发光元件的制作方法

1.本发明涉及发光元件。


背景技术：

2.在专利文献1中已经公开一种发光元件，该发光元件在n侧半导体层之 上设置的p侧半导体层上设有覆盖p侧半导体层、且具有开口的绝缘膜，在 绝缘膜的开口内设有n侧电极，使之与n侧半导体层导通。
3.现有技术文献
4.专利文献
5.专利文献1：(日本)特开2014-22608号公报


技术实现要素：

6.发明所要解决的技术问题
7.在上述发光元件中，期望改善发光分布。
8.用于解决技术问题的技术方案
9.本发明的一个实施方式的发光元件具有：半导体层压体，其具有：具有 第一部分以及位于所述第一部分的内侧的第二部分且包括第一边、与所述第 一边连接的第二边、与所述第二边连接的第三边、以及与所述第一边和所述 第三边连接的第四边在内的俯视形状为四边形的第一导电型的第一半导体 层、在所述第二部分上设置的第二导电型的第二半导体层、在所述第一半导 体层与所述第二半导体层之间设置的活性层，并且所述第一部分在俯视下包 括：位于所述第二部分的外周的外周部、以及与所述第一边、所述第二边、 所述第三边及所述第四边的各边对置且从所述外周部向所述第二部分延伸的 多个延伸部；绝缘层，其覆盖所述半导体层压体，且具有分别位于所述多个 延伸部上的第一贯通孔、以及位于所述第二半导体层上的第二贯通孔；第一 电极，其经由所述绝缘层而设置在所述第二半导体层的上方，且通过多个所 述第一贯通孔与第一半导体层电连接；第二电极，其通过所述第二贯通孔与 所述第二半导体层电连接；第一外部连接部，其在位于所述第二半导体层上 的所述第一电极上设置，与所述第一电极电连接；第二外部连接部，其设置 在所述第二电极上，与所述第二电极电连接。在俯视下，所述第二半导体层 包括被与所述第一边正交且将所述第一边二等分的第一虚拟线、以及与所述 第二边正交且将所述第二边二等分的第二虚拟线划分的四个区域，四个所述 区域包括：配置有所述第一外部连接部的第一区域、在与所述第二边平行的 第一方向上与所述第一区域相邻的第二区域、在与所述第一边平行的第二方 向上与所述第一区域相邻的第三区域、以及在所述第二方向上与所述第二区 域相邻且配置有所述第二外部连接部的第四区域。
10.发明的效果
11.根据本发明的一个实施方式的发光元件，能够提供改善了发光分布的发 光元件。
附图说明
12.图1是表示本发明的一个实施方式的发光元件的俯视示意图。
13.图2a是图1的iia-iia线的剖视示意图。
14.图2b是图1的iib-iib线的剖视示意图。
15.图2c是表示本发明的一个实施方式的发光元件的俯视示意图。
16.图2d是放大了图2c的一部分的俯视示意图。
17.图3a是表示使用了本发明的一个实施方式的发光元件的发光装置的立 体示意图。
18.图3b是表示使用了本发明的一个实施方式的发光元件的发光装置的立 体示意图。
19.图4是图3b的iv-iv线的剖视示意图。
20.图5a是表示使用了本发明的一个实施方式的发光元件的发光装置的立 体示意图。
21.图5b是表示使用了本发明的一个实施方式的发光元件的发光装置的立 体示意图。
22.图6是图5b的vi-vi线的剖视示意图。
具体实施方式
23.下面，针对本发明的发光元件的实施方式进行说明。
24.需要说明的是，在如下的说明中参照的附图概括表示了本发明，所以各 部件的比例、间隔、位置关系等有所夸张，或者可能未图示部件的一部分。 另外，在俯视图、剖视图之间，各部件的比例、间隔也可能不一致。另外， 在如下的说明中，对于相同的名称及标记，原则上表示相同或同质的部件， 适当省略详细的说明。
25.在本说明书中，“上”、“下”等在为了说明而参照的附图中表示结构 主要部件间的相对位置，在未特别说明的情况下，并非旨在表示绝对的位置。
