据另一实施例的切换传输线的示意图。
95.图6是根据另一实施例的切换传输线的示意图。
96.图7是根据另一实施例的切换传输线的示意图。
97.图8是移动设备的一个实施例的示意图。
98.图9a是根据一个实施例的rf信道的示意图。
99.图9b是根据另一实施例的rf信道的示意图。
100.图10a是以波束成形操作的模块的一个实施例的立体图。
101.图10b是图10a沿10b-10b线的模块的横截面。
具体实施方式
102.下面某些实施例的详细描述呈现了特定实施例的各种描述。然而，本文描述的创新可以以多种不同的方式体现，例如，如权利要求书所定义和涵盖的。在本描述中，参考附图，其中相同的附图标记可以表示相同或功能相似的元素。应当理解的是，图中图示的元素不一定按比例绘制的。此外，应当理解的是，某些实施例可以包括比图中图示更多的元素和/或图中图示元素的子集。此外，一些实施例可以包括两张或多张图中的特征的任何适当组合。
103.国际电信联盟(international telecommunication union，itu)是联合国(un)的一个专门机构，负责有关信息和通信技术的全球问题，包括无线电频谱的全球共享使用。
104.第三代合作伙伴项目(3gpp)是世界各地的电信标准机构团体之间的合作，诸如无
线电工业和商业协会(association of radio industries and businesses，arib)、电信技术委员会(telecommunications technology committee，ttc)、中国通信标准协会(china communications standards association，ccsa)、电信行业解决方案联盟(alliance for telecommunications industry solutions，atis)、电信技术协会(telecommunications technology association，tta)、欧洲电信标准研究所(european telecommunications standards institute，etsi)和印度电信标准发展协会(telecommunications standards development society，india，tsdsi)。
105.在itu的范围内工作，3gpp开发和维护各种移动通信技术的技术规范，包括例如第二代(2g)技术(例如，全球移动通信系统(gsm)和增强型数据速率gsm演进(edge))、第三代(3g)技术(例如，通用移动电信系统(umts)和高速分组接入(hspa))，以及第四代(4g)技术(例如，长期演进(lte)和lte-升级)。
106.由3gpp控制的技术规范可以通过规范版本进行扩展和修订，这些版本可以跨越多年，并规定新特征和演进的广度。
107.在一个示例中，3gpp在版本10中为lte引入载波聚合(carrier aggregation，ca)。虽然最初引入了两个下行链路载波，但3gpp在版本14中扩展了载波聚合，以包括多达五个下行链路载波和多达三个上行链路载波。3gpp版本提供的其他新功能和演进的示例包括但不限于许可辅助接入(license assisted access，laa)、许可辅助接入(enhanced laa，elaa)、窄带物联网(narrowband internet of things，nb-iot)、车用无线通信技术(vehicle-to-everything，v2x)和高功率用户设备(high power user equipment，hpue)。
108.3gpp在版本15中引入第五代(5g)技术的第1阶段，并在版本16中引入5g技术的第2阶段。随后的3gpp版本将进一步演进和扩展5g技术。5g技术在本文中也被称为5g新空口(new radio，nr)。
109.5g nr支持和/或计划支持各种特征，诸如毫米波频谱上的通信、波束成形能力、高频谱效率波形、低延迟通信、多无线电数字学和/或非正交多址(non orthogonal multiple access，noma)。尽管这种rf功能为网络提供了灵活性，并提高了用户数据速率，但支持这些功能会带来一些技术挑战。
110.本文的教导适用于各种各样通信系统，包括但不限于使用先进蜂窝技术的通信系统，如lte-advanced、lte-advanced pro和/或5g nr。
111.图1是通信网络10的一个示例的示意图。通信网络10包括宏蜂窝基站1、小型蜂窝基站3和用户设备(ue)的各种示例，用户设备(ue)的各种示例包括第一移动设备2a、无线连接的汽车2b、笔记本电脑2c、固定的无线设备2d、无线连接的火车2e、第二移动设备2f和第三移动设备2g。
112.尽管图1中图示了基站和用户设备的具体示例，但通信网络可以包括各种各样类型和/或数量的基站和用户设备。
