显示装置的制作方法

1.本发明的实施例涉及显示装置，更详细地，涉及设置有可以修复损伤的焊盘部的显示装置。


背景技术：

2.显示装置是视觉性地显示数据的装置。显示装置既用作如移动电话等这样的小型产品的显示器，还用作如电视机等这样的大型产品的显示器。
3.这种显示装置可包括用于向配置在显示区域的像素提供信号或电压的布线。显示装置可包括连接向像素传递电信号或电压的各种布线、驱动部和控制部的焊盘。


技术实现要素：

4.本发明的实施例可提供包括在发生焊盘部的损伤时可以进行修复的结构的显示装置。然而，这种课题是例示性的，并不由此限定本发明的范围。
5.本发明的一实施例公开一种显示装置，包括：显示区域，包括配置在基板上的像素；焊盘部，位于所述基板上，并且配置在所述显示区域的外围的非显示区域；以及电路部，与所述焊盘部重叠，并且与所述焊盘部电连接，所述焊盘部包括：导电线；第一虚设线，配置在所述导电线的周边；以及第一反熔断器和第二反熔断器，被配置成与所述导电线相邻，并且沿着所述导电线的长度方向彼此间隔开，所述第一反熔断器和所述第二反熔断器分别包括：第一电极，与所述导电线的一部分电连接；以及第二电极，与所述第一虚设线的一部分电连接，并且在所述第二电极与所述第一电极之间夹着第一绝缘层。
6.可以是，所述第一反熔断器的所述第一电极和所述第二反熔断器的所述第一电极与所述导电线的一部分形成为一体。
7.可以是，所述导电线包括：主体部，与所述电路部重叠；以及一对连接部，分别配置在所述主体部的两侧，所述一对连接部分别通过介于所述主体部与所述一对连接部之间的至少一个绝缘层而与所述主体部连接。
8.可以是，所述第一反熔断器和所述第二反熔断器分别还包括：第三电极，在夹着所述第一绝缘层的情况下与所述第一电极间隔开。
9.可以是，所述焊盘部还包括：第二虚设线，与所述第一反熔断器的所述第三电极及所述第二反熔断器的所述第三电极电连接。
10.可以是，所述第二虚设线与所述第一反熔断器的所述第三电极及所述第二反熔断器的所述第三电极形成为一体。
11.可以是，所述第一绝缘层包括：位于所述基板上的第一部分；所述第一电极与所述第二电极之间的第二部分；以及所述第一电极与所述第三电极之间的第三部分，所述第二部分和所述第三部分的厚度小于所述第一部分的厚度。
12.可以是，所述第一反熔断器和所述第二反熔断器中的至少任一个还包括所述第一电极上部的金属氧化物层。
13.可以是，所述第一反熔断器和所述第二反熔断器中的至少任一个还包括：半导体层，介于所述第一电极与所述第二电极之间，并且与所述第二电极连接。
14.可以是，所述第一反熔断器和所述第二反熔断器中的至少任一个在所述半导体层的上部还包括上部电极。
15.可以是，所述上部电极的宽度大于所述第一电极的宽度。
16.可以是，所述焊盘部还包括：第三虚设线，与所述第一反熔断器的所述第三电极电连接；以及第四虚设线，与所述第三虚设线间隔开，并且与所述第二反熔断器的所述第三电极电连接。
17.可以是，所述第三虚设线与所述第一反熔断器的所述第三电极形成为一体，并且所述第四虚设线与所述第二反熔断器的所述第三电极形成为一体。
18.本发明的其他侧面公开一种显示装置，包括：显示区域，包括配置在基板上的像素；焊盘部，位于所述基板上，并且配置在所述显示区域的外围的非显示区域；以及电路部，与所述焊盘部重叠，并且与所述焊盘部电连接，所述焊盘部包括：导电线；第一反熔断器，与所述导电线电连接；以及第一虚设线，所述第一反熔断器包括：第一电极；以及第二电极，在与所述第一电极之间夹着第一绝缘层的情况下与所述第一电极间隔开，并且与所述第一虚设线电连接，所述电路部包括与所述导电线重叠的相对导电线以及与所述第一虚设线重叠的第一相对导电线。
19.可以是，所述显示装置还包括：上部绝缘层，覆盖所述第一虚设线的边缘，并且包括与所述第一虚设线重叠的开口。
20.可以是，所述第一反熔断器还包括：第三电极，在夹着所述第一绝缘层的情况下与所述第一电极间隔开。
21.可以是，所述焊盘部还包括：第二虚设线，与所述第一反熔断器的所述第三电极电连接。
22.可以是，所述电路部还包括：第二相对导电线，与所述第二虚设线重叠。
23.可以是，所述第一绝缘层包括：位于所述基板上的第一部分；所述第一电极与所述第二电极之间的第二部分；以及所述第一电极与所述第三电极之间的第三部分，所述第二部分和所述第三部分的厚度小于所述第一部分的厚度。
24.可以是，所述导电线包括：主体部，与所述电路部重叠；以及一对连接部，分别配置在所述主体部的两侧，所述一对连接部分别通过介于所述主体部与所述一对连接部之间的至少一个绝缘层而与所述主体部连接。
25.(发明效果)
