技术特征：
1.一种集成电路，所述集成电路包括：标准单元，所述标准单元包括在第一方向上延伸并在垂直于所述第一方向的第二方向上具有第一宽度的第一有源区；以及填充单元，所述填充单元包括类型与所述第一有源区的类型相同的第二有源区并在所述第一方向上与所述标准单元相邻，所述第二有源区在所述第一方向上延伸并在所述第二方向上具有大于所述第一宽度的第二宽度，其中，所述标准单元还包括类型与所述第一有源区的类型相同的第一锥形部分，所述第一锥形部分布置在所述第一有源区和所述第二有源区之间，并包括在所述第一方向上接触所述第一有源区的第一接触表面、在所述第一方向上接触所述第二有源区的第二接触表面以及将所述第一接触表面连接到所述第二接触表面并具有倾斜度的倾斜表面。2.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述填充单元还包括类型与所述第二有源区的类型不同的第三有源区，所述第三有源区在所述第二方向上与所述第二有源区间隔开，在所述第一方向上延伸并在所述第二方向上具有所述第二宽度，其中，所述标准单元还包括：第四有源区，所述第四有源区的类型与所述第三有源区的类型相同，所述第四有源区在所述第二方向上与所述第一有源区间隔开，在所述第一方向上延伸并在所述第二方向上具有所述第一宽度；以及第二锥形部分，所述第二锥形部分的类型与所述第三有源区的类型相同，所述第二锥形部分布置在所述第三有源区和所述第四有源区之间，并包括在所述第一方向上接触所述第四有源区的第一表面、在所述第一方向上接触所述第三有源区的第二表面以及将所述第一表面连接到所述第二表面并具有倾斜度的第三表面，以及其中，所述第一锥形部分与所述第二锥形部分之间的距离朝向所述填充单元减小。3.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述填充单元还包括类型与所述第二有源区的类型不同的第三有源区，所述第三有源区在所述第二方向上与所述第二有源区间隔开，在所述第一方向上延伸并在所述第二方向上具有所述第二宽度，其中，所述标准单元还包括：第四有源区，所述第四有源区的类型与所述第三有源区的类型相同，所述第四有源区在所述第二方向上与所述第一有源区间隔开，在所述第一方向上延伸并在所述第二方向上具有所述第一宽度；以及第二锥形部分，第二锥形部分的类型与所述第三有源区的类型相同，所述第二锥形部分布置在所述第三有源区和所述第四有源区之间，并包括在所述第一方向上接触所述第四有源区的第一表面、在所述第一方向上接触所述第三有源区的第二表面以及将所述第一表面连接到所述第二表面并具有倾斜度的第三表面，以及其中，所述第一锥形部分与所述第二锥形部分之间的距离是恒定的。4.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第一锥形部分的尺寸根据所述第一有源区的宽度和所述第二有源区的宽度而变化。5.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述倾斜表面包括直线或曲线。
6.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述填充单元还包括连接到所述第二有源区的接触。7.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述标准单元还包括在所述第一有源区中形成的全环绕栅极晶体管。8.一种集成电路，所述集成电路包括：标准单元，所述标准单元包括在第一方向上延伸并在垂直于所述第一方向的第二方向上具有第一宽度的第一有源区；以及填充单元，所述填充单元包括类型与所述第一有源区的类型相同的第二有源区并在所述第一方向上与所述标准单元相邻，所述第二有源区在所述第一方向上延伸并在所述第二方向上具有小于所述第一宽度的第二宽度，其中，所述标准单元还包括类型与所述第一有源区的类型相同的倒锥形部分，所述倒锥形部分布置在所述第一有源区和所述第二有源区之间，并包括在所述第一方向上接触所述第一有源区的第一接触表面、在所述第一方向上接触所述第二有源区的第二接触表面以及将所述第一接触表面连接到所述第二接触表面并具有倾斜度的倾斜表面。