包括桥接器的微电子结构的制作方法

包括桥接器的微电子结构
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求享有于2020年12月21日提交的名称为“包括桥接器的微电子结构”的序列号17/129,135的美国非临时专利申请的权益和优先权，其通过引用以其整体并入本文中。


背景技术：

3.在常规的微电子封装中，管芯可以通过焊料附接到有机封装基板。例如，这样的封装可能受限于封装基板与管芯之间可实现的互连密度、可实现的信号传输速度以及可实现的小型化。
附图说明
4.根据结合附图的以下具体实施方式，将容易理解实施例。为了便于描述，相似的附图标记指代相似的结构元件。在附图的各图中，实施例是通过示例而非限制的方式示出的。
5.图1是根据各个实施例的示例性微电子结构的侧视横截面图。
6.图2是根据各个实施例的包括图1中的微电子结构的示例性微电子组件的侧视横截面图。
7.图3-图10是根据各个实施例的用于制造图2中的微电子组件的示例性工艺中的各个阶段的侧视横截面图。
8.图11是根据各个实施例的示例性微电子结构的侧视横截面图。
9.图12是根据各个实施例的示例性微电子组件的侧视横截面分解图。
10.图13-图14是根据各个实施例的示例性微电子组件的侧视横截面图。
11.图15-图22是根据各个实施例的用于制造图13中的微电子组件的示例性工艺中的各个阶段的侧视横截面图。
12.图23-图24是根据各个实施例的示例性微电子组件的侧视横截面图。
13.图25-图27是根据各个实施例的用于制造图23中的微电子组件的示例性工艺中的各个阶段的侧视横截面图。
14.图28-图29是根据各个实施例的示例性微电子组件的侧视横截面图。
15.图30-图32是根据各个实施例的用于制造图28中的微电子组件的示例性工艺中的各个阶段的侧视横截面图。
16.图33-图40是根据各个实施例的示例性微电子组件的侧视横截面图。
17.图41-图45是根据各个实施例的用于制造图39中的微电子组件的示例性工艺中的各个阶段的侧视横截面图。
18.图46是根据各个实施例的示例性微电子组件的侧视横截面图。
19.图47-图48是根据各个实施例的用于制造图46中的微电子组件的示例性工艺中的各个阶段的侧视横截面图。
20.图49-图51是根据各个实施例的示例性微电子组件的侧视横截面图。
21.图52-图58是根据各个实施例的用于制造图50中的微电子组件的示例性工艺中的各个阶段的侧视横截面图。
22.图59-图64是根据各个实施例的示例性微电子组件的侧视横截面图。
23.图65是根据各个实施例的示例性微电子组件的侧视横截面分解图。
24.图66是可以被包括在根据本文中所公开的任何实施例的微电子结构或微电子组件中的晶圆和管芯的俯视图。
25.图67是可以被包括在根据本文中所公开的任何实施例的微电子结构或微电子组件中的集成电路(ic)装置的侧视横截面图。
26.图68是可以包括根据本文中所公开的任何实施例的微电子结构或微电子组件的ic装置组件的侧视横截面图。
27.图69是可以包括根据本文中所公开的任何实施例的微电子结构或微电子组件的示例性电装置的框图。
具体实施方式
28.本文中公开了包括桥接器的微电子结构以及相关的组件和方法。在一些实施例中，微电子结构可以包括基板和位于基板的腔体中的桥接器。微电子部件可以耦合到基板和桥接器两者。
29.为了在微电子封装中实现高互连密度，一些常规解决方案需要昂贵的制造操作，例如在嵌入式桥接器之上的基板层中形成精细间距过孔和镀覆第一级互连，这是在面板级上完成的。本文中所公开的微电子结构和组件可以实现与常规解决方案一样高或更高的互连密度，而没有常规的昂贵制造操作的费用。此外，本文中所公开的微电子结构和组件为电子产品设计者和制造者提供了新的灵活性，从而允许他们选择实现他们的装置目标的架构，而没有额外的成本或制造复杂度。
30.在以下具体实施方式中，参考了形成其一部分的附图，其中相似的附图标记始终指代相似的部分，并且在附图中通过说明的方式示出了可以实践的实施例。应当理解的是，可以利用其他实施例，并且可以作出结构改变或逻辑改变，而不脱离本公开的范围。因此，不应当从限制的意义上理解以下具体实施方式。
31.可以以最有助于理解所要求保护的主题的方式依次将各个操作描述为多个分立的动作或操作。然而，描述的顺序不应当被解释为暗示这些操作必须是顺序相关的。特别地，可以不以呈现的顺序执行这些操作。可以以与所描述的实施例不同的顺序来执行描述的操作。在额外的实施例中，可以执行各个额外的操作和/或可以省略所描述的操作。
32.出于本公开的目的，短语“a和/或b”表示(a)、(b)或(a和b)。出于本公开的目的，短语“a、b和/或c”表示(a)、(b)、(c)、(a和b)、(a和c)、(b和c)或者(a、b和c)。短语“a或b”表示(a)、(b)或(a和b)。附图不一定是按比例的。尽管许多附图示出了具有平坦壁和直角拐角的直线结构，但是这仅是为了便于说明，并且使用这些技术制成的实际装置将呈现圆形拐角、表面粗糙度和其他特征。
33.描述使用短语“在实施例中”或“在多个实施例中”，其均可以指代相同或不同实施例中的一个或多个实施例。此外，如关于本公开的实施例使用的术语“包括”、“包含”、“具有”等是同义的。当用于描述尺寸的范围时，短语“位于x与y之间”表示包括x和y的范围。
34.图1是示例性微电子结构100的侧视横截面图。微电子结构100可以包括基板102以及位于基板102的“顶”面处的腔体120中的桥接部件110。基板102可以包括电介质材料112和导电材料108，其中导电材料108(例如，如图以线和过孔所示的)布置在电介质材料112中，以提供穿过基板102的导电通路。在一些实施例中，电介质材料112可以包括有机材料，例如有机堆积膜。在一些实施例中，例如，电介质材料112可以包括陶瓷、其中具有填料颗粒的环氧树脂膜、玻璃、无机材料，或有机材料和无机材料的组合。在一些实施例中，导电材料108可以包括金属(例如，铜)。在一些实施例中，基板102可以包括电介质材料112/导电材料108的层，其中一个层中的导电材料108的线通过导电材料108的过孔电耦合到相邻层中的导电材料108的线。例如，可以使用印刷电路板(pcb)制作技术来形成包括这样的层的基板102。基板102可以包括n个这样的层，其中n是大于或等于一的整数；在附图中，从基板102最靠近腔体120的面以降序来对层进行标注(例如，层n、层n-1、层n-2等)。尽管在附图中的各个附图中示出了特定数量和布置的电介质材料112/导电材料108的层，但是这些特定数量和布置仅是说明性的，并且可以使用任何期望数量和布置的电介质材料112/导电材料108。例如，尽管图1和其他附图没有示出位于桥接部件110之下的层n-1中的导电材料108，但是导电材料108可以存在于位于桥接部件110之下的层n-1中。此外，尽管在基板102中示出了特定数量的层(例如，五个层)，但是这些层可以仅代表基板102的一部分，并且可以存在另外的层(例如，层n-5、n-6等)。
35.如上所述，微电子结构100可以包括位于基板102的“顶”面处的腔体120。在图1的实施例中，腔体120在“顶”面处延伸穿过表面绝缘材料104，并且腔体的底部提供有“最顶部的”电介质材料112。表面绝缘材料104可以视情况包括阻焊剂和/或其他电介质材料，其可以提供表面电绝缘，并且可以与基于焊料的或非基于焊料的互连兼容。在其他实施例中，如下文进一步讨论的，基板102中的腔体120可以延伸到电介质材料112中。如图1所示，腔体120可以具有朝向腔体120的底部变窄的锥形形状。基板102可以包括位于“顶”面处的导电接触部114，其耦合到由导电材料108形成的穿过电介质材料112的导电通路，从而允许电耦合到导电接触部114的部件(在图1中未示出，但下文参考图2讨论)耦合到基板102内的电路系统和/或耦合到其他电耦合到基板102的部件。导电接触部114可以包括表面处理层116，其可以保护导电接触部的下层材料免受腐蚀。在一些实施例中，表面处理层116可以包括镍、钯、金或其组合。导电接触部114可以位于“顶”面处和腔体120外部；如图所示，表面绝缘材料104可以包括开口，在该开口的底部处暴露导电接触部114的表面处理层116。本文中所公开的导电接触部中的任何导电接触部可以包括表面处理层116，无论是否明确地示出了这样的表面处理层116。在图1中，焊料106(例如，焊料球)可以设置在开口中，并且与导电接触部114导电接触。如图1和其他附图所示，表面绝缘材料104中的这些开口可以是朝向导电接触部114变窄的锥形的。在一些实施例中，导电接触部114上的焊料106可以是第一级互连，而在其他实施例中，非焊料第一级互连可以用于将导电接触部114电耦合到另一部件。如本文中所使用的，“导电接触部”可以是指导电材料(例如，一种或多种金属)的充当不同部件之间的界面的部分的一部分；尽管在附图的各个附图中以特定方式示出了本文中讨论的一些导电接触部，但是任何导电接触部可以凹入部件的表面、与部件的表面齐平或者远离部件的表面延伸，并且可以采取任何适当的形式(例如，导电焊盘或插座)。
36.桥接部件110可以设置在腔体120中，并且可以耦合到基板102。该耦合可以包括电
互连或者可以不包括电互连；在图1的实施例中，桥接部件110通过桥接部件110的“底”面与基板102之间的粘合剂122(例如，管芯附接膜(daf))机械耦合到基板102的电介质材料112，而在本文中其他地方描述了其他类型的耦合。桥接部件110可以包括位于其“顶”面处的导电接触部118；如下文参考图2所讨论的，这些导电接触部118可以用于将桥接部件110电耦合到一个或多个其他微电子部件。桥接部件110可以包括通向导电接触部118(如下文所讨论的，和/或通向被包括在桥接部件110中的其他电路系统和/或通向桥接部件110的其他导电接触部)的导电通路(例如，如下文参考图67所讨论的，包括线和过孔)。在一些实施例中，桥接部件110可以包括半导体材料(例如，硅)；例如，桥接部件110可以是如下文参考图66所讨论的管芯1502，并且可以包括如下文参考图67所讨论的集成电路(ic)装置1600。在一些实施例中，桥接部件110可以是“有源”部件，因为它可以含有一个或多个有源装置(例如，晶体管)，而在其他实施例中，桥接部件110可以是“无源”部件，因为它不含有一个或多个有源装置。可以将桥接部件110制造为允许比基板102更大的互连密度。因此，桥接部件110的导电接触部118的间距202可以小于基板102的导电接触部114的间距198。当多个微电子部件耦合到桥接部件110时(例如，如下文参考图2所讨论的)，相对于经由基板102的导电接触部114所进行的互连，这些微电子部件可以使用穿过桥接部件110的电通路(并且当存在时，可以使用桥接部件110内的其他电路系统)来实现它们之间的更高密度的互连。
37.微电子结构100的元件的尺寸可以采取任何适当的值。例如，在一些实施例中，导电接触部114的金属线的厚度138可以在5微米与25微米之间。在一些实施例中，表面处理层116的厚度128可以在5微米与10微米之间(例如，7微米的镍和小于100纳米的钯和金中的每一种)。在一些实施例中，粘合剂122的厚度142可以在2微米与10微米之间。在一些实施例中，桥接部件110的导电接触部118的间距202可以小于70微米(例如，在25微米与70微米之间、在25微米与65微米之间、在40微米与70微米之间，或小于65微米)。在一些实施例中，导电接触部114的间距198可以大于70微米(例如，在90微米与150微米之间)。在一些实施例中，表面绝缘材料104的厚度126可以在25微米与50微米之间。在一些实施例中，焊料106在表面绝缘材料104上方的高度124可以在25微米与50微米之间。在一些实施例中，桥接部件110的厚度140可以在30微米与200微米之间。
38.如同图1和其他附图中的微电子结构，微电子结构100可以被包括在更大的微电子组件中。图2示出了这样的微电子组件150的示例，微电子组件150可以包括一个或多个微电子部件130，微电子部件130具有(例如，通过焊料106或另一互连结构)耦合到桥接部件110的导电接触部118的导电接触部134以及(例如，通过焊料106或另一互连结构，如上文所讨论的)耦合到基板102的导电接触部114的导电接触部132。图2示出了两个微电子部件130(微电子部件130-1和130-2)，但是微电子组件150可以包括更多或更少的微电子部件130。尽管图2将微电子部件130-1/130-2描绘为基本上“覆盖”微电子结构100的邻近表面，但是这仅是示例，并且不需要是这种情况。此外，尽管图1和图2(以及其他附图)描绘了在基板102中包括单一桥接部件110的微电子结构100/微电子组件150，但是这仅是为了便于说明，并且微电子结构100/微电子组件150可以在基板102中包括多个桥接部件110。尽管附图中的各个附图描绘了焊料106仅与导电接触部的暴露的表面的一部分(例如，仅图2的导电接触部132的暴露的表面的一部分)接触，但是这仅是为了便于说明，并且与导电接触部接触的焊料106可以浸润导电接触部的整个暴露的表面。
39.微电子部件130可以包括通向导电接触部132/134(和/或通向被包括在微电子部件130中的其他电路系统和/或通向微电子部件130的其他导电接触部，未示出)的导电通路(例如，如下文参考图67所讨论的，包括线和过孔)。在一些实施例中，微电子部件130可以包括半导体材料(例如，硅)；例如，微电子部件130可以是如下文参考图66所讨论的管芯1502，并且可以包括如下文参考图67所讨论的ic装置1600。在一些实施例中，微电子部件130可以是“有源”部件，因为它可以含有一个或多个有源装置(例如，晶体管)，而在其他实施例中，微电子部件130可以是“无源”部件，因为它不含有一个或多个有源装置。在一些实施例中，例如，微电子部件130可以是逻辑管芯。更一般地，微电子部件130可以包括用于执行任何期望的功能性的电路系统。例如，微电子部件130中的一个或多个微电子部件可以是逻辑管芯(例如，基于硅的管芯)，并且微电子部件130中的一个或多个微电子部件可以是存储器管芯(例如，高带宽存储器)。如上文参考图1所讨论的，当多个微电子部件130耦合到桥接部件110时(例如，如图2所示)，相对于经由基板102的导电接触部114进行的互连，这些微电子部件130可以使用穿过桥接部件110的电通路(并且当存在时，可以使用桥接部件110内的其他电路系统)来实现它们之间的更高密度的互连。
40.如本文中所使用的，“导电接触部”可以是指导电材料(例如，金属)的充当不同部件之间的界面的一部分；导电接触部可以凹入部件的表面、与部件的表面齐平或者远离部件的表面延伸，并且可以采取任何适当的形式(例如，导电焊盘或插座)。
41.在一些实施例中，模制材料144可以设置在微电子结构100与微电子部件130之间，并且也可以位于微电子部件130之间以及微电子部件130上方(未示出)。在一些实施例中，模制材料144可以包括多种不同类型的模制材料，包括位于微电子部件130与微电子结构100之间的底部填充材料以及设置在微电子部件130的上方和侧面处的不同材料。当适当时，可以用于模制材料144的示例性材料包括环氧树脂材料。
42.微电子组件150还示出了位于基板102的“底”面(与“顶”面相对)处的表面绝缘材料104，在表面绝缘材料104中具有锥形开口，导电接触部206设置在锥形开口的底部处。焊料106可以设置在这些开口中，与导电接触部206导电接触。导电接触部206还可以包括表面处理层(未示出)。在一些实施例中，导电接触部206上的焊料106可以是第二级互连(例如，用于球栅阵列布置的焊料球)，而在其他实施例中，非焊料第二级互连(例如，引脚栅格阵列布置或连接盘栅格阵列布置)可以用于将导电接触部206电耦合到另一部件。如本领域中已知且如下文参考图68所讨论的，导电接触部206/焊料106(或其他第二级互连)可以用于将基板102耦合到另一部件，例如电路板(例如，母板)、内插器或另一ic封装。在微电子组件150包括多个微电子部件130的实施例中，微电子组件150可以被称为多芯片封装(mcp)。微电子组件150可以包括额外的部件，例如无源部件(例如，设置在基板102的“顶”面或“底”面处的表面安装电阻器、电容器和电感器)、有源部件或其他部件。
43.图3-图10是根据各个实施例的用于制造图2中的微电子组件150的示例性工艺中的各个阶段的侧视横截面图。尽管可以参考本文中所公开的微电子结构100/微电子组件150的特定实施例来说明图3-图10的工艺(以及如下文所讨论的其他附图的工艺)的操作，但是该方法可以用于形成任何适当的微电子结构100/微电子组件150。在图3-图10中(以及在代表本文中所公开的其他制造工艺的附图中)的各个操作都以特定顺序示出一次，但是操作可以根据需要重新排序和/或重复(例如，当制造多个微电子结构100/微电子组件150