26.关于本发明的各实施例的显示装置可实现具备能够改善不良的焊盘部的显示装置。当然，本发明的范围并不限于这种效果。
附图说明
27.图1是示意性地示出本发明的一实施例涉及的显示装置的平面图。
28.图2是示出本发明的一实施例涉及的显示装置的显示面板所包括的发光二极管以及与发光二极管电连接的像素电路的等效电路图。
29.图3是沿着
ⅲ‑ⅲ′
截取了图1的显示装置的一部分的剖视图。
30.图4是示意性地示出放大了图1的a区域的形态的一部分的平面图。
31.图5是沿着
ⅴ‑ⅴ′
截取了图4的焊盘部的剖视图。
32.图6是示出与图4的焊盘部电连接的电路部的剖视图。
33.图7是示意性地示出本发明的一实施例涉及的焊盘部的平面图。
34.图8是沿着
ⅷ‑ⅷ′
截取了图7的导电线的一部分的剖视图。
35.图9是沿着
ⅸ‑ⅸ′
截取了图7的导电线和第二虚设线的一部分的剖视图。
36.图10a至图11d分别是示出沿着图7的
ⅹ‑ⅹ′
截取的第一反熔断器的剖视图。
37.图12a是示意性地示出在本发明的一实施例涉及的焊盘部受损的情况下利用第一虚设线进行修复的方法的平面图。
38.图12b是示出在进行修复工序时第一反熔断器和第二反熔断器的电短路状态的剖视图。
39.图13是示意性地示出在本发明的其他实施例涉及的焊盘部受损的情况下利用第二虚设线进行修复的方法的平面图。
40.图14a是示意性地示出发明的其他实施例涉及的焊盘部的平面图。
41.图14b是示意性地示出在图14a的焊盘部所包括的导电线受损时进行修复的方法的平面图。
42.图15a和图15b是示意性地示出发明的其他实施例涉及的焊盘部的平面图。
43.图15c是沿着图15a的xv-xv
′
截取的剖视图。
44.图16a和图16b是示意性地示出在本发明的其他实施例涉及的焊盘部受损的情况下利用虚设线修复的焊盘部工作的方法的平面图。
45.符号说明：
46.1：显示装置；10：显示面板；20：相对导电线；100：基板；210：第一绝缘层；211：第一部分；213：第二部分；215：第三部分；217：金属氧化物层；230：第二绝缘层；231：上部电极；250：第三绝缘层；270：第四绝缘层；400：导电线；410：连接部；420：主体部；da：显示区域；pa：周边区域；px：像素；cst：储能电容器；m1：第一晶体管；m2：第二晶体管；m3：第三晶体管；dl1：第一虚设线；dl2：第二虚设线；dl3：第三虚设线；dl4：第四虚设线；dl5：第五虚设线；dl6：第六虚设线；af1：第一反熔断器；af2：第二反熔断器；e1：第一电极；e2：第二电极；e3：第三电极；aa：半导体层；op1：第一开口；op2：第二开口；op3：第三开口；op4：第四开口。
具体实施方式
47.本发明可以具有各种变换以及各种实施例，在附图中例示特定实施例，并在此进行详细说明。参照与附图一起详细后述的各实施例，本发明的效果、特征以及达成这些效果和特征的方法会变得明确。但是，本发明并不限于以下公开的各实施例，可以各种形态实现本发明。
48.以下，参照附图详细说明本发明的各实施例，在参照附图进行说明时，对于相同或对应的构成要素赋予相同的符号，并省略对其的重复说明。
49.在以下的实施例中，第一、第二等用语并不是限定性用语，是为了将一个构成要素区别于其他构成要素而使用。
50.在以下的实施例中，单数的表述在文中没有明确相反意思时包括多个的表述。
51.在以下的实施例中，包括或者具有等用语应理解为是指代说明书上记载的特征或构成要素的存在，并不是事先排除一个以上的其他特征或构成要素的附加可能性。
52.在以下的实施例中，膜、区域、构成要素等部分位于其他部分上或者上方时，不仅包括直接位于其他部分上的情况，还包括其间存在其他膜、区域、构成要素等的情况。
53.在附图中，为了便于说明，各构成要素其大小可能会有所放大或缩小。例如，图示的各构成的大小以及厚度是为了便于说明而任意示出的，本发明并不一定限于图示的情况。
54.在某一实施例可以不同方式实现的情况下，特定的工序顺序也可与所说明的顺序不同地被执行。例如，连续说明的两个工序实质上可以同时被执行，也可以与所说明的顺序相反的顺序被执行。
55.在本说明书中，“a和/或b”表示是a、或者是b、或者是a和b的情况。此外，在本说明书中，“a和b中的至少一个”表示是a、或者是b、或者是a和b的情况。
56.在以下的实施例中，当记载为膜、区域、构成要素等被连接时，不仅包括膜、区域、构成要素直接被连接的情况，和/或，还包括在膜、区域、构成要素之间夹设其他膜、区域、构成要素而间接被连接的情况。例如，在本说明书中，当记载为膜、区域、构成要素等被电连接时，表示膜、区域、构成要素等直接被电连接的情况和/或在其间夹设其他膜、区域、构成要素等而间接被电连接的情况。
