技术特征：
1.一种半导体装置，其包括：第一半导体基板，其包括第一电容元件部，所述第一电容元件部包括至少一个电容元件；第二半导体基板，其与所述第一半导体基板层叠；和第二电容元件部，其由设置在所述第一半导体基板和所述第二半导体基板之间的接合面上的金属接合部形成，其中，所述第一电容元件部和所述第二电容元件部彼此并联连接。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二半导体基板包括第三电容元件部，所述第三电容元件部包括至少一个电容元件。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第一电容元件部和所述第三电容元件部分别并联连接多个电容元件，并且所述多个电容元件包括mos电容元件、梳状配线电容元件、mim(金属绝缘体金属)电容元件和pip(多晶硅绝缘体多晶硅)电容元件中的两种或更多种。4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，所述第二电容元件部包括第一金属接合部和第二金属接合部，所述第一金属接合部和所述第二金属接合部被形成为在与所述第一半导体基板和所述第二半导体基板的层叠方向正交的方向上彼此相对。5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述第一金属接合部是环形，并且所述第二金属接合部形成在所述环形的中心部分。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述第一金属接合部和所述第二金属接合部包括设置在所述第一半导体基板的接合面上的第一金属膜和设置在所述第二半导体基板的接合面上的第二金属膜，在所述第一金属接合部中，所述第一金属膜的内径小于所述第二金属膜的内径，并且在所述第二金属接合部中，所述第一金属膜的直径小于所述第二金属膜的直径。7.根据权利要求4至6中任一项所述的半导体装置，其中，所述第一金属接合部和所述第二金属接合部具有正方形结构。8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置，其中，所述第一半导体基板包括像素和外围电路中的至少一者，所述外围电路对来自像素晶体管的信号进行处理，所述像素晶体管放大来自所述像素的信号，并且所述第二半导体基板包括所述像素和所述外围电路中的另一者。9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述像素包括光电二极管，并且包括所述像素晶体管的第三半导体基板进一步层叠在下述三个位置的至少一者上：所述第一半导体基板上、所述第二半导体基板上、所述第一半导体基板和所述第二半导体基板之间。10.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置，其中，所述第一半导体基板包括传感器单元和外围电路中的至少一者，所述传感器单元包括spad(单光子雪崩二极管)光电二极管，所述外围电路对来自所述传感器单元的信号进行处理，并且
所述第二半导体基板包括所述传感器单元和所述外围电路中的另一者。11.根据权利要求1至10中任一项所述的半导体装置，其中，所述第二电容元件部包括像素内电容器。12.一种电子设备，其包括半导体装置，所述半导体装置包括：第一半导体基板，其包括第一电容元件部，所述第一电容元件部包括至少一个电容元件；第二半导体基板，其与所述第一半导体基板层叠；和第二电容元件部，其由设置在所述第一半导体基板和所述第二半导体基板之间的接合面上的金属接合部形成，其中，所述第一电容元件部和所述第二电容元件部彼此并联连接。
技术总结
提供了一种能够在不降低工作电压的情况下提高电容元件的电容密度的半导体装置。该半导体装置包括：第一半导体基板，其具有包括至少一个电容元件的第一电容元件部；第二半导体基板，其层叠在第一半导体基板上；以及第二电容元件部，其由设置在第一半导体基板和第二半导体基板之间的接合面上的金属接合部形成。第一电容元件部和第二电容元件部彼此并联连接。一电容元件部和第二电容元件部彼此并联连接。一电容元件部和第二电容元件部彼此并联连接。
技术研发人员：场色正昭
受保护的技术使用者：索尼半导体解决方案公司
技术研发日：2021.04.15
技术公布日：2022/12/22