一种改善BT板类灯珠银迁移的结构的制作方法

文档序号:29511749发布日期:2022-04-06 19:55阅读:66来源:国知局
一种改善BT板类灯珠银迁移的结构的制作方法
一种改善bt板类灯珠银迁移的结构
技术领域
1.本实用新型属于灯珠背光板技术领域,具体涉及一种改善bt板类灯珠银迁移的结构。


背景技术:

2.现有mini背光bt板类产品,在高湿环境下点亮时,由于一字区间距较小,在电场的作用下,出现银迁移现象,以至于灯珠出现弱亮、死灯。
3.由于正负极间距小,在电场的作用下,由高电位向低电位迁移,使正负极连通,形成短路现象。


技术实现要素:

4.为解决现有技术中存在的上述问题,本实用新型提供了一种改善bt板类灯珠银迁移的结构,具有阻止银迁移,避免弱亮死灯的特点。
5.为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种改善bt板类灯珠银迁移的结构,包括基板,所述基板上设有正极区和负极区,正极区和负极区之间设有一字区,所述一字区高度低于正极区和负极区的高度,所述一字区表面覆盖有白油。
6.作为本实用新型的一种改善bt板类灯珠银迁移的结构优选技术方案,所述白油靠近正极区的一侧与正极区的距离为0-100微米,所述白油靠近负极区的一侧与负极区的距离为0-100微米。
7.作为本实用新型的一种改善bt板类灯珠银迁移的结构优选技术方案,所述白油的高度低于正极区和负极区的高度。
8.与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:有效的阻止了银迁移,一字区添加白油后,mini背光灯珠可在高温高湿85℃,85%rh环境下,正常工作电流实验点亮1000h未出现银迁移现象。
附图说明
9.附图用来提供对本实用新型的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型,并不构成对本实用新型的限制。在附图中:
10.图1为本实用新型主视的结构示意图;
11.图2为本实用新型仰视的结构示意图;
12.图中:1、基板;2、白油。
具体实施方式
13.下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下
所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
14.实施例
15.请参阅图1-2,本实用新型提供以下技术方案:一种改善bt板类灯珠银迁移的结构包括基板1,所述基板1上设有正极区和负极区,正极区和负极区之间设有一字区,所述一字区高度低于正极区和负极区的高度,所述一字区表面覆盖有白油2,本实施例中有效的阻止了银迁移,一字区添加白油2后,mini背光灯珠可在高温高湿85℃,85%rh环境下,正常工作电流实验点亮1000h未出现银迁移现象。
16.具体的,所述白油2靠近正极区的一侧与正极区的距离为0-100微米,所述白油靠近负极区的一侧与负极区的距离为0-100微米。
17.具体的,所述白油2的高度低于正极区和负极区的高度。
18.本实用新型的工作原理及使用流程:在正极区和负极区之间的一字区内,覆盖一层白油,在高湿环境中,当银离子从高电位向低电位迁移时,会形成絮状或枝蔓装黑色氧化银,此时,有了这一层白油的阻挡,银离子无法迁移致正负极导通。
19.最后应说明的是:以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已,并不用于限制本实用新型,尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明,对于本领域的技术人员来说,其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。


技术特征:
1.一种改善bt板类灯珠银迁移的结构,其特征在于:包括基板(1),所述基板(1)上设有正极区和负极区,正极区和负极区之间设有一字区,所述一字区高度低于正极区和负极区的高度,所述一字区表面覆盖有白油(2)。2.根据权利要求1所述的一种改善bt板类灯珠银迁移的结构,其特征在于:所述白油(2)靠近正极区的一侧与正极区的距离为0-100微米,所述白油靠近负极区的一侧与负极区的距离为0-100微米。3.根据权利要求1所述的一种改善bt板类灯珠银迁移的结构,其特征在于:所述白油(2)的高度低于正极区和负极区的高度。

技术总结
本实用新型属于灯珠背光板技术领域,尤其为一种改善BT板类灯珠银迁移的结构,包括基板,所述基板上设有正极区和负极区,正极区和负极区之间设有一字区,所述一字区高度低于正极区和负极区的高度,所述一字区表面覆盖有白油,有效的阻止了银迁移,一字区添加白油后,mini背光灯珠可在高温高湿85℃,85%RH环境下,正常工作电流实验点亮1000H未出现银迁移现象。现象。现象。


技术研发人员:羊鹏 杜尚昆
受保护的技术使用者:盐城东山精密制造有限公司
技术研发日:2021.11.05
技术公布日:2022/4/5
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