焊料柱栅格阵列电容器的制作方法

文档序号:33507353发布日期:2023-03-18 04:13阅读:135来源:国知局
焊料柱栅格阵列电容器的制作方法
焊料柱栅格阵列电容器


背景技术:

本公开一般涉及电子互连结构。具体地,本公开涉及可以附接到集成电路(ic)封装和印刷电路板(pcb)的栅格阵列电容器。电容器是一种无源电气元件,其具有至少两个被称为板的电导体,所述板由电介质或绝缘体隔开,并且其可以用于在电场中静电存储能量。电容器可用作与诸如数字和模拟ic的各种类型的电子器件结合的电路元件。去耦电容器可用于将电路或网络的一部分与电路的另一部分去耦或电隔离。由某些电路元件产生的电噪声可以通过去耦电容器分流。去耦电容器对于在诸如滤波器、放大器和逻辑元件的噪声敏感电路周围分流或旁路高频噪声分量特别有用。焊料柱或焊球可用于提供ic封装与pcb的电气和机械互连。这种焊料柱可以以阵列形式布置在ic封装和pcb的平面表面之间。ic封装可以通过将焊料柱回流到位于ic封装和pcb表面上的附接焊盘而附接到pcb。


技术实现要素:

实施例可以针对位于集成电路(ic)封装和印刷电路板(pcb)之间的栅格阵列电容器。所述栅格阵列电容器可以被配置为物理地和电气地耦合到所述ic封装和所述pcb。所述栅格阵列电容器可以包括:内部导体,被配置为电连接到所述集成电路(ic)封装和所述pcb;以及内部电介质,与所述内部导体同轴取向,并且至少部分地围绕所述内部导体。该栅格阵列电容器还可以包括与内部电介质同轴取向并且至少部分地围绕内部电介质的次级导体。次级导体可以被配置为电连接到ic封装和pcb。实施例还可以针对电子系统。电子系统可以包括pcb、ic封装和位于ic封装与pcb之间的栅格阵列电容器。栅格阵列电容器可以物理地和电气地耦合到ic封装和pcb。所述栅格阵列电容器可以包括物理和电连接到所述ic封装和所述pcb的内部导体,以及内部电介质,所述内部电介质在与所述内部导体同轴取向并且至少部分地围绕所述内部导体。该栅格阵列电容器还可以包括与内部电介质同轴取向并且至少部分地围绕内部电介质的次级导体。次级导体可以物理地和电气地连接到ic封装和pcb。实施例还可以针对一种制造栅格阵列电容器的方法。栅格阵列电容器可以位于电子系统的ic封装和pcb之间。该方法可以包括将内部电介质插入到次级导体的轴向取向的开口中,并且在内部电介质中形成适于接收内部导体的开口。该方法还可以包括将内部导体插入内部电介质中的开口中,并且将焊膏施加到次级导体的相对端和内部导体的相对端。该方法还可以包括通过回流施加到次级导体和内部导体的相对端的焊膏,将栅格阵列电容器电互连和机械互连到ic封装和pcb。上述发明内容并非旨在描述本公开的每个所示实施例或每种实施方式。
附图说明
本技术中包括的附图并入说明书中并形成说明书的一部分。它们示出了本公开的
实施例,并且与说明书一起用于解释本公开的原理。附图仅说明某些实施例,而不限制本公开。图1包括描绘根据本公开的实施例的电子系统和栅格阵列电容器的视图。图2描绘根据本发明实施例的具有带有两个区段的次级导体的栅格阵列电容器及具有三个导体的栅格阵列电容器。图3包括根据与附图一致的实施例的栅格阵列电容器的示意图和描绘栅格阵列电容器的插入损耗特性的曲线图。图4包括描绘根据与附图一致的实施例的用于制造位于集成电路(ic)封装与印刷电路板(pcb)之间的栅格阵列电容器的方法的流程图和对应的过程图。虽然本发明可以有各种修改和替换形式,但是其细节已经在附图中通过示例的方式示出并且将被详细描述。然而,应当理解,其目的不是将本发明限制于所描述的特定实施例。相反,本发明覆盖落入本发明的精神和范围内的所有修改、等同和替换。在附图和详细描述中,相同的数字通常表示相同的组件、部件、步骤和过程。
具体实施方式