时，并行地执行不同的操作)。
44.图3示出了包括初始基板102的组件，初始基板102包括电介质材料112和图案化的导电材料108。可以使用常规的封装基板制造技术(例如，电介质材料112的层的层合等)来制造图3的组件，并且图3的组件可以包括直至n-1层。
45.图4示出了为图4的初始基板102制造额外的第n层之后的组件。图4的组件包括导电接触部114的下层金属。可以使用常规的封装基板制造技术来制造图4的组件。
46.图5示出了在图4中的组件上形成一层表面绝缘材料104之后的组件。
47.图6示出了在对图5中的组件的表面绝缘材料104中的开口进行图案化以暴露导电接触部114的下层金属、形成导电接触部114的表面处理层116并且形成腔体120之后的组件。在一些实施例中，可以通过机械图案化、激光图案化、干法蚀刻图案化或光刻图案化技术形成表面绝缘材料104中的开口(包括腔体120)。
48.图7示出了在对图6中的组件执行清洁操作并且在导电接触部114上形成焊料106(例如，微球)之后的组件。
49.图8示出了在使用粘合剂122将桥接部件110附接到图7中的组件的腔体120的暴露的电介质材料112之后的组件。在一些实施例中，粘合剂122可以是daf，并且附接桥接部件110可以包括执行膜固化操作。图8中的组件可以采取图1中的微电子结构100的形式。
50.图9示出了在将微电子部件130附接到图8中的组件之后的组件。在一些实施例中，该附接可以包括热压接合(tcb)操作。在一些实施例中，在tcb操作之前，可以在导电接触部118、导电接触部132和/或导电接触部134上提供额外的焊料。
51.图10示出了在将模制材料144提供给图9中的组件之后的组件。如上所述，在一些实施例中，图10的模制材料144可以包括多种不同的材料(例如，位于微电子部件130和微电子结构100之间的毛细底部填充材料，以及位于微电子部件130之上的不同材料)。图10的组件可以采取图2的微电子组件150的形式。如上文所讨论的，模制材料144可以包括底部填充材料(例如，毛细底部填充材料)。
52.图3-图65中的各个图示出了具有各种特征的示例性微电子结构100/微电子组件150。当适当时，这些微电子结构100/微电子组件150的特征可以与本文中所公开的任何其他特征组合，以形成微电子结构100/微电子组件150。例如，本文中所公开的微电子结构100中的任何微电子结构可以耦合到一个或多个微电子部件130(例如，如上文参考图2-图10所讨论的)，以形成微电子组件150，并且本文中所公开的微电子组件150中的任何微电子组件可以与其组成微电子结构100分开制造。图1和图2中的多个元件与图3-图65共享；为了便于讨论，不重复对这些元件的描述，并且这些元件可以采取本文中所公开的任何实施例的形式。
53.微电子结构100可以包括在基板102的“顶”面处延伸穿过表面绝缘材料104的腔体120(例如，如上文参考图1所讨论的)。在一些实施例中，基板102的电介质材料112可以提供腔体120的底部(例如，如上文参考图1所讨论的)，而在其他实施例中，另一材料可以提供腔体120的底部。
54.尽管本文中的附图中的各个附图将基板102示出为无核心的基板(例如，具有在相同方向上均逐渐变细的过孔)，但是本文中所公开的基板102中的任何基板可以是有核心的基板102。例如，图11示出了具有与图1的微电子结构类似的特征的微电子结构100，但是其
具有基板102，基板102具有核心178(未示出的导电通路可以延伸穿过该核心)。如图11所示，有核心的基板102可以包括朝向核心178逐渐变细(并且因此在核心178的相对侧在相反方向上逐渐变细)的过孔。
55.如上所述，在一些实施例中，桥接部件110可以包括除了位于其“顶”面处的导电接触部118以外的导电接触部；例如，如多个附图中所示，桥接部件110可以包括位于其“底”面处的导电接触部182。例如，图12示出了与图1的微电子结构类似的微电子结构100的实施例，但是在该实施例中，桥接部件110的导电接触部182通过焊料106耦合到基板102的导电接触部180。在微电子结构100中，桥接部件110的导电接触部182可以(例如，通过焊料106或另一类型的互连)导电地耦合到位于基板102的腔体120的底部处的导电接触部180。桥接部件110的导电接触部182中的一个或多个导电接触部可以通过穿过桥接部件110的导电通路(包括，例如，一个或多个贯穿硅过孔(tsv))耦合到桥接部件110的一个或多个导电接触部118，和/或桥接部件110的导电接触部182可以耦合到桥接部件110内的电元件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器、电感器等)(当存在时)。在一些实施例中，如图所示，导电接触部180可以位于电介质材料112中的对应腔体的底部处。如图所示，导电接触部180可以包括位于其暴露的表面处的表面处理层116。基板102与桥接部件110之间的直接电连接(即，不穿过微电子部件130的电连接)可以实现基板102与桥接部件110之间的直接功率和/或输入/输出(i/o)通路，这可以带来功率输送的益处和/或信号延迟的益处。在一些实施例中，导电接触部182的间距可以在40微米与1毫米之间(例如，在40微米与50微米之间，或在100微米与1毫米之间)。在桥接部件110包括位于其“底”面处的导电接触部182以耦合到位于基板102的腔体120的底部处的导电接触部180的实施例中，电介质材料(例如，毛细底部填充材料)可以支持这些连接；为了清楚地说明，在附图中的各个附图中没有示出这样的材料。
56.在一些实施例中，多个微电子部件130可以组装在一起成为复合体，该复合体然后耦合到桥接部件110和基板102。微电子部件130的这样的复合体可以采取多种形式中的任何形式。例如，图13-图14是根据各个实施例的示例性微电子组件150的侧视横截面图，其中微电子部件130通过电介质材料195和电介质材料197机械地固定在一起。尽管附图中的各个附图仅示出了微电子组件150的较窄部分，但是电介质材料195和电介质材料197可以围绕微电子部件130的外围延伸。电介质材料195可以包括其中具有填料颗粒(例如，二氧化硅)的聚合物基质。在一些实施例中，电介质材料195可以具有大于80重量百分比(例如，在80重量百分比与90重量百分比之间)的填料含量；在一些这样的实施例中，如下文参考图15-图22所讨论的，电介质材料195可以是模制材料，并且可以以晶圆级提供。电介质材料197可以具有与电介质材料195不同的材料成分。电介质材料197可以包括其中具有填料颗粒(例如，二氧化硅)的聚合物基质，但是可以具有比电介质材料195更少的填料含量。在一些实施例中，电介质材料197可以具有小于80重量百分比(例如，在65重量百分比与80重量百分比之间)的填料含量；在一些这样的实施例中，如下文参考图15-图22所讨论的，电介质材料197可以是底部填充材料，并且可以以晶圆级提供。另一电介质材料199可以设置在微电子部件130与基板102之间。电介质材料199可以具有与电介质材料197不同的材料成分以及与电介质材料195不同的材料成分。电介质材料199可以包括其中具有填料颗粒(例如，二氧化硅)的聚合物基质，但可以具有比电介质材料197更少的填料含量。在一些实施例中，电介质材料199可以具有小于65重量百分比(例如，在50重量百分比与65重量百分比之间)的
填料含量；在一些这样的实施例中，如下文参考图15-图22所讨论的，电介质材料199可以是底部填充材料，并且可以以封装级提供。
57.在图13的实施例中，桥接部件110可以设置在基板102的腔体120中，但是可以不包括位于其“底”面处的导电接触部182，并且可以或可以不与基板102的电介质材料112接触；相反地，如图所示，电介质材料199可以将桥接部件110机械地固定到基板102。在一些实施例中，如图所示，电介质材料199可以在桥接部件110与基板102的电介质材料112之间延伸，可以围绕桥接部件110的侧面延伸，和/或可以在桥接部件110与电介质材料197之间延伸。在图13的实施例中，电介质材料145可以存在于桥接部件110的“底”面处；电介质材料145可以具有与电介质材料199相同的材料成分或不同的材料成分。在一些实施例中，电介质材料145可以采取本文中所公开的电介质材料195的任何实施例的形式。电介质材料145可以用于向桥接部件110提供机械支撑，和/或控制桥接部件110的翘曲，并且本文中所公开的桥接部件110中的任何适当的桥接部件可以包括这样的电介质材料。在一些实施例中，电介质材料145可以具有在15微米与50微米之间的厚度。在一些实施例中，除了或代替位于桥接部件110的“底”面处，电介质材料145可以存在于桥接部件110的“顶”面处。当桥接部件110的导电接触部与电介质材料145位于同一面时，电介质材料145可以在导电接触部之上二次模制成型(overmolded)，并且然后电介质材料145可以被往回研磨，以暴露导电接触部。
58.图14的实施例具有许多与图13的实施例共同的特征，但是图14的桥接部件110可以包括位于其“底”面处的导电接触部182，并且这些导电接触部182可以通过居间焊料106耦合到基板102的导电接触部180。如图14所示，电介质材料199可以至少部分地包围导电接触部180与导电接触部182之间的焊料106。图13和图14的微电子组件150可以实现相关特征的良好共面性，而无需昂贵的平坦化操作(例如，无需化学机械平坦化(cmp))，或其他困难和/或昂贵的制作技术。
59.可以使用任何适当的技术制造如同图13和14所示的微电子组件的微电子组件150。例如，图15-图22是根据各个实施例的用于制造图13中的微电子组件150的示例性工艺中的各个阶段的侧视横截面图。
60.图15示出了包括载体131的组件，载体131在其上具有微电子部件130。微电子部件130可以在载体131上对准，使得导电接触部132/134的期望的位置(在图15中采用虚线指示)与载体131上的对应的对准标记(未示出)对准，从而在微电子部件130之间实现期望的间距。在一些实施例中，载体131可以是晶圆，并且可以在载体131与位于载体131上的材料之间的界面处具有一个或多个释放层(未示出)。尽管图15(以及其他附图)中示出的微电子部件130被描绘为具有相同的厚度，但是这仅是为了便于说明，并且微电子部件130不需要具有相同的厚度。在一些实施例中，图15中的组件的微电子部件130可以在其被包括在图15的组件中之前已经经过测试，并且因此可以代表“已知良好的”部件(例如，“已知良好的管芯”)。图15的组件可以是“晶圆级”组件的一部分，其中如同图15所示的，多个单元形成在一起，并且然后在后期操作中被单个化成“封装级”单元(例如，如下文参考图21所讨论的)。
61.图16示出了在图15中的组件的微电子部件130周围提供电介质材料197之后的组件。电介质材料197可以帮助将微电子部件130固定在彼此相对的位置上，以减轻在随后的制造操作期间移动的风险。在一些实施例中，图16中的组件中(并且因此图13和图14中的微电子组件中)的电介质材料197的厚度可以在50微米与200微米之间。在一些实施例中，如上
文所讨论的，电介质材料197可以是晶圆级底部填充材料。
62.图17示出了在微电子部件130周围以及图16的组件的电介质材料195上提供电介质材料195之后的组件。电介质材料195还可以将微电子部件130固定在彼此相对的位置上，以减轻在随后的制造操作期间移动的风险。在一些实施例中，电介质材料195可以被平坦化(例如，使用研磨操作)，以去除微电子部件130上的电介质材料195中的一些或所有电介质材料；因此，在图13-图14的微电子组件150的一些实施例中，电介质材料195可以存在于微电子部件130的“背”面上(例如，使得微电子部件130位于电介质材料195中的一些电介质材料与基板102之间)。在一些实施例中，如上文所讨论的，电介质材料195可以是晶圆级模制材料。
63.图18示出了从图17的组件中去除载体131、“翻转”所得物、将另一载体131附接到邻近于微电子部件130的“背”面的平坦化表面、并且然后在其上形成导电接触部132/134之后的组件。在一些实施例中，导电接触部132/134可以包括铜，并且可以采取导电柱(例如，铜柱)的形式。
64.图19示出了在图18中的组件的导电接触部132/134上提供焊料106之后的组件。在一些实施例中，可以提供焊料106作为焊料凸块。
65.图20示出了在通过经由居间焊料106将桥接部件110的导电接触部118接合到微电子部件130的导电接触部134从而将桥接部件110(在其上具有电介质材料145)接合到图19中的组件之后的组件。在一些实施例中，可以在桥接部件110与微电子部件130之间提供底部填充材料(未示出)；这样的材料可以存在于本文中所公开的任何实施例中，并且在一些实施例中，可以采取本文中所公开的电介质材料197的任何实施例的形式，或者可以是环氧助焊剂。
66.图21示出了在去除图20中的载体131并将所得物耦合到基板102之后的组件。在同时制造图13中的微电子组件150中的多个微电子组件的实施例中，作为图21的操作的部分，不同的微电子组件150可以被单个化成“封装级”部件。在图21的组件中，导电接触部132可以通过居间焊料106接合到导电接触部114。在一些实施例中，该接合可以包括质量回流操作，并且焊料106与导电接触部118和134之间的力可以足以在质量回流期间将桥接部件110保持在适当位置。
67.图22示出了在基板102、桥接部件110和微电子部件130之间提供电介质材料199之后的组件。在一些实施例中，桥接部件110与基板102的邻近材料之间的间距可以至少是10微米，以允许电介质材料199到达这些空间。类似地，在一些实施例中，桥接部件110与微电子部件130之间的间距可以至少是10微米，以允许电介质材料199到达这些空间。在一些实施例中，如上文所讨论的，电介质材料199可以是封装级底部填充材料。图22中的组件可以采取图13中的微电子组件150的形式。可以使用与图15-图22中所示的工艺类似的工艺制造图14中的微电子组件150，但是如上文参考图21所讨论的接合操作(例如，质量回流)还可以包括通过居间焊料106将桥接部件110的导电接触部182接合到基板102的导电接触部180。
68.图23-图24示出了多个微电子部件130被组装成复合体的微电子组件150的其他示例。特别地，图23-图24是根据各个实施例的示例性微电子组件150的侧视横截面图，其中微电子部件130通过电介质材料197机械地固定在一起。尽管附图中的各个附图仅示出了微电子组件150的较窄部分，但是电介质材料197可以围绕微电子部件130的外围延伸。图23-图
24的电介质材料197可以采取本文中所公开的任何形式(例如，如上文参考图13-图14所讨论的电介质材料197的任何形式)。另一电介质材料199可以设置在微电子部件130与基板102之间，并且可以延伸到微电子部件130之间的体积中。此外，电介质材料199可以围绕微电子部件130的外围延伸(未示出)。图23-图24的电介质材料199可以采取本文中所公开的任何形式(例如，如上文参考图13-图14所讨论的电介质材料199的任何形式)。
69.在图23的实施例中，桥接部件110可以设置在基板102的腔体120中，但是可以不包括位于其“底”面处的导电接触部182，并且可以或可以不与基板102的电介质材料112接触；相反地，如图所示，电介质材料199可以将桥接部件110机械地固定到基板102。图23的实施例与图13的实施例共享许多特征，并且为了便于说明，将不重复对这些特征的讨论。
70.图24的实施例具有许多与图23的实施例共同的特征，但是图24的桥接部件110可以包括位于其“底”面处的导电接触部182，并且这些导电接触部182可以通过居间焊料106耦合到基板102的导电接触部180。图24的实施例与图14的实施例共享许多特征，并且为了便于说明，将不重复对这些特征的讨论。如同图13和图14中的微电子组件150，图23和图24中的微电子组件150可以实现相关特征的良好共面性，而无需昂贵的平坦化操作(例如，无需cmp)或者其他困难和/或昂贵的制造技术。
71.可以使用任何适当的技术制造如同图23和图24所示的微电子组件的微电子组件150。例如，图25-图27是根据各个实施例的用于制造图23的微电子组件150的示例性工艺中的各个阶段的侧视横截面图。
