硅片清洗干燥装置和硅片处理设备的制作方法

[0001]
本实用新型涉及硅产品制作技术领域，尤其涉及一种硅片清洗干燥装置和硅片处理设备。


背景技术：

[0002]
相关技术中，硅片进行研磨工艺后，都需要进行清洗和干燥，通常采用旋转吸附装置带动硅片旋转，可以使硅片表面残留的液体由于离心力的作用被甩出，从而起到清洗和烘干硅片表面的作用。硅片表面因机械加工而产生的应力会形成具有一定深度的损伤层，在清洗和烘干过程中通过旋转吸附装置带动硅片旋转容易引起裂纹扩展从而导致碎片，很大程度上影响产品良率。


技术实现要素：

[0003]
为了解决上述技术问题，本实用新型提供一种硅片清洗干燥装置和硅片处理设备，解决硅片在清洗或干燥过程中容易破损的问题。
[0004]
为了达到上述目的，本实用新型实施例采用的技术方案是：一种硅片清洗干燥装置，包括第一清洗干燥结构，所述第一清洗干燥结构包括清洗液提供部和压缩气体提供部，以及与所述清洗液提供部、所述压缩气体提供部连接的喷淋部，所述喷淋部包括第一旋转杆，和沿着所述第一旋转杆的延伸方向设置的多个第一喷淋头和多个第二喷淋头，在对硅片进行清洗或干燥时，所述第一旋转杆能够在与硅片平行的平面内旋转，多个所述第一喷淋头通过第一管道与所述清洗液提供部连接，以对硅片进行清洗，多个所述第二喷淋头通过第二管道与所述压缩气体提供部连接，以对硅片进行干燥。
[0005]
可选的，所述第一喷淋头复用为所述第二喷淋头，所述硅片清洗干燥装置还包括通过三通阀连接的第一管路、第二管路和第三管路，所述第一管路和所述第二管路构成所述第一管道，所述第一管路和所述第三管路构成所述第二管道。
[0006]
可选的，多个所述第一喷淋头均匀设置于所述第一旋转杆上，相邻两个所述第一喷淋头之间的间距为18-22mm。
[0007]
可选的，所述第一旋转杆的长度不小于硅片的半径，在对硅片进行清洗或干燥时，所述第一旋转杆的第一端在硅片上的正投影与硅片的中心点重合。
[0008]
可选的，所述第一旋转杆能够在第一平面内旋转以对硅片进行清洗干燥，垂直于所述第一平面的方向为第一方向，所述第一喷淋头的喷射方向与所述第一方向之间的角度为57-63度。
[0009]
可选的，所述第一喷淋头的喷射方向与所述第一方向之间的角度为60度。
[0010]
可选的，还包括第二清洗干燥结构，所述第二清洗干燥结构与所述第一清洗干燥结构的构造相同，且所述第二清洗干燥结构的喷淋部与所述第一清洗干燥结构的喷淋部相对设置，以对硅片的相对的两面同时进行清洗或干燥。
[0011]
本实用新型实施例一种硅片处理设备，包括上述的硅片清洗干燥装置。
[0012]
本实用新型的有益效果是：通过所述喷淋部的设置，可以使得硅片不动，而是使得第一喷淋头或第二喷淋头随着第一旋转杆旋转，对硅片进行清洗或干燥，从而可减少碎片的概率，提高良率，从而降低成本。同时可提高清洗液和压缩气体与硅片的接触面，进而提高清洗和干燥的效果。
附图说明
[0013]
图1表示本实用新型实施例中硅片清洗干燥装置结构示意图。
具体实施方式
[0014]
为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例的附图，对本实用新型实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本实用新型的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0015]
在本实用新型的描述中，需要说明的是，术语“中心”、
ꢀ“
上”、
ꢀ“
下”、
ꢀ“
左”、
ꢀ“
右”、
ꢀ“
竖直”、
ꢀ“
水平”、