57.x轴、y轴和z轴并不限于直角坐标系上的三轴，可以解释为包括其的更宽泛的意义。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此正交，也可以指代彼此不正交的彼此不同的方向。
58.图1是示意性地示出本发明的一实施例涉及的显示装置1的平面图。
59.参照图1，显示装置1在由x轴方向和y轴方向定义的平面包括显示区域da和显示区域da的外侧的周边区域pa。周边区域pa可为未配置显示要素的一种非显示区域。周边区域pa可整体地包围显示区域da。
60.在以平面形状观察显示区域da时，所述显示区域da可如图1所示那样被设置为矩形形状。作为又一实施例，显示区域da可被设置为三角形、五边形、六边形等多边形形状或者圆形形状、椭圆形形状、不规则形状等。
61.显示面板10的显示区域da可包括多个像素px。像素px可被配置成条纹排列、pentile排列等各种形态，从而实现图像。多个像素px可根据显示的颜色而被划分为多个组。多个像素px可分别利用从如发光二极管这样的显示要素射出的光来实现图像。传递待施加到显示区域da的电信号的各种布线、附着有印刷电路基板或驱动ic芯片的焊盘部pad可位于显示面板10的周边区域pa。
62.焊盘部pad与电路部ddc电连接。电路部ddc的一侧可与焊盘部pad电连接，并且电路部ddc的另一侧可与配置有控制部sc的印刷电路基板pb电连接。电路部ddc可包括柔性电路基板dcb，柔性电路基板dcb包括与显示面板10的焊盘部pad连接的相对焊盘(counter pad)cpd。在柔性电路基板dcb上可以ic芯片的形态配置向像素px提供如数据信号这样的电信号的驱动器dic。
63.图2是示出本发明的一实施例涉及的显示装置的显示面板10所包括的发光二极管以及与发光二极管电连接的像素电路的等效电路图。
64.参照图2，发光二极管500的阳极可与像素电路pc连接，并且阴极可与提供公共电
源电压elvss的公共电压线vsl电连接。发光二极管500可以与从像素电路pc供给的电流量相应的亮度发光。
65.像素电路pc可包括第一晶体管m1、第二晶体管m2、第三晶体管m3和储能电容器cst。
66.第一晶体管m1、第二晶体管m2、第三晶体管m3分别可为包括由氧化物半导体构成的半导体层的氧化物半导体薄膜晶体管(tft)，或者可为包括由多晶硅构成的半导体层的硅半导体薄膜晶体管(tft)。
67.第一晶体管m1可为驱动晶体管。在第一晶体管m1中，源电极可与供给驱动电源电压elvdd的驱动电压线vdl连接，并且漏电极可与发光二极管500连接。第一晶体管m1的栅电极可与第一节点n1连接。
68.第二晶体管m2可为开关晶体管。第二晶体管m2的源电极可与数据线dl连接，并且漏电极可与第一节点n1连接。第二晶体管m2的栅电极可与扫描线sl连接。第二晶体管m2可在扫描信号被供给到扫描线sl时导通(turn-on)，从而电连接数据线dl与第一节点n1。
69.第三晶体管m3可为初始化晶体管和/或感测晶体管。第三晶体管m3的源电极可与第二节点n2连接，并且漏电极可与初始化感测线isl连接。第三晶体管m3的栅电极可与控制线cl连接。第三晶体管m3可在控制信号被供给到控制线cl时导通(turn-on)，从而电连接初始化感测线isl与第二节点n2。作为一实施例，第三晶体管m3可根据通过控制线cl接收到的信号而导通(turn-on)，从而使发光二极管500的阳极初始化。作为其他实施例，第三晶体管m3可在控制信号被供给到控制线cl时导通(turn-on)，从而感测发光二极管500的特性信息。第三晶体管m3兼备作为前述的初始化晶体管的功能以及作为感测晶体管的功能，或者可具备这两者中的任一种功能。在第三晶体管m3具备作为初始化晶体管的功能的情况下，初始化感测线isl可被命名为初始化电压线，并且在具备作为感测晶体管的功能的情况下，初始化感测线isl可被命名为感测线。第三晶体管m3的初始化操作和感测操作可分别单独进行，或者可同时进行。
70.储能电容器cst可连接在第一节点n1与第二节点n2之间。例如，储能电容器cst的第一电容器电极ce1可与第一晶体管m1的栅电极连接，并且储能电容器cst的第二电容器电极ce2可与发光二极管500的阳极连接。
71.在图2中示出了第一晶体管m1、第二晶体管m2和第三晶体管m3为nmos的情况，但是本发明并不限于此。例如，第一晶体管m1、第二晶体管m2和第三晶体管m3中的至少一个可形成为pmos。
72.在图2中示出了三个晶体管，但是本发明并不限于此。像素电路pc可包括四个以上的晶体管。
73.图3是沿着
ⅲ‑ⅲ′