72.图25示出了包括载体131的组件，载体131在其上具有微电子部件130。微电子部件130可以“面朝上”位于载体131上，从而暴露导电接触部132/134。载体131可以采取本文中所公开的任何形式。导电接触部132/134可以具有在将微电子部件130耦合到载体131之前设置在其上的焊料106，或者焊料106可以在微电子部件130固定到载体131之后设置在导电接触部132/134上。在一些实施例中，图25中的组件的微电子部件130可以在其被包括在图25中的组件中之前已经经过测试，并且因此可以代表“已知良好的”部件(例如，“已知良好的管芯”)。图25中的组件可以是“晶圆级”组件的一部分，其中如同图25所示的多个单元形成在一起，并且然后在后期操作中被单个化成“封装级”单元。
73.图26示出了在图25中的组件的微电子部件130周围提供电介质材料197之后的组件。电介质材料197可以帮助将微电子部件130固定在彼此相对的位置上，以减轻在随后的制造操作期间移动的风险。在一些实施例中，图26中的组件中(并且因此图23和图24中的微电子组件中)的电介质材料197的厚度可以在50微米与200微米之间。在一些实施例中，如上文所讨论的，电介质材料197可以是晶圆级底部填充材料。
74.图27示出了在通过经由居间焊料106将桥接部件110的导电接触部118接合到微电子部件130的导电接触部134从而将桥接部件110(在其上具有电介质材料145)接合到图26中的组件之后的组件。通过对图27中的组件执行如上文参考图21-图22所讨论的操作，制作可以继续，产生了可以采取图23中的微电子组件150的形式的组件。可以使用与参考图25-图27和图21-图22所讨论的工艺类似的工艺制造图24中的微电子组件150，但是上文参考图21所讨论的接合操作(例如，质量回流)还可以包括通过居间焊料106将桥接部件110的导电接触部182接合到基板102的导电接触部180。
75.图28-图29示出了多个微电子部件130被组装成复合体的微电子组件150的其他示
例。特别地，图23-图24是根据各个实施例的示例性微电子组件150的侧视横截面图，其中微电子部件130通过电介质材料197和电介质材料195机械地固定在一起。尽管附图中的各个附图仅示出了微电子组件150的较窄部分，但是电介质材料197和电介质材料195可以围绕微电子部件130的外围延伸。电介质材料197可以采取本文中所公开的任何形式(例如，如上文参考图13-图14所讨论的电介质材料197的任何形式)，并且电介质材料195可以采取本文中所公开的任何形式(例如，如上文参考图13-图14所讨论的电介质材料195的任何形式)。对比于图13-图14的实施例(其中电介质材料197位于电介质材料195与基板102之间)，在图28-图29中的微电子组件150中，电介质材料195可以位于电介质材料197与基板102之间。此外，在一些实施例中，如图所示，电介质材料195可以延伸到微电子部件130的“底”面上，以便与导电接触部132/134相邻。在一些实施例中，微电子部件130的“底”面上的电介质材料195的厚度可以在2微米与20微米之间。另一电介质材料199可以设置在微电子部件130与基板102之间。电介质材料199可以采取本文中所公开的任何形式(例如，上文参考图13-图14所讨论的电介质材料199的任何形式)。
76.在图28的实施例中，桥接部件110可以设置在基板102的腔体120中，但是可以不包括位于其“底”面处的导电接触部182，并且可以或可以不与基板102的电介质材料112接触；相反地，如图所示，电介质材料199可以将桥接部件110机械地固定到基板102。图28的实施例与图13的实施例共享许多特征，并且为了便于说明，将不重复对这些特征的讨论。
77.图29的实施例具有许多与图28的实施例共同的特征，但是图29的桥接部件110可以包括位于其“底”面处的导电接触部182，并且这些导电接触部182可以通过居间焊料106耦合到基板102的导电接触部180。图29的实施例与图14的实施例共享许多特征，并且为了便于说明，将不重复对这些特征的讨论。如同图13-图14和图23-图24中的微电子组件150，图28和图29的微电子组件150可以实现相关特征的良好共面性，而无需昂贵的平坦化操作(例如，无需cmp)或者其他困难和/或昂贵的制造技术。
78.可以使用任何适当的技术制造如同图28和29所示的微电子组件的微电子组件150。例如，图30-图32是根据各个实施例的用于制造图28中的微电子组件150的示例性工艺中的各个阶段的侧视横截面图。
79.图30示出了包括载体131的组件，载体131在其上具有微电子部件130。微电子部件130可以“面朝上”位于载体131上，从而暴露导电接触部132/134。载体131可以采取本文中所公开的任何形式。在一些实施例中，图30中的组件的微电子部件130可以在其被包括在图30中的组件中之前已经经过测试，并且因此可以代表“已知良好的”部件(例如，“已知良好的管芯”)。图30中的组件可以是“晶圆级”组件的一部分，其中如同图30所示的多个单元形成在一起，并且然后在后期操作中被单个化成“封装级”单元。
80.图31示出了在图30中的组件的微电子部件130周围提供电介质材料197之后的组件。电介质材料197可以帮助将微电子部件130固定在彼此相对的位置上，以减轻在随后的制造操作期间移动的风险。在一些实施例中，图26中的组件中(并且因此图28和图29中的微电子组件中)的电介质材料197的厚度可以在50微米与200微米之间。在一些实施例中，如上文所讨论的，电介质材料197可以是晶圆级底部填充材料。
81.图32示出了在图31中的组件的微电子部件130周围提供电介质材料195之后的组件。电介质材料195还可以帮助将微电子部件130固定在彼此相对的位置上，以减轻在随后
的制造操作期间移动的风险。在一些实施例中，如上文所讨论的，电介质材料195可以是晶圆级模制材料。如图32所示，电介质材料195可以延伸直到微电子部件130的暴露面上，以便与导电接触部132/134横向相邻。在一些实施例中，可以沉积并且然后往回研磨电介质材料195，以显露导电接触部132/134，使得电介质材料195的暴露表面与导电接触部132/134的暴露表面共面。通过对图32中的组件执行如上文参考图20-图22所讨论的操作，制作可以继续，产生了可以采取图28中的微电子组件150的形式的组件。可以使用与参考图30-图32和图20-图22所讨论的工艺类似的工艺制造图29中的微电子组件150，但是上文参考图21所讨论的接合操作(例如，质量回流)还可以包括通过居间焊料106将桥接部件110的导电接触部182接合到基板102的导电接触部180。
82.图33-图34示出了多个微电子部件130被组装成复合体的微电子组件150的其他示例。特别地，图33-图34是根据各个实施例的示例性微电子组件150的侧视横截面图，其中微电子部件130通过电介质材料197机械地固定在一起。尽管附图中的各个附图仅示出了微电子组件150的较窄部分，但是电介质材料197可以围绕微电子部件130的外围延伸。电介质材料197可以采取本文中所公开的任何形式(例如，上文参考图13-图14所讨论的电介质材料197的任何形式)。另一电介质材料199可以设置在微电子部件130与基板102之间。电介质材料199可以采取本文中所公开的任何形式(例如，上文参考图13-图14所讨论的电介质材料199的任何形式)。
83.图33-图34的实施例可以分别类似于图13-图14的实施例，但是不同之处可以在于，图33-图34的实施例可以不包括电介质材料195，并且相反地，如图所示，电介质材料197可以填充微电子部件130之间的体积，并且可以具有与微电子部件130的“底”面共面的“底”面。如同图13-图14、图23-图24和图28-图29的微电子组件150，图33和图34的微电子组件150可以实现相关特征的良好共面性，而无需昂贵的平坦化操作(例如，无需cmp)或者其他困难和/或昂贵的制造技术。可以使用任何适当的技术制造如同图33和图34所示的微电子组件的微电子组件150。例如，可以使用如同图15-图22的工艺的工艺制造图33-图34中的微电子组件150，但是其中电介质材料197被沉积和研磨，以便具有与图16中的组件中的微电子部件130的“顶”表面共面的“顶”表面，并且其中省略了与电介质材料195相关的操作。
84.在一些实施例中，微电子组件150可以包括位于微电子部件130的“顶”面处的支撑材料，以提供进一步的机械支撑。例如，图35-图36是分别与图23-图24所示的微电子组件150共享许多特征的示例性微电子组件150的侧视横截面图，并且其中存在支撑材料117，使得微电子部件130位于支撑材料117与基板102之间。此外，图37-图38是分别与图28-图29所示的微电子组件150共享许多特征的示例性微电子组件150的侧视横截面图，并且其中存在支撑材料117，使得微电子部件130位于支撑材料117与基板102之间。图35-图38中的微电子组件的支撑材料117可以充当用于将微电子部件130“重组”成然后可以被进一步处理的复合体的基底，并且如此，支撑材料117可以包括用于为微电子部件130提供重组基底的任何适当的材料。在一些实施例中，支撑材料117可以包括硅(并且例如，可以经由氧化物到氧化物接合而接合到微电子部件130)。在一些实施例中，支撑材料117可以包括玻璃。在一些实施例中，支撑材料117可以包括金属，例如铜。在一些实施例中，微电子部件130可以通过粘合剂(例如daf)固定到支撑材料117。在一些实施例中，微电子部件130可以通过焊料热界面材料(stim)固定到支撑材料117。在一些实施例中，微电子部件130可以通过可烧结的环氧
树脂固定到支撑材料117。可以选择这些附接材料中的任何一种或多种附接材料来提供充足的导热性以及充足的机械支撑。在一些实施例中，支撑材料117可以具有在100微米与500微米之间(例如，在100微米与400微米之间)的厚度。
85.在图35-图38(以及包括支撑材料117的其他附图)所示的具体实施例中，支撑材料117被描绘成接触多个微电子部件130的“顶”面的材料的单一部分。这仅是说明性的，并且本文中所公开的微电子组件150中的任何微电子组件可以包括支撑材料117，其中支撑材料117存在于耦合到相关联的不同的、单个的微电子部件130的“顶”面的不同的、单个的部分中。
86.可以使用任何适当的技术制造如同图35-图38所示的微电子组件的微电子组件150。例如，图35-图36中的微电子组件150可以分别基本上如上文参考图23-图24的制造所讨论的进行制造，但是图25的组件可以具有设置在载体131与微电子部件130之间的支撑材料117；在一些实施例中，载体131可以通过释放层耦合到支撑材料117。在另一示例中，图37-图38中的微电子组件150可以分别基本上如上文参考图28-图29的制造所讨论的进行制造，但是图30的组件可以具有设置在载体131与微电子部件130之间的支撑材料117；在一些实施例中，载体131可以通过释放层耦合到支撑材料117。在以不同部分为每个不同的微电子部件130提供支撑材料117的实施例中，支撑材料117可以在微电子部件130被带入组件中之前附接到微电子部件130。
87.在一些实施例中，微电子组件150可以包括导电柱，以将微电子部件130和/或桥接部件110电耦合到基板102。例如，图39-图40是根据各个实施例的包括导电柱175的示例性微电子组件150的侧视横截面图。一个或多个导电柱175的堆叠体可以与微电子部件130的导电接触部132中的每个导电接触部接触，并且导电柱175可以通过焊料106导电地耦合到基板102的导电接触部114。在图39-图40的实施例中，焊料106可以更靠近基板102，而不是更靠近微电子部件130。如图39-图40所示，堆叠体中的单个导电柱175可以具有比堆叠体中更靠近基板102的另一单个导电柱175更小的直径；因此，导电柱175的堆叠体可以具有“阶梯式”结构，其中更靠近基板102的导电柱175比更远离基板102的导电柱175窄。导电柱175可以延伸穿过电介质材料199，该电介质材料199可以采取本文中所公开的电介质材料199中的任何电介质材料的形式。如图39-图40所示，电介质材料199可以接触位于微电子部件130的“顶”面处的支撑材料117的侧面。支撑材料117可以采取本文中所公开的支撑材料117中的任何支撑材料的形式，并且在一些实施例中，如图所示，电介质材料199可以具有成角度的侧面，电介质材料199朝向基板102加宽。如图所示，电介质材料199还可以接触微电子部件130的侧面，并且可以设置在微电子部件130之间。
88.在图39的实施例中，桥接部件110可以不包括位于其“底”面处的导电接触部182，并且电介质材料199可以设置在桥接部件110与基板102之间。在图40的实施例中，桥接部件110可以包括位于其“底”面处的导电接触部182，并且这些导电接触部182可以通过一个或多个导电柱179(与导电接触部182接触并且延伸穿过电介质材料199)的居间堆叠体和焊料106耦合到基板102的导电接触部114。将导电接触部114耦合到导电柱175/179的焊料106可以与电介质材料199接触。在一些实施例中，如图所示，微电子组件150中的“最底部的”导电柱175/179的“底”表面可以是共面的。
89.图39和图40中的微电子组件150(以及如下文进一步讨论的图46和图49中的微电
子组件)可以有利地包括固定微电子部件130、桥接部件110和基板102的单一电介质材料199，并且可以使用低成本工艺制造。可以使用任何适当的技术制造如同图39-图40所示的微电子组件的微电子组件150。图41-图45是根据各个实施例的用于制造图39中的微电子组件150的示例性工艺中的各个阶段的侧视横截面图。
90.图41示出了包括载体131以及载体131上的支撑材料117的组件。如上文所讨论的，支撑材料117可以通过释放层(未示出)耦合到载体131。支撑材料117和载体131可以采取任何适当的形式。图41中的组件可以是“晶圆级”组件的一部分，其中如同图41所示的多个单元形成在一起，并且然后在后期操作中被单个化成“封装级”单元(例如，如下文参考图44所讨论的)。
91.图42示出了在将微电子部件130耦合到图41的组件的支撑材料117、在微电子部件130的导电接触部132上形成导电柱175以及在微电子部件130的导电接触部134上提供焊料106之后的组件。在一些实施例中，导电柱175可以镀覆在导电接触部134上，其中镀覆操作的数量取决于堆叠体中的导电柱175的数量(例如，两次镀覆操作以形成图42的组件的导电柱175)。如图42所示，在随后的镀覆操作中形成的导电柱175的直径可以相对于先前的镀覆操作减小。在一些实施例中，图42中的操作可以包括执行对导电柱175的“飞切(fly cut)”，以改进导电柱175的堆叠体的“顶部”的共面性。
92.图43示出了在经由焊料106将桥接部件110的导电接触部118耦合到图42中的组件的微电子部件130的导电接触部134之后的组件。导电接触部118与导电接触部134之间的耦合可以是将在微电子组件150中做出的最紧密间距的互连，并且在此制造阶段形成它们可以允许桥接部件110自对准或以其他方式实现与微电子部件130的最小错位。在一些实施例中，图43中的操作可以包括执行对导电柱175的“飞切”，以改进导电柱175的堆叠体的“顶部”的共面性。
93.图44示出了从图43中的组件中去除载体131并且经由焊料106将所得物的导电柱175接合到基板102之后的组件。在同时制造图39中的微电子组件150中的多个微电子组件的实施例中，作为图44中的操作的部分，不同的微电子组件150可以被单个化成“封装级”部件。
94.图45示出了在微电子部件130与基板102之间以及在微电子部件130周围和到支撑材料117上提供电介质材料199之后的组件(如图所示)。图45的组件可以采取图39中的微电子组件150的形式。可以使用与参考图41-图45所讨论类似的工艺制造图40中的微电子组件150，但是其中导电柱179可以在桥接部件110接合到微电子部件130之前镀覆在桥接部件110的导电接触部182上(这样的导电柱179可以被电介质材料(例如电介质材料195)包围，从而为导电柱179提供机械支撑)，并且如上文参考图44所讨论的接合操作还可以包括通过居间焊料106将导电柱179接合到基板102的导电接触部114。
95.在如同图39-图40所示的微电子组件的微电子组件150的一些实施例中，将微电子部件130耦合到基板102的焊料106可以位于导电柱175之间。例如，图46示出了与图39中的微电子组件150共享许多特征的微电子组件150，但是其中导电接触部132与导电接触部114之间的焊料106位于与导电接触部132接触的一个或多个导电柱175和与导电接触部114接触的一个或多个导电柱175之间。尽管图46示出了仅单一的导电柱175设置在焊料106与导电接触部132之间、并且仅单一的导电柱175设置在焊料106与导电接触部114之间的微电子
