封装器件以及电子设备的制作方法

1.本技术涉及半导体领域，具体而言，涉及一种封装器件以及电子设备。


背景技术：

2.封装基板可为芯片提供电连接、保护、支撑、散热以及组装等功效，以实现多引脚化，缩小封装产品体积、改善电性能及散热性、超高密度或多芯片模块化的目的。
3.现有技术的封装基板，高密度长板应用结构在成型后会出现曲翘变形的问题，影响后续工艺。
4.在背景技术部分中公开的以上信息只是用来加强对本文所描述技术的背景技术的理解，因此，背景技术中可能包含某些信息，这些信息对于本领域技术人员来说并未形成在本国已知的现有技术。


技术实现要素：

5.本技术的主要目的在于提供一种封装器件以及电子设备，以解决现有技术中封装基板翘曲，影响后续工艺的问题。
6.为了实现上述目的，根据本技术的一个方面，提供了一种封装器件，包括封装基板以及多个发光器件，其中，所述封装基板包括多个间隔设置的器件放置区和至少一个通孔，所述通孔位于相邻的两个所述器件放置区之间，所述通孔的开口面积大于预定值；多个所述发光器件位于所述器件放置区的表面上。
7.可选地，所述封装基板还包括导线区，所述导线区位于各所述器件放置区的周围。
8.可选地，所述导线区的材料包括铝。
9.可选地，所述封装器件还包括第一胶层，所述第一胶层位于所述器件放置区与所述发光器件之间。
10.可选地，所述第一胶层包括导电胶或者绝缘胶。
11.可选地，所述封装器件还包括第二胶层，所述第二胶层位于所述发光器件的裸露表面上以及预定区域的裸露表面上，所述预定区域为所述封装基板的除所述通孔之外的区域。
12.可选地，所述第二胶层的材料包括环氧树脂。
13.可选地，所述发光器件包括led(light emitting diode，发光二极管)芯片。
14.根据本技术的另一方面，提供了一种电子设备，包括任一种所述的封装器件。
15.应用本技术的技术方案，所述的封装器件中，封装基板包括多个间隔设置的器件放置区以及至少一个通孔，所述通孔位于相邻的两个所述器件放置区之间，多个发光器件位于所述器件放置区的表面上。本技术的所述封装器件，通过在封装基板上设置贯穿所述封装基板的通孔，可以经由所述通孔释放所述封装器件在加热成型后产生的应力，即通过挤压或者拉伸所述通孔来释放掉应力，从而有效地缓解成型后所述封装器件的翘曲问题，较好地解决了现有技术中由于封装基板翘曲，影响后续工艺的问题，保证了后续切割等制
作工艺的良率较好。
附图说明
16.构成本技术的一部分的说明书附图用来提供对本技术的进一步理解，本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术，并不构成对本技术的不当限定。在附图中：
17.图1示出了根据本技术的实施例的封装基板的示意图；
18.图2示出了根据本技术的实施例的封装器件的示意图。
19.其中，上述附图包括以下附图标记：
20.10、封装基板；20、发光器件；30、第一胶层；100、器件放置区；101、通孔；102、导线区。
具体实施方式
21.应该指出，以下详细说明都是例示性的，旨在对本技术提供进一步的说明。除非另有指明，本文使用的所有技术和科学术语具有与本技术所属技术领域的普通技术人员通常理解的相同含义。
22.需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本技术的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。
23.为了使本技术领域的人员更好地理解本技术方案，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本技术保护的范围。
24.需要说明的是，本技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本技术的实施例。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。
25.应该理解的是，当元件(诸如层、膜、区域、或衬底)描述为在另一元件“上”时，该元件可直接在该另一元件上，或者也可存在中间元件。而且，在说明书以及权利要求书中，当描述有元件“连接”至另一元件时，该元件可“直接连接”至该另一元件，或者通过第三元件“连接”至该另一元件。
26.正如背景技术所介绍的，现有技术中存在封装基板翘曲，影响后续工艺的问题，为了解决如上问题，本技术提出了一种封装器件以及电子设备。
27.根据本技术的一种典型的实施例，提供了一种封装器件，如图1所示和图2所示，上述封装器件包括封装基板10以及多个发光器件20，其中，上述封装基板10包括多个间隔设置的器件放置区100和至少一个通孔101，上述通孔101位于相邻的两个上述器件放置区100之间，上述通孔101的开口面积大于预定值；多个上述发光器件20位于上述器件放置区100的表面上。