本公开的某些实施例可以在提供用于将集成电路(ic)封装互连到诸如服务器的电子设备内的印刷电路板(pcb)的栅格阵列电容器的上下文中被理解,该服务器可以用于通过网络向附接到服务器的客户端提供数据。这样的服务器可以包括但不限于web服务器、应用服务器、邮件服务器和虚拟服务器。虽然不一定局限于此,但是在该上下文中讨论的实施例可以促进对本公开的各个方面的理解。某些实施例还可以针对其他设备和相关应用,例如提供用于将ic封装互连到诸如计算系统的电子设备内的pcb的栅格阵列电容器,该计算系统可以用于各种计算和数据处理应用。这样的计算系统可以包括但不限于超级计算机、高性能计算(hpc)系统和其他类型的专用计算机。实施例还可以针对提供用于将ic封装互连到消费者和小型办公室/家庭办公室(soho)电子设备(诸如个人计算机、膝上型计算机、移动和网络服务器设备)内的pcb的栅格阵列电容器。术语“附接焊盘”和“bga(球栅阵列)焊盘”在此可以互换使用,指用于形成与ic封装或pcb的电和机械互连的金属焊盘。这种焊盘可以包括诸如铜或铜合金的金属,并且可以被布置成位置上与bga电子封装上的焊球一致的阵列。在本公开的上下文中,附接焊盘可以用作在其上放置和回流焊球以将ic封装电气地和机械地互连到pcb的位置。为了便于讨论,术语“焊料”、“焊膏”和“焊球”在这里通常用于指用于在ic封装和pcb之间形成持久的机械和电互连的导电附接材料。术语“次级导体”和“外部导体”在此用于指包括在栅格阵列电容器内的电导体。在本公开的上下文中,可以理解,术语“次级导体”和“外部导体”可以各自与术语“柱状导电套”互换使用。介电常数(dk),也称为介电或绝缘材料的“相对介电常数”,可以理解为响应于放置在两个金属板之间的绝缘材料而存储的电荷量与当绝缘材料被真空或空气代替时可以存储的电荷量的比率。诸如处理器、图形处理单元(gpu)、存储器芯片和专用集成电路(asic)的ic可以通过使用回流焊柱或焊球而电和机械地附接到pcb。这种焊料柱或球可以以阵列形式布置,这
对于在ic封装和pcb之间提供大量的高密度功率和信号互连特别有用。增加ic操作频率和信号转换速率的持续趋势连同高速串行(hss)数据接口的增加使用已经导致在ic封装/pcb接口处需要增加的电源去耦和ac(交流)耦合电容。这种增加的电容可以通过放置在pcb上与ic封装相邻的表面安装技术(smt)电容器来提供。然而,这些附加smt电容器的布置可能使pcb上的“引出(breakout)”或“逸出(escape)”区域内的布线路由复杂化。引出区一般包括ic封装下的大量紧密排列的导线和bga焊盘。这些导线用于将布线扇出到pcb上具有更宽松的间隔约束的布线区域。在引出区域内的布线面积通常非常有限,并且某些信号网类型,例如差分对,可能需要对成对的线长度进行精确平衡,以便使在它们上承载的差分信号满足电设计约束。例如通过在引出区域内包括smt电容器来引出布线流程因此可能导致设计复杂度显著增加,并且在一些情况下,导致关键的电气设计要求例如布线长度和/或长度匹配变得不能满足。根据实施例,焊料柱栅格阵列电容器可以在ic封装/pcb接口处提供附加的去耦或ac耦合电容,而不会破坏pcb上的布线引出区域的布线流程。使用这种小几何形状的电容器可以增强pcb布线流程,这可以允许在没有过多设计或pcb布线布局努力的情况下满足电气设计约束。使用焊料柱栅阵列电容器还可以向ic提供附加电容,而没有由pcb表面布线和/或过孔产生的附加串联电感(esl)。该附加电容对于去耦ic电源轨和ac耦合hss数据信号特别有用。本公开的各个方面可用于在现有柱状附连机制的框架内提供hss和去耦电容解决方案。这种解决方案不会干扰敏感的pcb引出布线约束。各种实施例可以消除对分立(smt)电容器的需要和与电容器布线引出相关联的寄生电感损耗。