113.例如，在所示的示例中，通信网络10包括宏蜂窝基站1和小型蜂窝基站3。小型蜂窝基站3可以相对于宏蜂窝基站1以相对较低的功率、较短的范围和/或的较少的并发用户来操作。小型蜂窝基站3也可以被称为毫微微蜂窝基站(femtocell)、微微蜂窝基站(picocell)、或微蜂窝基站(microcell)。虽然通信网络10图示为包括两个基站，但通信网络10可以实现为包括更多或更少的基站和/或其他类型的基站。
114.虽然示出了用户设备的各种示例，但本文的教导适用于各种各样用户设备，包括但不限于移动电话、平板电脑、笔记本电脑、iot设备、可穿戴电子设备、客户驻地设备(customer premises equipment，cpe)、无线连接的车辆、无线继电器、和/或各种各样其他通信设备。此外，用户设备不仅包括在蜂窝网络中运行的目前可用的通信设备，还包括随后开发的通信设备，这些设备将很容易与本文描述和要求的本发明系统、工艺、方法和设备一起实施。
115.图1的图示的通信网络10支持使用各种各样蜂窝技术的通信，包括例如，4g lte和5g nr。在某些实施方式中，通信网络10进一步适于提供无线局域网(wlan)，诸如wifi。尽管已经提供了各种通信技术的示例，但通信网络10可以适于支持各种各样通信技术。
116.图1中已经描绘了通信网络10的各种通信链路。通信链路可以以各种各样的方式进行双工，包括例如，使用频分双工(frequency-division duplexing，fdd)和/或时分双工(time-division duplexing，tdd)。fdd是一种射频通信的类型，其使用不同的频率来发射和接收信号。fdd可以提供许多优势，诸如高数据速率和低时延。相比之下，tdd是一种射频通信类型，其使用大约相同的频率来发射和接收信号，并且其中发射和接收通信在时间上进行切换。tdd可以提供许多优势，诸如有效利用频谱和在发射和接收方向之间吞吐量的可变分配。
117.在某些实施方式中，用户设备可以使用4g lte、5g nr和wifi技术中的一种或多种与基站通信。在某些实施方式中，增强的许可辅助接入(enhanced license assisted access，elaa)被用来将一个或多个许可频率载波(例如，许可的4g lte和/或5g nr频率)与一个或多个非许可载波(例如，非许可的wifi频率)聚合在一起。
118.如图1所示，通信链路不仅包括ue和基站之间的通信链路，而且包括ue到ue通信以及基站到基站通信。例如，通信网络10可以实现为支持(例如，在移动设备2g和移动设备2f之间)自-前传(self-fronthaul)和/或自回传(self-backhaul)。
119.通信链路可以在各种各样的频率上运行。在某些实施方式中，在一个或多个小于6千兆赫(ghz)的频带上和/或在大于6ghz的一个或多个频带上，使用5g nr技术支持通信。例如，通信链路可以服务于频率范围1(fr1)、频率范围2(fr2)或其组合。在一实施例中，移动设备中的一个或多个支持hpue功率等级规范。
120.在某些实施方式中，基站和/或用户设备使用波束成形进行通信。例如，波束成形可用于集中信号强度以克服路径损失，诸如与在高信号频率上的通信有关联的高损失。在某些实施例中，用户设备，诸如一个或多个移动电话，使用波束成形在30ghz至300ghz范围内的毫米波频带和/或6ghz至30ghz，或更具体地说，24ghz至30ghz范围内的厘米波频率上进行通信。
121.通信网络10的不同用户可以以各种各样的方式分享可用的网络资源，诸如可用的频谱。
122.在一个示例中，频分多址(frequency division multiple access，fdma)被用来将频带分成多个频率载波。此外，一个或多个载波被分配给特定的用户。fdma的示例包括，但不限于，单载波fdma(single carrier fdma，sc-fdma)和正交fdma(orthogonal fdma，ofdma)。ofdma是一种多载波技术，其将可用带宽细分为多个相互正交的窄带子载波，可分别分配给不同用户。
123.共享接入的其他示例包括但不限于：时分多址(time division multiple access，tdma)，其中用户被分配用于使用频率资源的特定时隙；码分多址(code division multiple access，cdma)，其中通过给每个用户分配唯一的代码在不同用户之间共享频率资源；空分多址(space-divisional multiple access，sdma)，其中使用波束成形以通过空间划分提供共享接入；以及非正交多址(non-orthogonal multiple access，noma)，其中功率域被用于多址接入。例如，noma可用于以相同的频率、时间和/或代码、但不同的功率级为多个用户提供服务。