截取了图1的显示装置的一部分的剖视图。
74.参照图3，本发明的一实施例涉及的显示装置1可包括基板100以及配置在显示区域da的上部的薄膜晶体管tft。
75.基板100可包括玻璃、金属或高分子树脂。假设基板100具有柔性或可弯曲特性的情况下，基板100例如可包括如聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯或乙酸丙酸纤维素这样的高分子树脂。这仅为例示，本发明并不限于此。
76.基板100可具有所述的物质的单层或多层的结构，并且在多层结构的情况下还可包括无机绝缘层。在一些实施例中，基板100可具有如高分子树脂这样的有机绝缘物/无机绝缘物/有机绝缘物/无机绝缘物的结构。
77.在显示区域da，在与x轴方向及y轴方向垂直的z轴方向上，薄膜晶体管tft可位于基板100的上部，并且与薄膜晶体管tft电连接的发光二极管500可位于薄膜晶体管tft的上部。具体地，薄膜晶体管tft可与包括于发光二极管500的阳极510电连接。
78.薄膜晶体管tft可包括半导体层307、与半导体层307的沟道区域重叠的栅电极301以及分别与半导体层307的源极区域及漏极区域连接的源电极303和漏电极305。此外，储能电容器cst可包括第一电容器电极405、第二电容器电极401和第三电容器电极403。
79.薄膜晶体管tft的半导体层307可包括氧化物半导体物质。氧化物半导体可包括铟镓锌氧化物(igzo，indium gallium zinc oxide)、锌锡氧化物(zto，zinc tin oxide)、锌铟氧化物(zio，zinc indium oxide)等。半导体层307可包括选自例如含铟(in)、镓(ga)、锡(sn)、锆(zr)、钒(v)、铪(hf)、镉(cd)、锗(ge)、铬(cr)、钛(ti)、铝(al)、铯(cs)、铈(ce)和锌(zn)的组中的至少一种以上的物质的氧化物。作为一例，半导体层307可为由铟锡锌氧化物(itzo，insnzno)、铟镓锌氧化物(igzo，ingazno)和铟锡镓氧化物(itgo，insngao)中的任一个构成的半导体层。这仅为例示，本发明并不限于此。作为其他实施例，半导体层307可包括多晶硅、或者可包括非晶(amorphous)硅或者可包括有机半导体等。
80.薄膜晶体管tft的栅电极301可与半导体层307的沟道区域重叠，并且在其间夹着栅极绝缘层309。栅极绝缘层309可在与栅电极301相同的掩模工序中形成。栅电极301可包括含钼(mo)、铝(al)、铜(cu)、钛(ti)等的导电物质，并且可形成为包括所述的材料的多层或单层。在一些实施例中，栅电极301可具有多层结构，多层结构包括含前述的金属元素的金属层以及前述的金属层上的如ito这样的透明导电性氧化物层。此外，栅极绝缘层309可包括硅氧化物、硅氮化物和/或硅氮氧化物等无机物。
81.薄膜晶体管tft的源电极303可通过第一接触孔cnt1而与半导体层307电连接。漏电极305可通过第二接触孔cnt2而与半导体层307电连接。
82.储能电容器cst可包括至少两个电极。作为一实施例，图3示出了储能电容器cst包括第一电容器电极405、第二电容器电极401和第三电容器电极403的情况。第二电容器电极401和第一电容器电极405可在其间夹着绝缘层而被间隔开。第三电容器电极403和第一电容器电极405可在其间夹着绝缘层而被间隔开。第二电容器电极401与第三电容器电极403可通过第三接触孔cnt3而被电连接。第二电容器电极401可包括铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、锂(li)、钙(ca)、钼(mo)、铜(cu)中的一种以上的物质。在一些实施例中，作为下部电极的电容器电极可具有多层结构，多层结构包括含前述的金属元素的金属层以及前述的金属层上的如ito这样的透明导电性氧化物层。
83.储能电容器cst的第一电容器电极405可在与栅电极301相同的工序中形成，并且可包括与栅电极301相同的物质。在第一电容器电极405的下方可配置包括与栅极绝缘层309相同的物质的绝缘层407。第一电容器电极405下方的绝缘层407可在与第一电容器电极405相同的掩模工序中一同形成。作为其他实施例，栅极绝缘层309与绝缘层407可形成为一体，并且在该情况下，可单独执行形成栅电极301和第一电容器电极405的工序和形成栅极
injection layer)。另一方面，如图3所示，发光层522可被图案化成与各个阳极510对应，但是根据实施例，可为覆盖多个阳极510的一体的层。
