芯片组件、电子设备以及芯片组件的制备方法与流程

1.本技术属于通信设备技术领域，具体涉及一种芯片组件、电子设备以及芯片组件的制备方法。


背景技术：

2.随着科技的不断发展，电子设备的多功能性已经成为用户关注的重要因素之一，然而电子设备的多功能性需要依赖于电子设备的内部集成多个电子元器件来提升，但是由于集成电路的系统级芯片(system on chip，soc)的芯片的面积受限，导致放置同样数量的金属连接件时，金属连接件之间的间隔变小，致使封装材料在填充过程中存在孔洞，从而影响soc的结构可靠性。
3.实际应用中，为解决封装材料填充的问题，大多采用热压倒装芯片(thermal compress flip chip，tcfc)封装，从而减少封装材料填充造成的孔洞，然而热压焊接将导致封装材料残留在金属连接件与基板的焊接面上，导致仍然存在芯片组件的结构可靠性较差的问题。


技术实现要素：

4.本技术实施例的目的是提供一种芯片组件、电子设备以及芯片组件的制备方法，能够解决目前芯片组件的结构可靠性较差的问题。
5.为了解决上述技术问题，本技术是这样实现的：
6.第一方面，本技术实施例提供了一种芯片组件，包括基板、粘接层、芯片和第一金属连接件，所述基板、所述粘接层和所述芯片依次叠置，所述第一金属连接件凸出设置于所述基板朝向所述粘接层的一面，且所述芯片通过所述第一金属连接件与所述基板相连。
7.第二方面，本技术实施例还提供了一种电子设备，包括上述的芯片组件。
8.第三方面，本技术实施例还提供了一种芯片组件的制备方法，包括：
9.在基板上制备第一金属连接件；
10.在所述基板上设置粘接层，所述粘接层覆盖所述第一金属连接件；
11.将芯片设置于所述粘接层；
12.加热所述芯片并按压所述芯片，以使所述芯片与所述第一金属连接件连接。
13.在本技术实施例中，在封装芯片组件的过程中，先在基板上制备第一金属连接件，接着在基板上设置粘接层，然后将芯片压接于粘接层，由于第一金属连接件凸出于基板，因此粘接层中位于第一金属连接件上方的部分可以被有效挤压出去，避免粘接层残留在第一金属连接件与芯片之间，从而确保芯片与基板的连接可靠性。因此，本技术实施例能够解决目前芯片组件的结构可靠性较差的问题。
附图说明
14.图1为本技术实施例公开的芯片组件的结构示意图；
15.图2为图1所示结构的局部放大图；
16.图3至图6为本技术实施例公开的芯片组件的部分结构的示意图；
17.图7为本技术另一实施例公开的芯片组件的结构示意图；
18.图8为本技术另一实施例公开的芯片组件的部分结构的示意图。
19.附图标记说明：
20.110-基板、111-第一焊盘、120-粘接层、121-第二焊盘、130-芯片、140-第一金属连接件、141-第一金属柱、142-第一金属球、150-第二金属连接件、151-第二金属柱、152-第二金属球、160-铜芯球、170-封装层；
21.200-吸盘。
具体实施方式
22.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
23.本技术的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便本技术的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，说明书以及权利要求中“和/或”表示所连接对象的至少其中之一，字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
24.下面结合附图，通过具体的实施例及其应用场景对本技术实施例提供的芯片组件、电子设备以及芯片组件的制备方法进行详细地说明。
25.参考图1至图8，本技术实施例公开一种芯片组件，可选地，该芯片组件可以为集成电路，当然也可以为其它芯片组件，这里不作具体限制。该芯片组件包括基板110、粘接层120、芯片130和第一金属连接件140，可选地，该粘接层120可以为非导电胶(non conductive paste，ncp)，当然也可以为其它具有导电功能的粘接材料，这里不作具体限制。可选地，粘接层120的厚度可以为40um，当然也可以根据实际需要进行选择，这里不作具体限制。
