半导体处理设备的制作方法

1.本技术涉及半导体检测技术领域，更具体而言，涉及一种半导体处理设备。


背景技术：

2.现如今，在工件，例如晶圆的处理过程中，通常将晶圆放置在晶圆盒中，以简化运输和降低晶圆被污染的风险。然而，晶圆盒可分有不同类型的多种晶圆盒，当处理晶圆时，需根据晶圆盒的类型选择对应的处理设备，降低了处理效率。因此，如何使处理设备兼容不同类型的晶圆盒以提高处理效率是亟需解决的问题。


技术实现要素：

3.本技术实施方式提供一种半导体处理设备。
4.本技术实施方式的半导体处理设备包括壳体、连接于所述壳体的第一装载装置和连接于所述壳体的第二装载装置。所述第一装载装置位于所述壳体外，所述第一装载装置用于装载第一类晶圆盒并使所述第一类晶圆盒与所述壳体内部连通。所述第二装载装置位于所述壳体外，并与所述壳体内部连通，所述第二装载装置用于装载第二类晶圆盒，所述第一类晶圆盒与所述第二类晶圆盒不同。
5.在某些实施方式中，所述第一装载装置与所述第二装载装置分别位于所述壳体的不同侧。
6.在某些实施方式中，所述第一装载装置与所述第二装载装置分别位于所述壳体的相同侧。
7.在某些实施方式中，第一装载装置的数量为一个或多个。
8.在某些实施方式中，所述第二装载装置的数量为一个或多个。
9.在某些实施方式中，所述壳体包括主体部及第一凸出部，所述主体部包括侧壁，所述第一凸出部自所述主体部的侧壁的外表面凸出，所述第一装载装置包括连接门和第一承载台。所述连接门嵌设于所述主体部的侧壁，并能够选择性的打开或关闭所述主体部。及所述第一承载台设置于所述凸出部的顶部，并用于承载所述第一类晶圆盒，在所述第一类晶圆盒放置在所述第一承载台上时，所述第一类晶圆盒与所述连接门抵接，以遮挡所述主体部内部。
10.在某些实施方式中，所述第一承载台包括本体及第一定位件，所述第一定位件设置于所述本体，所述第一类晶圆盒的底部设置有第二定位件，所述第一定位件与所述第二定位件配合以定位所述第一类晶圆盒。
11.在某些实施方式中，所述壳体包括主体部及第二凸出部，所述主体部的侧壁开设有通孔，所述第二凸出部自所述主体部的侧壁的外表面凸出，所述第二装载装置包括晶圆盒箱和第二承载台。所述晶圆盒箱包括开放的底壁及开放的晶圆盒箱的侧壁，所述底壁与所述晶圆盒箱的侧壁相邻，所述底壁放置于所述第二凸出部，所述晶圆盒箱的侧壁罩设所述通孔以连通所述主体部内部与所述晶圆盒箱。及所述第二承载台放置在所述第二凸出
部，并收容于所述晶圆盒箱内，所述第二承载台用于承载所述第二类晶圆盒。
12.在某些实施方式中，所述晶圆盒箱包括箱体和箱门。所述箱体安装在所述第二凸出部的顶部，所述箱体设有开口。及所述箱门与所述箱体活动连接，并能够选择性地封闭或开放所述开口。
13.在某些实施方式中，所述箱门与所述箱体通过转轴活动连接，所述晶圆盒箱还包括气压杆，所述气压杆的一端与所述箱门连接，另一端与所述箱体连接，所述气压杆伸缩以带动所述箱门绕所述转轴转动，以封闭或开放所述开口。
14.在某些实施方式中，所述半导体处理设备还包括机械臂和对位装置。所述机械臂设置于所述壳体内部，并用于抓取所述第一类晶圆盒中的晶圆和/或所述第二类晶圆盒中的晶圆。所述对位装置设置于所述壳体内部，并用于检测及校准所述晶圆的位置。所述机械臂与所述第一装载装置、所述第二装载装置、及所述对位装置分别具有第一距离、第二距离及第三距离，所述第一距离、所述第二距离及所述第三距离中的至少两个相同。
15.在某些实施方式中，所述半导体处理设备还包括静电检测装置和静电消除装置。所述静电检测装置位于所述壳体内的所述对位装置所在区域，并用于检测所述壳体内的静电；及所述静电消除装置设置所述壳体内，并用于放电产生正负离子以消除所述壳体内的静电。
16.在某些实施方式中，所述半导体处理设备还包括净化单元和回风系统。所述净化单元安装在所述壳体的顶部，用于朝所述静电消除装置和/或所述机械臂送风。及所述回风系统用于抽取所述壳体内部的气体。