124.增强型移动宽带(enhanced mobile broadband，embb)是指用于增长lte网络的系统容量的技术。例如，embb可以指峰值数据速率至少10gbps且每个用户最低100mbps的通信。超可靠低时延通信(ultra-reliable low latency communication，urllc)是指时延极低的通信技术，例如，低于2毫秒。urllc可用于诸如自动驾驶和/或远程手术应用的关键任务的通信。大规模机器型通信(massive machine-type communication，mmtc)是指与日常对象的无线连接有关联的低成本和低数据速率的通信，诸如与物联网(internet of things，iot)应用有关联的通信。
125.图1的通信网络10可用于支持各种各样高级通信特征，包括但不限于embb、urllc和/或mmtc。
126.图2a是以波束成形方式运行的通信系统110的一个实施例的示意图。通信系统110包括收发器105，信号调节电路104a1、104a2...104an、104b1、104b2...104bn、104m1、104m2...104mn，以及包括天线元件103a1、103a2...103an、103b1、103b2...103bn、103m1、103m2...103mn的天线阵列102。
127.使用毫米波载波、厘米波载波和/或其他频率载波通信的通信系统可以采用天线阵列(诸如天线阵列102)，为信号的发射和/或接收提供波束形成和分集。
128.例如，在图示的实施例中，通信系统110包括m x n个天线元件的阵列102，在本实施例中，天线元件中的每个都耦接到单独的信号调节电路。如省略号所示，通信系统110可以用任何合适数量的天线元件和信号调节电路来实现。
129.关于信号发射，信号调节电路104a1、104a2...104an、104b1、104b2...104bn、104m1、104m2...104mn可以向天线阵列102提供发射信号，使得从天线元件辐射的信号使用相长干涉和相消干涉相结合，以生成聚合发射信号，该聚合发射信号在远离天线阵列102的给定方向展示具有更多信号强度传播的束状品质。
130.在信号接收的情形中，信号调节电路104a1、104a2...104an、104b1、104b2...104bn、104m1、104m2...104mn处理接收的信号(例如，通过单独控制接收的信号相位)，使得当信号从特定方向到达天线阵列102时更多信号能量被接收。因此，通信系统110还提供用于接收信号的分集。
131.通过增加阵列的尺寸，可以增强信号能量在发射波束或接收波束中的相对集中度。例如，随着更多的信号能量聚焦入发射波束，信号能够传播更远的范围，同时为rf通信提供足够的信号电平。例如，有很大一部分信号能量聚焦入发射波束的信号可以展示高等效全向辐射功率(effective isotropic radiated power，eirp)。
132.在图示的实施例中，收发器105向信号调节电路104a1、104a2...104an、104b1、104b2...104bn、104m1、104m2...104mn提供发射信号并处理从信号调节电路接收的信号。
133.如图2a所示，收发器105为信号调节电路104a1、104a2...104an、104b1、104b2...104bn、104m1、104m2...104mn生成控制信号。控制信号可用于各种功能，诸如控制发射和/或接收信号的增益和相位以控制波束成形。例如，信号调节电路104a1、104a2...104an、104b1、104b2...104bn、104m1、104m2...104mn中的每个可以包括根据本文的教导实现的移相器。
134.图2b是提供发射波束的波束成形的一个实施例的示意图。图2b图示了通信系统的一部分，其包括第一信号调节电路114a、第二信号调节电路114b、第一天线元件113a和第二天线元件113b。
135.尽管图示包括两个天线元件和两个信号调节电路，但通信系统可以包括额外的天线元件和/或信号调节电路。例如，图2b图示了图2a的通信系统110的一部分的一个实施例。
136.第一信号调节电路114a包括第一移相器130a、第一功率放大器131a、第一低噪声放大器(lna)132a，以及用于控制功率放大器131a或lna 132a的选择的开关。此外，第二信号调节电路114b包括第二移相器130b，第二功率放大器131b，第二lna 132b，以及用于控制功率放大器131b或lna132b的选择的开关。第一移相器130a和第二移相器130b可以根据本文实施例中的任何一个来实现。
137.尽管示出了信号调节电路的一个实施例，但信号调节电路的其他实施方式也是可能的。例如，在一个示例中，信号调节电路包括一个或多个带状滤波器、双工器、双信器和/或其他部件。
