技术特征：
1.一种半导体设备，其特征在于，包括：至少一个半导体芯片或管芯，被布置在引线框架的第一表面处，其中所述引线框架具有与所述第一表面相对的第二表面；半导体芯片或管芯，被布置在所述引线框架的所述第一表面处；绝缘包封，被形成在所述引线框架上；电触点，用于在所述引线框架的所述第二表面处的所述至少一个半导体芯片或管芯，其中所述电触点具有由所述绝缘包封留下未覆盖的远端表面以及侧面；以及镀层，被电镀在所述远端表面以及所述侧面上。2.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，所述镀层包括在所述电触点的所述远端表面以及所述侧面上电镀的锡。3.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，所述镀层具有9.1微米至9.8微米的厚度。
技术总结
本公开的实施例涉及半导体设备。一种半导体设备，其特征在于，包括：至少一个半导体芯片或管芯，被布置在引线框架的第一表面处，其中引线框架具有与第一表面相对的第二表面；半导体芯片或管芯，被布置在引线框架的第一表面处；绝缘包封，被形成在引线框架上；电触点，用于在引线框架的第二表面处的至少一个半导体芯片或管芯，其中电触点具有由绝缘包封留下未覆盖的远端表面以及侧面；以及镀层，被电镀在远端表面以及侧面上。利用本公开的实施例可以有利地提供适于汽车行业中所需的近10μm的值的镀层厚度。的镀层厚度。的镀层厚度。
技术研发人员：F
受保护的技术使用者：意法半导体股份有限公司
技术研发日：2021.12.20
技术公布日：2022/9/29