17.本技术实施方式的半导体处理设备中，第一装载装置和第二装载装置能够装载不同的第一类晶圆盒和第二类晶圆盒，且第一装载装置和第二装载装置使第一类晶圆盒和第二类晶圆盒与壳体内部连通，以使半导体处理设备能够对两种不同类的晶圆盒内的晶圆进行处理，从而提高了处理效率。
18.本技术的实施方式的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实施方式的实践了解到。
附图说明
19.本技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施方式的描述中将变得明显和容易理解，其中：
20.图1是本技术某些实施方式的半导体处理设备的立体结构示意图；
21.图2是本技术某些实施方式的第一类晶圆盒的立体结构示意图；
22.图3是本技术某些实施方式的第二类晶圆盒的立体结构示意图；
23.图4是本技术某些实施方式的半导体处理设备的部分立体结构示意图；
24.图5是本技术某些实施方式的半导体处理设备的另一视角的部分立体结构示意图；
25.图6是本技术某些实施方式的半导体处理设备的第二装载装置的立体分解示意图；
26.图7是本技术某些实施方式的半导体处理设备的第二装载装置的晶圆盒箱的立体分解示意图；
27.图8是本技术某些实施方式的半导体处理设备的另一视角的立体结构示意图；
28.图9是本技术某些实施方式的半导体处理设备的部分立体结构示意图。
具体实施方式
29.下面详细描述本技术的实施方式，所述实施方式的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的，仅用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制。
30.下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本技术的不同结构。为了简化本技术的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本技术。此外，本技术可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本技术提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
31.请参阅图1至图3，本技术实施方式提供一种半导体处理设备100。半导体处理设备100包括壳体10、连接于壳体10的第一装载装置20和连接于壳体10的第二装载装置30。第一装载装置20位于壳体10外，第一装载装置20用于装载第一类晶圆盒200 并使第一类晶圆盒200与壳体10内部连通。第二装载装置30位于壳体10外，并与壳体10内部连通，第二装载装置30用于装载第二类晶圆盒300，第一类晶圆盒200与第二类晶圆盒300不同。
32.第一类晶圆盒200和第二类晶圆盒300的不同，具体可为第一类晶圆盒200和第二类晶圆盒300的结构不同。如图2所示，第一类晶圆盒200靠近半导体处理设备100的壳体10的侧壁201与底壁202可开设有开口，当第一类晶圆盒200被装载于壳体10外后，第一类晶圆盒200仅侧壁201呈开放状态，则当半导体处理设备100处理第一类晶圆盒200内部晶圆时，无需罩设第一类晶圆盒200，仅需将第一类晶圆盒200放置在第一装载装置20上即可。如图3所示，第二类晶圆盒300开设有多个开口，则当半导体处理设备100处理第一类晶圆盒200内部晶圆时，为保证处理结果的准确性，需要罩设第二类晶圆盒300以防止第二类晶圆盒300内放置的晶圆沾染灰尘，则第二类晶圆盒300 需放置在第二装载装置30内。