138.在图示的实施例中，第一天线元件113a和第二天线元件113b相隔距离d。此外，图2b已用角度θ注释，在本实施例中，当发射波束方向基本上垂直于天线阵列的平面时，角度θ的值约90
°
，当发射波束方向基本上平行于天线阵列的平面时，角度θ的值约0
°
。
139.通过控制提供给天线元件113a、113b的发射信号的相对相位，可以获得期望的发射波束角θ。例如，当第一移相器130a具有0
°
的参考值时，可以控制第二移相器130b以提供约-2πf(d/ν)cosθ弧度的相移，其中f是发射信号的基本频率，d是天线元件之间的距离，ν是辐射波的速度，π是数学常数pi。
140.在某些实施例中，距离d被实现为大约1/2λ，其中λ是发射信号的基波分量的波长。在这种实施方式中，可以控制第二移相器130b以提供约﹣πcosθ弧度的相移，以获得发射波束角θ。
141.相应地，可以控制移相器130a、130b的相对相位以提供发射波束成形。在某些实施例中，收发器(例如，图2a的收发器105)控制一个或多个移相器的相位值以控制波束成形。
142.图2c是提供接收波束的波束成形的一个实施例的示意图。图2c类似于图2b，只是图2c在接收波束而不是发射波束的情形中的图示波束成形。
143.如图2c所示，第一移相器130a与第二移相器130b之间的相对相位差可以被选择为大约等于﹣2πf(d/ν)cosθ弧度，以获得期望的接收波束角θ。在距离d对应于约1/2λ的实施方式中，相位差可以被选择为约等于﹣πcosθ弧度，以获得接收波束角θ。
144.尽管已经提供了用于提供波束成形的相位值的各种方程式，但其他相位选择值也是可能的，诸如基于天线阵列的实施方式、信号调节电路的实施方式和/或无线电环境选择的相位值。
145.具有切换传输线负载的移相器
146.移相器用于射频(rf)系统中，为rf信号提供可控的相位调整。
147.本文提供了具有切换传输线负载的移相器。在某些实施例中，移相器包括第一端口、第一可控反射负载、第二端口、第二可控反射负载以及一对彼此电磁耦合的耦合线。这对耦合线包括在第一端口和第一可控反射负载之间的第一导线，以及在第二可控反射负载和第二端口之间的第二导线。第一可控反射负载或第二可控反射负载中的至少一个包括切换传输线负载。
148.通过以这种方式实现移相器，可以实现高频率性能(例如，在诸如在24ghz至30ghz范围内的fr2中的操作)。此外，在移相器的相位设置范围上可以获得良好的回波损耗和/或回波损耗可以相对恒定。此外，移相器的群延迟几乎不随频率变化，因此不会使宽带信号畸变。
149.第一可控反射负载和第二可控反射负载是基于移相器的选定相位设置而控制。在某些实施方式中，每个可控反射负载使用切换传输线负载来实现。这种切换传输线负载可以包括传输线和连接在传输线和参考电压(诸如，地)之间的旁路开关(例如，场效应晶体管或fet)。通过选择接通的开关组合，可以控制传输线的有效电长度。随着有效电长度的变化，移相器所提供的相移量也会发生变化。
150.偶模阻抗、奇模阻抗和一对耦合线的长度可以在设计期间调整，以获得期望的性能特征。在某些实施方式中，该对耦合线被实现为耦合器，诸如3-db九十度90
°
耦合器(在本文中也称为混合耦合器)。混合耦合器与可控反射负载结合一起运行，以获得期望的性能。
151.本文的移相器可用于各种各样应用，包括但不限于在用于波束成形应用的rf信号条件电路中提供相移。
152.在本文的某些实施方式中，移相器配置为向5g的频率范围2(fr2)(例如，24.25ghz至52.6ghz)中的rf信号提供相移。然而，这里的移相器可以处理其他rf信号的频率。
153.图3是根据一个实施例的移相器210的示意图。移相器210包括一对耦合线200(在本实施例中对应于混合耦合器)、第一可控反射负载201(在此也称为可变反射负载)、第二可控反射负载202、输入端口in和输出端口out。耦合线200包括彼此电磁耦合的第一导线203和第二导线204。
154.在图示的实施例中，第一导线203的第一端207a连接到输入端口in，并且第一导线203的第二端207b连接到第一可控反射负载201。此外，第二导线204的第一端208a连接到第二可控反射负载202，并且第二导线204的第二端208b连接到输出端口out。第一导线203的第一端207a和第二导线204的第一端208a在耦合线200的第一侧，而第一导线203的第二端207b和第二导线204的第二端208b在耦合线200的第二或相对侧。
155.在本实施例中，这对耦合线200被实现为混合耦合器。此外，第一端207a对应于耦合器的输入端子(in)，第二端207b对应于耦合器的直通端子(0
°
)，第一端208a对应于耦合器的隔离端子(iso)，并且第二端208b对应于耦合器的耦合端子(90
°
)。
156.根据本文的教导，第一可控反射负载201或第二可控反射负载202中的至少一个使用切换传输线实现。