26.参照图1、图2a、图2b、以及图2c，针对发光元件10a的结构进行说 明。图1是用于说明发光元件10a的结构的详细情况的俯视示意图。图2a 所示的剖视图示意性地表示了图1所示的俯视图的iia-iia线的剖面。图2b 所示的剖视图示意性地表示了图1所示的俯视图的iib-iib线的剖面。图2c 是用于说明发光元件10a的结构的详细情况的俯视示意图。图2d是放大了 图2c的一部分的部分放大图。
27.参照图1、以及图2a～图2d，针对发光元件10a的各部的结构依次进 行说明。
28.发光元件10a具有：包括第一半导体层12n、第二半导体层12p、以及设 置在第一半导体层12n与第二半导体层之间的活性层12a的半导体层压体12； 绝缘层15；第一电极13；第二电极16；第一外部连接部17n；第二外部连接 部17p。半导体层压体12设置在基板11上。在第二半导体层12p上的一部分 设有光反射性电极14。在第一电极13上设有第一外部连接部17n。在第二电 极16上设有第二外部连接部17p。经由第一外部连接部17n及第二外部连接 部17p，向发光元件10a的第一电极13及第二电极16间供给电流。而且， 当向第一电极13及第二电极16间供给电流时，发光元件10a的活性层12a 发光。发光元件10a的活性层12a发出的光在半导体层压体12内传播，主要 从基板11的下表面或者侧面向外部取出。
29.[基板11]
[0030]
基板11只要是可以使半导体外延生长的基板材料即可。基板11例如使 用由蓝宝石、氮化镓等材料形成的基板。在本实施方式中，从提高发光元件 10a的光取出效率的角度出发，优选使用具有透光性的蓝宝石基板。基板11 的俯视形状例如为长方形等四边形状。在本实施方式中，基板11的俯视形状 为正方形状。基板11的一边的长度例如为100μm以上、1500μm以下，优选 为100μm以上、500μm以下。
[0031]
[半导体层压体12]
[0032]
半导体层压体12为在基板11之上层压的层压体，从基板11侧依次具有 第一导电型的第一半导体层12n、活性层12a、以及第二导电型的第二半导体 层12p。在本实施方式中，第一导电型为n型，第二导电型为p型。第一半导 体层12n、活性层12a及第二半导体层12p适合使用in
x
alyga
1-x-y
n(0≦x、 0≦y、x+y＜1)等半导体。另外，上述半导体层可以各自为单层结构，也 可以为成分及膜厚等不同的多层层压结构、超晶格结构等。特别是活性层12a 优选为层压有产生量子效应的薄膜的单量子阱或者多量子阱结构。半导体层 可以掺杂si、ge等n型杂质及/或mg、zn等p型杂质。第一半导体层12n 例如包括掺杂有n型杂质的半导体层。第二半导体层12p例如包括掺杂有p 型杂质的半导体层。
[0033]
如图1及图2c所示，第一半导体层12n在俯视下具有第一部分12na、 以及位于第一部分12na内侧的第二部分12nb。第一部分12na未设有活性层 12a及第二半导体层12p，第一半导体层12n从活性层12a及第二半导体层12p 露出。在第二部分12nb设有第二半导体层12p。在第二部分12nb与第二半导 体层12p之间设有活性层12a。在第二部分12nb上设有活性层12a，在活性 层12a上设有第二半导体层12p。
[0034]
第一半导体层12n的俯视形状例如为长方形等四边形状。在本实施方式 中，第一半导体层12n的俯视形状为正方形状。如图1所示，第一半导体层 12n包括：第一边121、与第一边121连接的第二边122、与第二边122连接 的第三边123、以及与第一边121和第三边123连接的第四边124。第一半导 体层12n的一边的长度例如为100μm以上、500μm以下。在此，使与第二边 122及第四边124平行的方向为第一方向d1，使与第一边121及第三边123 平行的方向为第二方向d2。