组件150，但是这仅是为了便于说明，并且多于一个导电柱175可以设置在焊料106“上方”和/或“下方”。在多于一个导电柱175设置在焊料106“上方”和/或“下方”的实施例中，多个导电柱175的直径可以朝向焊料106减小(例如，如上文参考图39-图40中的微电子组件150中的堆叠体的导电柱175中的不同导电柱的直径所讨论的)。
96.可以使用任何适当的技术制造如同图46所示的微电子组件的微电子组件150。图47-图48是根据各个实施例的用于制造图46中的微电子组件150的示例性工艺中的各个阶段的侧视横截面图。
97.图47示出了在基板102的导电接触部114上形成导电柱175之后的组件。在一些实施例中，导电柱175可以镀覆在导电接触部114上，镀覆操作的数量取决于堆叠体中的导电柱175的数量(例如，一次镀覆操作以形成图47中的组件的导电柱175)。在随后的镀覆操作中形成的导电柱175的直径可以相对于先前的镀覆操作减小。
98.图48示出了在从如同图43中的组件的组件去除载体131并且通过焊料106将所得物的导电柱175接合到图47中的组件的基板102的导电柱之后的组件。通过对图48中的组件执行如上文参考图45所讨论的操作，制作可以继续，产生了可以采取图46中的微电子组件150的形式的组件。在同时制造图45中的微电子组件150中的多个微电子组件的实施例中，作为图48中的操作的部分，不同的微电子组件150可以被单个化成“封装级”部件。
99.在一些实施例中，微电子组件150可以包括与基板102的导电接触部114接触的导电柱175。例如，图49示出了与图39中的微电子组件150共享许多特征的微电子组件150，但是其中一个或多个导电柱175的堆叠体可以与基板102的导电接触部114中的每个导电接触部接触，并且导电柱175可以通过焊料106导电地耦合到微电子部件130的导电接触部132。在图49的实施例中，焊料106可以更靠近微电子部件130，而不是更靠近基板102。如图49所示，堆叠体中的单个导电柱175可以具有比堆叠体中更靠近微电子部件130的另一单个导电柱175更小的直径；因此，导电柱175的堆叠体可以具有“阶梯式”结构，其中更远离基板102的导电柱175比更靠近基板102的导电柱175窄。
100.可以使用任何适当的技术制造如同图49所示的微电子组件的微电子组件150。例如，图49中的微电子组件150可以基本上如上文参考图47-图48所讨论的进行制造，但是其中微电子部件130可以不具有镀覆在导电接触部114上的导电柱175。
101.在一些实施例中，包括导电柱175的微电子组件150可以在导电柱175与基板102之间具有金属化区域113。例如，图50-图51是根据各个实施例的包括导电柱175和金属化区域113的示例性微电子组件150的侧视横截面图。一个或多个导电柱175的堆叠体可以与微电子部件130的导电接触部132中的每个导电接触部接触，并且导电柱175可以与金属化区域113的导电过孔111和导电接触部109接触。金属化区域113可以包括电介质材料115，电介质材料115可以包括任何适当的材料，例如聚酰亚胺、聚苯并恶唑、氮化硅或氧化硅。导电接触部109可以通过焊料106导电地耦合到基板102的导电接触部114。在图50-图51的实施例中，焊料106可以更靠近基板102，而不是更靠近微电子部件130。尽管金属化区域113在图50-图51(以及其他附图)中被描绘成具有单一的金属化层，但是这仅是为了便于说明，并且金属化区域113可以具有包括根据需要布置到导电通路中的导电过孔和/或导电线的一个或多个金属化层。如图50-图51所示，堆叠体中的单个导电柱175可以具有比堆叠体中更靠近基板102的另一单个导电柱175更小的直径；因此，导电柱175的堆叠体可以具有“阶梯式”结
构，其中更靠近基板102的导电柱175比更远离基板102的导电柱175窄。导电柱175可以延伸穿过电介质材料195，该电介质材料195可以采取本文中所公开的电介质材料195中的任何电介质材料的形式。如图所示，电介质材料195还可以接触微电子部件130的侧面，并且可以设置在微电子部件130之间。电介质材料195还可以接触桥接部件110的所有面，并且可以存在于将导电接触部118耦合到导电接触部134的焊料106之间的体积中。
102.在图50的实施例中，桥接部件110可以不包括位于其“底”面处的导电接触部182，并且电介质材料195可以设置在桥接部件110与金属化区域113之间。在图51的实施例中，桥接部件110可以包括位于其“底”面处的导电接触部182，并且这些导电接触部182可以通过一个或多个导电柱179(与导电接触部182接触并且延伸穿过电介质材料195)的居间堆叠体、导电过孔111、导电接触部109和焊料106耦合到基板102的导电接触部114。在一些实施例中，如图所示，微电子组件150中的“最底部的”导电柱175/179的“底”表面可以是共面的。
103.在一些实施例中，图50-图51中的微电子组件150(以及如下文进一步讨论的图59-图64中的微电子组件150)的微电子部件130可以在其被包括在微电子组件150中之前已经过测试，并且因此可以代表“已知良好的”部件(例如，“已知良好的管芯”)。图50和图51的微电子组件150(以及如下文进一步讨论的图59-图64的微电子组件150)可以有利地使用低成本工艺制造。可以使用任何适当的技术制造如同图50-图51所示的微电子组件的微电子组件150。图52-图58是根据各个实施例的用于制造图50中的微电子组件150的示例性工艺中的各个阶段的侧视横截面图。
104.图52示出了包括耦合到微电子部件130的载体131的组件，其在微电子部件130的导电接触部134上具有焊料106。图52的组件可以是“晶圆级”组件的一部分，其中如同图52所示的多个单元形成在一起，并且然后在后期操作中被单个化成“封装级”单元(例如，如下文参考图56所讨论的)。
105.图53示出了在图52中的组件的微电子部件130的导电接触部132上形成导电柱175之后的组件。在一些实施例中，导电柱175可以镀覆在导电接触部134上，镀覆操作的数量取决于堆叠体中的导电柱175的数量(例如，两次镀覆操作以形成图53中的组件的导电柱175)。如图53所示，在随后的镀覆操作中形成的导电柱175的直径可以相对于先前的镀覆操作减小。在微电子部件130具有不同的厚度的一些实施例中，可以对导电柱175执行“飞切”操作，以对导电柱175的堆叠体的“顶部”进行平坦化；在这样的实施例中，即使在微电子部件130具有不同的厚度时，导电柱175的堆叠体的“顶部”也可以是共面的。在一些实施例中，焊料106可以在飞切(未示出)之后镀覆到导电柱175的堆叠体的“顶部”上。
106.图54示出了在经由焊料106将桥接部件110的导电接触部118耦合到图54中的组件的微电子部件130的导电接触部134之后的组件。导电接触部118与导电接触部134之间的耦合可以是将在微电子组件150中做出的最紧密间距的互连，并且在此制造阶段形成它们可以允许桥接部件110自对准或以其他方式实现与微电子部件130的最小错位。
107.图55示出了在图54中的组件的微电子部件130周围提供电介质材料195之后的组件。电介质材料195可以将微电子部件130和桥接部件110固定在彼此相对的位置上，以减轻在随后的制造操作期间移动的风险。在一些实施例中，电介质材料195可以被平坦化(例如，使用研磨操作)，以去除导电柱175上方的电介质材料195。在一些实施例中，如上文所讨论的，电介质材料195可以是晶圆级模制材料。在一些实施例中，如上文所讨论的，电介质材料
195可以是封装级模制材料。
108.图56示出了在图55中的组件上形成金属化区域113之后的组件。在一些实施例中，可以选择导电过孔111和导电接触部109的位置，以“纠正”基板102的导电柱175与导电接触部114之间的任何错位；在一些实施例中，金属化区域113可以不被包括在微电子组件150中(例如，如下文参考图61-图62所讨论的)。
109.图57示出了从图56中的组件去除载体131并且“翻转”所得物之后的组件。在同时制造图50中的微电子组件150中的多个微电子组件的实施例中，作为图57中的操作的部分，不同的微电子组件150可以被单个化成“封装级”部件。
110.图58示出了在经由焊料106将图57中的组件的导电接触部109接合到基板102之后的组件。所得到的组件可以采取图50中的微电子组件150的形式。可以使用与参考图52-图58所讨论类似的工艺制造图51的微电子组件150，但是其中导电柱179可以在桥接部件110接合到微电子部件130之前镀覆在桥接部件110的导电接触部182上(这样的导电柱179可以被电介质材料(例如电介质材料195)包围，从而为导电柱179提供机械支撑)。
111.在一些实施例中，与图50-图51中的微电子组件类似的微电子组件150可以包括围绕微电子部件130的侧面的额外的电介质材料。例如，图59-图60分别示出了与图50-图51的微电子组件150类似的微电子组件150，但是其中电介质材料197可以围绕微电子部件130的侧面设置。图59-图60中的电介质材料197可以采取本文中所公开的电介质材料197中的任何电介质材料的形式。在一些实施例中，电介质材料197可以具有成角度的侧面，电介质材料197朝向基板102变窄。图59-图60中的微电子组件150可以基本上如上文参考图52-图58所描述的进行制造，但是电介质材料197(例如，晶圆级底部填充材料)在提供如上文参考图55所讨论的电介质材料175之前提供。在一些实施例中，图59-图60中的微电子组件150中的电介质材料197的最大厚度可以在50微米与200微米之间。在一些实施例中，图59-图60中的微电子组件150中的电介质材料197的最大厚度可以等于微电子部件130中的一个或多个微电子部件的厚度。本文中所公开的微电子组件150中的任何微电子组件可以包括这样的电介质材料197。
112.在一些实施例中，与图50-图51的微电子组件类似的微电子组件150可以不包括金属化区域113。例如，图61-图62分别示出了与图50-图51中的微电子组件150类似的微电子组件150，但是其中不存在金属化区域113，并且与导电接触部114接触的焊料106还接触导电柱175和179。本文中所公开的微电子组件150中的任何微电子组件可以包括或可以不包括金属化区域113。
113.在一些实施例中，包括在微电子组件150中的微电子部件130中的一个或多个微电子部件的侧面可以是成角度的，微电子部件130朝向基板102变窄。当微电子部件130较厚和/或彼此靠近时，这样的锥形可以在镀覆操作期间实现更好的晶种覆盖和晶种去除。例如，图63-图64分别示出了与图50-图51中的微电子组件150类似的微电子组件150，但是其中微电子部件130的侧面是成角度的。此外，在一些实施例中，微电子部件130的一些而非所有的侧面可以是成角度的。例如，微电子组件150中的微电子部件130的“外”侧面可以是成角度的，而“内”侧面(即，微电子部件130的“面向”另一微电子部件130的侧面的侧面)可以不是成角度的。本文中所公开的微电子组件150中的任何微电子组件可以包括具有一个或多个成角度的侧面的微电子部件130。
114.尽管已经针对在微电子结构100中暴露了位于桥接部件110的“顶”面处的导电接触部118的实施例(即，“开放腔体”布置)示出了本文中所公开的实施例中的各种实施例，但是在桥接部件110之上堆积基板102的额外层以包围桥接部件110(即，“嵌入式”布置)的实施例中可以利用本文中所公开的实施例中的任何适当的实施例。例如，图65示出了具有与本文中所公开的实施例中的各个实施例共同的多个特征的微电子组件150，但是其中额外的电介质材料112和金属层设置在桥接部件110“上方”。如图65所示，可以使用穿过该“额外的”材料的导电焊盘和过孔以允许微电子部件130经由基板102的居间材料导电地耦合到导电接触部118。类似地，可以在这样的嵌入式布置中利用本文中所公开的实施例中的任何适当的实施例。
115.本文中公开的微电子结构100和微电子组件150可以被包括在任何适当的电子部件中。图66-图69示出了设备的各种示例，视情况其可以包括本文中公开的任何微电子结构100和微电子组件150，或者可以被包括在本文中公开的微电子结构100和微电子组件150中。
116.图66是可以被包括在本文中公开的任何微电子结构100和微电子组件150中的晶圆1500和管芯1502的俯视图。例如，管芯1502可以作为桥接部件110(或其部分)和/或微电子部件130(或其部分)被包括在微电子结构100/微电子组件150中。晶圆1500可以由半导体材料构成，并且可以包括具有形成在晶圆1500的表面上的ic结构的一个或多个管芯1502。管芯1502中的每个管芯可以是包括任何适当的ic的半导体产品的重复单元。在半导体产品的制作完成之后，晶圆1500可以经历单个化工艺，其中管芯1502彼此分离以提供半导体产品的分立的“芯片”。管芯1502可以包括一个或多个晶体管(例如，下文讨论的图67中的晶体管1640中的一些晶体管)、一个或多个二极管，和/或支持电路系统，以将电信号布线到晶体管以及任何其他ic部件。在一些实施例中，管芯1502可以是“无源”管芯，因为它不包括有源部件(例如，晶体管)，而在其他实施例中，管芯1502可以是“有源”管芯，因为它包括有源部件。在一些实施例中，晶圆1500或管芯1502可以包括存储器装置(例如，随机存取存储器(ram)装置，诸如静态ram(sram)装置、磁ram(mram)装置、电阻式ram(rram)装置、导电桥接式ram(cbram)装置等)、逻辑装置(例如，and、or、nand或nor门)或任何其他适当的电路元件。这些装置中的多个装置可以组合在单一管芯1502上。例如，由多个存储器装置形成的存储器阵列可以与被配置为将信息存储在存储器装置中或执行存储在存储器阵列中的指令的处理装置(例如，图69中的处理装置1802)或其它逻辑单元形成在同一管芯1502上。
117.图67是可以被包括在微电子结构100和/或微电子组件150中的ic装置1600的侧视横截面图。例如，ic装置1600可以作为桥接部件110(或其部分)和/或微电子部件130(或其部分)被包括在微电子结构100/微电子组件150中。ic装置1600可以是管芯1502的部分(例如，如上文参考图66所讨论的)。ic装置1600中的一个或多个ic装置可以被包括在一个或多个管芯1502中(图66)。ic装置1600可以形成在基板1602(例如，图66的晶圆1500)上，并且可以被包括在管芯(例如，图66中的管芯1502)中。基板1602可以是由包括例如n型或p型材料系统(或两者的组合)的半导体材料系统构成的半导体基板。基板1602可以包括例如使用体硅或绝缘体上硅(soi)子结构形成的晶体基板。在一些实施例中，可以使用替代材料形成基板1602，替代材料可以与硅组合或不组合，包括但不限于锗、锑化铟、碲化铅、砷化铟、磷化铟、砷化镓或锑化镓。被分类为ii-vi族、iii-v族或iv族的其它材料也可以用于形成基板
1602。虽然本文描述了可以形成基板1602的材料的一些示例，但是可以使用可以用作ic装置1600的基底的任何材料。基板1602可以是单个化的管芯(例如，图66的管芯1502)或晶圆(例如，图66的晶圆1500)的部分。
118.ic装置1600可以包括设置在基板1602上的一个或多个装置层1604。装置层1604可以包括形成在基板1602上的一个或多个晶体管1640(例如，金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet))的特征。装置层1604可以包括例如一个或多个源极和/或漏极(s/d)区域1620、用于控制晶体管1640中的s/d区域1620之间的电流流动的栅极1622、以及将电信号布线到s/d区域1620/对来自s/d区域1620电信号进行布线的一个或多个s/d接触部1624。晶体管1640可以包括为了清楚起见未描绘的额外的特征，例如装置隔离区域、栅极接触部等。晶体管1640不限于图67中描绘的类型和构造，并且可以包括多种多样的其他类型和构造，例如平面晶体管、非平面晶体管或两者的组合。平面晶体管可以包括双极结型晶体管(bjt)、异质结双极晶体管(hbt)或高电子迁移率晶体管(hemt)。非平面晶体管可以包括finfet晶体管(例如双栅极晶体管或三栅极晶体管)以及环绕栅极晶体管或全环绕栅极晶体管(例如纳米带和纳米线晶体管)。