ꢀ“
内”、
ꢀ“
外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了 便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、 以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、
ꢀ“
第二”、
ꢀ“
第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0016]
本实施例提供一种硅片清洗干燥装置，包括第一清洗干燥结构1，所述第一清洗干燥结构1包括所述清洗液提供部和压缩气体提供部，以及与所述清洗液提供部、所述压缩气体提供部连接的喷淋部，所述喷淋部包括第一旋转杆11，和沿着所述第一旋转杆11的延伸方向设置的多个第一喷淋头12和多个第二喷淋头，所述第一旋转杆11能够在所述第一旋转杆11所在的平面旋转，多个所述第一喷淋头12通过第一管道与所述清洗液提供部连接，以在随着所述第一旋转杆11旋转时，对硅片进行清洗，多个所述第二喷淋头通过第二管道与所述压缩气体提供部连接，以在随着所述第一旋转杆11旋转时，对硅片进行干燥。
[0017]
本实施例中，在对硅片进行清洗或干燥时，硅片是固定不动的，所述第一喷淋头12和所述第二喷淋头随着所述第一旋转杆11旋转，对硅片进行清洗或干燥，从而可减少碎片的概率，提高良率，从而降低成本。同时可提高清洗液或压缩气体与硅片的接触面，进而提高清洗和干燥的效果。
[0018]
本实施例中示例性的，所述第一喷淋头12复用为所述第二喷淋头，所述硅片清洗干燥装置还包括通过三通阀连接的第一管路、第二管路和第三管路，所述第一管路和所述第二管路构成所述第一管道，所述第一管路和所述第三管路构成所述第二管道。
[0019]
所述第一管路与多个所述第一喷淋头12连接，所述第二管路与所述清洗液提供部连接，所述第三管路与所述压缩气体提供部连接，采用上述技术方案，可减少喷淋头的设置，降低成本。
[0020]
本实施例中示例性的，多个所述第一喷淋头12均匀设置于所述第一旋转杆11上，相邻两个所述第一喷淋头12之间的间距为18-22mm。
[0021]
需要说明的是，相邻两个所述第一喷淋头12之间的间距可以根据实际需要设定，本实施例的一具体实施方式中，相邻两个所述第一喷淋头12之间的间距为20mm。
[0022]
本实施例中示例性的，所述第一旋转杆11的长度不小于硅片的半径，在对硅片进行清洗或干燥时，所述第一旋转杆11的第一端在硅片上的正投影与硅片的中心点重合，所述第一旋转杆11与所述第一端相对设置的第二端可绕所述第一端为中心旋转，以使得所述第一喷淋头12对整个硅片的表面进行喷射，以有效的对硅片进行清洗或干燥。
[0023]
本实施例中示例性的，所述第一旋转杆11可以是中空设置，所述第一旋转杆11复用为所述第一管路。
[0024]
本实施例中示例性的，所述第一旋转杆11能够在第一平面（即所述第一旋转杆11所在的平面）内旋转以对硅片进行清洗干燥，垂直于所述第一平面的方向为第一方向，所述第一喷淋头12的喷射方向与所述第一方向之间的角度为57-63度。 在对硅片进行干燥时，所述第一平面与硅片是平行设置的，所述第一喷淋头12的喷射方向与所述第一方向之间的角度为57-63度，即所述第一喷淋头12的喷射方向与硅片的表面是倾斜的，倾斜式的吹风，利于从一个方向将清洗液吹离硅片，可以提高干燥效率。
[0025]
本实施例中的一实施方式中，所述第一喷淋头12的喷射方向与所述第一方向之间的角度为60度，但并不以此为限。
[0026]
