工件的清洗处理方法及工件的清洗处理系统与流程

本发明涉及一种工件的清洗处理方法及工件的清洗处理系统，特别涉及硅晶片等的半导体晶片的清洗，尤其涉及与单片式的浸洗相关的清洗处理方法及清洗处理系统。

背景技术：

1、作为在硅晶片的制造中的清洗的一方式，有单片式的浸洗。在此浸洗中，通过将设置于清洗槽内的晶片浸泡于清洗液(例如臭氧水)，对附着于晶片的有机物进行氧化去除(在臭氧水的情况下，进一步以氧化膜覆盖晶片的表面)。

2、一般来说，臭氧水等的清洗液从清洗槽的下部流入并充满清洗槽内后，在清洗槽的上部溢流，而向包围清洗槽的排液沟流入，再向清洗槽外流出。例如在单片式的清洗处理方法中，如上述所示，在清洗液所流动的清洗槽内，通过机械手臂所设置的晶片逐片被输送并逐片地被全面清洗。

3、在这种清洗处理方法中，为了提高在晶片的面内的清洗的均匀性，以各种方式对清洗槽内的清洗液的流动进行整流。例如，在专利文献1中公开有在清洗槽的底部，水平地配置在下方具备多个孔的一支管，从孔排出清洗液，并且在晶片与管之间设置具有多个孔的多片整流板。并且，例如，在专利文献2中公开有在清洗槽的下部设置具有清洗液的入口的缓冲槽，并设置多片整流多孔板，该整流多孔板设置有清洗液所流通的多个流通孔。而且，在专利文献2中，公开有流通孔的孔径形成为越是设置在上位置的整流多孔板越小。

4、现有技术文献

5、专利文献

6、专利文献1：日本特开平04-056321号公报

7、专利文献2：日本特开平09-232272号公报

技术实现思路

1、发明所要解决的技术问题

2、在此，在晶片的清洗中，因为希望减少每一片晶片的清洗液的使用量，所以优选为清洗槽尽量小。尤其，在单片式的清洗中，因为与批次式的清洗相比产出量低，所以需要设置很多的清洗槽，而特别希望使一台清洗槽尽量小。并且，若清洗槽大时，则清洗液的流动的控制变得困难且向槽外排出粒子变得困难，从这一点出发，也优选清洗槽小。

3、可是，在专利文献1的手法中，由于通过水平地配置管，并从其下方的孔向清洗槽的底部喷射清洗液来缓和其流速，因此需要用于设置管的空间，而存在清洗槽变大的问题。并且，在专利文献2中，若清洗液的流动在未充分地缓和的状态到达整流多孔板时，则有可能清洗液从一部分的孔大量地流通而无法得到充分的整流效果，需要设置大的缓冲槽来应付这一点，从而存在清洗槽也变大的问题。并且，如上述所示的问题不仅在清洗对象是晶片的情况会发生，而且在进行相同的清洗的工件整体也会发生。

4、因此，本发明的目的在于提供一种工件的清洗处理方法以及工件的清洗处理系统，该工件的清洗处理方法以及工件的清洗处理系统不会使清洗槽超出必要地大型化，并可对在清洗槽内的清洗液的流动进行整流。

5、用于解决技术问题的方案

6、本发明的主旨结构如以下所示。

7、(1)一种工件的清洗处理方法，其包含以下的工序：

8、准备清洗槽的工序；

9、在所述清洗槽内设置工件的工序；以及

10、从设置在所述清洗槽的底部的清洗液供给口向所述清洗槽内供给清洗液来对所述工件进行清洗处理的工序；

11、所述工件的清洗处理方法的特征在于：

12、在设置所述工件的位置与所述底部之间，配置有2片整流板，所述2片整流板由上侧整流板与下侧整流板所构成，而所述下侧整流板位于比该上侧整流板更靠近所述清洗槽的所述底部侧；