33.当然，第一类晶圆盒200和第二类晶圆盒300的不同也可以是尺寸不同，当第一类晶圆盒200和第二类晶圆盒300的尺寸不同时，则第一类晶圆盒200和第二类晶圆盒300 内放置的晶圆的尺寸也不相同，以使半导体处理设备100能够在装载不同类型的晶圆盒的同时，还能够处理不同尺寸的晶圆。例如，当第一类晶圆盒200内放置的晶圆尺寸为 6寸，第二类晶圆盒300内放置的晶圆尺寸为8寸时，则半导体处理设备100能够在同时装载第一类晶圆盒200和第二类晶圆盒300，以使半导体处理设备100能够同时处理 6寸的晶圆和8寸的晶圆。另外，第一类晶圆盒200和第二类晶圆盒300的不同还可以是能够放置晶圆的数量、厚度不同等等，在此不一一列举。
34.目前，由于半导体处理设备100仅能装载同一类型的晶圆盒，无法装载其他类型的晶圆盒。当更换晶圆盒类型后，则需更换与当前晶圆盒类型匹配的半导体处理设备100，以完成对当前晶圆盒的装载，导致处理效率降低。
35.本技术实施方式的半导体处理设备100中，第一装载装置20和第二装载装置30能够装载不同的第一类晶圆盒和第二类晶圆盒，且第一装载装置20和第二装载装置30使第一
类晶圆盒和第二类晶圆盒与壳体10内部连通，以使半导体处理设备100能够对两种不同类的晶圆盒内的晶圆进行处理，从而提高了处理效率。
36.下面结合附图作进一步说明。
37.请参阅图1，壳体10包括主体部11、第一凸出部12和第二凸出部13。第一凸出部 12和第二凸出部13设置在主体部11的侧壁。
38.具体地，主体部11包括顶壁、侧壁和底壁。顶壁和底壁相对设置，主体部的侧壁连接顶壁和底壁以围成收容空间，收容空间用于收容半导体处理设备100的处理模块。
39.其中，主体部的侧壁包括第一壁111和第二壁112，第一凸出部12自第一壁111 的外表面凸出，第二凸出部13自第二壁112的外表面凸出，第一凸出部12的顶部设置有第一装载装置20，第二凸出部13的顶部设置有第二装载装置30。第一转载装置20 和第二装载装置30还可以分别设置在第一凸出部12的侧壁和第二凸出部13的侧壁。
40.在一个实施方式中，第一凸出部12和第二凸出部13还可以设置在主体部11的同一侧壁，并自同一侧壁凸出，当第一凸出部12和第二凸出部13设置在主体部11的同一侧壁时，则第一装载装置20和第二装载装置30位于主体部11的同一侧壁，即壳体 10的相同侧。
41.在另一个实施方式中，第一凸出部12和第二凸出部13的数量均可以为多个，例如， 2个、3个、4个及更多个，需要说明的是，第一凸出部12和第二凸出部13的数量可以不相同。当第一凸出部12和第二凸出部13还可以设置在主体部11的同一侧壁时，若第一凸出部12为2个，第二凸出部13为1个，则第一凸出部12和第二凸出部13的分布可以是：两个第一凸出部12和一个第二凸出部13可以设置在主体部11的同一侧壁，此时，两个第一装载装置20和一个第二装载装置30设置在主体部11的同一侧壁；第一凸出部12和第二凸出部13的分布还可以是：一个第一凸出部12和一个第二凸出部 13设置在主体部11的第一壁111，另一个第一凸出部12设置在主体部11的第二壁112，即一个第一装载装置20和一个第二装载装置30设置在主体部11的第一壁111，另一个第一装载装置20设置在主体部11的第二壁112。当第一凸出部12和第二凸出部13还可以设置在主体部11的不同侧壁时，若第一凸出部12和第二凸出部13的数量均为2 个，则两个第一凸出部12设置在主体部11的第一壁111，两个第二凸出部13设置在主体部11的第二壁112，即两个第一装载装置20设置在主体部11的第一壁111，两个第二装载装置30设置在主体部11的第二壁112。
42.请参阅图2及图4，第一装载装置20包括连接门21和第一承载台22。第一装载装置20用于装载第一类晶圆盒200。
43.具体地，连接门21嵌设在主体部11的侧壁，连接门21能够运动以打开或关闭主体部11。当第一装载装置20装载第一类晶圆盒200后，第一类晶圆盒200与连接门21 的位置相对应，当连接门21打开主体部11后，第一类晶圆盒200与壳体10内部连通，以使半导体处理设备100能够从第一类晶圆盒200内取出晶圆。