本实施例中示例性的，所述第一旋转杆11包括有：对硅片进行清洗的第一旋转状态，和，对硅片进行干燥的第二旋转状态；其中，所述第一旋转杆11在所述第一旋转状态下的第一转速，小于所述第一旋转杆11在所述第二旋转状态下的第二转速。也就是说，对硅片进行清洗时，所述第一旋转杆11以第一转速进行旋转，对硅片进行干燥时，所述第一旋转杆11以第二转速进行旋转，所述第一转速小于所述第二转速。
[0027]
本实施例中，对硅片进行干燥时，需要将硅片表面的清洗液吹离，保证硅片表面的洁净，所述第二转速较大则可以提高干燥效率，本实施例中的一具体实施方式中，所述第一转速为100-200rpm，所述第二转速为2000-2500rpm。
[0028]
本实施例中示例性的，在对硅片进行清洗或干燥时，所述第一喷淋头12与硅片之间的距离为5-8mm，以有效的对硅片进行清洗或干燥。
[0029]
需要说明的是，所述喷淋部还包括控制所述第一旋转杆11旋转的第一旋转驱动结构13，所述第一旋转驱动结构13的具体结构形式有多种，例如，所述第一旋转驱动结构13包括旋转电机，所述旋转电机与所述第一旋转杆11通过传动轴传动连接，所述传动轴与所述第一旋转杆11的延伸方向相垂直。
[0030]
需要说明的是，本实施例中对硅片清洗时，所述第一喷淋头12喷射的清洗液，是高压喷射，所述清洗液提供部和所述第一管道之间设置有泵。
[0031]
需要说明的是，为了避免硅片污染，本实施例中对硅片进行干燥使用的压缩气体为压缩干燥空气，但并不以此为限。
[0032]
本实施例中示例性的，所述硅片清洗干燥装置还包括第二清洗干燥结构2，所述第二清洗干燥结构2与所述第一清洗干燥结构1的构造相同（即所述第二清洗干燥结构2与所述第一清洗干燥结构1具有相同的结构形式），且所述第一清洗干燥结构1的喷淋部与所述第二清洗干燥结构2的喷淋部相对设置，在对硅片进行清洗或干燥时，所述第一清洗干燥结构1的喷淋部与所述第二清洗干燥结构2设置于硅片的相对的两侧，以对硅片的相对的两面同时进行清洗或干燥。
[0033]
本实施例的一具体实施方式中，所述第二清洗干燥结构2包括第二旋转杆21，第三
喷淋头22、第二旋转驱动结构23、清洗液提供部和压缩气体提供部，沿着所述第二旋转杆21的延伸方向设置有多个所述第三喷淋头22，所述第三喷淋头22通过管路与所述清洗液提供部和压缩气体提供部连接，所述第二旋转杆21能够在第二旋转驱动结构23的驱动下旋转（第二旋转杆21能够在于硅片平行的表面旋转），在所述第二旋转杆21的旋转过程中，所述第三喷淋头22朝向硅片喷射清洗液或者压缩气体以对硅片进行清洗或干燥。
[0034]
图1表示第一清洗干燥结构1和第二清洗干燥结构2对位于两者之间的硅片（图中位于第一清洗干燥结构1和第二清洗干燥结构2之间的椭圆为硅片）的两面同时进行清洗或干燥的状态示意图。
[0035]
需要说明的是，所述第一清洗干燥结构1和所述第二清洗干燥结构2可以共用所述清洗液提供部和压缩气体提供部。
[0036]
硅片无需翻转，即可完成两个面的清洗或干燥，提高效率。
[0037]
所述第一清洗干燥结构1的喷淋部和所述第二清洗干燥结构2的喷淋部之间的距离可根据实际需要设定，可以使得硅片位于所述第一清洗干燥结构1的喷淋部和所述第二清洗干燥结构2的喷淋部之间，从而对硅片的两面同时进行清洗或干燥即可。
[0038]
本实用新型实施例一种硅片处理设备，包括上述的硅片清洗干燥装置。
[0039]
以上所述为本实用新型较佳实施例，需要说明的是，对于本领域普通技术人员来说，在不脱离本实用新型所述原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型保护范围。