一种集成防断栅线设计的晶硅太阳能电池主栅网版图形的制作方法

1.本实用新型涉及一种晶硅太阳能电池网版图形技术，具体涉及一种集成防断栅线设计的晶硅太阳能电池主栅网版图形。


背景技术：

2.当前，太阳能电池(如perc电池)的效率已经到了瓶颈期，效率提升的难度越来越大，丝印浆料升级和网版图形技术依然是perc电池提效的重点方向。细栅窄线宽技术减小遮光面积，同时降低金属与硅的接触复合，对效率有明显提升作用，也有利于浆料成本的进一步下降。但是，栅线细化也增加了断栅的风险，为了减少断栅带来的效率损失和el降级损失，防断栅的图形设计逐渐被晶硅太阳能电池行业所重视。
3.目前，常规的防断栅设计一般都是集成到副栅网版上，即防断栅线与副栅线同时印刷，使用的是副栅银浆，其蚀刻作用相对较强；同时，为了改善防断栅处的接触，其下方一般也会进行激光se重掺处理，造成激光se工序产能下降，也增大了电池片激光se重掺杂的面积和复合，造成电池片效率偏低。另外，也有的电池制造商在防断栅线下方不进行激光se重掺处理，则细栅浆料烧结时容易将p-n结破坏，电池片漏电流值上升，效率偏低。因此，有必要开发一种结构简单、改善断栅影响、可减小激光se重掺杂区面积和载流子复合的集成防断栅线设计的晶硅太阳能电池主栅网版图形，这对于实现电池片效率的提升和激光se工序产能的释放具有十分重要的意义。


