清洁基板的方法与流程

文档序号:35211434发布日期:2023-08-24 12:57阅读:26来源:国知局
清洁基板的方法与流程

本发明涉及半导体工艺中的清洁基板的方法,特别是涉及一种能改善静电累积的半导体工艺中的清洁方法。


背景技术:

1、在半导体元件的制造过程中,经常需要半导体基板的清洗步骤,以去除基板表面的灰尘或金属粒子等污染物。

2、传统的半导体基板的清洗步骤通常是以喷嘴对着基板的前表面上喷洒出清洗液体,其缺点是当清洗液体接触到基板时,累积在基板的前表面上的静电会产生类似火山爆发的静电喷发现象,造成形成在基板的前表面上的电路图案损伤。


技术实现思路

1、本发明的主要目的在于提供一种清洁基板的方法,以解决上述现有技术的不足和缺点。

2、本发明一方面提供一种清洁基板的方法,包含:提供具有前表面和后表面的基板,其中,所述前表面包含电路图案;对所述基板的所述后表面进行预清洗处理,将电导率低于10-4s/cm的低电导率液体喷洒到所述基板的所述后表面上;以及在所述预清洗处理后,对所述基板的所述前表面进行湿法清洗工艺,以去除所述基板的所述前表面上的杂质。

3、根据本发明实施例,所述基板是半导体基板。

4、根据本发明实施例,所述低电导率液体包含溶解有二氧化碳的去离子水。

5、根据本发明实施例,所述低电导率液体包含氨水。

6、根据本发明实施例,所述预清洗处理释放积聚在所述基板的所述前表面上的电荷。

7、根据本发明实施例,所述湿法清洗工艺包含使用硫酸过氧化物混合物。



技术特征:

1.一种清洁基板的方法,包含:

2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述基板是半导体基板。

3.根据权利要求1所述的方法,其中,所述低电导率液体包含溶解有二氧化碳的去离子水。

4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述低电导率液体包含氨水。

5.根据权利要求1所述的方法,其中,所述预清洗处理释放积聚在所述基板的所述前表面上的电荷。

6.根据权利要求1所述的方法,其中,所述湿法清洗工艺包含使用硫酸过氧化物混合物。


技术总结
本发明公开一种清洁基板的方法,包含:提供具有前表面和后表面的基板,其中,所述前表面包含电路图案;对所述基板的所述后表面进行预清洗处理,将电导率低于10<supgt;‑4</supgt;S/cm的低电导率液体喷洒到所述基板的所述后表面上;以及在所述预清洗处理后,对所述基板的所述前表面进行湿法清洗工艺,以去除所述基板的所述前表面上的杂质。

技术研发人员:姚倩茹,顾颂,黄凯斌,谈文毅
受保护的技术使用者:联芯集成电路制造(厦门)有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/1/14
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