26.基板110、粘接层120和芯片130依次叠置，第一金属连接件140凸出设置于基板110朝向粘接层120的一面，可选地，第一金属连接件140和基板110可以为一体式结构，在制作芯片组件的过程中，先在基板110上通过电镀等方式制备第一金属连接件140，接着在基板110上设置粘接层120。芯片130通过第一金属连接件140与基板110相连。可选地，芯片130与第一金属连接件140之间可以通过焊接、粘接等方式连接，这里不作具体限制。
27.在本技术实施例中，在封装芯片组件的过程中，先在基板110上制备第一金属连接件140，接着在基板110上设置粘接层120，然后将芯片130压接于粘接层120，由于第一金属连接件140凸出于基板110，因此粘接层120中位于第一金属连接件140上方的部分可以被有效挤压出去，避免粘接层120残留在第一金属连接件140与芯片130之间，从而确保芯片130与基板110的连接可靠性。因此，本技术实施例能够解决目前芯片组件的结构可靠性较差的问题。
28.可选地，基板110朝向粘接层120的一面具有第一焊盘111，第一金属连接件140凸出设置于第一焊盘111朝向粘接层120的一面，第一焊盘111的设置不仅可以实现芯片130的电连接，而且能够确保第一金属连接件140与基板110更可靠地连接，防止第一金属连接件140脱落。进一步可选地，芯片130朝向粘接层120的一面具有第二焊盘121、第一金属连接件140连接于第一焊盘111与第二焊盘121之间，从而更进一步地提升芯片130与基板110之间的连接可靠性。
29.参考图1至图7，一种可选的实施例中，第一金属连接件140包括第一金属柱141和第一金属球142，第一金属球142处于自然状态下时，其呈球形，即第一金属球142尚未变形的情况下呈球形。第一金属球142设置于第一金属柱141的第一端，第一金属柱141的第一端通过第一金属球142与芯片130相连。将芯片130设置于粘接层120后，在按压芯片130的过程中，此时粘接层120还未固结，具有一定的流动性，该第一金属球142的弧形面能够为粘接层130的运动提供导向作用，以便于将芯片130与第一金属球142之间的粘接层充分挤压出去；另外，由于第一金属柱141具有一定的高度，在设置芯片130时，该芯片130的移动行程较短，有利于提升第一芯片130与第一金属连接件140的连接效率。第一金属柱141的第二端与基板110相连。可选地，先在基板110上制备第一金属柱141，然后在第一金属柱141的第一端，即第一金属柱141远离基板110的一端设置第一金属球142，以便于第一金属球142的设置。
30.可选地，第一金属球142加热后发生形变。将芯片130放置到粘接层120后，对芯片130进行加热，通过热传递方式使第一金属球142加热后发生形变，以使第一金属柱141通过第一金属球142与芯片130贴合设置，从而提升第一金属柱141与芯片130的连接可靠性。可选地，第一金属球142可以为铝、镁、钛等经热处理能够改变其结构形状的材料制成，这里对此不作具体限制。
31.由于铜结构耐腐蚀性较好，且具有机械性能和加工性能优良的特点，故可选地，第一金属柱141为铜柱，不仅方便第一金属柱141的制作，而且接地后可以可靠地防止产生静电作用，有利于保护芯片等其它电子元件。
32.可选地，第一金属球142为锡球，该锡球可以用于代替芯片组件封装结构中的引脚，从而满足电性互连以及机械连接的要求，并且，该锡球无需弯曲引脚，有利于提升芯片组件发优良率；另外，还锡球还具备较佳的散热性，能够使封装产品薄型化，并缩小封装区，且能缩短接合点距离以提高电子特性。因此，本实施例中的第一金属球142为锡球，其加热后变形，不仅有利于提高第一金属柱141与芯片130之间的连接可靠性，而且作为第一金属柱141与芯片130之间的连接件，有利于提升芯片组件的轻薄化和良品率。