157.通过以这种方式实现移相器210，可以获得高频率性能、良好的回波损耗和/或跨相位设置的恒定回波损耗。此外，移相器210的群延迟几乎没有随频率变化，因此不会使宽带信号畸变。
158.在某些实施例中，第一可控反射负载201和第二可控反射负载202基于移相器210的选定相位设置被控制，从而改变反射负载的传输线的电长度。例如，第一可控反射负载201和第二可控反射负载202可以每个实现为由公共控制信号控制的切换传输线。
159.偶模阻抗、奇模阻抗和一对耦合线200的长度可以在设计期间调整，以获得期望的性能特征。耦合线200与可控反射负载201/202结合一起运行，以获得期望的性能。
160.图4a是根据一个实施例的切换传输线230的示意图。切换传输线230包括传输线221、到传输线221的rf输入rf
in
、旁路开关222a、222b、222c、...222n以及控制电路223。因此，包括n个旁路开关，其中n是2或更多、或者更优选的是4或更多的整数。
161.图4a的切换传输线230图示了根据本文教导实现的可控反射负载的一个实施例。
162.在图示的实施例中，控制电路223基于选定的相移设置φ断开或闭合旁路开关222a、222b、222c、...222n。旁路开关222a、222b、222c、...222n沿传输线221连接到不同位置。旁路开关222a、222b、222c、...222n选择性地将传输线221连接到地。
163.通过改变旁路开关222a、222b、222c、...222n中哪些接通以及哪些断开，传输线221的电长度被改变。这反过来又影响到其中并入了开关传输线230的反射式移相器的整体相移。
164.在某些实施方式中，控制电路223接通所有开关(或至少最靠近rf
in
的旁路开关222a)以提供传输线221的最短电长度。当在所有旁路开关闭合的状态下开始时，从最接近rf
in
的开关222a开始，通过顺序断开(关断)旁路开关，可以提供逐渐更长的电长度。
165.图4b是根据另一实施例的切换传输线230
′
的示意图。
166.图4b的切换传输线230
′
类似于图4a的切换传输线230，除了图4b的切换传输线230
′
包括控制电路223
′
，控制电路223
′
包括温度计解码器224。
167.在本文的某些实施例中，切换传输线包括使用温度计编码控制的旁路开关。
168.图5a是根据另一实施例的切换传输线240的示意图。切换传输线240包括传输线231、第一接地导体233a、第二接地导体233b以及一对fet开关232a1/232a2、232b1/232b2、232c1/232c2、...232n1/232n2。因此，包括n对旁路开关，其中n是2或更多、或者更优选的是4或更多的整数。
169.与图4a的切换传输线230相比，图5a的切换传输线240使用一对fet开关实现每个旁路开关。此外，每对fet开关包括连接在传输线231和第一接地导体233a之间的一个fet开关(例如，fet开关232a1)和连接在传输线231和第二接地导体233b之间的另一个fet开关(例如，fet开关232a2)。在某些实施方式中，每对fet开关通常由相应的控制信号(例如，由诸如图4a的控制电路223的控制电路生成的用于每对的n个控制信号)控制。
170.通过以所描述的方式使用fet实现旁路开关，(特别是在高频下)获得了增强的性能。
171.图5b是根据另一实施例的切换传输线250的示意图。切换传输线250包括传输线231、第一接地导体233a、第二接地导体233b、以及成对的fet开关242a1/242a2、242b1/242b2、242c1/242c2、...242n1/242n2。
172.图5b的切换传输线250类似于图5a的切换传输线240，除了图5b的切换传输线250包括具有不同尺寸(因而改变通态电阻和断态电容)和彼此间不同距离或间隔的旁路开关。
173.以这种方式实现切换传输线250提供了许多优点。
174.例如，旁路开关的通态电阻(ron)可以单独选择，以在切换状态(对应于相移设置)上保持基本恒定的反射系数(|γ
l
|)。在某些实施方式中，ron可以随着相移的增加而减小，因此靠近传输线的rf输入的开关可以比远离rf输入的开关更小(对于更高的通态电阻)。
175.在另一个示例中，选择开关之间的传输线231的长度(d1、d2、...dn)，以控制相邻相位设置之间的相位步长量。
176.例如，通过适当选择开关之间的距离，可以在27ghz的中心频率下获得11.25度的相位步长。
177.在实现切换传输线250时，依据对传输线231的特性阻抗和传播常数的影响来考虑断态电容(coff)。例如，可以同时并迭代地设计开关和传输线。
178.图6是根据另一实施例的切换传输线260的示意图。切换传输线260包括传输线251、到传输线251的rf输入rf
in
、旁路开关222a、222b、222c、...222n和控制电路223。