某些实施例在通过在现有柱状附接机构的框架内实施三端子电容器来提供改进的插入损耗方面可尤其有用。这样的实施例还可以包括集成信号路径。根据某些实施例设计的栅格阵列电容器可以与现有的并且经过验证的pcb兼容,并且ic封装可以是提供增加的去耦和ac耦合电容的有用且成本有效的方式。本公开的实施例可用于提供支持ac耦合、直流(dc)连接和电源去耦的pcb与ic封装之间的各种互连拓扑。可以理解,图中所示的元件仅是为了构思说明而提供的,并且不一定按比例绘制。例如,结构可以被描绘为具有矩形横截面轮廓,其中表面彼此正交。然而,该描述不是限制性的;根据特定的设计标准、光刻和制造工艺限制以及给定应用的公差,结构可以具有任何合适的形状、尺寸和轮廓。例如,显示为具有直角的拐角可以是圆形的,表面可以具有非正交的相对取向,并且相对尺寸比可以与图中所示的那些不同。本公开的实施例可以包括各种配置和信号路径/路径类型。例如,各种实施例可以包括不具有dc路径、具有一个或多个dc路径、ac路径或具有切断的内部导体的ac路径的焊料柱栅格阵列电容器。实施例通常可以具有同轴结构,例如包括通过通常圆柱形的介电层彼此电绝缘的两个或三个电导体。然而,本说明书不是限制性的,其它结构可以包括在本公开的精神和范围内。某些实施例涉及在电子系统中使用栅格阵列电容器以将ic封装电互连到pcb。图1包括分别描绘电子系统的侧视图和顶视图的视图100、150,分别描绘栅格阵列电容器的侧视图和顶视图的视图108a、108b,以及描绘根据本公开的实施例的互连焊盘的视图110。图1在描述和提供对栅格阵列电容器108的物理结构以及通过使用多个栅格阵列电容器108将
ic封装106放置和互连到pcb 114的理解时特别有用。可以理解,图1中所包括的视图仅是出于说明的目的而提供的,并且可能不能准确地表示诸如pcb、ic封装、ic和栅格阵列电容器之类的元件的尺寸、比例、数量或其他物理特征。视图100包括ic 102,其利用焊球104安装到ic封装106上。ic封装106通过位于ic封装106和pcb 114之间的栅格阵列电容器108附接到pcb 114。ic封装106和pcb 114都在相对的平面上具有位置上对应的一组互连焊盘110,与用于ic封装到pcb的焊料柱和焊料球互连的互连焊盘一致。这种互连焊盘可以包括导电材料,例如铜或铜合金。根据实施例,栅格阵列电容器端部,例如视图108a中的116a和116b,通过焊料112附接到互连焊盘110。在实施例中,焊料112被施加到互连焊盘110并且回流以在ic封装106、栅格阵列电容器108和pcb114之间形成稳定的电和机械连接。栅格阵列电容器端部116a和116b可以在回流之前被焊料电镀,以便增强回流工艺。在实施例中,ic 102可以是诸如处理器或gpu芯片的ic,ic封装106可以是陶瓷或有机多层基板,并且pcb 114可以包括例如母板或子卡。焊球104可以由高温焊料形成,该高温焊料与低温焊膏一起回流以在ic 102和ic封装106之间形成接合。视图100对于描述使用栅格阵列电容器108的ic封装106到pcb 114的期望的电和机械连接特别有用。这种连接/耦合可以是电学和机械稳定的,同时补偿ic封装106和pcb 114的相对表面的平面性的差异。在一些应用中,这种平面性差异可能是由于ic封装106和pcb 114之间的热膨胀系数(cte)差异所引起的翘曲,或者是由于制造公差所引起的。视图100中所示的组件因此可以被电气封装和/或电气系统设计领域的技术人员理解为示例性ic封装和pcb组件。如图所示,栅格阵列电容器108的结构被理解为通常产生在延长的时间段上是坚固、耐用和可靠的电和机械连接。栅格阵列电容器108在提供用于ic封装106/pcb 114接口处的ic电源轨去耦和hss ac耦合的电容方面特别有用,同时除了焊球或焊柱互连结构将占据的面积之外,不消耗pcb 114上的额外表面积。