[0035]
如图1、图2c、及图2d所示，第一部分12na在俯视下包括：位于第二 部分12nb的外周的外周部21、以及与第一边121、第二边122、第三边123 及第四边124各边对置且从外周部21向第二部分12nb延伸的多个延伸部22。 在本实施方式中，设有与第一边121、第二边122、第三边123、及第四边124 的各边分别对置的一个延伸部22。也可以在第一边121、第二边122、第三边123、以及第四边124的各边分别设有多个延伸部22。如图2c所示，在俯视 下，多个延伸部22分别位于与第一边121正交且将第一边121二等分的第一 虚拟线v1上、或者与第二边122正交且将第二边122二等分的第二虚拟线 v2上。由此，能够抑制发光元件10a的电流密度分布的差异，改善发光分布。 在图2d中，具有向左上方的阴影的区域为外周部21，具有向右上方的阴影 的区域为延伸部22。在俯视下，第一贯通孔15n位于延伸部22内。需要说明 的是，延伸部22也可以不位于第一虚拟线v1上或者第二虚拟线v2上。
[0036]
第一虚拟线v1上的外周部21的长度例如为15μm以上、25μm以下。第 一虚拟线v1上的延伸部22的长度例如为10μm以上、20μm以下。第一方向 d1的延伸部22的最大长度例如为35μm以上、70μm以下。
[0037]
[光反射性电极14]
[0038]
如图2a及图2b所示，光反射性电极14设置在第二半导体层12p的上 表面。光反射性电极14与第二半导体层12p电连接。
[0039]
光反射性电极14能够将经由第二电极16供给的电流向第二半导体层12p 扩散。另外，光反射性电极14优选相对于来自活性层12a的光具有较高的光 反射性。光反射性电极14相对于来自活性层12a的光，例如优选具有70％以 上、优选为80％以上的反射率。光反射性电极14可以使用具有良好的导电性 与光反射性的金属材料。光反射性电极14例如可以适宜使用ag、al、ni、 ti、pt、ta、ru或者以上述金属为主成分的合金作为金属材料。另外，光反 射性电极14可以使用将上述金属材料以单层、或进行层压形成的电极。光反 射性电极14的厚度例如可以为300nm以上、1μm以下。
[0040]
[绝缘层15]
[0041]
如图1、图2a、及图2b所示，绝缘层15覆盖半导体层压体12进行设 置。绝缘层15覆盖半导体层压体12的表面与光反射性电极14的表面。绝缘 层15设置在光反射性电极14与第一电极13之间，具有抑制光反射性电极14 与第一电极13电连接的功能。绝缘层15具有：分别位于多个延伸部22上的 第一贯通孔15n、以及位于第二半导体层12p上的第二贯通孔15p。第一电极 13通过各个第一贯通孔15n，与各延伸部22电连接。第二电极16通过第二 贯通孔15p，与第二半导体层12p电连接。
[0042]
作为绝缘层15，可以使用金属氧化物、金属氮化物。绝缘层15例如可以 适宜使用含有从由si、ti、zr、nb、ta、al形成的群中选择的至少一种材料 的氧化物或者氮化物。绝缘层15例如使用sio2、sin等。另外，绝缘层15 可以利用将上述金属氧化物、金属氮化物以单层、或者进行层压而形成的绝 缘层。作为绝缘层15，也可以使用折射率不同的两种以上的电介质层进行层 压，使之构成dbr(distributed bragg reflector：布拉格反射镜)膜。
[0043]