179.图6的切换传输线260类似于图4a的切换传输线230，除了图6中所示的传输线251包括部分255a、255b、...255n，这些部分是弯曲的以获得期望的相位和/或幅度响应，同时保持紧凑的布局。
180.传输线的弯曲也应用于使用耦接到一对接地线的成对fet开关的配置。例如，图5a和5b的实施例的传输线231可以根据本文的教导弯曲。
181.图7是根据另一实施例的切换传输线310的示意图。切换传输线310包括传输线301、第一接地导体302a、第二接地导体302b、第一对开关304a-304b、以及第二对开关305a-305b。如省略号所示，可以包括额外的成对开关。
182.在图7的示例中，传输线301包括在小环路中弯曲的第一部分305a和在没有环路的情况下弯曲的第二部分305b。图7的实施例描述了弯曲以在保持紧凑布局同时获得期望的相位和/或幅度响应的另一个示例。
183.使用根据本文教导实现的反射型移相器可以获得各种各样性能结果。
184.下面的表1示出了根据图5b的一个实施方式，使用切换传输线负载的移相器的一个示例结果。
185.表1
[0186][0187]
图8是移动设备800的一实施例的示意图。移动设备800包括基带系统801、收发器802、前端系统803、天线804、功率管理系统805、存储器806、用户接口807、以及电池808。
[0188]
移动设备800可以使用各种各样通信技术进行通信，包括但不限于2g、3g、4g(lte、lte升级(lte advanced)以及lte升级专业(lte-advanced pro)1)、5g nr、wlan(例如，wifi)、wpan(例如，蓝牙和紫蜂(zigbee))、wman(例如，wimax)和/或gps技术。
[0189]
收发器802生成用于发射的rf信号并且处理从天线804接收的传入rf信号。应当理解的是，与rf信号的发射和接收相关联的各种功能可通过在图8整体表示为收发器802的一个或多个部件来获得。在一示例中，不同的部件(例如，不同的电路或芯片)可被提供以用于处理特定类型的rf信号。
[0190]
前端系统803辅助调节发射到天线804和/或从天线804接收的信号。在图示的实施例中，前端系统803包括移相器810、功率放大器(pa)811、低噪声放大器(low noise amplifier，lna)812、滤波器813、开关814以及双工器815。
[0191]
移相器810可以根据本文的任何实施例来实现。然而，本文公开的移相器可用于电子系统的其它配置。
[0192]
前端系统803可以提供一些功能，包括但不限于放大用于发射的信号、放大接收的信号、对信号进行滤波、在不同频带之间切换、在不同功率模式之间切换、在发射和接收模式之间切换、信号的双工、信号的复用(例如双信或三工)、或其一些组合。
[0193]
移动设备800利用波束成形方式操作。例如，前端系统803包括具有由收发器802控制的可变相位的移相器810。在某些实施方式中，收发器802基于从处理器801接收的数据控制移相器810的相位。
[0194]
移相器810被控制以提供用于使用天线804的信号的发射和/或接收的波束形成和分集。例如，在信号发射的情形中，控制被提供给用于发射的天线阵列的发射信号的相位，使得辐射信号使用相长干涉和相消干涉相结合，以生成聚合发射信号，该聚合发射信号在给定方向展示具有更多信号强度传播的束状品质。在信号接收的情形中，相位被控制，以便当信号从特定方向到达天线阵列时接收更多的信号能量。
[0195]
在某些实施例中，移动设备800支持载波聚合，从而提供灵活性以增加峰值数据速率。载波聚合可以用于频分双工(frequency division duplexing，fdd)和时分双工(time division duplexing，tdd)，并且可以用于聚合多个载波或信道。载波聚合包括连续聚合，其中具有相同操作频带的连续载波被聚合。载波聚合也可以是非连续的，并且可以包括在公共频带或不同频带中以频率分隔的载波。
[0196]
天线804可以包括用于各种各样类型的通信的天线。例如，天线804可以包括用于发射和/或接收与各种各样的频率和通信标准相关的信号的天线。
[0197]
在某些实施方式中，天线804支持mimo通信和/或切换分集通信。例如，mimo通信经由单射频信道使用多个天线通信多个数据流。mimo通信得益于由无线电环境的空间复用差异导致的更高信噪比、改进的编码和/或降低的信号干扰。切换分集指的是选择特定天线以在特定时间进行操作的通信。例如，开关可被用于基于各种因素，诸如观测到的误码率和/或信号强度指示符从天线组中选择特定天线。
[0198]
在某些实施方式中，天线804包括一个或多个天线元件的阵列以增强波束成形。
[0199]