44.请结合图5，第一凸出部12的第一侧面121(靠近主体部11的侧壁的表面)开设有滑槽122，连接门21连接有运动装置23。当需要打开连接门21时，则运动装置23 先带动连接门21向壳体10的收容空间内移动，以使连接门21脱离主体部11的侧壁，当连接门21完全脱离主体部11的侧壁后，则运动装置23沿滑槽122在第一凸出部12 的高度方向上自高向低运动，以带动连接门21在第一凸出部12的高度方向上自高向低运动，当运动装置23运动至滑槽122的第一槽壁1221后，则代表连接门21打开主体部11。当需要关闭连接门21时，则运动
装置23沿滑槽122在第一凸出部12的高度方向上自低向高运动，以带动连接门21在第一凸出部12的高度方向上自低向高运动，当运动装置23运动至滑槽122的第二槽壁1222后，运动装置23再带动连接门21向壳体 10的外部移动，以使连接门21嵌设在主体部11的侧壁，从而关闭主体部11。
45.请继续参阅2及图4，第一承载台22包括本体221和第一定位件222，第一定位件 222设置在本体221上。第一承载台22用于承载第一类晶圆盒200，第一定位件222用于限定第一承载台22承载第一类晶圆盒200的位置。当第一类晶圆盒200放置在第一承载台22上时，第一类晶圆盒200与连接门21抵接，在连接门21打开主体部11后，第一类晶圆盒200可遮挡主体部11的内部。
46.在一个实施方式中，第一类晶圆盒200的底部可设置有第二定位件(图未示)，第一承载台22可通过第一定位件222和第二定位件的配合以使第一类晶圆盒200固定在第一承载台22上。例如，第一定位件222可凸起本体221设置，第一类晶圆盒200与第一承载台22接触的底部可开设有与第一定位件222配合的开口作为第二定位件，则当第一类晶圆盒200放置在第一承载台22上时，第一定位件222伸入第二定位件，即第一类晶圆盒200套设第一定位件222，从而限定第一类晶圆盒200在第一承载台22 上的放置位置。
47.在某些实施方式中，第一承载台22的本体221上可设置有发射装置和接收装置，发射装置用于发射信号，接收装置用于接收信号。当发射装置发射信号后，若接收装置收到信号，则说明发射装置被遮挡，即第一承载台22上放置有第一类晶圆盒；若接收装置未收到信号，则说明发射装置未被遮挡，即第一承载台22上未放置有第一类晶圆盒。如此，半导体处理设备100即可通过发射装置和接收装置的信号收发情况判断第一承载台22上是否放置有第一类晶圆盒200，从而控制连接门21是否打开或关闭主体部 11。
48.请参阅图6，第二装载装置30包括晶圆盒箱31和第二承载台32。
49.具体地，晶圆盒箱31具有开放的底壁311和开放的晶圆盒箱的侧壁312，主体部 11的侧壁开设有通孔(图未示)，通孔与晶圆盒箱31的侧壁312相对，晶圆盒箱31 的侧壁312与主体部11的侧壁相接以使晶圆盒箱31罩设通孔，并与主体部11的内部连通，晶圆盒箱31开放的底壁311放置在第二凸出部13的顶部。当晶圆盒箱31放置在第二凸出部13时，晶圆盒箱31可罩设通孔与第二凸出部13的顶壁的一部分。
50.请结合图7，晶圆盒箱31包括箱体33、箱门34。箱体33安装在第二凸出部13的顶部，并开设有开口331，箱体33和箱门34活动连接，并能够选择性地封闭或开放开口331。在一个实施方式中，箱门34可以通过合页等方式与箱体33活动连接，从而通过转动箱门34以使箱门34开放开口331或者封闭开口331。在另一个实施方式中，箱门34与箱体33可以通过磁吸的方式连接，使得箱门34与箱体33之间的连接关系比较紧密，箱门34与箱体33不易相对滑动。例如，箱门34与箱体33可以均为磁性材料制成；或者，箱门34上设置有磁吸件，箱体33由铁、合金等可以被磁吸件吸附的金属材料制成；或者，箱体33上设置有磁吸件，箱门34由铁、合金等可以被磁吸件吸附的金属材料制成；还或者，箱体33上设置有磁吸件，箱门34的与箱体33相接触的表面贴设有磁吸条；箱门34与箱体33之间磁吸的方式还可以是其他，在此不一一列举。