119.每个晶体管1640可以包括由至少两个层(栅极电介质和栅极电极)形成的栅极1622。栅极电介质可以包括一个层或层的堆叠体。一个或多个层可以包括氧化硅、二氧化硅、碳化硅和/或高k电介质材料。高k电介质材料可以包括诸如铪、硅、氧、钛、钽、镧、铝、锆、钡、锶、钇、铅、钪、铌和锌的元素。可以用在栅极电介质中的高k材料的示例包括但不限于：氧化铪、氧化铪硅、氧化镧、氧化镧铝、氧化锆、氧化锆硅、氧化钽、氧化钛、氧化钡锶钛、氧化钡钛、氧化锶钛、氧化钇、氧化铝、氧化铅钪钽和铌酸铅锌。在一些实施例中，可以对栅极电介质执行退火工艺以在使用高k材料时改进其质量。
120.栅极电极可以形成在栅极电介质上，并且可以包括至少一种p型功函数金属或n型功函数金属，这取决于晶体管1640将是p型金属氧化物半导体(pmos)还是n型金属氧化物半导体(nmos)晶体管。在一些实施方式中，栅极电极可以由两个或更多个金属层的堆叠体组成，其中一个或多个金属层是功函数金属层，并且至少一个金属层是填充金属层。可以出于其它目的包括其它金属层，例如阻挡层。对于pmos晶体管来说，可以用于栅极电极的金属包括但不限于：钌、钯、铂、钴、镍、导电金属氧化物(例如，氧化钌)以及下文参考nmos晶体管讨论的金属中的任何金属(例如，用于功函数调节)。对于nmos晶体管来说，可以用于栅极电极的金属包括但不限于：铪、锆、钛、钽、铝、这些金属的合金、这些金属的碳化物(例如，碳化铪、碳化锆、碳化钛、碳化钽和碳化铝)以及上文参考pmos晶体管讨论的金属中的任何金属(例如，用于功函数调节)。
121.在一些实施例中，当从晶体管1640的沿源极-沟道-漏极方向的横截面观察时，栅极电极可以由u形结构组成，该u形结构包括基本上平行于基板的表面的底部部分和基本上垂直于基板的顶表面的两个侧壁部分。在其他实施例中，形成栅极电极的金属层中的至少一个金属层可以简单地是基本上平行于基板的顶表面的平面层，并且不包括基本上垂直于基板的顶表面的侧壁部分。在其他实施例中，栅极电极可以由u形结构和平面非u形结构的组合组成。例如，栅极电极可以由形成在一个或多个平面非u形层的顶部的一个或多个u形金属层组成。
122.在一些实施例中，一对侧壁间隔体可以形成在栅极堆叠体的相对侧上，以将栅极
堆叠体夹在其间。侧壁间隔体可以由诸如氮化硅、氧化硅、碳化硅、掺杂碳的氮化硅和氮氧化硅的材料形成。用于形成侧壁间隔体的工艺是本领域中公知的，并且一般包括沉积和蚀刻工艺步骤。在一些实施例中，可以使用多个间隔体对；例如，可以在栅极堆叠体的相对侧上形成两对、三对或四对侧壁间隔体。
123.s/d区域1620可以形成在基板1602内，与每个晶体管1640的栅极1622相邻。例如，可以使用注入/扩散工艺或蚀刻/沉积工艺来形成s/d区域1620。在前一种工艺中，诸如硼、铝、锑、磷或砷的掺杂剂可以被离子注入到基板1602中以形成s/d区域1620。退火工艺可以在离子注入工艺之后，退火工艺将掺杂剂激活并使它们向基板1602中扩散得更远。在后一种工艺中，可以首先对基板1602进行蚀刻，以在s/d区域1620的位置处形成凹陷。然后可以执行外延沉积工艺，以采用用于制作s/d区域1620的材料填充该凹陷。在一些实施方式中，可以使用硅合金(例如硅锗或碳化硅)来制作s/d区域1620。在一些实施例中，可以采用诸如硼、砷或磷的掺杂剂对外延沉积的硅合金进行原位掺杂。在一些实施例中，可以使用一种或多种替代的半导体材料(例如锗或iii-v族材料或合金)来形成s/d区域1620。在其他实施例中，可以使用一层或多层的金属和/或金属合金来形成s/d区域1620。
124.可以通过设置在装置层1604上的一个或多个互连层(在图11中被示出为互连层1606-1610)将电信号(例如功率和/或i/o信号)布线到装置层1604的装置(例如，晶体管1640)和/或从装置层1604的装置对电信号进行布线。例如，装置层1604的导电特征(例如，栅极1622和s/d接触部1624)可以与互连层1606-1610的互连结构1628电耦合。一个或多个互连层1606-1610可以形成ic装置1600的金属化堆叠体(也称为“ild堆叠体”)1619。在一些实施例中，ic装置1600可以是“无源”装置，因为它不包括有源部件(例如，晶体管)，而在其他实施例中，管芯1502可以是“有源”管芯，因为它包括有源部件。
125.互连结构1628可以布置在互连层1606-1610内，以根据多种多样的设计来对电信号进行布线(具体地，该布置不限于图11中描绘的互连结构1628的特定构造)。尽管图11中描绘了特定数量的互连层1606-1610，但是本公开的实施例包括具有比所描绘的更多或更少的互连层的ic装置。
126.在一些实施例中，互连结构1628可以包括填充有导电材料(例如金属)的线1628a和/或过孔1628b。线1628a可以被布置为在与基板1602的其上形成装置层1604的表面基本上平行的平面的方向上对电信号进行布线。例如，线1628a可以在从图11的视角进出页面的方向上对电信号进行布线。过孔1628b可以被布置为在与基板1602的其上形成装置层1604的表面基本上垂直的平面的方向上对电信号进行布线。在一些实施例中，过孔1628b可以将不同互连层1606-1610的线1628a电耦合在一起。
127.如图11所示，互连层1606-1610可以包括设置在互连结构1628之间的电介质材料1626。在一些实施例中，设置在互连层1606-1610中的不同互连层中的互连结构1628之间的电介质材料1626可以具有不同的成分；在其他实施例中，在不同互连层1606-1610之间的电介质材料1626的成分可以相同。
128.第一互连层1606可以形成在装置层1604上方。在一些实施例中，如图所示，第一互连层1606可以包括线1628a和/或过孔1628b。第一互连层1606的线1628a可以与装置层1604的接触部(例如，s/d接触部1624)耦合。
129.第二互连层1608可以形成在第一互连层1606上方。在一些实施例中，第二互连层
1608可以包括过孔1628b，以将第二互连层1608的线1628a与第一互连层1606的线1628a耦合。尽管为了清楚起见，在每个互连层内(例如，在第二互连层1608内)用线在结构上绘出了线1628a和过孔1628b，但是在一些实施例中，线1628a和过孔1628b在结构上和/或材料上可以是连续的(例如，在双镶嵌工艺期间被同时填充)。
130.第三互连层1610(以及额外的互连层，依据需要)可以根据结合第二互连层1608或第一互连层1606描述的类似技术和构造接连形成在第二互连层1608上。在一些实施例中，在ic装置1600中的金属化堆叠体1619中“更高”(即，距装置层1604更远)的互连层可以更厚。
131.ic装置1600可以包括阻焊剂材料1634(例如，聚酰亚胺或类似材料)和形成在互连层1606-1610上的一个或多个导电接触部1636。在图11中，导电接触部1636被示为采取接合焊盘的形式。导电接触部1636可以与互连结构1628电耦合，并且被配置为将(多个)晶体管1640的电信号布线到其他外部装置。例如，焊料接合部可以形成在一个或多个导电接触部1636上，以将包括ic装置1600的芯片与另一部件(例如，电路板)机械和/或电耦合。ic装置1600可以包括额外的或替代的结构，以对来自互连层1606-1610的电信号进行布线；例如，导电接触部1636可以包括将电信号布线到外部部件的其他类似特征(例如，柱)。
132.图68是根据本文中所公开的任何实施例的可以包括一个或多个微电子结构100和/或微电子组件150的ic装置组件1700的侧视横截面图。ic装置组件1700包括设置在电路板1702(例如，其可以是主板)上的多个部件。ic装置组件1700包括设置在电路板1702的第一面1740和电路板1702的相对的第二面1742上的部件；一般地，部件可以设置在面1740和面1742中的一者或两者上。下文参考ic装置组件1700讨论的ic封装中的任何ic封装可以采取本文中所讨论的微电子组件150的任何实施例的形式，或者可以以其他方式包括本文中所公开的微电子结构100中的任何微电子结构。
133.在一些实施例中，电路板1702可以是包括多个金属层的pcb，所述多个金属层通过电介质材料的层彼此分离并且通过导电过孔互连。可以依照期望的电路图案形成金属层中的任何一个或多个金属层，以在耦合到电路板1702的部件之间对电信号进行布线(可选地，结合其他金属层)。在其他实施例中，电路板1702可以是非pcb基板。
134.图68中示出的ic装置组件1700包括通过耦合部件1716耦合到电路板1702的第一面1740的内插器上封装结构1736。耦合部件1716可以将内插器上封装结构1736电和机械耦合到电路板1702，并且可以包括焊料球(如图68所示)、插座的公部分和母部分、粘合剂、底部填充材料和/或任何其他适当的电和/或机械耦合结构。
135.内插器上封装结构1736可以包括通过耦合部件1718耦合到封装内插器1704的ic封装1720。耦合部件1718可以针对应用采取任何适当的形式，例如上文参考耦合部件1716所讨论的形式。尽管图68中示出了单一ic封装1720，但是多个ic封装可以耦合到封装内插器1704；实际上，额外的内插器可以耦合到封装内插器1704。封装内插器1704可以提供用于将电路板1702和ic封装1720桥接的居间基板。例如，ic封装1720可以是或者包括管芯(图66中的管芯1502)、ic装置(例如，图67中的ic装置1600)或者任何其他适当的部件。一般地，封装内插器1704可以将连接扩展到更宽的间距或者将连接重新布线到不同的连接。例如，封装内插器1704可以将ic封装1720(例如，管芯)耦合到耦合部件1716的一组球栅阵列(bga)导电接触部，以便耦合到电路板1702。在图68中所示的实施例中，ic封装1720和电路板1702
附接到封装内插器1704的相对侧；在其他实施例中，ic封装1720和电路板1702可以附接到封装内插器1704的同一侧。在一些实施例中，三个或更多个部件可以通过封装内插器1704的方式互连。
136.在一些实施例中，封装内插器1704可以形成为pcb，该pcb包括由电介质材料层彼此分离并且通过导电过孔而互连的多个金属层。在一些实施例中，封装内插器1704可以由环氧树脂、玻璃纤维增强环氧树脂、具有无机填料的环氧树脂、陶瓷材料或诸如聚酰亚胺的聚合物材料形成。在一些实施例中，封装内插器1704可以由替代的刚性或柔性材料形成，所述刚性或柔性材料可以包括与上文描述的用于半导体基板中材料相同的材料，例如硅、锗和其他iii-v族和iv族材料。封装内插器1704可以包括金属线1710和过孔1708，其包括但不限于贯穿硅过孔tsv 1706。封装内插器1704还可以包括嵌入式装置1714，其包括无源和有源装置两者。这样的装置可以包括但不限于：电容器、去耦电容器、电阻器、电感器、熔断器、二极管、变压器、传感器、静电放电(esd)装置和存储器装置。还可以在封装内插器1704上形成更复杂的装置，例如射频装置、功率放大器、功率管理装置、天线、阵列、传感器和微机电系统(mems)装置。内插器上封装结构1736可以采取任何本领域中已知的内插器上封装结构的形式。在一些实施例中，封装内插器1704可以包括一个或多个微电子结构100和/或微电子组件150。
137.ic装置组件1700可以包括通过耦合部件1722耦合到电路板1702的第一面1740的ic封装1724。耦合部件1722可以采用上文参考耦合部件1716讨论的任何实施例的形式，并且ic封装1724可以采用上文参考ic封装1720讨论的任何实施例的形式。
138.图68中示出的ic装置组件1700包括通过耦合部件1728耦合到电路板1702的第二面1742的封装上封装结构1734。封装上封装结构1734可以包括通过耦合部件1730耦合在一起的ic封装1726和ic封装1732，使得ic封装1726设置在电路板1702与ic封装1732之间。耦合部件1728和1730可以采取上文讨论的耦合部件1716的任何实施例的形式，并且ic封装1726和1732可以采取上文讨论的ic封装1720的任何实施例的形式。可以根据本领域中已知的任何封装上封装结构来构造封装上封装结构1734。
139.图69是根据本文中所公开的任何实施例的可以包括一个或多个微电子结构100和/或微电子组件150的示例性电装置1800的框图。例如，电装置1800的部件中的任何适当的部件可以包括本文中所公开的微电子结构100、微电子组件150、ic装置组件1700、ic装置1600或管芯1502中的一个或多个。在图69中多个部件被示出为包括在电装置1800中，但是这些部件中的任何一个或多个部件可以被省略或复制，以适于应用。在一些实施例中，被包括在电装置1800中的一些或所有部件可以附接到一个或多个母板。在一些实施例中，可以将这些部件中的一些或所有部件制作到单一的片上系统(soc)管芯上。
140.另外，在各种实施例中，电装置1800可以不包括图69中所示的一个或多个部件，但是电装置1800可以包括用于耦合到一个或多个部件的接口电路系统。例如，电装置1800可以不包括显示装置1806，但是可以包括显示装置1806可以耦合到的显示装置接口电路系统(例如，连接器和驱动器电路系统)。在另一组示例中，电装置1800可以不包括音频输入装置1824或音频输出装置1808，但是可以包括音频输入装置1824或音频输出装置1808可以耦合到的音频输入或输出装置接口电路系统(例如，连接器和支持电路系统)。
141.电装置1800可以包括处理装置1802(例如，一个或多个处理装置)。如本文中所使
用的，术语“处理装置”或“处理器”可以指对来自寄存器和/或存储器的电子数据进行处理以将该电子数据转换成可以存储在寄存器和/或存储器中的其他电子数据的任何装置或装置的部分。处理装置1802可以包括一个或多个数字信号处理器(dsp)、专用集成电路(asic)、中央处理单元(cpu)、图形处理单元(gpu)、密码处理器(在硬件内执行密码算法的专用处理器)、服务器处理器或任何其他适当的处理装置。电装置1800可以包括存储器1804，存储器1804本身可以包括一个或多个存储器装置，例如易失性存储器(例如，动态随机存取存储器(dram))、非易失性存储器(例如，只读存储器(rom))、闪存存储器、固态存储器和/或硬盘驱动器。在一些实施例中，存储器1804可以包括与处理装置1802共享管芯的存储器。该存储器可以用作高速缓存存储器，并且可以包括嵌入式动态随机存取存储器(edram)或自旋转移矩磁性随机存取存储器(stt-mram)。
142.在一些实施例中，电装置1800可以包括通信芯片1812(例如，一个或多个通信芯片)。例如，通信芯片1812可以被配置用于管理向和从电装置1800传输数据的无线通信。术语“无线”及其派生词可以用于描述可以通过使用经调制的电磁辐射通过非固态介质来传送数据的电路、装置、系统、方法、技术、通信信道等。该术语不暗示相关联的装置不含有任何导线，尽管在一些实施例中它们可能不含有。
143.通信芯片1812可以实施多种无线标准或协议中的任何无线标准或协议，包括但不限于电气和电子工程师协会(ieee)标准，其包括wi-fi(ieee 802.11系列)、ieee 802.16标准(例如，ieee 802.16-2005修订版)、长期演进(lte)项目以及任何修订版、更新版和/或修正版(例如，高级lte项目、超移动宽带(umb)项目(也被称为“3gpp2”)等)。兼容ieee 802.16的宽带无线接入(bwa)网络一般被称为wimax网络，wimax是代表全球微波接入互操作性的首字母缩写词，是通过了针对ieee 802.16标准的一致性和互操作性测试的产品的认证标志。通信芯片1812可以根据全球移动通信系统(gsm)、通用分组无线电服务(gprs)、通用移动电信系统(umts)、高速分组接入(hspa)、演进型hspa(e-hspa)或lte网络进行操作。通信芯片1812可以根据gsm演进的增强数据(edge)、gsm edge无线电接入网(geran)、通用陆地无线电接入网(utran)或演进的utran(e-utran)进行操作。通信芯片1812可以根据码分多址(cdma)、时分多址(tdma)、数字增强无绳电信(dect)、演进数据优化(ev-do)及其衍生物以及任何其他被指定为3g、4g、5g和更高版本的无线协议进行操作。在其他实施例中，通信芯片1812可以根据其他无线协议进行操作。电装置1800可以包括天线1822以便于无线通信和/或接收其他无线通信(例如am或fm无线电传输)。
