技术特征：
1.一种纳米隧道与银纳米粒子共存的有机场效应晶体管存储器，其特征在于，所述存储器的结构自上而下依次包括源漏电极、有机半导体层、电荷存储层、栅绝缘层、衬底及形成在衬底之上的栅电极；其中，所述电荷存储层为两层，第一层为具有纳米隧道结构的聚合物层，第二层为均匀分布在聚合物层之上的银纳米粒子层。2.根据权利要求1所述的一种纳米隧道与银纳米粒子共存的有机场效应晶体管存储器，其特征在于，所述聚合物层是将纳米隧道薄膜溶液通过调控旋涂转速在栅绝缘层上制备的，所述纳米隧道薄膜溶液为聚乙烯基咔唑溶于氯仿形成；所述银纳米粒子层是将银纳米粒子水溶液旋涂在具有纳米隧道结构的聚合物层上制备的。3.根据权利要求1所述的一种纳米隧道与银纳米粒子共存的有机场效应晶体管存储器，其特征在于，所述源漏电极的材料为金属cu；所述有机半导体层的材料为并五苯；所述栅绝缘层的材料为二氧化硅；所述衬底为高掺杂硅片；所述栅电极为高掺杂硅。4.根据权利要求1所述的一种纳米隧道与银纳米粒子共存的有机场效应晶体管存储器，其特征在于，所述源漏电极的厚度为100nm；所述有机半导体层的厚度为50nm；所述电荷存储层的厚度为10～30nm；所述栅绝缘层的厚度为50～300nm。5.权利要求1-4任一项所述的一种纳米隧道与银纳米粒子共存的有机场效应晶体管存储器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1)配制电荷存储层材料溶液：将聚乙烯基咔唑溶于氯仿溶剂中配制聚乙烯基咔唑溶液，其浓度为3mg/ml，静置24h；将银纳米粒子溶于水中配制银纳米粒子水溶液，其浓度为0.02mg/ml；步骤2)以衬底材料作为基底，在其上形成栅电极和栅绝缘层，并依次经过丙酮、乙醇、去离子水清洗，烘干处理；步骤3)将经步骤2)处理后洁净的基底放置紫外臭氧处理5min；步骤4)用移液枪吸取步骤1)配制好的聚乙烯基咔唑溶液并在经步骤3)处理的基底上旋涂制膜，得到聚合物层；冷却至室温后再用移液枪吸取步骤1)配制好的银纳米粒子水溶液并在聚合物层上旋涂制膜；将旋涂好的样品放置在80℃的烘箱内30min，去除多余溶剂，得到电荷存储层；步骤5)在步骤4)制得的电荷存储层上面依次真空蒸镀有机半导体层和源漏电极，即得。6.根据权利要求5所述的一种纳米隧道与银纳米粒子共存的有机场效应晶体管存储器的制备方法，其特征在于，步骤1)所述银纳米粒子的直径为10nm。7.根据权利要求5所述的一种纳米隧道与银纳米粒子共存的有机场效应晶体管存储器的制备方法，其特征在于，步骤4)所述旋涂的工艺为：调控转速1000～3000rpm匀速旋转30s，在空气中旋涂，空气湿度控制在40％～60％之间。8.根据权利要求5所述的一种纳米隧道与银纳米粒子共存的有机场效应晶体管存储器的制备方法，其特征在于，步骤5)所述真空蒸镀的工艺为：蒸镀速率的制备方法，其特征在于，步骤5)所述真空蒸镀的工艺为：蒸镀速率真空度控制在4
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10-4
pa～5
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10-4
pa。
技术总结
本发明公开了一种纳米隧道与银纳米粒子共存的有机场效应晶体管存储器及其制备方法，该存储器的结构自上而下依次包括源漏电极、有机半导体层、电荷存储层、栅绝缘层、衬底及形成在衬底之上的栅电极；其中，所述电荷存储层为两层，第一层为具有纳米隧道结构的聚合物层，第二层为均匀分布在聚合物层之上的银纳米粒子层。电荷存储层采用二次旋涂溶液加工法制备，制备工艺简单，具有可大面积制备的特点。可通过简单的调节旋涂转速一次旋涂便可调控纳米孔的薄膜形貌，再通过二次旋涂将银纳米粒子均匀的分布于纳米孔形貌之上。实现了其存储容量，高迁移率和开关比，稳定性也得到了很大的提升，价格低廉且节约成本，便于推广及集成商业化应用。业化应用。业化应用。
技术研发人员：仪明东 蒋惠 李雯 陈叶 俞松城
受保护的技术使用者：南京邮电大学
技术研发日：2022.01.13
技术公布日：2022/5/17