51.在某些实施方式中，晶圆盒箱31还包括气压杆35，气压杆35的第一端351与箱门 34连接，气压杆35的第二端352与箱体33连接。当箱门34与箱体33通过转轴36活动连接时，
则可通过改变气压杆35的伸缩长度使得箱门34可以相对于箱体33运动，进而使得箱门34可以开放或封闭箱体33的开口331。当然，在箱门34上也可以设置有其他类型的拉杆结构(例如连杆)，拉杆结构可以拉动箱门34以使箱门34相对于箱体 33运动，进而使得箱门34可以封闭或者开放开口331。
52.第二承载台32放置在第二凸出部13的顶部，由于晶圆盒箱31的底壁为开放的，则晶圆盒箱31收容第二承载台32。第二承载台32用于承载第二类晶圆盒300，由于第二承载台32收容于晶圆盒箱31内，则当第二类晶圆盒300放置在第二承载台32时，第二类晶圆盒300放置在晶圆盒箱31内部。
53.综上，当第二装载装置30装载第二类晶圆盒300时，则可伸长气压杆35的长度以使箱门34打开箱体33的开口331，从而将第二类晶圆盒300放置在第二承载台32上，再通过缩短气压杆35的长度以使箱门34封闭箱体33的开口331，以使第二类晶圆盒 300放置在晶圆盒箱31内部，从而罩设第二类晶圆盒300，进而防止灰尘、杂质等落在第二类晶圆盒300内的晶圆上，以保证半导体处理设备100处理结果的准确性。
54.在某些实施方式中，第二承载台32上同样可设置有发射装置和接收装置，发射装置用于发射信号，接收装置用于接收信号。当发射装置发射信号后，若接收装置收到信号，则说明发射装置被遮挡，即第二承载台32上放置有第二类晶圆盒；若接收装置未收到信号，则说明发射装置未被遮挡，即第二承载台32上未放置有第二类晶圆盒300。如此，半导体处理设备100即可通过发射装置和接收装置的信号收发情况判断第二承载台32上是否放置有第二类晶圆盒300。
55.在某些实施方式中，第二装载台32上还可设置有多个检位装置，多个检位装置用于判断第二类晶圆盒300的放置位置是否准确。例如，检位装置可以伸缩，当检位装置被按压时，检位装置回缩，当检位装置未被按压时，检位装置保持原状。由此，半导体处理设备100可通过判断多个检位装置是否被同时按压，来判断第二类晶圆盒300的放置位置是否准确。例如，检位装置有4个，若4个检位装置被同时按压，则代表第二类晶圆盒300放置在第二装载台31上的位置准确，若存在至少1个检位装置未被按压，则代表第二类晶圆盒300放置在第二装载台上的位置不准确，由此，则可保证半导体处理设备100的处理结果的准确性。
56.请参阅图8，在某些实施方式中，半导体处理设备100还可包括机械臂40和对位装置50。
57.具体地，机械臂40可转动地设置在壳体10的主体部11的收容空间内，机械臂40 用于获取并传输晶圆盒内的晶圆至对位装置50。例如，机械臂40可通过吸附或抓取的方式获取晶圆，使晶圆能够固定在机械臂40上，再带动晶圆移动以传输晶圆。机械臂 40与第一装载装置20、第二装载装置30及对位装置50分别具有第一距离、第二距离及第三距离，且第一距离、第二距离和第三距离中的至少两个相同。
58.例如，若第一距离与第二距离相同，则说明机械臂40位于第一装载装置20和第二装载装置30的中间位置，机械臂40可运动相同的距离获取第一类晶圆盒200内的晶圆和第二类晶圆盒300内的晶圆，并以第三距离传输至对位装置50。又例如，若第一距离、第二距离和第三距离均相同，则说明机械臂40位于第一装载装置20、第二装载装置30 和对位装置50的中间位置，机械臂40可运动相同的距离获取第一类晶圆盒200内的晶圆和第二类晶圆盒300内的晶圆，并以相同的距离传输至对位装置50，在机械臂40与第一装载装置20、第二装
载装置30和对位装置50的对接过程中，无需调整其位置或者是其伸缩长度及旋转角度等，简化了控制，从而提高了半导体处理设备100的处理效率。