与侧视图100一致的电子系统顶视图150在描述pcb 114、ic封装106、ic 102和互连焊盘110的相对定位方面是有用的。视图108a和108b描绘了与视图100一致的栅格阵列电容器108的展开图。栅格阵列电容器108可以在ic封装106/pcb 114接口处提供用于去耦ic电源和hss信号的ac耦合的电容。根据实施例,栅格阵列电容器108包括被配置为电连接到ic封装106和pcb 114的内部导体118。在一些实施例中,内部导体118是导线,并且在一些实施例中,内部导体118可以是螺旋线圈。内部电介质120定位为与内部导体118同轴取向并且至少部分地围绕该内部导体。内部电介质120可以被理解为电介质“插塞”,并且可以包括例如诸如聚酰亚胺和/或钛酸钡的材料。次级导体122与内部电介质120同轴并至少部分地围绕该内部电介质。次级导体122被配置为电连接到ic封装106和pcb 114。在一些实施例中,次级导体122可以是导电螺旋结构或线圈,如视图108a中所示。为导电螺旋结构或线圈的次级导体122可用于补偿ic封装106和pcb 114的相对表面之间的平面度和/或距离的不均匀性。使用这种螺旋结构可以提供在ic封装106和pcb 114的各种热和尺寸变化上机械上稳健的电互连。在一些实施例中,次级导体122可以是中空的导电圆柱形结构或套筒。次级导体
122也可以被称为“柱状导电套”。内部导体118和次级导体122可包括诸如铜、锡、镍、铌和钛的材料。在一些实施例中,内部电介质120可以具有100和5,000之间的dk值,其与内部导体118和次级导体122一起可以产生在1nf和8nf之间的范围内的栅格阵列电容器108电容。该电容对于去耦ic 102电源和对于电互连到ic 102的hss信号的ac耦合特别有用。未来的技术发展可以包括使用具有大于5,000的dk值的介电材料,其可以提供成比例地更大的栅格阵列电容器的电容值。栅格阵列电容器108可以用于在ic 102和pcb 114之间建立各种类型的电互连。可以理解,根据需要,内部导体118和次级导体122均可以用于电源、接地或信号。内部导体118和次级导体122之间的电容可以用于电源去耦和/或ac耦合。例如,栅格阵列电容器108可以在ic封装106和pcb 114之间形成两个电互连路径,例如电源电压和接地节点。在该示例中,内部导体118和次级导体122之间的电容可以用于ic 102电源去耦。在某些实施例中,可以使内部导体118和次级导体122中的至少一个与ic封装106或pcb 114电断开。在一些实施例中,栅格阵列电容器108a可以提供ic封装106和pcb 114之间的ac耦合。这种ac耦合可以与ic 102的hss接口结合使用。视图110描述了互连焊盘,其具有位置上对应于内部导体118的互连焊盘110a和位置上对应于次级导体122的互连焊盘110b。在实施例中,内部导体118可以通过焊料回流操作物理地和电气地连接到互连焊盘110a。次级导体122可类似地物理连接及电连接到互连焊盘110b。
1.图2在视图108c、108d中示出了具有次级导体122的栅格阵列电容器,该次级导体具有两个部分228a和228b。图2还在视图108e、108f中示出了根据本公开的实施例的具有三个导体118、122和226的栅格阵列电容器。视图108c、108d、108e和108f与图1基本一致。与图1的视图108a一致,栅格阵列电容器108c包括内部导体118和内部电介质120。栅格阵列电容器108c还包括次级导体122(见图1的视图108a)靠近端部116a的部分228a和靠近端部116b的部分228b。