第一贯通孔15n的大小可以配合延伸部22de大小适当进行设定。第一贯 通孔15n在俯视下的形状例如为圆形的情况下，第一贯通孔15n的直径例如 可以为上述第一虚拟线v1的延伸部22的长度的60％以上、80％以下。第一 贯通孔15n的直径例如可以为5μm以上、20μm以下。通过减小第一贯通孔 15n的直径，能够减小延伸部22的大小，且减小局部除去活性层12a等的区 域，所以能够降低发光区域的减少。通过增大第一贯通孔15n的直径，能够 使第一电极13与第一半导体层12n的接触面积增加，所以能够抑制正向电压 vf的上升。
[0044]
[第一电极13、第二电极16]
[0045]
如图1、图2a～图2c所示，第一电极13经由绝缘层15而设置在第二 半导体层12p的上方。第一电极13在光反射性电极14上设置的绝缘层15上、 以及在第一部分12na上设置的绝缘层15上设置。在本实施方式中，第一电 极13只在延伸部22与第一半导体层12n电连接。也就是说，第一电极13未 与第一半导体层12n的第二部分12nb电连接。由此，能够较大地确保活性层 12a的面积，并且使活性层12a的俯视形状为大致长方形状，所以能够改善发 光分布。需要说明的是，第一电极13也可以使发光分布不致恶化程度地与第 二部分12nb电连接。例如，第一电极13也可以与第一半导体层12n的中心 部电连接。
[0046]
第二电极16设置在第二贯通孔15p，与光反射性电极14电连接。第二电 极16经由光反射性电极14与第二半导体层12p导通。第二电极16在俯视下 被第一电极13包围。第二电极16在俯视下与第一电极13不重合地进行设置。
[0047]
作为第一电极13及第二电极16，可以使用金属材料，例如可以适宜使用 ag、al、ni、rh、au、cu、ti、pt、pd、mo、cr、w等单体金属或以上述 金属为主成分的合金等。需要说明的是，在使用合金的情况下，例如也可以 如alsicu合金，作为成分元素而含有si等非金属元素。另外，第一电极13 及第二电极16可以利用将上述金属材料以单层、或者进行层压而形成的电极。 在本实施方式中，第一电极13及第二电极16为使用了相同金属材料的层压 结构。
[0048]
[第一外部连接部17n、第二外部连接部17p]
[0049]
如图1、图2a、以及图2b所示，第一外部连接部17n在位于第二半导 体层12p上的第一电极13上设置，与第一电极13电连接。如图1、图2a、 以及图2b所示，第二外部连接部17p设置在第二电极16上，与第二电极16 电连接。
[0050]
如图2c所示，在俯视下，第二半导体层12p包括由第一虚拟线v1、以 及第二虚拟线v2划分的四个区域。四个区域包括：第一区域30a、第二区域 30b、第三区域30c、以及第四区域30d。上述四个各区域在俯视下是由第二 半导体层12p的外缘与第一虚拟线v1及第二虚拟线v2包围的区域。第一区 域30a是配置有第一外部连接部17n的区域。第二区域30b在第一方向d1上 与第一区域30a相邻。第三区域30c在第二方向d2上与第一区域30a相邻。 第四区域30d在第二方向d2上与第二区域30b相邻，是配置有第二外部连接 部17p的区域。第四区域30d在第一方向d1上与第三区域30c相邻。
[0051]
在第一方向d1上使第一外部连接部17n与第二外部连接部17p不重合地 进行配置。另外，在第二方向d2上使第一外部连接部17n与第二外部连接部 17p不重合地进行配置。第一外部连接部17n及第二外部连接部17p位于第一 半导体层12n的对角线上。通过这样配置第一外部连接部17n及第二外部连 接部17p，能够使第一外部连接部17n与第二外部连接部17p之间的距离例如 比将第一外部连接部17n及第二外部连接部17p在第一方向d1上对置进行配 置的情况长。其结果是，能够在将第一外部连接部17n及第二外部连接部17p 与设有配线的基板接合时，抑制横跨导电性不同的两个配线来设置第一外部 连接部17n或者第二外部连接部17p。另外，能够在利用焊料等导电部件将第 一外部连接部17n及第二外部连接部17p与配线接合时，抑制因导电部件而 电连接第一外部连接部17n及第二外部连接部17p。在俯视下，第一外部连接 部17n与第二外部连接部17p之间的最短距离例如优选为第一半导体层12n 的一边的30％以上、60％以下，更优选为40％以上、50％以下。第一外部连 接部17n与第二外部连接部17p之间的最短距离例如为120μm以上、250μm 以下。