基带系统801耦接至用户接口807，以便于处理各种用户输入和输出(i/o)，诸如声音和数据。基带系统801提供具有发射信号的数字表示的收发器802，收发器802处理该数字表示以生成用于发射的rf信号。基带系统801也处理由收发器802提供的接收信号的数字表示。如图8所示，基带系统801耦接到存储器806，以便于移动设备800的操作。
[0200]
存储器806可用于各种各样目的，例如存储数据和/或指令以便于移动设备800的操作和/或提供用户信息的存储。
[0201]
功率管理系统805提供移动设备800的多个功率管理功能。在某些实施例中，功率管理系统805包括控制功率放大器811的电源电压的pa电源控制电路。例如，功率管理系统805可以配置为改变提供给功率放大器811中的一个或多个的电源电压，以改善效率，例如功率增加效率(power added efficiency，pae)。
[0202]
如图8所示，功率管理系统805从电池808接收电池电压。电池808可以是用于移动设备800的任何合适的电池，包括例如锂离子电池。
[0203]
图9a是根据一个实施例的rf信道910的示意图。rf信道910包括rf分路器/合成器901，移相器902a、902b、...902z，第一组发射/接收(t/r)开关903a、903b、...903z，功率放大器904a、904b、...904z，低噪声放大器(lna)905a、905b、...905z，第二组t/r开关906a、906b、...906z，和天线907a、907b、...907z。
[0204]
在图示的实施例中，t/r开关选择用于发射的用功率放大器或用于接收的lna。因此，rf信道910适合于时分双工(time division duplexing，tdd)。此外，rf分路器/合成器901用于发射和接收方向共享，从而减少rf信号路由。
[0205]
尽管描述了rf信道的一个实施例，但本文的教导适用于以各种各样方式实现的rf信道。因此，其他实施方式也是可能的。
[0206]
图9b是根据另一实施例的rf信道920的示意图。rf信道920包括rf分路器911a，rf合成器911b，第一组移相器912a、912b、...912z，第二组移相器913a、913b、...913z，功率放大器904a、904b、...904z，lna 905a、905b、...905z，t/r开关906a、906b、...906z，以及天线907a、907b、...907z。
[0207]
rf信道920图示了rf信道的另一个实施例。然而，本文的教导适用于以各种各样的方式实施的rf信道。因此，其他实施方式也是可能的。
[0208]
图10a是以波束成形操作的模块1140的一个实施例的立体图。图10b是图10a的模块1140沿线10b-10b的剖面图。
[0209]
模块1140包括层压基板或层压件1141、半导体芯片或ic 1142(在图10a中不可见)、表面装配器件(smd)1143(在图10a中不可见)和天线阵列，天线阵列包括天线元件1151a1、1151a2、1151a3...1151an、1151b1、1151b2、1151b3...1151bn、1151c1、1151c2、1151c3...1151cn、1151m1、1151m2、1151m3...1151mn。
[0210]
尽管图10a和10b中示出了模块的一个实施例，但本文的教导适用于以各种各样方式实现的模块。例如，模块可以包括天线元件、芯片和/或表面安装器件的不同排列和/或数量。此外，模块1140可以包括额外的结构和组件，包括但不限于封装结构、屏蔽结构和/或引线键合。
[0211]
天线元件1151a1、1151a2、1151a3...1151an、1151b1、1151b2、1151b3...1151bn、1151c1、1151c2、1151c3...1151cn、1151m1、1151m2、1151m3...1151mn形成在层压件1141的第一表面上，并且基于实施例可以用于接收和/或发射信号。虽然所示的是4x4的天线元件阵列，但如省略号所示，更多或更少的天线元件是可能的。此外，天线元件可以以其他模式或配置排列，包括，例如，使用天线元件的不均匀排列的阵列。此外，在另一个实施例中，提供了多个天线阵列，诸如用于发射和接收的独立天线阵列和/或用于不同通信频带段的天线阵列。
[0212]
在图示的实施例中，ic1142在与第一表面相对的层压件1141的第二表面上。然而，
其他实施方式也是可能的。在一个示例中，ic1142内部集成到层压件1141。
[0213]
在某些实施方式中，ic 142包括与天线元件1151a1、1151a2、1151a3...1151an、1151b1、1151b2、1151b3...1151bn、1151c1、1151c2、1151c3...1151cn、1151m1、1151m2、1151m3...1151mn有关的信号调节电路。这种信号调节电路可以包括根据本文教导实施的一个或多个移相器1145。
[0214]