28.上述的封装器件中，封装基板包括多个间隔设置的器件放置区以及至少一个通孔，上述通孔位于相邻的两个上述器件放置区之间，多个发光器件位于上述器件放置区的表面上。本技术的上述封装器件，通过在封装基板上设置贯穿上述封装基板的通孔，可以经由上述通孔释放上述封装器件在加热成型后产生的应力，即通过挤压或者拉伸上述通孔来释放掉应力，从而有效地缓解成型后上述封装器件的翘曲问题，较好地解决了现有技术中由于封装基板翘曲，影响后续工艺的问题，保证了后续切割等制作工艺的良率较好。
29.在实际的应用过程中，本领域技术人员可以根据封装基板的大小以及应力值等实际情况，灵活选择上述通孔的大小。上述封装基板上可以包括一个通孔，通过这一个通孔来释放整个封装基板在模压后的应力；为了应力释放效果较好，进而进一步地保证上述封装器件基本不发生翘曲，本领域技术人员还可以在每两个上述器件放置区之间设置一个上述通孔，这样可以进一步地保证翘曲抑制效果较好。
30.一种具体的实施例中，一个上述器件放置区的表面上设置有多个上述发光器件，当然，一个上述器件放置区的表面上还可以设置有一个上述发光器件。
31.根据本技术的另一种具体的实施例，上述发光器件包括led芯片。当然，上述发光器件并不限于上述的led芯片，其还可以包括micro led(micro light emitting diode，微发光二极管)芯片以及mini led(mini light emitting diode，次毫米发光二极管)芯片等现有技术中任意可行的发光芯片。
32.具体地，上述发光器件为led芯片。
33.一般情况下，上述封装基板就是覆铜箔层压板，单、双面印制板在制造中是在基板材料
‑
覆铜箔层压板(copper clad laminate，ccl)上，有选择地进行孔加工、化学镀铜、电镀铜、蚀刻等加工，得到所需电路图形。另一类多层印制板的制造，也是以内芯薄型覆铜箔板为底基，将导电图形层与半固化片交替地经一次性层压黏合在一起，形成3层以上导电图形层间互连。它具有导电、绝缘和支撑三个方面的功能。印制板的性能、质量、制造中的加工性、制造成本、制造水平等，在很大程度上取决于基板材料。
34.上述封装基板的材料可分为两大类：刚性基板材料和柔性基板材料。一般刚性基板材料的重要品种是覆铜板。它是用增强材料，浸以树脂胶黏剂，通过烘干、裁剪、叠合成坯料，然后覆上铜箔，用钢板作为模具，在热压机中经高温高压成形加工而制成的。一般的多层板用的半固化片，则是覆铜板在制作过程中的半成品(多为玻璃布浸以树脂，经干燥加工而成)。覆铜箔板的分类有多种。一般按板的增强材料不同，可划分为：纸基、玻璃纤维布基、复合基、积层多层板基和特殊材料基(陶瓷、金属芯基等)五大类。若按板所采用的树脂胶黏剂不同进行分类，常见的纸基ccl，有酚醛树脂、环氧树脂、聚酯树脂等各种类型。常见的玻璃纤维布基ccl有环氧树脂，它是最广泛使用的玻璃纤维布基类型。另外还有其他特殊性树脂(以玻璃纤维布、聚基酰胺纤维、无纺布等为增加材料)：双马来酰亚胺改性三嗪树脂、聚酰亚胺树脂、二亚苯基醚树脂、马来酸酐亚胺——苯乙烯树脂、聚氰酸酯树脂、聚烯烃树脂等。
35.根据本技术的一种具体的实施例，如图1所示，上述封装基板还包括导线区102，上述导线区102位于各上述器件放置区100的周围。上述导线区包括多个金属走线，通过上述金属走线将上述发光器件以及上述封装基板连接起来，以作为电流注入的引线。
36.在实际的应用过程中，上述导线区的材料可以为现有技术中任意可行的材料，如
铜、铝或者金等材料，本技术的一种具体的实施例中，上述导线区的材料包括铝。本技术的更为具体的一种实施例中，上述导线区的材料为铝。
37.本技术的再一种具体的实施例中，如图2所示，上述封装器件还包括第一胶层30，上述第一胶层30位于上述器件放置区与上述发光器件20之间。通过上述第一胶层可以将上述发光器件固定在上述器件放置区上。
38.根据本技术的又一种具体的实施例，上述第一胶层包括导电胶或者绝缘胶。具体的，对于gaas、sic导电衬底，且具有背面电极的红光、黄光以及黄绿光led芯片，采用导电胶固定在上述封装基板上，对于蓝宝石绝缘衬底的蓝光以及绿光led芯片，采用绝缘胶来固定在上述封装基板上。更为具体的一种实施例中，上述导电胶为银胶。
39.根据本技术的另一种具体的实施例，上述封装器件还包括第二胶层，上述第二胶层位于上述发光器件的裸露表面上以及预定区域的裸露表面上，上述预定区域为上述封装基板的除上述通孔之外的区域。通过上述第二胶层，将发光器件以及焊线密封保护起来，同时避开上述通孔，这样可以进一步地保证上述通孔对应力的吸收，从而进一步地保证封装之后的上述封装器件基本不会出现翘曲问题。
40.在实际的应用过程中，通过在上述封装基板上点胶、灌胶或者模压三种方式在上述封装基板以及上述发光器件的表面上形成上述第二胶层，对固化后的上述第二胶层的形状有严格要求。