9.根据权利要求8所述的集成电路，其中，所述倒锥形部分的尺寸根据所述第一有源区的宽度和所述第二有源区的宽度而变化。10.根据权利要求8所述的集成电路，其中，所述倾斜表面包括直线或曲线。11.根据权利要求8所述的集成电路，其中，所述填充单元还包括在所述第二有源区上形成的接触。12.根据权利要求8所述的集成电路，其中，所述标准单元还包括在所述第一有源区中形成的全环绕栅极晶体管。13.一种集成电路，所述集成电路包括：多个标准单元，所述多个标准单元在第一方向上彼此间隔开；以及多个填充单元，所述多个填充单元布置在所述多个标准单元之间，其中，所述多个填充单元中的至少一者包括：第一有源区，所述第一有源区在所述第一方向上延伸并在垂直于所述第一方向的第二方向上具有第一宽度；以及第二有源区，所述第二有源区的类型与所述第一有源区的类型不同，所述第二有源区在所述第二方向上与所述第一有源区间隔开并在所述第一方向上延伸，其中，所述多个标准单元中的至少一者包括：第三有源区，所述第三有源区的类型与所述第一有源区的类型相同，所述第三有源区在所述第一方向上与所述第一有源区相邻，在所述第一方向上延伸，并在所述第二方向上具有比所述第一宽度小的第二宽度；第四有源区，所述第四有源区的类型与所述第二有源区的类型相同，所述第四有源区在所述第二方向上与所述第三有源区间隔开并在所述第一方向上延伸；以及第一锥形部分，所述第一锥形部分的类型与所述第一有源区的类型相同，所述第一锥形部分包括在所述第一方向上接触所述第一有源区的第一接触表面、在所述第一方向上接触所述第三有源区的第二接触表面以及将所述第一接触表面连接到所述第二接触表面并具有倾斜度的倾斜表面。
14.根据权利要求13所述的集成电路，其中，所述第二有源区在所述第二方向上具有所述第一宽度，其中，所述第四有源区在所述第二方向上具有所述第二宽度，并且其中，所述多个标准单元中的至少一者包括第二锥形部分，所述第二锥形部分的类型与所述第二有源区的类型相同，所述第二锥形部分包括在所述第一方向上接触所述第二有源区的第一表面、在所述第一方向上接触所述第四有源区的第二表面以及将所述第一表面连接到所述第二表面并具有倾斜度的第三表面。15.根据权利要求14所述的集成电路，其中，所述第一锥形部分与所述第二锥形部分之间的距离随着接近所述多个填充单元当中的与所述第一锥形部分和所述第二锥形部分相邻的填充单元而变短。16.根据权利要求14所述的集成电路，其中，所述第一锥形部分与所述第二锥形部分之间的距离是恒定的。17.根据权利要求13所述的集成电路，其中，所述第二有源区的宽度不同于所述第一有源区的所述第一宽度。18.根据权利要求13所述的集成电路，其中，所述倾斜表面包括直线或曲线。19.根据权利要求13所述的集成电路，其中，所述多个填充单元中的所述至少一者还包括连接到所述第一有源区和所述第二有源区中的至少一者的接触。20.根据权利要求13所述的集成电路，其中，所述多个标准单元包括在所述第三有源区和所述第四有源区中形成的多桥沟道鳍式场效应晶体管。
技术总结
一种集成电路包括：标准单元，所述标准单元包括在第一方向上延伸并在垂直于所述第一方向的第二方向上具有第一宽度的第一有源区；以及填充单元，所述填充单元包括类型与所述第一有源区的类型相同的第二有源区并在所述第一方向上与所述标准单元相邻，所述第二有源区在所述第一方向上延伸并在所述第二方向上具有大于所述第一宽度的第二宽度，其中，所述标准单元还包括类型与所述第一有源区的类型相同的第一锥形部分，所述第一锥形部分布置在所述第一有源区和所述第二有源区之间。述第一有源区和所述第二有源区之间。述第一有源区和所述第二有源区之间。
技术研发人员：郑学澈 金仁谦 梁箕容 徐在禹
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2022.01.18
技术公布日：2022/9/30