144.在一些实施例中，通信芯片1812可以管理有线通信，例如电、光或任何其他适当的通信协议(例如，以太网)。如上所述，通信芯片1812可以包括多个通信芯片。例如，第一通信芯片1812可以专用于较短程的无线通信，例如wi-fi或蓝牙，并且第二通信芯片1812可以专用于较长程的无线通信，例如全球定位系统(gps)、edge、gprs、cdma、wimax、lte、ev-do或者其他。在一些实施例中，第一通信芯片1812可以专用于无线通信，并且第二通信芯片1812可以专用于有线通信。
145.电装置1800可以包括电池/电源电路系统1814。电池/电源电路系统1814可以包括一个或多个能量存储装置(例如，电池或电容器)和/或用于将电装置1800的部件耦合到与电装置1800分离的能量源(例如，ac线路电源)的电路系统。
146.电装置1800可以包括显示装置1806(或如上文所讨论的对应的接口电路系统)。显
示装置1806可以包括任何视觉指示物，例如平视显示器、计算机监视器、投影仪、触摸屏显示器、液晶显示器(lcd)、发光二极管显示器或平板显示器。
147.电装置1800可以包括音频输出装置1808(或如上文所讨论的对应的接口电路系统)。音频输出装置1808可以包括生成听觉指示物的任何装置，例如扬声器、耳机或耳塞。
148.电装置1800可以包括音频输入装置1824(或如上文所讨论的对应的接口电路系统)。音频输入装置1824可以包括生成代表声音的信号的任何装置，例如麦克风、麦克风阵列或数字乐器(例如，具有音乐乐器数字接口(midi)输出的乐器)。
149.电装置1800可以包括gps装置1818(或如上文所讨论的对应的接口电路系统)。如本领域中已知的，gps装置1818可以与基于卫星的系统通信，并且可以接收电装置1800的位置。
150.电装置1800可以包括其他输出装置1810(或如上文所讨论的对应的接口电路系统)。其他输出装置1810的示例可以包括音频编码解码器、视频编码解码器、打印机、用于向其他装置提供信息的有线或无线发射器、或者额外的存储装置。
151.电装置1800可以包括其他输入装置1820(或如上文所讨论的对应的接口电路系统)。其他输入装置1820的示例可以包括加速度计、陀螺仪、罗盘、图像捕获装置、键盘、光标控制装置(例如鼠标、触控笔、触摸板)、条形码读取器、快速响应(qr)码读取器、任何传感器或射频识别(rfid)读取器。
152.电装置1800可以具有任何期望的形状因子，例如手持或移动电装置(例如，手机、智能电话、移动互联网装置、音乐播放器、平板计算机、笔记本计算机、上网本计算机、超级本计算机、个人数字助理(pda)、超级移动个人计算机等)、台式电装置、服务器装置或其他联网的计算部件、打印机、扫描仪、监视器、机顶盒、娱乐控制单元、车辆控制单元、数码相机、数码录像机或可穿戴电装置。在一些实施例中，电装置1800可以是处理数据的任何其他电子装置。
153.以下段落提供了本文所公开的实施例的各种示例。
154.示例a1是一种微电子组件，包括：基板，其在基板的面处具有第一导电接触部和第二导电接触部；第一微电子部件，其在第一微电子部件的面处具有第三导电接触部和第四导电接触部，其中，第三导电接触部耦合到第一导电接触部；第二微电子部件，其在第二微电子部件的面处具有第五导电接触部和第六导电接触部，其中，第五导电接触部耦合到第二导电接触部；以及桥接部件，其在桥接部件的面处具有第七导电接触部和第八导电接触部，其中，第四导电接触部耦合到第七导电接触部，第六导电接触部耦合到第八导电接触部，第七导电接触部具有比第一导电接触部更小的间距，并且第八导电接触部具有比第二导电接触部更小的间距；其中：微电子组件还包括位于第一微电子部件与第二微电子部件之间的第一电介质材料；第一电介质材料具有第一填料含量重量百分比；微电子组件还包括位于第一微电子部件与第二微电子部件之间的第二电介质材料；第二电介质材料位于第一电介质材料与基板之间；并且第二电介质材料具有不同于第一填料含量重量百分比的第二填料含量重量百分比。
155.示例a2包括示例a1的主题，并且还指定：第一填料含量重量百分比大于第二填料含量重量百分比。
156.示例a3包括示例a2的主题，并且还指定：第一填料含量重量百分比大于80重量百
分比。
157.示例a4包括示例a3的主题，并且还指定：第一填料含量重量百分比在80重量百分比与90重量百分比之间。
158.示例a5包括示例a2-a4中任何一项的主题，并且还指定：第二填料含量重量百分比小于80重量百分比。
159.示例a6包括示例a5的主题，并且还指定：第二填料含量重量百分比在65重量百分比与80重量百分比之间。
160.示例a7包括示例a5-a6中任何一项的主题，并且还包括：位于第一微电子部件与基板之间的第三电介质材料，其中，第三电介质材料具有第三填料含量重量百分比，并且第三填料含量重量百分比不同于第一填料含量重量百分比和第二填料含量重量百分比。
161.示例a8包括示例a7的主题，并且还指定：第三填料含量重量百分比小于65重量百分比。
162.示例a9包括示例a8的主题，并且还指定：第三填料含量重量百分比在50重量百分比与65重量百分比之间。
163.示例a10包括示例a7-a9中任何一项的主题，并且还指定：第三电介质材料是底部填充材料。
164.示例a11包括示例a7-a10中任何一项的主题，并且还指定：第二电介质材料是底部填充材料。
165.示例a12包括示例a7-a11中任何一项的主题，并且还指定：第一电介质材料是模制材料。
166.示例a13包括示例a2的主题，并且还指定：第一填料含量重量百分比大于65重量百分比。
167.示例a14包括示例a13的主题，并且还指定：第一填料含量重量百分比在65重量百分比与80重量百分比之间。
168.示例a15包括示例a13-a14中任何一项的主题，并且还指定：第二填料含量重量百分比小于65重量百分比。
169.示例a16包括示例a15的主题，并且还指定：第二填料含量重量百分比在50重量百分比与65重量百分比之间。
170.示例a17包括示例a13-a16中任何一项的主题，并且还指定：第二电介质材料在第一微电子部件与基板之间延伸。
171.示例a18包括示例a13-a17中任何一项的主题，并且还指定：第二电介质材料是底部填充材料。
172.示例a19包括示例a13-a18中任何一项的主题，并且还指定：第一电介质材料是底部填充材料。
173.示例a20包括示例a1的主题，并且还指定：第一填料含量重量百分比小于第二填料含量重量百分比。
174.示例a21包括示例a20的主题，并且还指定：第一填料含量重量百分比小于80重量百分比。
175.示例a22包括示例a21的主题，并且还指定：第一填料含量重量百分比在65重量百
分比与80重量百分比之间。
176.示例a23包括示例a21-a22中任何一项的主题，并且还指定：第二填料含量重量百分比大于80重量百分比。
177.示例a24包括示例a23的主题，并且还指定：第二填料含量重量百分比在80重量百分比与90重量百分比之间。
178.示例a25包括示例a20-a24中任何一项的主题，并且还指定：第二电介质材料在第一微电子部件与基板之间延伸。
179.示例a26包括示例a23-a25中任何一项的主题，并且还包括：位于第二电介质材料与基板之间的第三电介质材料，其中，第三电介质材料具有第三填料含量重量百分比，并且第三填料含量重量百分比不同于第一填料含量重量百分比和第二填料含量重量百分比。
180.示例a27包括示例a26的主题，并且还指定：第三填料含量重量百分比小于65重量百分比。
181.示例a28包括示例a27的主题，并且还指定：第三填料含量重量百分比在50重量百分比与65重量百分比之间。
182.示例a29包括示例a26-a28中任何一项的主题，并且还指定：第三电介质材料是底部填充材料。
183.示例a30包括示例a26-a29中任何一项的主题，并且还指定：第二电介质材料是模制材料。
184.示例a31包括示例a26-a30中任何一项的主题，并且还指定：第一电介质材料是底部填充材料。
185.示例a32包括示例a1-a31中任何一项的主题，并且还指定：桥接部件的面是第一面，桥接部件包括与第一面相对的第二面，桥接部件包括位于桥接部件的第二面处的第九导电接触部，基板包括位于基板的面处的第十导电接触部，并且第九导电接触部耦合到第十导电接触部。
186.示例a33包括示例a1-a32中任何一项的主题，并且还指定：基板包括有机电介质材料。
187.示例a34包括示例a1-a33中任何一项的主题，并且还指定：第一微电子部件包括图形处理器。
188.示例a35包括示例a1-a34中任何一项的主题，并且还指定：第二微电子部件包括服务器处理器。
189.示例a36包括示例a1-a35中任何一项的主题，并且还指定：微电子组件还包括支撑材料，第一微电子部件位于支撑材料与基板之间，并且第二微电子部件位于支撑材料与基板之间。
190.示例a37包括示例a36的主题，并且还指定：支撑材料具有在100微米与500微米之间的厚度。
191.示例a38包括示例a36-a37中任何一项的主题，并且还指定：支撑材料包括第一部分和第二部分，第一微电子部件位于第一部分与基板之间，第二微电子部件位于第二部分与基板之间，并且第一部分不接触第二部分。
192.示例a39包括示例a36-a38中任何一项的主题，并且还指定：支撑材料包括硅。
193.示例a40包括示例a36-a39中任何一项的主题，并且还指定：支撑材料包括金属。
194.示例a41包括示例a36-a40中任何一项的主题，并且还指定：支撑材料包括玻璃。
195.示例a42包括示例a36-a41中任何一项的主题，并且还包括：位于支撑材料与第一微电子部件之间的附接材料。
196.示例a43包括示例a42的主题，并且还指定：附接材料包括管芯附接膜。
197.示例a44包括示例a42-a43中任何一项的主题，并且还指定：附接材料包括焊料。
198.示例a45包括示例a42-a44中任何一项的主题，并且还指定：附接材料包括环氧树脂。
199.示例a46是一种微电子组件，包括：基板，其在基板的面处具有第一导电接触部和第二导电接触部；第一微电子部件，其在第一微电子部件的面处具有第三导电接触部和第四导电接触部，其中，第三导电接触部耦合到第一导电接触部；第二微电子部件，其在第二微电子部件的面处具有第五导电接触部和第六导电接触部，其中，第五导电接触部耦合到第二导电接触部；以及桥接部件，其在桥接部件的面处具有第七导电接触部和第八导电接触部，其中，第四导电接触部耦合到第七导电接触部，第六导电接触部耦合到第八导电接触部，第七导电接触部具有比第一导电接触部更小的间距，并且第八导电接触部具有比第二导电接触部更小的间距；其中：微电子组件还包括位于第一微电子部件与第二微电子部件之间的第一电介质材料；第一电介质材料具有小于80重量百分比的第一填料含量重量百分比；微电子组件还包括位于第一微电子部件与基板之间的第二电介质材料；并且第二电介质材料具有小于第一填料含量重量百分比的第二填料含量重量百分比。
200.示例a47包括示例a46的主题，并且还指定：第一填料含量重量百分比在80重量百分比与90重量百分比之间。
201.示例a48包括示例a46-a47中任何一项的主题，并且还指定：第二填料含量重量百分比小于80重量百分比。
202.示例a49包括示例a48的主题，并且还指定：第二填料含量重量百分比在65重量百分比与80重量百分比之间。
203.示例a50包括示例a46-a49中任何一项的主题，并且还指定：第二电介质材料是底部填充材料。
204.示例a51包括示例a46-a50中任何一项的主题，并且还指定：第一电介质材料是底部填充材料。
205.示例a52包括示例a46-a51中任何一项的主题，并且还指定：基板包括有机电介质材料。
206.示例a53包括示例a46-a52中任何一项的主题，并且还指定：第一微电子部件包括图形处理器。
207.示例a54包括示例a46-a53中任何一项的主题，并且还指定：第二微电子部件包括服务器处理器。
208.示例a55包括示例a46-a54中任何一项的主题，并且还指定：桥接部件的面是第一面，桥接部件包括与第一面相对的第二面，桥接部件包括位于桥接部件的第二面处的第九导电接触部，基板包括位于基板的面处的第十导电接触部，并且第九导电接触部耦合到第十导电接触部。
209.示例a56包括示例a46-a55中任何一项的主题，并且还指定：微电子组件还包括支撑材料，第一微电子部件位于支撑材料与基板之间，并且第二微电子部件位于支撑材料与基板之间。
210.示例a57包括示例a56的主题，并且还指定：支撑材料具有在100微米与500微米之间的厚度。
211.示例a58包括示例a56-a57中任何一项的主题，并且还指定支撑材料包括第一部分和第二部分，第一微电子部件位于第一部分与基板之间，第二微电子部件位于第二部分与基板之间，并且第一部分不接触第二部分。
212.示例a59包括示例a56-a58中任何一项的主题，并且还指定：支撑材料包括硅。
213.示例a60包括示例a56-a59中任何一项的主题，并且还指定：支撑材料包括金属。
214.示例a61包括示例a56-a60中任何一项的主题，并且还指定：支撑材料包括玻璃。
215.示例a62包括示例a56-a61中任何一项的主题，并且还包括位于支撑材料与第一微电子部件之间的附接材料。
216.示例a63包括示例a62的主题，并且还指定：附接材料包括管芯附接膜。
217.示例a64包括示例a62-a63中任何一项的主题，并且还指定：附接材料包括焊料。
218.示例a65包括示例a62-a64中任何一项的主题，并且还指定：附接材料包括环氧树脂。
219.示例a66是一种微电子组件，包括：基板，其在基板的面处具有第一导电接触部和第二导电接触部；第一微电子部件，其在第一微电子部件的面处具有第三导电接触部和第四导电接触部，其中，第三导电接触部耦合到第一导电接触部；第二微电子部件，其在第二微电子部件的面处具有第五导电接触部和第六导电接触部，其中，第五导电接触部耦合到第二导电接触部；以及桥接部件，其在桥接部件的面处具有第七导电接触部和第八导电接触部，其中，第四导电接触部耦合到第七导电接触部，第六导电接触部耦合到第八导电接触部，第七导电接触部具有比第一导电接触部更小的间距，并且第八导电接触部具有比第二导电接触部更小的间距；其中：微电子组件还包括位于第一微电子部件与第二微电子部件之间的电介质材料；并且电介质材料具有在65重量百分比和80重量百分比之间的填料含量重量百分比。
220.示例a67包括示例a66的主题，并且还指定：电介质材料是第一电介质材料；填料含量重量百分比是第一填料含量重量百分比；微电子组件还包括位于第一微电子部件与第二微电子部件之间的第二电介质材料；第一电介质材料位于第二电介质材料与基板之间；并且第二电介质材料具有不同于第一填料含量重量百分比的第二填料含量重量百分比。
221.示例a68包括示例a67的主题，并且还指定：第二填料含量重量百分比大于第一填料含量重量百分比。
222.示例a69包括示例a68的主题，并且还指定：第二填料含量重量百分比大于80重量百分比。
223.示例a70包括示例a69的主题，并且还指定：第二填料含量重量百分比在80重量百分比与90重量百分比之间。
224.示例a71包括示例a67-a70中任何一项的主题，并且还包括：位于第一微电子部件与基板之间的第三电介质材料，其中，第三电介质材料具有第三填料含量重量百分比，并且
第三填料含量重量百分比不同于第一填料含量重量百分比和第二填料含量重量百分比。
225.示例a72包括示例a71的主题，并且还指定：第三填料含量重量百分比小于65重量百分比。
226.示例a73包括示例a72的主题，并且还指定：第三填料含量重量百分比在50重量百分比与65重量百分比之间。
227.示例a74包括示例a71-a73中任何一项的主题，并且还指定：第三电介质材料是底部填充材料。
228.示例a75包括示例a71-a74中任何一项的主题，并且还指定：第二电介质材料是底部填充材料。
229.示例a76包括示例a71-a75中任何一项的主题，并且还指定：第一电介质材料是模制材料。
230.示例a77包括示例a76的主题，并且还指定：电介质材料是第一电介质材料；填料含量重量百分比是第一填料含量重量百分比；微电子组件还包括位于第一微电子部件与第二微电子部件之间的第二电介质材料；第二电介质材料位于第一电介质材料与基板之间；并且第二电介质材料具有不同于第一填料含量重量百分比的第二填料含量重量百分比。
231.示例a78包括示例a77的主题，并且还指定：第二填料含量重量百分比小于第一填料含量重量百分比。
232.示例a79包括示例a78的主题，并且还指定：第二填料含量重量百分比小于65重量百分比。
233.示例a80包括示例a79的主题，并且还指定：第二填料含量重量百分比在50重量百分比与65重量百分比之间。