在一个实施例中，ic 1142包括串行接口，诸如移动工业处理器接口射频前端(mobile industry processor interface radio frequency front-end，mipi rffe)总线和/或集成电路(inter-integrated circuit，i2c)总线，其接收用于控制信号调节电路的数据，诸如移相器1145提供的相移量。在另一个实施例中，集成电路142还包括集成收发器。
[0215]
层压件1141可以包括各种结构，包括例如导电层、电介质层和/或焊接掩模。层的数量、层厚度和用于形成层的材料可以基于各种各样因素来选择，并且可以随应用和/或实施方式而变化。层压件1141可以包括用于向天线元件的信号馈电和/或接地馈电提供电气连接的通孔。例如，在某些实施方式中，通孔可以辅助提供ic 1142的信号调节电路和相应的天线元件之间的电气连接。
[0216]
天线元件1151a1、1151a2、1151a3...1151an、1151b1、1151b2、1151b3...1151bn、1151c1、1151c2、1151c3...1151cn、1151m1、1151m2、1151m3...1151mn可以对应于以各种各样方式实现的天线元件。在一个示例中，天线元件阵列包括由层压件1141的第一侧上的图案化导电层形成的贴片天线元件，具有使用在层压件1141相对侧上或层压件1141内部的导电层形成的接地平面。天线元件的其他示例包括但不限于偶极子天线元件、陶瓷谐振器、冲压金属天线和/或激光直接结构天线。
[0217]
模块1140可以包括在诸如移动电话或基站的通信系统中。在一个示例中，模块1140附接到移动电话的电话板。
[0218]
应用
[0219]
本文所述实施例的原理和优点可用于各种各样应用。
[0220]
例如，移相器可以包括在各种电子设备中，包括但不限于消费电子产品、消费类电子产品的部件、电子测试设备等。示例电子设备包括但不限于基站、无线网络接入点、移动电话(例如智能电话)、平板电脑、电视、电脑显示器、电脑、手持电脑、个人数字助理(pda)、微波炉、冰箱、汽车、立体声系统、光盘播放器、数码相机、便携式存储芯片、洗衣机、烘干机、复印机、传真机、扫描仪、多功能外围设备、手表、时钟等。此外，这些电子设备可以包括未完成的产品。
[0221]
总结
[0222]
除非上下文另有明确要求，否则在整个说明书和权利要求书中，与排他或排他意义相反地，单词“包括”、“包括了”和类似单词以包括性意义来理解；也就是说，在“包括，但不限定于”的意义中。如本文通常使用的，单词“耦接”指的是两个或更多元件可直接连接或通过一个或多个中间元件的方式连接。类似地，如本文通常使用的，单词“连接”指的是两个或更多元件两个或更多元件可直接连接或通过一个或多个中间元件的方式连接。另外，当在本技术中适用，单词“本文中”、“以上”、“以下”和相似含义的单词，应该指的是作为整体的本技术而非本技术的任意特定部分。当上下文允许时，在使用单数或复数的以上详细说明的单词也可分别包括单数或复数。提及两个或更多项目的列表时的措词“或”，此措词涵
盖该措词的所有以下解释：列表中的任何项目、列表中的所有项目、列表中项目的任何组合。
[0223]
除非另外说明或在上下文内理解而使用，本文使用的条件语言诸如，其中，“可”“可能”“可(might)”“可以”“例”“例如”“诸如”和类似语言通常旨在表达某些实施例包括而其它实施例不包括某些特征、元件和/或状态。因此，这种条件语言通常不旨在暗示特征、元素和/或状态是一个或多个实施例以任何方式所必需的，或者一个或多个实施例必须包括用于在有或没有作者输入或提示的情况下，决定这些特征、元素和/或状态是否被包括或在任何特定实施例中执行的逻辑。
[0224]
以上对本发明实施例的详细描述并非旨在穷举或将本发明限制为以上公开的精确形式。虽然以上出于说明性目的描述了本发明的特定实施例和示例，但是如相关领域的技术人员将认识到的，在本发明的范围内各种等效修改是可能的。例如，虽然流程或块是以给定的顺序呈现，但替代实施例可以以不同的顺序执行具有步骤的例程，或采用具有块的系统，并且一些流程或块可以被删除、移动、添加、细分、组合和/或修改。这些流程或块中的每一个都可以用各种不同的方式来实现。另外，虽然流程或块有时示为串行执行，但这些流程或块反而可以并行执行，或者可以在不同时间执行。
[0225]
本文提供的本发明的教导可以应用于其他系统，不一定是上述系统。上述各种实施例的元件和行为可以结合起来，以提供进一步的实施例。
[0226]
尽管已描述了本发明某些实施例，但是这些实施例仅以示例的方式呈现，且并非旨在限定本技术的范围。实际上，本文说明的新型方法和系统也可以各种其它行使而实现；此外，可以以本文描述的方法和系统的形式来作出各种省略、替换和改变而不偏离本技术的精神。所附的权利要求和其等效物旨在覆盖会落入本技术的范围和精神的形式或修改。