根据实施例,部分228a和部分228b由间隙229物理地分离,并且因此彼此电绝缘;因此,在部分228a和228b之间不可能有dc连接。根据实施例,间隙229可以通过切断次级导体122而形成,如图1所示,或者它可以通过放置两个分离的部分228a、228b而形成。可以理解,内部导体118可根据需要用于电源、接地或信号。在实施例中,栅格阵列电容器108c的部分228a和228b之间的电容耦合在提供ic封装106和pcb 114之间的ac耦合或电源去耦方面是有用的。与图1的视图108b一致,栅格阵列电容器108d(顶视图)示出了次级导体122、内部电介质120和内部导体118。与图1的视图108a一致,栅格阵列电容器108e包括内部导体118、内部电介质120和次级导体122。栅格阵列电容器108c还包括外部电介质224和外部导体226。根据实施例,外部电介质224位于与次级导体122同轴的取向并且至少部分地围绕次级导体。外部导体226与外部电介质224同轴取向并至少部分地围绕该外部电介质。外部导体226经配置以电连接到ic封装106且电连接到pcb 114,参见图1。可以理解,根据需要,内部导体118、次级导体122和外部导体226可以各自用于电源、接地或信号。在实施例中,在栅格阵列电容器108c的内部导体118、次级导体122和外部导体226之间的电容耦合可以用于在ic封装106和pcb114之间提供ac耦合或电源去耦。
被配置为三端子电容器结构的栅格阵列电容器108可以具有某些有利的电特性,即相对于二端子电容器结构,降低了esl并且改善了插入损耗。应当理解,例如去耦电容器中的esl有效地减小了可用于充当电源噪声/瞬变的滤波器的电容。参考图3进一步讨论了这种三端子电容器结构的电特性和益处。在本公开的实践中,外部电介质224和外部导体226可以一起形成,并且随后被定位以便围绕内部导体118、内部电介质120和次级导体122。例如,外部导体226可以形成为中空圆柱形导电管,并且内表面随后通过诸如喷涂或浸渍的工艺涂覆有外部电介质224。或者,可以在具有外部电介质224的一个表面上涂覆导电材料(例如,铜)片,随后对其进行轧制或冲压以形成圆柱形。在制造外部电介质224/外部导体226组件之后,可以将该组件定位成围绕次级导体122。外部电介质224可以包括例如聚酰亚胺和/或钛酸钡。外部导体226可包括诸如铜、锡、镍、银和金的材料。与视图108e一致,栅格阵列电容器108f(顶视图)示出了内部导体118、内部电介质120、次级导体122、外部电介质224和外部导体226。图3包括根据与附图一致的实施例的栅格阵列电容器的示意图302和304以及描绘各种栅格阵列电容器的插入损耗特性的曲线图350。两端子电路302包括串联在端子t1和gnd之间的电容器c1和寄生电感器l1和l2。三端子电路304包括互连在端子t2、t3和gnd之间的电容器c2和寄生电感器l3、l4和l5。通常,两端子电容器结构具有比可比较的三端子电容器更大的esl,这可能使得两端子电容器在去耦和ac耦合应用中不太有效。因此,三端子电容器结构,例如图2的视图108e、108f,可以具有比可比较的二端子电容器结构,例如图1的108a、108b,更低的esl和更高的电性能。电容器插入损耗特性曲线图350示出了四种类型的电容器的插入损耗(db)352与相对于x轴绘制的频率(mhz)362的关系。曲线包括两端子电容器354、三端子电容器356和358以及理想电容器360。可以注意到,在频率范围362上,当与理想电容器360相比时,二端子电容器354具有插入损耗低于理想电容器360的最小频率范围,而三端子电容器356和358具有插入损耗低于理想电容器360的显著增强的频率范围。这些增强的频率范围可以被视为指示三端子电容器在去耦和ac耦合应用中比二端子电容器增强的电性能,如本文所述。