33.参考图7至图8，另一种可选的实施例中，第一金属连接件140为半球形结构，半球形结构的弧形面与芯片130相对设置，半球形结构的平面与基板110相连，由于半球形结构的平面的面积较大，有利于增大第一金属连接件140与基板110的连接面积，从而提升芯片130与基板110的连接可靠性；并且，芯片130通过半球形结构的第一金属连接件140与基板110连接，可以简化基板110的制备工艺，提高加工效率。可选地，半球形结构的第一金属连接件140可以通过锡球与芯片130连接，锡球受热变形，有利于增大第一金属连接件140与芯片130之间的连接面积，从而提升二者之间的连接牢固性。
34.进一步可选的实施例中，芯片组件还包括第二金属连接件150，第二金属连接件150设置于芯片130朝向粘接层120的一面，第一金属连接件140通过第二金属连接件150与
芯片130相连。可选地，芯片130与第二金属连接件150之间可以通过焊接、粘接等方式连接，这里不作具体限制。在制作芯片组件的过程中，先在基板110上制备第一金属连接件140，接着在基板110上设置粘接层120，然后将设有第二金属连接件150的芯片130设置于粘接层120，并且使第二金属连接件150与第一金属连接件140相对设置，由于粘接层130受重力影响，按压芯片130时能够有效地将第二金属连接件150与第一金属连接件140之间的粘接层120挤压出去，从而提升第二金属连接件150与第一金属连接件140的连接牢固性。
35.进一步可选的实施例中，第二金属连接件150包括第二金属柱151和第二金属球152，第二金属球152处于自然状态下时，其呈球形，即第二金属球152尚未变形的情况下呈球形。第一金属柱141的第一端与芯片130相连，第二金属球152设置于第二金属柱151的第二端，第二金属柱151的第二端通过第二金属球152与第一金属连接件140相连，第二金属球152与半球形结构的第一金属连接件140的弧形面相对设置。本实施例采用此种结构的第二金属连接件150，将芯片130设置于粘接层120后，在按压芯片130的过程中，此时粘接层120还未固结，具有一定的流动性，第二金属球152的弧形面和第一金属连接件140的弧形面均能够为粘接层120的运动提供导向作用，以有效挤压出二者之间的粘接层130，从而进一步提升第一金属连接件140与第二金属连接件150之间的连接可靠性。
36.可选地，第二金属球152加热后发生形变。将芯片130放置到粘接层130后，对芯片130进行加热，通过热传递方式使第二金属球152加热后发生形变，以使第二金属柱151通过第二金属球152与第一金属连接件140贴合设置，从而提升第二金属柱151与第一金属连接件140之间的连接可靠性。可选地，第二金属球152可以由铝、镁等经热处理能够改变其结构形状的材料制成，这里对此不作具体限制。
37.由于铜结构耐腐蚀性较好，且具有机械性能和加工性能优良的特点，可选的实施例中，第一金属连接件140为铜半球，第二金属柱151为铜柱，不仅方便第一金属连接件140和第二金属柱151的制作，而且在第一金属连接件140和第二金属柱151接地后可以可靠地防止产生静电作用，有利于保护芯片等其它电子元件。
38.可选地，第二金属球152为锡球，该锡球可以用于代替芯片组件封装结构中的引脚，从而满足电性互连以及机械连接的要求，并且，该锡球无需弯曲引脚，有利于提升芯片组件发优良率；另外，还锡球还具备较佳的散热性，能够使封装产品薄型化，并缩小封装区，且能缩短接合点距离以提高电子特性。因此，本实施例中的第一金属球142为锡球，其加热后变形，不仅有利于提高第二金属柱151与第一金属连接件140之间的连接可靠性，而且作为第二金属柱151与第一金属连接件140之间的连接件，有利于提升芯片组件的轻薄化和良品率。
39.可选地，第一金属连接件140的数量可以为一个也可以为至少两个，当第一金属连接件140的数量为一个时，为确保芯片130与基板110之间的连接可靠性，需要将第一金属连接件140的尺寸设置的较大。可选地，第一金属连接件140的数量为至少两个，各第一金属连接件141间隔设置，此时可以设置多个尺寸较小的第一金属连接件140，在确保芯片130与基板110之间的连接可靠性的基础上，以节省制作芯片组件的成本。