234.示例a81包括示例a78-a80中任何一项的主题，并且还指定：第二电介质材料在第一微电子部件与基板之间延伸。
235.示例a82包括示例a78-a81中任何一项的主题，并且还指定：第二电介质材料是底部填充材料。
236.示例a83包括示例a78-a82中任何一项的主题，并且还指定：第一电介质材料是底部填充材料。
237.示例a84包括示例a77的主题，并且还指定：第二填料含量重量百分比大于第一填料含量重量百分比。
238.示例a85包括示例a84的主题，并且还指定：第二填料含量重量百分比大于80重量百分比。
239.示例a86包括示例a85的主题，并且还指定：第二填料含量重量百分比在80重量百分比与90重量百分比之间。
240.示例a87包括示例a84-a86中任何一项的主题，并且还指定：第二电介质材料在第一微电子部件与基板之间延伸。
241.示例a88包括示例a84-a87中任何一项的主题，并且还包括：位于第二电介质材料与基板之间的第三电介质材料，其中，第三电介质材料具有第三填料含量重量百分比，并且第三填料含量重量百分比不同于第一填料含量重量百分比和第二填料含量重量百分比。
242.示例a89包括示例a88的主题，并且还指定：第三填料含量重量百分比小于65重量
百分比。
243.示例a90包括示例a89的主题，并且还指定：第三填料含量重量百分比在50重量百分比与65重量百分比之间。
244.示例a91包括示例a88-a90中任何一项的主题，并且还指定：第三电介质材料是底部填充材料。
245.示例a92包括示例a88-a91中任何一项的主题，并且还指定：第二电介质材料是模制材料。
246.示例a93包括示例a88-a92中任何一项的主题，并且还指定：第一电介质材料是底部填充材料。
247.示例a94包括示例a66-a93中任何一项的主题，并且还指定：桥接部件的面是第一面，桥接部件包括与第一面相对的第二面，桥接部件包括位于桥接部件的第二面处的第九导电接触部，基板包括位于基板的面处的第十导电接触部，并且第九导电接触部耦合到第十导电接触部。
248.示例a95包括示例a66-a94中任何一项的主题，并且还指定：基板包括有机电介质材料。
249.示例a96包括示例a66-a95中任何一项的主题，并且还指定：第一微电子部件包括图形处理器。
250.示例a97包括示例a66-a96中任何一项的主题，并且还指定：第二微电子部件包括服务器处理器。
251.示例a98包括示例a66-a97中任何一项的主题，并且还指定：微电子组件还包括支撑材料，第一微电子部件位于支撑材料与基板之间，并且第二微电子部件位于支撑材料与基板之间。
252.示例a99包括示例a98的主题，并且还指定：支撑材料具有在100微米与500微米之间的厚度。
253.示例a100包括示例a98-a99中任何一项的主题，并且还指定：支撑材料包括第一部分和第二部分，第一微电子部件位于第一部分与基板之间，第二微电子部件位于第二部分与基板之间，并且第一部分不接触第二部分。
254.示例a101包括示例a98-a100中任何一项的主题，并且还指定：支撑材料包括硅。
255.示例a102包括示例a98-a101中任何一项的主题，并且还指定：支撑材料包括金属。
256.示例a103包括示例a98-a102中任何一项的主题，并且还指定：支撑材料包括玻璃。
257.示例a104包括示例a98-a103中任何一项的主题，并且还包括：位于支撑材料与第一微电子部件之间的附接材料。
258.示例a105包括示例a104的主题，并且还指定：附接材料包括管芯附接膜。
259.示例a106包括示例a104-a105中任何一项的主题，并且还指定：附接材料包括焊料。
260.示例a107包括示例a104-a106中任何一项的主题，并且还指定：附接材料包括环氧树脂。
261.示例a108是一种电子装置，包括：电路板；以及导电地耦合到电路板的微电子组件，其中，微电子组件包括示例a1-a107中任何一项的微电子组件中的任何微电子组件。
262.示例a109包括示例a108的主题，并且还指定：电子装置是手持计算装置、膝上型计算装置、可穿戴计算装置或服务器计算装置。
263.示例a110包括示例a108-a109中任何一项的主题，并且还指定：电路板是母板。
264.示例a111包括示例a108-a110中任何一项的主题，并且还包括：通信地耦合到电路板的显示器。
265.示例a112包括示例a111的主题，并且还指定：显示器包括触摸屏显示器。
266.示例a113包括示例a108-a112中任何一项的主题，并且还包括：围绕电路板和微电子组件的外壳。
267.示例b1是一种微电子组件，包括：基板，其在基板的面处具有第一导电接触部和第二导电接触部；第一微电子部件，其在第一微电子部件的面处具有第三导电接触部和第四导电接触部，其中，第三导电接触部耦合到第一导电接触部；第二微电子部件，其在第二微电子部件的面处具有第五导电接触部和第六导电接触部，其中，第五导电接触部耦合到第二导电接触部；以及桥接部件，其在桥接部件的面处具有第七导电接触部和第八导电接触部，其中，第四导电接触部耦合到第七导电接触部，第六导电接触部耦合到第八导电接触部，第七导电接触部具有比第一导电接触部更小的间距，并且第八导电接触部具有比第二导电接触部更小的间距；其中：微电子组件还包括支撑材料，第一微电子部件位于支撑材料与基板之间，并且第二微电子部件位于支撑材料与基板之间；第三导电接触部通过互连耦合到第一导电接触部；并且单个互连包括至少一个导电柱以及位于相关联的单个第三导电接触部与相关联的单个第一导电接触部之间的单一的焊料区域。
268.示例b2包括示例b1的主题，并且还指定：单个互连的焊料区域更靠近基板，而不是更靠近第一微电子部件。
269.示例b3包括示例b2的主题，并且还指定：单个互连的焊料区域位于相关联的单个第一导电接触部与至少一个导电柱之间。
270.示例b4包括示例b2的主题，并且还指定：单个互连的焊料区域接触相关联的单个第一导电接触部。
271.示例b5包括示例b1的主题，并且还指定：单个互连的焊料区域更靠近第一微电子部件，而不是更靠近基板。
272.示例b6包括示例b5的主题，并且还指定：单个互连的焊料区域位于相关联的单个第三导电接触部与至少一个导电柱之间。
273.示例b7包括示例b6的主题，并且还指定：单个互连的焊料区域接触相关联的单个第三导电接触部。
274.示例b8包括示例b1-b7中任何一项的主题，并且还包括：电介质材料，其中，电介质材料在基板与第一微电子部件之间延伸。
275.示例b9包括示例b8的主题，并且还指定：电介质材料在第一微电子部件与第二微电子部件之间延伸。
276.示例b10包括示例b8-b9中任何一项的主题，并且还指定：电介质材料在基板和桥接部件之间延伸。
277.示例b11包括示例b8-b10中任何一项的主题，并且还指定：电介质材料在第一微电子部件和桥接部件之间延伸。
278.示例b12包括示例b8-b11中任何一项的主题，并且还指定：电介质材料在基板与支撑材料之间延伸。
279.示例b13包括示例b8-b12中任何一项的主题，并且还指定：电介质材料具有小于80重量百分比的填料含量重量百分比。
280.示例b14包括示例b8-b12中任何一项的主题，并且还指定：电介质材料具有小于65重量百分比的填料含量重量百分比。
281.示例b15包括示例b8-b14中任何一项的主题，并且还指定：电介质材料具有成角度的侧面。
282.示例b16包括示例b1-b15中任何一项的主题，并且还指定：至少一个导电柱包括两个或更多个导电柱。
283.示例b17包括示例b16的主题，并且还指定：单个互连的焊料区域位于单个互连的导电柱之间。
284.示例b18包括示例b1-b17中任何一项的主题，并且还指定：桥接部件的面是第一面，桥接部件包括与第一面相对的第二面，桥接部件包括位于桥接部件的第二面处的第九导电接触部，基板包括位于基板的面处的第十导电接触部，并且第九导电接触部耦合到第十导电接触部。
285.示例b19包括示例b1-b18中任何一项的主题，并且还指定：基板包括有机电介质材料。
286.示例b20包括示例b1-b19中任何一项的主题，并且还指定：第一微电子部件包括图形处理器。
287.示例b21包括示例b1-20中任何一项的主题，并且还指定：第二微电子部件包括服务器处理器。
288.示例b22包括示例b1-b21中任何一项的主题，并且还指定：支撑材料具有在100微米与500微米之间的厚度。
289.示例b23包括示例b1-b22中任何一项的主题，并且还指定：支撑材料包括第一部分和第二部分，第一微电子部件位于第一部分与基板之间，第二微电子部件位于第二部分与基板之间，并且第一部分不接触第二部分。
290.示例b24包括示例b1-b23中任何一项的主题，并且还指定：支撑材料包括硅。
291.示例b25包括示例b1-b24中任何一项的主题，并且还指定：支撑材料包括金属。
292.示例b26包括示例b1-b25中任何一项的主题，并且还指定：支撑材料包括玻璃。
293.示例b27包括示例b1-b26中任何一项的主题，并且还包括：位于支撑材料与第一微电子部件之间的附接材料。
294.示例b28包括示例b27的主题，并且还指定：附接材料包括管芯附接膜。
295.示例b29包括示例b27-b28中任何一项的主题，并且还指定：附接材料包括焊料。
296.示例b30包括示例b27-b29中任何一项的主题，并且还指定：附接材料包括环氧树脂。
297.示例b31是一种微电子组件，包括：基板，其在基板的面处具有第一导电接触部和第二导电接触部；第一微电子部件，其在第一微电子部件的面处具有第三导电接触部和第四导电接触部，其中，第三导电接触部耦合到第一导电接触部；第二微电子部件，其在第二
微电子部件的面处具有第五导电接触部和第六导电接触部，其中，第五导电接触部耦合到第二导电接触部；以及桥接部件，其在桥接部件的面处具有第七导电接触部和第八导电接触部，其中，第四导电接触部耦合到第七导电接触部，第六导电接触部耦合到第八导电接触部，第七导电接触部具有比第一导电接触部更小的间距，并且第八导电接触部具有比第二导电接触部更小的间距；其中：电介质材料，其中，电介质材料在基板与第一微电子部件之间延伸；第三导电接触部通过互连耦合到第一导电接触部；并且单个互连包括至少一个导电柱以及位于相关联的单个第三导电接触部与相关联的单个第一导电接触部之间的单一的焊料区域。
298.示例b32包括示例b31的主题，并且还指定：单个互连的焊料区域更靠近基板，而不是更靠近第一微电子部件。
299.示例b33包括示例b32的主题，并且还指定：单个互连的焊料区域位于相关联的单个第一导电接触部与至少一个导电柱之间。
300.示例b34包括示例b32的主题，并且还指定：单个互连的焊料区域接触相关联的单个第一导电接触部。
301.示例b35包括示例b31的主题，并且还指定：单个互连的焊料区域更靠近第一微电子部件，而不是更靠近基板。
302.示例b36包括示例b35的主题，并且还指定：单个互连的焊料区域位于相关联的单个第三导电接触部与至少一个导电柱之间。
303.示例b37包括示例b36的主题，并且还指定：单个互连的焊料区域接触相关联的单个第三导电接触部。
304.示例b38包括示例b31-b37中任何一项的主题，并且还指定：电介质材料在第一微电子部件与第二微电子部件之间延伸。
305.示例b39包括示例b31-b38中任何一项的主题，并且还指定：电介质材料在基板与桥接部件之间延伸。
306.示例b40包括示例b31-b39中任何一项的主题，并且还指定：电介质材料在第一微电子部件与桥接部件之间延伸。
307.示例b41包括示例b31-b40中任何一项的主题，并且还指定：电介质材料具有小于80重量百分比的填料含量重量百分比。
308.示例b42包括示例b31-b41中任何一项的主题，并且还指定：电介质材料具有小于65重量百分比的填料含量重量百分比。
309.示例b43包括示例b31-b42中任何一项的主题，并且还指定：电介质材料具有成角度的侧面。
310.示例b44包括示例b31-b43中任何一项的主题，并且还指定：至少一个导电柱包括两个或更多个导电柱。
311.示例b45包括示例b44的主题，并且还指定：单个互连的焊料区域位于单个互连的导电柱之间。
312.示例b46包括示例b31-b45中任何一项的主题，并且还指定：桥接部件的面是第一面，桥接部件包括与第一面相对的第二面，桥接部件包括位于桥接部件的第二面处的第九导电接触部，基板包括位于基板的面处的第十导电接触部，并且第九导电接触部耦合到第
十导电接触部。
313.示例b47包括示例b31-b46中任何一项的主题，并且还指定：基板包括有机电介质材料。
314.示例b48包括示例b31-b47中任何一项的主题，并且还指定：第一微电子部件包括图形处理器。
315.示例b49包括示例b31-b48中任何一项的主题，并且还指定：第二微电子部件包括服务器处理器。
316.示例b50包括示例b31-b49中任何一项的主题，并且还指定：微电子组件还包括支撑材料，第一微电子部件位于支撑材料与基板之间，并且第二微电子部件位于支撑材料与基板之间。
317.示例b51包括示例b50的主题，并且还指定：电介质材料在基板与支撑材料之间延伸。
318.示例b52包括示例b50-b51中任何一项的主题，并且还指定：支撑材料具有在100微米与500微米之间的厚度。
319.示例b53包括示例b50-b52中任何一项的主题，并且还指定：支撑材料包括第一部分和第二部分，第一微电子部件位于第一部分与基板之间，第二微电子部件位于第二部分与基板之间，并且第一部分不接触第二部分。
320.示例b54包括示例b50-b53中任何一项的主题，并且还指定：支撑材料包括硅。
321.示例b55包括示例b50-b54中任何一项的主题，并且还指定：支撑材料包括金属。
322.示例b56包括示例b50-b55中任何一项的主题，并且还指定：支撑材料包括玻璃。
323.示例b57包括示例b50-b56中任何一项的主题，并且还包括：位于支撑材料与第一微电子部件之间的附接材料。
324.示例b58包括示例b57的主题，并且还指定：附接材料包括管芯附接膜。
325.示例b59包括示例b57-b58中任何一项的主题，并且还指定：附接材料包括焊料。
326.示例b60包括示例b57-b59中任何一项的主题，并且还指定：附接材料包括环氧树脂。
327.示例b61是一种微电子组件，包括：基板，其在基板的面处具有第一导电接触部和第二导电接触部；第一微电子部件，其在第一微电子部件的面处具有第三导电接触部和第四导电接触部，其中，第三导电接触部耦合到第一导电接触部；第二微电子部件，其在第二微电子部件的面处具有第五导电接触部和第六导电接触部，其中，第五导电接触部耦合到第二导电接触部；以及桥接部件，其在桥接部件的面处具有第七导电接触部和第八导电接触部，其中，第四导电接触部耦合到第七导电接触部，第六导电接触部耦合到第八导电接触部，第七导电接触部具有比第一导电接触部更小的间距，并且第八导电接触部具有比第二导电接触部更小的间距；其中：第三导电接触部通过互连耦合到第一导电接触部；并且单个互连包括至少一个导电柱以及位于相关联的单个第三导电接触部与相关联的单个第一导电接触部之间的单一的焊料区域。
328.示例b62包括示例b61的主题，并且还指定：单个互连的焊料区域更靠近基板，而不是更靠近第一微电子部件。
329.示例b63包括示例b62的主题，并且还指定：单个互连的焊料区域位于相关联的单
个第一导电接触部与至少一个导电柱之间。
330.示例b64包括示例b62的主题，并且还指定：单个互连的焊料区域接触相关联的单个第一导电接触部。
331.示例b65包括示例b61的主题，并且还指定：单个互连的焊料区域更靠近第一微电子部件，而不是更靠近基板。
332.示例b66包括示例b65的主题，并且还指定：单个互连的焊料区域位于相关联的单个第三导电接触部与至少一个导电柱之间。
333.示例b67包括示例b66的主题，并且还指定：单个互连的焊料区域接触相关联的单个第三导电接触部。
334.示例b68包括示例b61-b67中任何一项的主题，并且还包括：电介质材料，其中，电介质材料在基板与第一微电子部件之间延伸。
335.示例b69包括示例b68的主题，并且还指定：电介质材料在第一微电子部件和第二微电子部件之间延伸。
336.示例b70包括示例b68-b69中任何一项的主题，并且还指定：电介质材料在基板与桥接部件之间延伸。
337.示例b71包括示例b68-b70中任何一项的主题，并且还指定：电介质材料在第一微电子部件与桥接部件之间延伸。
338.示例b72包括示例b68-b71中任何一项的主题，并且还指定：电介质材料具有小于80重量百分比的填料含量重量百分比。