图4包括流程图400和相应的一组六个侧面和顶部工艺图434和444,其描绘了根据与附图一致的实施例的用于制造位于ic封装106和pcb 114之间的栅格阵列电容器108的方法。这些过程图视图示出了示例过程;其它视图和操作也是可能的。由这些工艺操作形成的电子系统可以与图1的100一致,并且可以具有提供增强的电容特性和增加的互连可靠性的栅格阵列电容器108。根据实施例,每个栅格阵列电容器108被配置为将ic封装106电气地且机械地互连到pcb 114。示例ic可以包括处理器、gpu、存储器设备、asic等。示例性pcb可以包括子卡母板和独立pcb。方法400的执行可产生具有增强的电容特性和增加的互连可靠性的电子系统,例如图1的电子系统100。根据实施例制造的电子系统还可以具有对pcb和/或ic封装的非平面性和栅格阵列电容器108尺寸不一致性的改进的补偿。本公开的实施例一般与现有ic、电子封装、pcb以及现有设计方法和电子系统制造技术和方法一致。在视图434和444中描述的进程以次级导体122开始,并且以视图444的完成的电子组件结束。可以使用目前用于电子系统制造的工艺和材料来完成工艺操作,所述工艺和材
料例如为钻孔、对准、放置、插入和焊接工艺以及焊膏430。为了便于说明,图4中仅示出了2个栅格阵列电容器108,然而,在本公开的实践中,可以在阵列布置中使用许多栅格阵列电容器108,以提供ic封装106和pcb 114之间的机械和电互连。可以理解,图4中描述的操作可以结合一个或多个夹具来执行,所述夹具用于在组装操作期间将各种元件例如次级导体122和内部电介质120保持在适当位置。这种固定装置可以包括开口或孔,其被布置成在组装过程期间将这种元件保持在固定位置。为了便于讨论,单个标签,例如视图434,可用于图4中的俯视图和侧视图,以标识附图中描绘的和本说明书中讨论的各种实体和元素。可以理解,在以下讨论中,所提及的元件可以包括在相关联的侧视图和顶视图中的一个或两个中。为了便于说明,在图434和444中包括次级导体122,作为螺旋结构/弹簧的一般表示。可以理解,这里在图4中描述的这些表示可以表示对特定应用有用的任何尺寸或比例的次级导体122。在未示出的一些实施例中,次级导体122也可以表示导电柱状套管或导电圆柱体。可以在每个视图中描绘一个或多个过程操作的结果。例如,视图可以描绘定位操作和焊料回流操作的结果,其可以包括栅格阵列电容器108与ic封装106和pcb 114相邻的对准和定位,并且随后回流焊料以将栅格阵列电容器108附接到ic封装106和pcb 114。与视图434和444相关联的处理操作可以包括但不限于:将内部电介质120插入到次级导体122的开口内,在内部电介质120中形成开口,将内部导体118插入到开口内,将焊膏施加到栅格阵列电容器108的端部,将ic封装106和pcb114与栅格阵列电容器108定位/对准,以及使用焊料回流操作来形成ic封装106、pcb 114和栅格阵列电容器108的组件。完成的结构通常在图434和444中示出为具有矩形横截面轮廓,其中表面彼此正交。然而,该描述不是限制性的;根据特定的设计标准、光刻和制造工艺限制以及给定应用的公差,结构可以具有任何合适的形状、尺寸和轮廓。例如,显示为具有直角的拐角可以是圆形的,表面可以具有非正交的相对取向,并且相对尺寸比可以与图中所示的那些不同。除非明确地针对另一图或视图,否则可以理解,对包含在方法400的操作的讨论内的图元素的文本引用一般指的是紧接在流程图400的所讨论的操作框的右边的对应视图。视图434描绘了作为导电螺旋结构或弹簧的次级导体122,其具有开口432a。在一些实施例中,次级导体122可以是中空导电圆柱形结构,例如金属管或“套筒”。根据实施例,次级导体122可以由诸如铜、锡、镍、银或金的导电材料制成。