95.阴极530可为透光性电极或反射电极。在一些实施例中，阴极530可为透明或半透明的电极，并且可由包括银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、锂(li)、钙(ca)或它们的合金等的功函数小的导电性物质形成。此外，可在金属薄膜上还包括ito、izo、zno或in2o3等透明导电氧化物(tco，transparent conductive oxide)膜。阴极530可横跨显示区域da来配置，并且可被配置在中间层520的上部。在多个发光二极管500中，阴极530可形成为一体以对应于多个阳极510。
96.包括上述的阳极510、中间层520和阴极530的多层结构的发光二极管500可能容易因来自外部的水分或氧等而受损，因此可利用封装层600覆盖其来进行保护。封装层600可包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层。作为一实施例，封装层600可包括依次叠层的第一无机封装层610、有机封装层620和第二无机封装层630。
97.第一无机封装层610和第二无机封装层630分别可包括一种以上的无机绝缘物。无机绝缘物可包括铝氧化物、钽氧化物、铪氧化物、锌氧化物、硅氧化物、硅氮化物和/或硅氮氧化物。有机封装层620可包括聚合物(polymer)系物质。作为聚合物系的材料，可包括丙烯酸系树脂、环氧系树脂、聚酰亚胺和聚乙烯等。丙烯酸系树脂例如可包括聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸等。这仅为例示，本发明并不限于此。
98.图4是示意性地示出放大了图1的a区域的形态的一部分的平面图。
99.参照图4，在基板100的一侧可配置用于与电路部ddc电连接的焊盘部pad。电路部ddc的柔性电路基板dcb可包括与基板100上的焊盘部pad对应的相对焊盘cpd。相对焊盘cpd可包括能够与焊盘部pad的各导电线400重叠且电连接的相对导电线20。如之前参照图1说明的那样，基于控制部sc的控制信号生成的数据信号或电压可通过相对导电线20和导电线400而被传递到配置在显示区域da(图1)的像素电路pc(图3)。
100.图5是沿着图4的焊盘部pad的
ⅴ‑ⅴ′
截取的剖视图，并且图6是示出与图4的焊盘部pad电连接的电路部ddc的剖视图。
101.参照图5，焊盘部pad的导电线400可配置在基板100上。在导电线400的下方可配置第一绝缘层210和第二绝缘层230。导电线400可包括主体部420。具体内容将在图7中后述。
102.第三绝缘层250可包括使主体部420的上表面的一部分露出的第一开口op1。换言之，第三绝缘层250可包括覆盖主体部420的边缘但使主体部420的中央部露出的第一开口op1。
103.第四绝缘层270可配置在第三绝缘层250上，并且可包括与第一开口op1重叠的第二开口op2。第一开口op1可具有比第二开口op2大的宽度，但是作为其他实施例，第二开口op2可具有比第一开口op1大的宽度。
104.主体部420可在之前参照图3说明的源电极303、漏电极305和第三电容器电极403相同的工序中形成。主体部420可包括与源电极303、漏电极305和/或第三电容器电极403相同的物质。主体部420可包括含如铜这样的金属的金属层以及配置在前述的金属层的上部的ito、izo、zno或in2o3等的透明导电性氧化物层421。
105.参照图6，在柔性电路基板dcb与导电线400之间可夹着各向异性导电膜acf。各向异性导电膜acf可包括粘接树脂层res和不规则地分布在粘接树脂层res内的导电粒子cb。
粘接树脂层res可粘接柔性电路基板dcb与导电线400。具体地，可以在柔性电路基板dcb与导电线400之间配置各向异性导电膜acf之后，在高温下进行压制，从而电连接柔性电路基板dcb与导电线400。导电粒子cb可电连接导电线400的主体部420和柔性电路基板dcb的相对导电线20。
106.图7是示意性地示出本发明的一实施例涉及的焊盘部pad的平面图，图8是沿着
ⅷ‑ⅷ′
截取图7的导电线400的一部分的剖视图，并且图9是沿着
ⅸ‑ⅸ′
截取图7的导电线400和第二虚设线dl2的一部分的剖视图。
107.参照图7，焊盘部pad可包括导电线400、与导电线400电连接的第一反熔断器af1和第二反熔断器af2以及与第一反熔断器af1及第二反熔断器af2电连接的第一虚设线dl1和第二虚设线dl2。
108.焊盘部pad可包括多个导电线400。多个导电线400中的一部分可用于提供数据信号，另一个可用于提供驱动电源电压，并且还有一个可用于提供公共电源电压。