技术实现要素：

4.本实用新型要解决的技术问题是克服现有技术的不足，提供一种结构简单、改善断栅影响、可减小激光se重掺杂区面积和载流子复合的集成防断栅线设计的晶硅太阳能电池主栅网版图形。
5.为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案是：
6.一种集成防断栅线设计的晶硅太阳能电池主栅网版图形，所述晶硅太阳能电池主栅网版图形上具有主栅线、与主栅线平行的防断栅线。
7.作为上述技术方案的进一步改进：所述晶硅太阳能电池主栅网版图形上相邻的主栅线之间设置的防断栅线的数量为1条～3条。
8.作为上述技术方案的进一步改进：所述晶硅太阳能电池主栅网版图形上，按照数量比例为1～2∶1依次在两条主栅线之间设置防断栅线。
9.作为上述技术方案的进一步改进：所述晶硅太阳能电池主栅网版图形上，主栅线(1)的开膜宽度为100μm～700μm，防断栅线(2)的开膜宽度为15μm～60μm。
10.作为上述技术方案的进一步改进：所述晶硅太阳能电池主栅网版图形上主栅线的数量≤14条。
11.作为上述技术方案的进一步改进：还包括与晶硅太阳能电池主栅网版图形配套使用的副栅网版图形；所述副栅网版图形上具有副栅线和边框线。
12.作为上述技术方案的进一步改进：所述防断栅线由若干段防断连接栅线组成；所述防断连接栅线的长度与副栅网版图形上相邻的副栅线之间的间距相等。
13.作为上述技术方案的进一步改进：所述副栅线的数量为100条～160条。
14.作为上述技术方案的进一步改进：所述副栅网版图形中，副栅线(3)的开膜宽度为15μm～35μm。
15.与现有技术相比，本实用新型的优点在于：
16.本实用新型提供一种结构简单、改善断栅影响、可减小激光se重掺杂区面积和载流子复合的集成防断栅线设计的晶硅太阳能电池主栅网版图形，该晶硅太阳能电池主栅网版图形上具有主栅线、与主栅线平行的防断栅线。本实用新型中，通过将防断栅线优化设计在主栅网版图形上，能够实现防断栅线与主栅线的同时印刷，防断栅线通过匹配主栅浆料的印刷性，主栅浆料的蚀刻作用弱，这使得防断栅线下方无需进行激光se重掺杂，因而能够减小重掺杂区面积，减小载流子复合，有利于实现电池片效率的提升和激光se工序产能的释放。本实用新型集成防断栅线设计的晶硅太阳能电池主栅网版图形，具有结构简单、能够减小重掺杂区面积和载流子复合、有利于激光se产能释放等优点，是一种性价比高的新型晶硅太阳能电池主栅网版图形技术，可广泛用于晶硅perc太阳能电池的制造，使用价值高，有较好的应用前景。
附图说明
17.为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述。
18.图1为本实用新型实施例1中集成防断栅线设计的晶硅太阳能电池主栅网版图形的示意图。
19.图2为本实用新型实施例1中与集成防断栅线设计的晶硅太阳能电池主栅网版图形配套使用的副栅网版图形的示意图。
20.图3为现有常规晶硅太阳能电池主栅网版图形的示意图。
21.图4为现有常规晶硅太阳能电池副栅网版图形的示意图。
22.图例说明：
23.1、主栅线；2、防断栅线；3、副栅线；4、边框线。
具体实施方式
24.以下结合说明书附图和具体优选的实施例对本实用新型作进一步描述，但并不因此而限制本实用新型的保护范围。
25.实施例1
26.如图1所示，本实施例的集成防断栅线设计的晶硅太阳能电池主栅网版图形，晶硅太阳能电池主栅网版图形上具有主栅线1、与主栅线1平行的防断栅线2。
27.本实施例中，晶硅太阳能电池主栅网版图形上相邻的主栅线1之间设置的防断栅线2的数量为2条，按照数量比例为1∶1依次在两条主栅线1之间设置防断栅线2。本实用新型中，晶硅太阳能电池主栅网版上相邻的主栅线1之间设置的防断栅线2的数量可根据实际情况进行选择，如防断栅线2的数量可以为1条、3条，但不仅限于此。同时，也可以按照数量比
例为2∶1依次在两条主栅线1之间设置防断栅线2。
28.本实施例中，晶硅太阳能电池主栅网版图形上主栅线1的数量为5条。本实用新型中，晶硅太阳能电池主栅网版上主栅线1的数量可根据实际情况进行选择，如主栅线1的数量可以为0条、9条、12条，但不仅限于此。
29.本实施例中，晶硅太阳能电池主栅网版图形上，主栅线1的开膜宽度为600μm，防断栅线2的开膜宽度为30μm。
30.如图2所示，本实施例中，还包括与晶硅太阳能电池主栅网版图形配套使用的副栅网版图形；副栅网版图形上具有副栅线3和边框线4。
31.本实施例中，防断栅线2由若干段防断连接栅线组成；防断连接栅线的长度与副栅网版图形上相邻的副栅线3之间的间距相等。
32.本实施例中，副栅线3的数量为122条。
33.本实施例中，副栅网版图形中，副栅线3的开膜宽度为28μm。
34.图3为现有常规晶硅太阳能电池主栅网版图形的示意图。图4为现有常规晶硅太阳能电池副栅网版图形的示意图。如图3、4所示，现有常规具有防断栅设计的太阳能电池电极网版图形中，防断栅线2与副栅线3集成在副栅网版图形上，即防断栅线与副栅线同时印刷，使用的是副栅银浆，其蚀刻作用相对较强；同时，为了改善防断栅处与发射极的接触，其下方一般也会进行激光se重掺杂处理，造成激光se工序产能下降，也增大了电池片激光se重掺杂面积，造成电池片效率偏低。
35.本实用新型优化防断栅印刷，与常规集成在副栅上的防断栅线设计网版图形具有以下区别，如表1所示。
36.表1本实用新型与常规网版技术的区别
[0037][0038]
由上述内容可知，相比常规集成防断栅线于副栅网版图形的晶硅太阳能电池网版技术，本实用新型的集成防断栅线设计的晶硅太阳能电池电极网版图形中，通过将防断栅线优化设计到主栅网版图形上，能够实现防断栅线与主栅栅线的同时印刷，防断栅线通过匹配主栅浆料的印刷性，主栅浆料的蚀刻作用弱，这使得防断栅线下方无需进行激光se重掺杂，因而能够减小重掺杂区面积，减小载流子复合，有利于实现电池片效率的提升和激光se工序产能的释放。在此基础上，通过将集成防断栅线的主栅网版图形与未设置防断栅线的副栅网版图形匹配使用，获得一个完整电极图形，即可实现对晶硅太阳能电池电极图形的分步印刷，同样具有常规主栅网版和副栅网版分步印刷电极图形的优点。此外，取消防断栅线设计的副栅网版图形，理论上有利于其使用寿命的提升，从而能够降低电池制造成本。
本实用新型将集成防断栅线的主栅网版图形与未设置防断栅线的副栅网版图形匹配使用，该网版图形技术具有结构简单、能够减小重掺杂区面积和载流子复合、有利于激光se产能释放等优点，是一种性价比高的新型晶硅太阳能电池主栅网版技术，可广泛用于晶硅perc太阳能电池的制造，使用价值高，有较好的应用前景。
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以上实施例仅是本实用新型的优选实施方式，本实用新型的保护范围并不仅局限于上述实施例。凡属于本实用新型思路下的技术方案均属于本实用新型的保护范围。应该指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下的改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。