59.对位装置50用于将晶圆的放置方向保持一致，例如，晶圆最终会去掉的边缘区域可开设有缺口，对位装置50上可设置有与晶圆缺口尺寸相同的对位缺口，当机械臂40 将晶圆传输至对位装置50后，对位装置50可控制晶圆转动以使晶圆缺口与对位缺口一致，机械臂40再从对位装置50获取已对位的晶圆后，晶圆能保持对位后的放置方向固定在机械臂40上，以确保机械臂40将晶圆传输至壳体10外时，晶圆的放置方向能够符合其他装置对晶圆的放置方向的要求，以避免晶圆的放置方向不符合其他装置对晶圆的放置方向的要求导致晶圆卡住，或者影响其他装置对晶圆的处理或加工。
60.请参阅图9，半导体处理设备100还可包括静电检测装置60及静电消除装置70。静电检测装置60位于壳体10的主体部11的收容空间，并用于检测壳体10内的静电。静电消除装置70设置在壳体10的主体部11的收容空间，并用于放电产生正负离子以消除壳体10内的静电。
61.在某些实施方式中，静电消除装置70可以设置在壳体10的顶部、底部、及任一侧壁，在此不作限制。静电消除装置70放电产生的正负离子能够中和电荷，以实现消除静电。
62.在本技术的实施例中，静电消除装置70靠近壳体10的顶部，以使静电消除装置70 产生的正负离子能够自然随重力下落，并扩散到壳体10各处。静电检测装置60安装在对位装置50上。由于晶圆能够在对位装置50上旋转，所以在对位装置50的附近容易产生静电，且对位装置50附近的静电量相较于壳体10的其他位置较多。因此，若对整个壳体10进行静电消除处理后，静电检测装置60在对位装置50附近检测到的静电量较少，则可以一定程度上反映整个壳体10的静电量较少。故安装在对位装置50上的静电检测装置60既可用于检测整个壳体10的静电量，也可以以较高的灵敏度仅检测对位装置50的静电量，以对位装置50的静电量表征整个壳体10的静电量。
63.请参阅图8，半导体处理设备100还可包括净化单元80及回风系统90。净化单元 80安装在壳体10的顶部，用于朝静电消除装置70和/或机械臂40送风。回风系统90 用于抽取壳体10内部的气体。
64.净化单元80朝静电消除装置70送风能够将静电消除装置70放电产生的正负离子扩散到壳体10的各处，以扩大静电消除装置70能够消除静电的范围。净化单元80还能够朝机械臂40送风，以清洁机械臂40，防止尘埃干扰机械臂40的运动，以及防止尘埃污染晶圆。
65.回风系统90用于抽取壳体10内部的气体，使壳体10内的气压平衡。回风系统90 抽取气体还能够帮助静电消除装置70放电产生的正负离子进一步扩散，通过抽风的方式将正负离子扩散到送风时正负离子无法扩散到的状态，以进一步扩大静电消除装置70 能够消除静电的范围。回风系统90还能够配合净化单元80使用，以排出壳体10内的污浊气体，并通入洁净的气体，保持壳体10内的洁净。
66.在本说明书的描述中，参考术语“某些实施方式”、“一个实施方式”、“一些实施方式”、“示意性实施方式”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”的描述意指结合实施方式或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本技术的至少一个实施方式或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施方式或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施方式或示例中以合适的方式结
合。
67.此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个，除非另有明确具体的限定。
68.尽管上面已经示出和描述了本技术的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本技术的限制，本领域的普通技术人员在本技术的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型，本技术的范围由权利要求及其等同物限定。