339.示例b73包括示例b68-b71中任何一项的主题，并且还指定：电介质材料具有小于65重量百分比的填料含量重量百分比。
340.示例b74包括示例b68-b73中任何一项的主题，并且还指定：电介质材料具有成角度的侧面。
341.示例b75包括示例b61-b74中任何一项的主题，并且还指定：至少一个导电柱包括两个或更多个导电柱。
342.示例b76包括示例b75的主题，并且还指定：单个互连的焊料区域位于单个互连的导电柱之间。
343.示例b77包括示例b61-b76中任何一项的主题，并且还指定：桥接部件的面是第一面，桥接部件包括与第一面相对的第二面，桥接部件包括位于桥接部件的第二面处的第九导电接触部，基板包括位于基板的面处的第十导电接触部，并且第九导电接触部耦合到第十导电接触部。
344.示例b78包括示例b61-b77中任何一项的主题，并且还指定：基板包括有机电介质材料。
345.示例b79包括示例b61-b78中任何一项的主题，并且还指定第一微电子部件包括图形处理器。
346.示例b80包括示例b61-b79中任何一项的主题，并且还指定：第二微电子部件包括服务器处理器。
347.示例b81包括示例b61-b80中任何一项的主题，并且还指定：微电子组件还包括支撑材料，第一微电子部件位于支撑材料与基板之间，并且第二微电子部件位于支撑材料与
基板之间。
348.示例b82包括示例b81的主题，并且还指定：支撑材料具有在100微米与500微米之间的厚度。
349.示例b83包括示例b81-b82中任何一项的主题，并且还指定：支撑材料包括第一部分和第二部分，第一微电子部件位于第一部分与基板之间，第二微电子部件位于第二部分与基板之间，并且第一部分不接触第二部分。
350.示例b84包括示例b61-b83中任何一项的主题，并且还指定：支撑材料包括硅。
351.示例b85包括示例b61-b84中任何一项的主题，并且还指定：支撑材料包括金属。
352.示例b86包括示例b61-b85中任何一项的主题，并且还指定：支撑材料包括玻璃。
353.示例b87包括示例b61-b86中任何一项的主题，并且还包括：位于支撑材料与第一微电子部件之间的附接材料。
354.示例b88包括示例b87的主题，并且还指定：附接材料包括管芯附接膜。
355.示例b89包括示例b87-b88中任何一项的主题，并且还指定：附接材料包括焊料。
356.示例b90包括示例b87-b89中任何一项的主题，并且还指定：附接材料包括环氧树脂。
357.示例b91是一种电子装置，包括：电路板；以及微电子组件，其导电地耦合到电路板，其中，微电子组件包括示例b1-b90中任何一项的微电子组件中的任何微电子组件。
358.示例b92包括示例b91的主题，并且还指定：电子装置是手持计算装置、膝上型计算装置、可穿戴计算装置或服务器计算装置。
359.示例b93包括示例b91-b92中任何一项的主题，并且还指定：电路板是母板。
360.示例b94包括示例b91-b93中任何一项的主题，并且还包括：通信地耦合到电路板的显示器。
361.示例b95包括示例b94的主题，并且还指定：显示器包括触摸屏显示器。
362.示例b96包括示例b91-b95中任何一项的主题，并且还包括：围绕电路板和微电子组件的外壳。
363.示例c1是一种微电子组件，包括：基板，其在基板的面处具有第一导电接触部和第二导电接触部；第一微电子部件，其在第一微电子部件的面处具有第三导电接触部和第四导电接触部，其中，第三导电接触部耦合到第一导电接触部；第二微电子部件，其在第二微电子部件的面处具有第五导电接触部和第六导电接触部，其中，第五导电接触部耦合到第二导电接触部；以及桥接部件，其在桥接部件的面处具有第七导电接触部和第八导电接触部，其中，第四导电接触部耦合到第七导电接触部，第六导电接触部耦合到第八导电接触部，第七导电接触部具有比第一导电接触部更小的间距，并且第八导电接触部具有比第二导电接触部更小的间距；其中：第三导电接触部通过互连耦合到第一导电接触部；单个互连包括与相关联的单个第三导电接触部接触的至少一个导电柱以及位于至少一个导电柱和相关联的单个第一导电接触部之间的单一的焊料区域；以及电介质材料，其位于基板与第一微电子部件之间。
364.示例c2包括示例c1的主题，并且还指定：至少一个导电柱包括多个导电柱的堆叠体。
365.示例c3包括示例c2的主题，并且还指定：堆叠体中的第一导电柱的直径小于堆叠
体中的第二导电柱的直径，并且第一导电柱位于第二导电柱与基板之间。
366.示例c4包括示例c2-c3中任何一项的主题，并且还指定：多个导电柱的堆叠体具有阶梯式轮廓。
367.示例c5包括示例c1-c4中任何一项的主题，并且还指定：第一微电子部件和第二微电子部件具有成角度的侧面。
368.示例c6包括示例c1-c5中任何一项的主题，并且还指定：第一微电子部件的面是第一面，第一微电子部件具有与第一面相对的第二面，并且第一微电子部件在第二面处比在第一面处宽。
369.示例c7包括示例c1-c6中任何一项的主题，并且还指定：电介质材料具有大于80重量百分比的填料含量重量百分比。
370.示例c8包括示例c7的主题，并且还指定：电介质材料具有在80重量百分比与90重量百分比之间的填料含量重量百分比。
371.示例c9包括示例c1-c8中任何一项的主题，并且还指定：电介质材料在第一微电子部件与第二微电子部件之间延伸。
372.示例c10包括示例c1-c9中任何一项的主题，并且还指定：电介质材料在基板与桥接部件之间延伸。
373.示例c11包括示例c1-c10中任何一项的主题，并且还指定：电介质材料在第一微电子部件与桥接部件之间延伸。
374.示例c12包括示例c1-c11中任何一项的主题，并且还指定：电介质材料是第一电介质材料，并且微电子组件还包括具有不同于第一电介质材料的材料成分的材料成分的第二电介质材料，其中，第二电介质材料位于第一微电子部件与第二微电子部件之间。
375.示例c13包括示例c12的主题，并且还指定：第一电介质材料位于第二电介质材料与基板之间。
376.示例c14包括示例c12-c13中任何一项的主题，并且还指定：第二电介质材料围绕第一微电子部件和第二微电子部件的侧面延伸。
377.示例c15包括示例c14的主题，并且还指定：围绕第一微电子部件和第二微电子部件的侧面延伸的第二电介质材料的一部分具有成角度的侧面。
378.示例c16包括示例c12-c15中任何一项的主题，并且还指定：第二电介质材料具有小于第一电介质材料的填料含量重量百分比的填料含量重量百分比。
379.示例c17包括示例c12-c16中任何一项的主题，并且还指定：第二电介质材料具有小于80重量百分比的填料含量重量百分比。
380.示例c18包括示例c17的主题，并且还指定：第二电介质材料具有在65重量百分比与80重量百分比之间的填料含量重量百分比。
381.示例c19包括示例c1-c17中任何一项的主题，并且还指定：桥接部件的面是第一面，桥接部件包括与第一面相对的第二面，桥接部件包括位于桥接部件的第二面处的第九导电接触部，基板包括位于基板的面处的第十导电接触部，并且第九导电接触部耦合到第十导电接触部。
382.示例c20包括示例c1-c18中任何一项的主题，并且还指定：基板包括有机电介质材料。
383.示例c21包括示例c1-c19中任何一项的主题，并且还指定：第一微电子部件包括图形处理器。
384.示例c22包括示例c1-c20中任何一项的主题，并且还指定：第二微电子部件包括服务器处理器。
385.示例c23是一种微电子组件，包括：基板，其在基板的面处具有第一导电接触部和第二导电接触部；第一微电子部件，其在第一微电子部件的面处具有第三导电接触部和第四导电接触部，其中，第三导电接触部耦合到第一导电接触部；第二微电子部件，其在第二微电子部件的面处具有第五导电接触部和第六导电接触部，其中，第五导电接触部耦合到第二导电接触部；以及桥接部件，其在桥接部件的面处具有第七导电接触部和第八导电接触部，其中，第四导电接触部耦合到第七导电接触部，第六导电接触部耦合到第八导电接触部，第七导电接触部具有比第一导电接触部更小的间距，并且第八导电接触部具有比第二导电接触部更小的间距；其中：第三导电接触部通过互连耦合到第一导电接触部；单个互连包括与相关联的单个第三导电接触部接触的至少一个导电柱以及位于至少一个导电柱与相关联的单个第一导电接触部之间的单一的焊料区域；并且第一微电子部件和第二微电子部件具有成角度的侧面。
386.示例c24包括示例c23的主题，并且还指定：至少一个导电柱包括多个导电柱的堆叠体。
387.示例c25包括示例c24的主题，并且还指定：堆叠体中的第一导电柱的直径小于堆叠体中的第二导电柱的直径，并且第一导电柱位于第二导电柱与基板之间。
388.示例c26包括示例c24-c25中任何一项的主题，并且还指定：多个导电柱的堆叠体具有阶梯式轮廓。
389.示例c27包括示例c23-c26中任何一项的主题，并且还指定：第一微电子部件的面是第一面，第一微电子部件具有与第一面相对的第二面，并且第一微电子部件在第二面处比在第一面处宽。
390.示例c28包括示例c23-c27中任何一项的主题，并且还包括：位于基板与第一微电子部件之间的电介质材料。
391.示例c29包括示例c23-c28中任何一项的主题，并且还指定：电介质材料具有大于80重量百分比的填料含量重量百分比。
392.示例c30包括示例c29的主题，并且还指定：电介质材料具有在80重量百分比与90重量百分比之间的填料含量重量百分比。
393.示例c31包括示例c23-c30中任何一项的主题，并且还指定：电介质材料在第一微电子部件与第二微电子部件之间延伸。
394.示例c32包括示例c23-c31中任何一项的主题，并且还指定：电介质材料在基板与桥接部件之间延伸。
395.示例c33包括示例c23-c32中任何一项的主题，并且还指定：电介质材料在第一微电子部件与桥接部件之间延伸。
396.示例c34包括示例c23-c33中任何一项的主题，并且还指定：电介质材料是第一电介质材料，并且微电子组件还包括具有不同于第一电介质材料的材料成分的材料成分的第二电介质材料，其中，第二电介质材料位于第一微电子部件与第二微电子部件之间。
397.示例c35包括示例c34的主题，并且还指定：第一电介质材料位于第二电介质材料与基板之间。
398.示例c36包括示例c34-c35中任何一项的主题，并且还指定：第二电介质材料围绕第一微电子部件和第二微电子部件的侧面延伸。
399.示例c37包括示例c36的主题，并且还指定：围绕第一微电子部件和第二微电子部件的侧面延伸的第二电介质材料的一部分具有成角度的侧面。
400.示例c38包括示例c34-c37中任何一项的主题，并且还指定：第二电介质材料具有小于第一电介质材料的填料含量重量百分比的填料含量重量百分比。
401.示例c39包括示例c34-c38中任何一项的主题，并且还指定：第二电介质材料具有小于80重量百分比的填料含量重量百分比。
402.示例c40包括示例c39的主题，并且还指定：第二电介质材料具有在65重量百分比与80重量百分比之间的填料含量重量百分比。
403.示例c41包括示例c23-c40中任何一项的主题，并且还指定：桥接部件的面是第一面，桥接部件包括与第一面相对的第二面，桥接部件包括位于桥接部件的第二面处的第九导电接触部，基板包括位于基板的面处的第十导电接触部，并且第九导电接触部耦合到第十导电接触部。
404.示例c42包括示例c23-c41中任何一项的主题，并且还指定：基板包括有机电介质材料。
405.示例c43包括示例c23-c42中任何一项的主题，并且还指定：第一微电子部件包括图形处理器。
406.示例c44包括示例c23-c43中任何一项的主题，并且还指定：第二微电子部件包括服务器处理器。
407.示例c45是一种微电子组件，包括：基板，其在基板的面处具有第一导电接触部和第二导电接触部；第一微电子部件，其在第一微电子部件的面处具有第三导电接触部和第四导电接触部，其中，第三导电接触部耦合到第一导电接触部；第二微电子部件，其在第二微电子部件的面处具有第五导电接触部和第六导电接触部，其中，第五导电接触部耦合到第二导电接触部；以及桥接部件，其在桥接部件的面处具有第七导电接触部和第八导电接触部，其中，第四导电接触部耦合到第七导电接触部，第六导电接触部耦合到第八导电接触部，第七导电接触部具有比第一导电接触部更小的间距，并且第八导电接触部具有比第二导电接触部更小的间距；其中：第三导电接触部通过互连耦合到第一导电接触部；单个互连包括与相关联的单个第三导电接触部接触的至少一个导电柱以及位于至少一个导电柱与相关联的单个第一导电接触部之间的单一的焊料区域；并且电介质材料围绕第一微电子部件和第二微电子部件的侧面延伸，并且电介质材料具有成角度的侧面。
408.示例c46包括示例c45的主题，并且还指定至少一个导电柱包括多个导电柱的堆叠体。
409.示例c47包括示例c46的主题，并且还指定：堆叠体中的第一导电柱的直径小于堆叠体中的第二导电柱的直径，并且第一导电柱位于第二导电柱与基板之间。
410.示例c48包括示例c46-c47中任何一项的主题，并且还指定：多个导电柱的堆叠体具有阶梯式轮廓。
411.示例c49包括示例c45-c48中任何一项的主题，并且还指定：第一微电子部件和第二微电子部件具有成角度的侧面。
412.示例c50包括示例c45-c49中任何一项的主题，并且还指定：第一微电子部件的面是第一面，第一微电子部件具有与第一面相对的第二面，并且第一微电子部件在第二面处比在第一面处宽。
413.示例c51包括示例c45-c50中任何一项的主题，并且还指定：电介质材料具有小于80重量百分比的填料含量重量百分比。
414.示例c52包括示例c51的主题，并且还指定：电介质材料具有在65重量百分比与80重量百分比之间的填料含量重量百分比。
415.示例c53包括示例c45-c52中任何一项的主题，并且还指定：电介质材料是第一电介质材料，并且微电子组件还包括：具有不同于第一电介质材料的材料成分的材料成分的第二电介质材料，其中，第二电介质材料位于第一微电子部件和第二微电子部件之间。
416.示例c54包括示例c53的主题，并且还指定：第二电介质材料位于第一电介质材料和基板之间。
417.示例c55包括示例c53-c54中任何一项的主题，并且还指定：第二电介质材料具有大于第一电介质材料的填料含量重量百分比的填料含量重量百分比。
418.示例c56包括示例c53-c55中任何一项的主题，并且还指定：第二电介质材料具有大于80重量百分比的填料含量重量百分比。
419.示例c57包括示例c56的主题，并且还指定：第二电介质材料具有在80重量百分比与90重量百分比之间的填料含量重量百分比。
420.示例c58包括示例c53-c57中任何一项的主题，并且还指定：第二电介质材料在第一微电子部件与第二微电子部件之间延伸。
421.示例c59包括示例c53-c58中任何一项的主题，并且还指定：第二电介质材料在基板与桥接部件之间延伸。
422.示例c60包括示例c53-c59中任何一项的主题，并且还指定：第二电介质材料在第一微电子部件与桥接部件之间延伸。
423.示例c61包括示例c45-c60中任何一项的主题，并且还指定：桥接部件的面是第一面，桥接部件包括与第一面相对的第二面，桥接部件包括位于桥接部件的第二面处的第九导电接触部，基板包括位于基板的面处的第十导电接触部，并且第九导电接触部耦合到第十导电接触部。
424.示例c62包括示例c45-c61中任何一项的主题，并且还指定：基板包括有机电介质材料。
425.示例c63包括示例c45-c62中任何一项的主题，并且还指定：第一微电子部件包括图形处理器。
426.示例c64包括示例c45-c63中任何一项的主题，并且还指定：第二微电子部件包括服务器处理器。
427.示例c65是一种电子装置，包括：电路板；以及微电子组件，其导电地耦合到电路板，其中，微电子组件包括示例c1-c64中任何一项的微电子组件中的任何微电子组件。
428.示例c66包括示例c65的主题，并且还指定：电子装置是手持计算装置、膝上型计算
装置、可穿戴计算装置或服务器计算装置。
429.示例c67包括示例c65-c66中任何一项的主题，并且还指定：电路板是母板。
430.示例c68包括示例c65-c67中任何一项的主题，并且还包括：通信地耦合到电路板的显示器。
431.示例c69包括示例c68的主题，并且还指定：显示器包括触摸屏显示器。
432.示例c70包括示例c65-c69中任何一项的主题，并且还包括：围绕电路板和微电子组件的外壳。
433.示例d1是一种制造微电子结构的方法，包括本文中所公开的方法中的任何方法。
434.示例d2是一种制造微电子组件的方法，包括本文中所公开的方法中的任何方法。