109.各导电线400可包括电连接的多个部分。关于此，图7示出了导电线400包括一对连接部410和主体部420的情况。一对连接部410可彼此被间隔开，并且可分别配置在主体部420的两侧。
110.主体部420和连接部410可配置在彼此不同的层上。例如，如图8所示，连接部410与主体部420之间可夹着第一绝缘层210和第二绝缘层230。主体部420可通过贯通第一绝缘层210和第二绝缘层230的接触孔cnt而与连接部410电连接。
111.如之前参照图5和图6说明的那样，主体部420可使中央部露出以便可与相对导电线20电连接。关于此，图8示出了主体部420上的第三绝缘层250包括与主体部420的中央部重叠的第一开口op1并且第四绝缘层270包括与主体部420的中央部重叠的第二开口op2的情况。如上所述，主体部420可包括含如铜这样的金属的金属层以及配置在前述的金属层的上部的ito、izo、zno或in2o3等的透明导电性氧化物层421。
112.连接部410可与主体部420的下方(例如，基板100的上表面)直接接触。连接部410可在与之前参照图3说明的第二电容器电极401相同的工序内形成，并且可包括与第二电容器电极401相同的物质。
113.第一反熔断器af1和第二反熔断器af2可被配置成沿着导电线400的长度方向彼此间隔开。第一反熔断器af1和第二反熔断器af2可分别包括第一电极e1、第二电极e2和第三电极e3。第一反熔断器af1和第二反熔断器af2的第一电极e1可与导电线400的连接部410电连接。所述第一电极e1可在与连接部410相同的工序中形成为一体。然而，本发明并不限于此。作为一例，所述第一电极e1可分别在与连接部410相同或单独的工序中形成并通过接触孔等而被电连接。
114.第一反熔断器af1和第二反熔断器af2的第二电极e2可与第一虚设线dl1电连接，并且第一反熔断器af1和第二反熔断器af2的第三电极e3可与第二虚设线dl2电连接。
115.第一虚设线dl1和第二虚设线dl2中的任一个可相当于在导电线400受损时用于将施加到受损的导电线的电信号或电压代替受损的导电线来提供到像素电路pc的线的一种旁路线或修复线。与导电线400的主体部420不同，第一虚设线dl1和第二虚设线dl2不露出于外部。例如，如图9所示，导电线400的主体部420与第一开口op1和第二开口op2重叠，而与此相反地，第二虚设线dl2可整体被第三绝缘层250和第四绝缘层270覆盖。
116.第一虚设线dl1和第二虚设线dl2中的任一个可在第一电极e1与第二电极e2之间的电绝缘或者第一电极e1与第三电极e3之间的电绝缘被破坏的同时与受损的导电线电连接。以下，在参照图10a至图11d说明第一反熔断器af1和第二反熔断器af2的结构之后说明在导电线400受损时成为旁路的路径。
117.图10a至图11d分别是示出沿着图7的
ⅹ‑ⅹ′
截取的第一反熔断器的剖视图。虽然图10a至图11d对第一反熔断器af1的结构进行说明，但是第二反熔断器af2也具有与第一反熔断器af1相同的结构。
118.参照图10a，本发明的一实施例涉及的第一反熔断器af1可包括电绝缘的第一电极e1、第二电极e2和第三电极e3。
119.第一电极e1可配置在基板100的上表面的直接上方。如之前参照图7说明的那样，第一电极e1可与导电线400(图7)的连接部410形成为一体。
120.第二电极e2和第三电极e3可形成在与第一电极e1不同的层上。第二电极e2和第三电极e3可配置在第二绝缘层230上并且被第三绝缘层250覆盖。第二电极e2和第三电极e3中的任一个可与之前参照图7说明的第一虚设线dl1形成为一体，并且另一个可与第二虚设线dl2形成为一体。例如，第二电极e2可为第一虚设线dl1的一部分，并且第三电极e3可为第二虚设线dl2的一部分。
121.第一电极e1与第二电极e2之间以及第一电极e1与第三电极e3之间可通过第一绝缘层210被电绝缘。第一绝缘层210可包括在基板100与第二绝缘层230之间分别与基板100及第二绝缘层230直接接触的第一部分211、介于第一电极e1与第二电极e2之间的第二部分213以及介于第一电极e1与第三电极e3之间的第三部分215。第二部分213和第三部分215可形成得比第一部分211薄，从而容易破坏后述的修复或旁路工序时第一电极e1与第二电极e2之间或者第一电极e1与第三电极e3之间的绝缘。作为一实施例，第二部分213和第三部分215的厚度可约为
122.作为一些实施例，第一反熔断器af1可包括第一绝缘层210上的半导体层aa。半导体层aa可通过贯通第二绝缘层230的接触孔而与第二电极e2和/或第三电极e3电连接。然而，本发明并不限于此。作为一例，本发明的一实施例涉及的第一反熔断器af1可不包括半导体层。