40.可选的实施例中，芯片组件还包括铜芯球160和封装层170，铜芯球160设置于基板110，且铜芯球160与第一金属连接件140同层设置，封装层170设置于基板110朝向铜芯球160的一侧，且封装层170覆盖芯片130，封装层170用于隔绝外界的水氧，从而保护芯片130、
第一金属连接件140等结构。可选地，封装层170可以由环氧模塑料(epoxy molding compound，emc)制成，当然也可以由其它材料制成，这里不作具体限制。
41.基于本技术实施例公开的芯片组件，本技术实施例还公开了一种电子设备，其包括上述任意实施例的芯片组件。
42.基于本技术实施例公开的芯片组件，本技术实施例还提供了一种芯片组件的制备方法，所公开的制备方法应用于上文所述任意实施例的芯片组件，所公开的制备方法包括：
43.s100、在基板110上制备第一金属连接件140。
44.可选地，该步骤可以采用化学蒸镀或电镀的方法将金属材料附着在基板110的表面，以形成第一金属连接件140，且该第一金属连接件140凸出于基板110的表面。
45.s200、在基板110上设置粘接层120，粘接层120覆盖第一金属连接件140。
46.由于粘接层受自身重力和粘稠度等因素的影响，会发生形变，因此将粘接层120覆盖第一金属连接件140，从而为粘接层120在固化过程中预留一定形变量。
47.s300、将芯片130设置于粘接层120。
48.可选地，这里粘接层120可以为ncp，当然也可以为其它具有导电功能的粘接材料，这里不作具体限制。可选地，可以通过吸盘200抓起芯片130，然后将芯片130与第一金属连接件140对齐设置。
49.s400、加热芯片130并按压芯片130，以使芯片130与第一金属连接件140连接。
50.可选地，芯片130与第一金属连接件140之间可以采用焊接的方式连接，加热芯片130，通过热传递的方式，有利于确保芯片130与第一金属连接件140之间的焊接可靠性；并且，可以减缓芯片130与第一金属连接件140的连接处的粘接层120的固化速率，从而将二者之间的粘接层130充分挤压出去。
51.在本技术实施例中，在封装芯片组件的过程中，先在基板110上制备第一金属连接件140，接着在基板110上设置粘接层120，然后将芯片130压接于粘接层120，由于第一金属连接件140凸出于基板110，因此粘接层120中位于第一金属连接件140上方的部分可以被有效挤压出去，避免粘接层120残留在第一金属连接件140与芯片130之间，从而确保芯片130与基板110的连接可靠性。因此，本技术实施例能够解决目前芯片组件的结构可靠性较差的问题。
52.另一可选的实施例中，当芯片组件还包括第二金属连接件150时，步骤s300具体包括：
53.s310、将第二金属连接件150设置于芯片130。
54.可选地，第二金属连接件150与芯片130之间可以采用焊接、粘接等方式连接，这里不作具体限制。
55.s310、将芯片130和第二金属连接件150均设置于粘接层120，并将第二金属连接件150与第一金属连接件140对齐设置。
56.本实施例中的芯片130通过第一金属连接件140和第二金属连接件150与基板110连接，有利于进一步将第一金属连接件140与第二金属连接件150之间的粘接层120挤压出去，避免粘接层120残留，从而提升芯片130与基板110之间的连接牢固性。
57.本技术实施例公开的电子设备可以是智能手机、平板电脑、电子书阅读器、可穿戴设备(例如智能手表)、电子游戏机等电子设备，本技术实施例对电子设备的种类不作具体
限制。
58.上面结合附图对本技术的实施例进行了描述，但是本技术并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本技术的启示下，在不脱离本技术宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，均属于本技术的保护之内。