在一些实施例中,次级导体122可以用各种焊料类型镀锡,以便于焊料回流操作。次级导体122包括轴向取向的开口432a。方法400从开始402移动到操作406。操作406通常涉及将内部电介质120插入到次级导体122的轴向取向的开口432a中。根据实施例,自动电子设备可以用于将内部电介质120或“插头”对准并插入到次级导体122的轴向取向的开口432a中。这种插塞可以包括高dk材料,例如聚酰亚胺和/或钛酸钡。一旦内部电介质插入轴向取向的开口,方法400进行到操作408。操作408通常涉及在内部电介质120中形成适于容纳内部导体118的开口432b。根据实施例,开口432b大约是将被插入开口432b中的内部导体118的尺寸,在制造公差内,如视图440所示。开口432b可以使用传统的机械钻孔、激光钻孔或其它合适的制造方法或工艺形成。一旦开口形成于内部电介质中,方法400进行至操作410。
操作410通常涉及将内部导体118插入内部电介质120中的开口432b。根据实施例,内部导体118在制造公差内近似为开口432b的尺寸。在实施例中,自动电子设备可用于将内部导体118对准并插入到次级导体122的轴向取向的开口432b中。在一些实施例中,内部导体118是可以包括诸如铜、锡、镍、铌和钛的材料的导线。一旦内部导体插入到内部电介质中的开口中,方法400进行到操作412。操作412通常涉及将焊膏430施加到次级导体122的相对端116a、116b以及内部导体118的相对端116a和116b。与用于将焊膏涂敷到pcb的bga焊盘的设备一致的焊接掩模、焊膏和焊料涂敷设备可用于该操作。或者,可将焊膏施加到ic封装106和pcb 114,视图444。一旦将焊膏430施加到次级导体和内部导体的端部,方法400进行到操作414。操作414通常涉及通过回流焊膏430将栅格阵列电容器108电互连和机械互连到ic封装106和pcb 114。操作414包括以适当的取向定位和对准ic封装106、栅格阵列电容器108和pcb 114,包括使栅格阵列电容器108的端部116a、116b(图1)、焊膏430以及ic封装106和pcb 114的互连焊盘110物理接触。一旦建立了这种接触,就由诸如专用回流炉之类的设备使用指定的温度分布来施加热分布,这与用于将焊球附接到pcb的回流操作一致。使焊膏430至少达到熔点,然后冷却,将栅格阵列电容器108、焊膏430、ic封装106和pcb 114连接成组件。一旦栅格阵列电容器被电和机械地互连到ic封装106和pcb 114,方法400就可以在框416处结束。在本公开的实践中,可以执行附加的可选操作,以便将与图2的视图108e和108f一致的外部电介质224和外部导体226添加到如上所述的完成的组件。例如,外部电介质224和外部导体226可以一起形成,并且随后被定位以便围绕内部导体118、内部电介质120和次级导体122。按照该示例,外部导体226可以形成为中空圆柱形导电管,并且内表面随后利用诸如喷涂或浸渍的工艺涂覆有外部电介质224。或者,可以在具有外部电介质224的一个表面上涂覆导电材料(例如,铜)片,随后对其进行轧制或冲压以形成圆柱形。在制造外部电介质224/外部导体226组件之后,可以将该组件定位成围绕次级导体122。已经出于说明的目的呈现了对本公开的各种实施例的描述,但是其并非旨在是穷举的或限于所公开的实施例。在不背离所描述的实施例的范围和精神的情况下,许多修改和变化对于本领域的普通技术人员将是显而易见的。选择本文所使用的术语来解释实施例的原理、实际应用或对市场上存在的技术改进,或使本领域的其他普通技术人员能够理解本文所公开的实施例。
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