123.参照图10b，本发明的其他实施例涉及的第一反熔断器af1可在第一反熔断器af1的半导体层aa上还包括上部电极231以及介于上部电极231与半导体层aa之间的绝缘层233。上部电极231可处于电浮置状态。
124.半导体层aa和上部电极231可分别在与参照图3说明的薄膜晶体管tft的半导体层307和栅电极301相同的工序中形成并且包括相同的物质。上部电极231可形成为具有比第一电极e1大的宽度。在该情况下，半导体层aa之中与上部电极231重叠的部分是导电性比起不与上部电极231重叠的部分弱的部分，其可在后述的修复工序时容易破坏第一电极e1与第二电极e2之间或者第一电极e1与第三电极e3之间的绝缘。
125.参照图11a，本发明的其他实施例涉及的第一反熔断器af1还可包括金属氧化物层217。金属氧化物层217可形成在第一电极e1上。作为一例，第一电极e1可由钼(mo)和铝(al)的多层构成，并且可对第一电极e1的上部进行等离子体处理或热处理来形成包括金属氧化物的金属氧化物层217。作为一实施例，金属氧化物层217可如铝氧化物那样具有绝缘性。金
属氧化物层217可具有约的厚度。
126.参照图11b，还可包括第一反熔断器af1的半导体层aa上的上部电极231以及介于上部电极231与半导体层aa之间的绝缘层233，并且对于上部电极231和绝缘层233的说明如在图10b中说明的那样。
127.图11a示出了金属氧化物层217仅覆盖第一电极e1的上表面的情况，但是本发明并不限于此。作为其他实施例，参照图11c，金属氧化物层217可延伸为经过第一电极e1并与基板100的上表面直接接触。
128.参照图11d，第一反熔断器af1可在半导体层aa上还包括上部电极231以及介于上部电极231与半导体层aa之间的绝缘层233。
129.图12a是示意性地示出在本发明的一实施例涉及的焊盘部pad受损的情况下利用第一虚设线dl1来进行修复的方法的平面图，并且图12b是示出在进行修复工序时第一反熔断器af1和第二反熔断器af2的电短路状态的剖视图。
130.图12a示出了多个导电线400中的任一个导电线(以下称为受损的导电线)400a受损er的情况。作为一实施例，导电线400例如可包括如铜这样的金属层和金属层上的铟锡氧化物(ito)层，并且铟锡氧化物层可能会通过可包括于显示装置的制造工序中的热处理工序而被结晶化。结晶化的ito可包括大量的针孔。如之前在图5中说明的那样，导电线400的主体部420可通过第一开口op1和第二开口op2露出，并且若在主体部420的露出状态下蚀刻阳极，则在蚀刻工序时所使用的蚀刻剂可能会通过针孔使主体部420的金属层受损。
131.作为用于解决这种情况的方法，可分别向受损的导电线400a、第一虚设线dl1和第二虚设线dl2施加第一电压v1、第二电压v2和第三电压v3。此时，若第一电压v1与第二电压v2的电压差异大于第一电压v1与第三电压v3的电压差异，则在第一反熔断器af1和第二反熔断器af2各自的第一电极e1与第二电极e2之间的绝缘被破坏的同时，如图12b所示那样第一电极e1与第二电极e2可被电连接。
132.因此，如图12a的箭头所示，传递到受损的导电线400a的信号可依次通过第二反熔断器af2的第一电极e1、第二反熔断器af2的第二电极e2、第一虚设线dl1、第一反熔断器af1的第二电极e2和第一反熔断器af1的第一电极e1而被传递到像素电路pc的线(例如，数据线等)。
133.图13是示意性地示出在本发明的其他实施例涉及的焊盘部pad受损的情况下利用第二虚设线dl2来进行修复的方法的平面图。
134.参照图13，可分别向受损的导电线400a、第一虚设线dl1和第二虚设线dl2施加第一电压v1、第二电压v2和第三电压v3。此时，若第一电压v1与第三电压v3的电压差异大于第一电压v1与第二电压v2的电压差异，则在第一反熔断器af1和第二反熔断器af2各自的第一电极e1与第三电极e3之间的绝缘被破坏的同时，第一电极e1与第三电极e3可被电连接。
135.因此，如图13的箭头所示，传递到受损的导电线400a的信号可依次通过第二反熔断器af2的第一电极e1、第二反熔断器af2的第三电极e3、第二虚设线dl2、第一反熔断器af1的第三电极e3和第一反熔断器af1的第一电极e1而被传递到像素电路pc的线(例如，数据线等)。
136.图14a是示意性地示出发明的其他实施例涉及的焊盘部pad的平面图。
137.参照图14a，焊盘部pad可包括导电线400、与导电线400电连接的第一反熔断器af1