13、所述上侧整流板及所述下侧整流板分别具有多个孔；

14、所述上侧整流板的所述孔的直径比所述下侧整流板的所述孔的直径小；

15、还包含根据所述下侧整流板的所述多个孔的面积的总和a(mm2)及所述上侧整流板的所述多个孔的面积的总和b(mm2)来确定所述清洗液的供给流量q(l/min)的工序，在供给所述清洗液并对所述工件进行清洗处理的工序中，以确定的所述供给流量q(l/min)供给所述清洗液，或者还包含根据所述供给流量q(l/min)来确定所述面积的总和a(mm2)和/或所述面积的总和b(mm2)的工序，在准备所述清洗槽的工序中，准备具备所述下侧整流板和/或所述上侧整流板的所述清洗槽，而所述下侧整流板包括具有已确定的所述面积的总和a(mm2)的所述多个孔，所述上侧整流板包括具有已确定的所述面积的总和b(mm2)的所述多个孔；

16、所述面积的总和a(mm2)、所述面积的总和b(mm2)以及已确定的所述供给流量q(l/min)，或者所述供给流量q(l/min)以及已确定的所述面积的总和a(mm2)和/或所述面积的总和b(mm2)满足以下的关系式(a)，

17、b/a≥5.6×10-2exp(0.46q)且

18、b/a≤-6.9×10-2q2+1.2q+3.4。

19、(2)根据上述(1)所述的工件的清洗处理方法，其中，

20、所述面积的总和a(mm2)、所述面积的总和b(mm2)及已确定的所述供给流量q(l/min)，或者所述供给流量q(l/min)及已确定的所述面积的总和a(mm2)和/或所述面积的总和b(mm2)还满足以下的关系式(b)，

21、b/a≥3.2×10-2q2+0.36q-0.47且

22、b/a≤-5.1×10-2q2+1.1q+0.62。

23、(3)根据(1)或(2)所述的工件的清洗处理方法，其中，

24、所述2片整流板之间的距离为10mm以上。

25、(4)根据上述(1)～(3)中任一项所述的工件的清洗处理方法，其中，

26、所述工件为晶片，且在所述晶片被设置于所述清洗槽内的状态下，在包含所述晶片的中心的高度的所述清洗槽的水平截面积是9000mm2以上且60000mm2以下。

27、(5)一种工件的清洗处理系统，其具备清洗槽，特征在于：

28、所述清洗槽构成为在所述清洗槽内可设置工件；

29、在所述清洗槽的底部，设置有向所述清洗槽内供给清洗液的清洗液供给口；

30、在所述清洗槽内的设置工件的位置与所述底部之间，配置有2片整流板，所述2片整流板由上侧整流板与下侧整流板所构成，而所述下侧整流板位于比该上侧整流板更靠近所述清洗槽的所述底部侧；

31、所述上侧整流板及所述下侧整流板分别具有多个孔；

32、所述上侧整流板的所述孔的直径比所述下侧整流板的所述孔的直径小；

33、所述系统还具备：计算部，根据所述下侧整流板的所述多个孔的面积的总和a(mm2)及所述上侧整流板的所述多个孔的面积的总和b(mm2)，确定所述清洗液的供给流量q(l/min)；及控制部，控制成以已确定的所述供给流量q(l/min)供给所述清洗液；

34、所述面积的总和a(mm2)、所述面积的总和b(mm2)及通过所述计算部所确定的所述供给流量q(l/min)满足以下的关系式(a)，

35、b/a≥5.6×10-2exp(0.46q)且

36、b/a≤-6.9×10-2q2+1.2q+3.4。

37、(6)根据上述(5)所述的工件的清洗处理系统，其中，

38、所述面积的总和a(mm2)、所述面积的总和b(mm2)及通过所述计算部所确定的所述供给流量q(l/min)还满足以下的关系式(b)，

39、b/a≥3.2×10-2q2+0.36q-0.47且

40、b/a≤-5.1×10-2q2+1.1q+0.62。

41、(7)根据上述(5)或(6)所述的工件的清洗处理系统，其中，

42、所述2片整流板之间的距离为10mm以上。

43、(8)根据上述(5)～(7)中任一项所述的工件的清洗处理系统，其中，

44、所述工件为晶片，且在所述晶片被设置于所述清洗槽内的状态下，在包含所述晶片的中心的高度的所述清洗槽的水平截面积是9000mm2以上且60000mm2以下。

45、发明效果

46、若根据本发明，能够提供一种工件的清洗处理方法以及工件的清洗处理系统，该工件的清洗处理方法以及工件的清洗处理系统不会使清洗槽超出必要地大型化，并可对在清洗槽内的清洗液的流动进行整流。