41.本技术的一种具体的实施例中，上述第二胶层的材料包括环氧树脂。当然，上述第二胶层的材料并不限于上述的环氧树脂，其可以为现有技术中任意可行的密封胶材。
42.本技术的更为具体的一种实施例中，上述第二胶层的材料为环氧树脂。
43.根据本技术的另一方面，提供了一种电子设备，包括任一种上述的封装器件。
44.上述的电子设备包括任一种上述的封装器件，上述封装器件包括封装基板以及多个发光器件，其中，封装基板包括多个间隔设置的器件放置区以及至少一个通孔，上述通孔位于相邻的两个上述器件放置区之间，多个上述发光器件位于上述器件放置区的表面上。本技术的上述电子设备中，通过封装器件上的贯穿上述封装基板的通孔，可以释放上述封装器件在加热成型后产生的应力，即通过挤压或者拉伸上述通孔来释放掉应力，从而有效地缓解成型后上述封装器件的翘曲问题，较好地解决了现有技术中由于封装基板翘曲，影响后续工艺的问题，从而保证了上述电子设备的性能较好。
45.除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本技术的范围。同时，应当明白，为了便于描述，附图中所示出的各个部分的尺寸并不是按照实际的比例关系绘制的。对于相关领域普通技术人员已知的技术和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，上述技术和设备应当被视为授权说明书的一部分。在这里示出和讨论的所有示例中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它示例可以具有不同的值。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
46.在本技术的描述中，需要理解的是，方位词如“前、后、上、下、左、右”、“横向、竖向、垂直、水平”和“顶、底”等所指示的方位或位置关系通常是基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，在未作相反说明的情况下，这些方位词并不指示
和暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位或者以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术保护范围的限制；方位词“内、外”是指相对于各部件本身的轮廓的内外。
47.为了便于描述，在这里可以使用空间相对术语，如“在
……
之上”、“在
……
上方”、“在
……
上表面”、“上面的”等，用来描述如在图中所示的一个器件或特征与其他器件或特征的空间位置关系。应当理解的是，空间相对术语旨在包含除了器件在图中所描述的方位之外的在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的器件被倒置，则描述为“在其他器件或构造上方”或“在其他器件或构造之上”的器件之后将被定位为“在其他器件或构造下方”或“在其他器件或构造之下”。因而，示例性术语“在
……
上方”可以包括“在
……
上方”和“在
……
下方”两种方位。该器件也可以其他不同方式定位(旋转90度或处于其他方位)，并且对这里所使用的空间相对描述作出相应解释。
48.从以上的描述中，可以看出，本技术上述的实施例实现了如下技术效果：
49.1)、本技术上述的封装器件中，封装基板包括多个间隔设置的器件放置区以及至少一个通孔，上述通孔位于相邻的两个上述器件放置区之间，多个发光器件位于上述器件放置区的表面上。本技术的上述封装器件，通过在封装基板上设置贯穿上述封装基板的通孔，可以经由上述通孔释放上述封装器件在加热成型后产生的应力，即通过挤压或者拉伸上述通孔来释放掉应力，从而有效地缓解成型后上述封装器件的翘曲问题，较好地解决了现有技术中由于封装基板翘曲，影响后续工艺的问题，保证了后续切割等制作工艺的良率较好。
50.2)、本技术上述的电子设备包括任一种上述的封装器件，上述封装器件包括封装基板以及多个发光器件，其中，封装基板包括多个间隔设置的器件放置区以及至少一个通孔，上述通孔位于相邻的两个上述器件放置区之间，多个上述发光器件位于上述器件放置区的表面上。本技术的上述电子设备中，通过封装器件上的贯穿上述封装基板的通孔，可以释放上述封装器件在加热成型后产生的应力，即通过挤压或者拉伸上述通孔来释放掉应力，从而有效地缓解成型后上述封装器件的翘曲问题，较好地解决了现有技术中由于封装基板翘曲，影响后续工艺的问题，从而保证了上述电子设备的性能较好。
51.以上所述仅为本技术的优选实施例而已，并不用于限制本技术，对于本领域的技术人员来说，本技术可以有各种更改和变化。凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。