和第二反熔断器af2以及与第一反熔断器af1和第二反熔断器af2电连接的第一虚设线dl1、第三虚设线dl3和第四虚设线dl4。包括主体部420和连接部410的导电线400、第一反熔断器af1和第二反熔断器af2以及第一虚设线dl1分别如之前参照图7至图11d说明的那样。
138.图14a所示的焊盘部pad不同于图7的焊盘部pad，差异点在于不包括第二虚设线dl2，并且包括电分离的第三虚设线dl3和第四虚设线dl4。第三虚设线dl3可与第一反熔断器af1的第三电极e3电连接。第四虚设线dl4可与第二反熔断器af2的第三电极e3电连接。
139.图14b是示意性地示出图14a的焊盘部pad中包括的导电线400受损时进行修复的方法的平面图。
140.参照图14b，首先，分别向受损的导电线400a、第一虚设线dl1和第三虚设线dl3施加第一电压v1、第二电压v2和第三电压v3。此时，第一电压v1和第二电压v2的电压差可大于第一电压v1和第三电压v3的电压差。此时，在第一反熔断器af1的第一电极e1与第二电极e2之间的绝缘被破坏的同时，如图12b所示那样第一电极e1与第二电极e2可被电连接。
141.随后，可分别向受损的导电线400a、第一虚设线dl1和第四虚设线dl4施加第一电压v1、第二电压v2和第四电压v4。此时，第一电压v1和第二电压v2的电压差可大于第一电压v1和第四电压v4的电压差。此时，在第二反熔断器af2的第一电极e1与第二电极e2之间的绝缘被破坏的同时，如图12b所示那样第一电极e1与第二电极e2可被电连接。
142.因此，如图14b的箭头所示，传递到受损的导电线400a的信号可依次通过第二反熔断器af2的第一电极e1、第二反熔断器af2的第二电极e2、第一虚设线dl1、第一反熔断器af1的第二电极e2和第一反熔断器af1的第一电极e1而被传递到像素电路pc的线(例如，数据线等)。
143.图15a和图15b是示意性地示出发明的其他实施例涉及的焊盘部pad的平面图。图15c是沿着图15a的xv-xv
′
截取的剖视图。在图15a和图15c中，与图7相同的符号指示相同的部件，因此省略它们的重复说明。
144.参照图15a，所述焊盘部pad可包括具有主体部420和连接部410的导电线400、与导电线400电连接的第一反熔断器af1、与第一反熔断器af1的第二电极e2电连接的虚设线(以下称为第五虚设线)dl5以及与第一反熔断器af1的第三电极e3电连接的虚设线(以下称为第六虚设线)dl6。
145.参照图15b，与图15a的焊盘部pad连接的柔性电路基板dcb还可包括分别与所述第六虚设线dl6和所述第五虚设线dl5重叠并电连接的第一相对导电线21a和第二相对导电线21b。
146.第六虚设线dl6可使中央部露出以便与第一相对导电线21a电连接。关于此，图15c示出了第六虚设线dl6上的第三绝缘层250包括与第六虚设线dl6的中央部重叠的第三开口op3并且第四绝缘层270包括与第六虚设线dl6的中央部重叠的第四开口op4的情况。虽然图15c仅示出了第六虚设线dl6，但是第五虚设线dl5也可具有与第六虚设线dl6相同的结构。
147.图16a和图16b是示意性地示出在本发明的其他实施例涉及的焊盘部pad受损的情况下利用虚设线修复的焊盘部pad工作的方法的平面图。在图16a和图16b中，与图7相同的符号指示相同的部件，因此省略它们的重复说明。
148.参照图16a，可向受损的导电线400a施加第一电压v1，并且分别向第五虚设线dl5和第六虚设线dl6施加第五电压v5和第六电压v6。此时，第一电压v1与第五电压v5的电压差
可大于第一电压v1与第六电压v6的电压差。此时，在第一反熔断器af1的第一电极e1与第二电极e2之间的绝缘被破坏的同时，如图12b所示那样第一电极e1与第二电极e2可被电连接。
149.因此，通过第二相对导电线21b(图15b)传递到第五虚设线dl5的信号可依次通过第一反熔断器af1的第二电极e2和第一反熔断器af1的第一电极e1而被传递到像素电路pc的线(例如，数据线等)。
150.参照图16b，第一电压v1与第六电压v6的电压差可大于第一电压v1与第五电压v5的电压差。此时，在第一反熔断器af1的第一电极e1与第三电极e3之间的绝缘被破坏的同时，第一电极e1与第三电极e3可被电连接。
151.因此，通过第一相对导电线21a(图15b)传递到第六虚设线dl6的信号可依次通过第一反熔断器af1的第三电极e3和第一反熔断器af1的第一电极e1而被传递到像素电路pc的线(例如，数据线等)。
152.如上所述，参照附图所示的各实施例说明了本发明，但是这仅为例示，本领域技术人员应当能够理解可由此进行各种变形和实施例的变形。因此，本发明的真正的技术保护范围应由权利要求书的技术思想来定义。