半导体器件的制造方法、半导体制造装置的清洗方法及清洗液的清洁度的测量方法与流程

本发明涉及一种半导体器件的制造方法、半导体制造装置的清洗方法及清洗液的清洁度的测量方法。

背景技术：

1、半导体器件的制造工序中包括光刻工序、蚀刻工序、离子植入工序及剥离工序等各种工序。要求这种半导体器件的制造工序中所使用的显影液、冲洗液、预湿液及剥离液等各种药液为高纯度。

2、作为评价高纯度的药液的特性的方法之一，具有通过将高纯度的药液涂布于基板上并且测量基板上的缺陷数来评价其药液的特性的方法。

3、例如在专利文献1中，使用表面检查装置(sp-5；kla tencor制造)进行上述评价。

4、以往技术文献

5、专利文献

6、专利文献1：国际公开第2017/169834号

技术实现思路

1、发明要解决的技术课题

2、另一方面，专利文献1中所记载的使用表面检查装置(sp-5；kla tencor制造)的测量中，测量顺序本身复杂并且作业时间也长且通用性差。

3、因此，从工业的观点考虑，不优选在每次制造药液时，进行上述测量，并测量药液的纯度，因此要求更简便地管理所制造的药液的纯度的方法。

4、本发明鉴于上述实际情况，其课题在于提供一种更简便地管理包含有机溶剂的药液的纯度的半导体器件的制造方法及半导体制造装置的清洗方法。

5、并且，本发明的课题在于，还提供一种清洗液的清洁度的更简便的测量方法。

6、用于解决技术课题的手段

7、为了实现上述目的，本发明的一方式提供一种半导体器件的制造方法，其具有：工序1，使振子与以有机溶剂为主成分的药液接触，以获得由于药液的接触导致的振子的共振频率的变化量；工序2，确认药液的共振频率的变化量是否包含在基于预先设定的药液的纯度的共振频率的变化量的允许范围内；及工序3，将在工序2中确认的药液使用于半导体器件的制造中。

8、优选工序3的半导体器件的制造具、有使用药液的光刻工序。

9、优选在工序1之前，具有浓缩药液的浓缩工序。

10、优选在工序1之前，具有清洗振子的工序。

11、优选在工序1中，向振子循环供给药液，使振子与药液接触，以获得由于药液的接触导致的振子的共振频率的变化量。

12、优选工序1在恒定地保持药液的温度的情况下实施。

13、优选工序1的药液包括选自na、k、ca、fe、cu、mg、mn、li、al、cr、ni、ti及zn中的至少1种金属元素，金属元素的合计含量为0.01质量ppq～10质量ppb。

14、优选振子由包含吸附药液中的杂质的吸附层及晶体振子的晶体振子传感器构成，具有：振荡部，其使振子以共振频率振动；及检测部，其与晶体振子传感器连接，来检测由于药液的接触导致的晶体振子的共振频率的变化量。

15、优选具有将药液供给到晶体振子传感器，使药液与晶体振子传感器接触的供给部，工序1具有将药液送液到晶体振子传感器，使药液与晶体振子传感器接触的工序。

16、优选使药液单向流向晶体振子传感器，使药液与晶体振子传感器接触。

17、优选在工序1中，与药液接触的接液部的至少一部分由氟系树脂构成。

18、本发明的一方式提供一种半导体制造装置的清洗方法，其具有：工序1，使振子与以有机溶剂为主成分的药液接触，以获得由于药液的接触导致的振子的共振频率的变化量；工序2，确认药液的共振频率的变化量是否包含在基于预先设定的药液的纯度的共振频率的变化量的允许范围内；及工序3，将在工序2中确认的药液使用于半导体制造装置的清洗中。

19、优选工序3的半导体制造装置的清洗具有将药液送液到半导体制造装置的送液部的工序。

20、优选在工序1之前，具有浓缩药液的浓缩工序。

21、优选在工序1之前，具有清洗振子的工序。

22、优选在工序1中，向振子循环供给药液，使振子与药液接触，以获得由于药液的接触导致的振子的共振频率的变化量。

23、优选工序1在恒定地保持药液的温度的情况下实施。

24、优选工序1的药液包括选自na、k、ca、fe、cu、mg、mn、li、al、cr、ni、ti及zn中的至少1种金属元素，金属元素的合计含量为0.01质量ppq～10质量ppb。

25、优选振子由包含吸附药液中的杂质的吸附层及晶体振子的晶体振子传感器构成，具有：振荡部，其使振子以共振频率振动；及检测部，其与晶体振子传感器连接，来检测由于药液的接触导致的晶体振子的共振频率的变化量。

26、优选具有将药液供给到晶体振子传感器，使药液与晶体振子传感器接触的供给部，工序1具有将药液送液到晶体振子传感器，使药液与晶体振子传感器接触的工序。

27、优选使药液单向流向晶体振子传感器，使药液与晶体振子传感器接触。

28、优选在工序1中，与药液接触的接液部的至少一部分由氟系树脂构成。

29、本发明的一方式提供一种清洗液的清洁度的测量方法，其具有：工序1，使振子与以有机溶剂为主成分的药液接触，以获得由于药液的接触导致的振子的共振频率的变化量；工序2，确认药液的共振频率的变化量是否包含在基于预先设定的药液的纯度的共振频率的变化量的允许范围内；工序3，将在工序2中确认的药液使用于半导体制造装置的清洗中；工序4，取出使用于工序3的清洗中的药液的一部分；及工序5，确认在工序4中取出的药液的共振频率的变化量是否包含在允许范围内。

30、优选在工序1之前，具有浓缩药液的浓缩工序。

31、优选在工序1之前，具有清洗振子的工序。

32、优选在工序1中，向振子循环供给药液，使振子与药液接触，以获得由于药液的接触导致的振子的共振频率的变化量。

33、优选工序1在恒定地保持药液的温度的情况下实施。

34、优选工序1的药液包括选自na、k、ca、fe、cu、mg、mn、li、al、cr、ni、ti及zn中的至少1种金属元素，金属元素的合计含量为0.01质量ppq～10质量ppb。

35、优选振子由包含吸附药液中的杂质的吸附层及晶体振子的晶体振子传感器构成，具有：其振荡部，使振子以共振频率振动；及检测部，其与晶体振子传感器连接，来检测由于药液的接触导致的晶体振子的共振频率的变化量。

36、优选具有将药液供给到晶体振子传感器，使药液与晶体振子传感器接触的供给部，工序1具有将药液送液到晶体振子传感器，使药液与晶体振子传感器接触的工序。

37、优选使药液单向流向晶体振子传感器，使药液与晶体振子传感器接触。

38、优选在工序1中，与药液接触的接液部的至少一部分由氟系树脂构成。

39、发明效果

40、根据本发明，能够提供一种更简便地管理包含有机溶剂的药液的纯度的半导体器件的制造方法及半导体制造装置的清洗方法。

41、并且，本发明能够提供一种清洗液的清洁度的更简便的测量方法。