[0052]
在俯视下，第一外部连接部17n的90％以上设置在第一区域30a内。在 俯视下，第二外部连接部17p的90％以上设置在第四区域30d内。由此，即 使在第一外部连接部17n或者第二外部连接部17p的一部分设置在第二区域 30b及/或第三区域30c的情况下，也能够抑制第一外部连接部17n与第二外 部连接部17p局部接近。在俯视下，第一外部连接部17n全部设置在第一区 域30a内。在俯视下，第二外部连接部17p全部设置在第四区域30d内。由 此，容易将第一外部连接部17n与第二外部连接部17p之间的最短距离设计 得更短。
[0053]
第一外部连接部17n及第二外部连接部17p的俯视形状为大致三角形状。 在本实施方式中，第一外部连接部17n及第二外部连接部17p的俯视形状为 角部是圆形的三角形。从提高第一外部连接部17n及第二外部连接部17p与 配线的接合性、位置精度的角度出发，优选使第一外部连接部17n及第二外 部连接部17p的大小大致相同。第一外部连接部17n的
大小例如优选为第一 区域30a的30％以上、70％以下，更优选为30％以上、50％以下。第二外部连 接部17p的大小例如优选为第四区域30d的30％以上、70％以下，更优选为 30％以上、50％以下。通过较大地形成第一外部连接部17n及第二外部连接部 17p，能够使与设有配线的基板的接合面积增加。
[0054]
在俯视下，第一外部连接部17n及第二外部连接部17p包括直线部。第 一外部连接部17n的直线部与第二外部连接部17p的直线部大致平行。第一 外部连接部17n的直线部与第二外部连接部17p的直线部之间的距离相当于 第一外部连接部17n与第二外部连接部17p之间的最短距离。第一外部连接 部17n及第二外部连接部17p的直线部的长度例如可以为第一半导体层12n 的一边的长度的20％以上、40％以下。通过第一外部连接部17n及第二外部 连接部17p具有上述直线部，能够配置第一外部连接部17n的直线部与第二 外部连接部17p的直线部之间的距离相同的区域。因此，第一外部连接部17n 与第二外部连接部17p没有局部接近的部分，能够在与基板接合时抑制第一 外部连接部17n与第二外部连接部17p电连接。
[0055]
作为第一外部连接部17n及第二外部连接部17p的材料，可以适宜使用 cu、au、ni等金属。另外，第一外部连接部17n及第二外部连接部17p可以 利用将上述金属材料以单层、或者进行层压而形成的部件。第一外部连接部 17n及第二外部连接部17p的厚度例如为30μm以上、70μm以下。
[0056]
如上所述，本实施方式的发光元件10a具有与在第一半导体层12n的各 边分别设置的延伸部22电连接的第一电极13。而且，第一外部连接部17n 设置在第一区域30a，第二外部连接部17p设置在第四区域30d。由此，能够 比较大地确保活性层12a的面积，并且改善发光元件10a的发光分布。另外， 因为能够相对增大第一外部连接部17n与第二外部连接部17p之间的距离， 所以能够抑制在与设有配线的基板接合时，横跨导电性不同的两个配线来设 有第一外部连接部17n或者第二外部连接部17p。
[0057]
〔发光装置100a〕
[0058]
参照图3a、图3b、及图4，针对使用了发光元件10a的发光装置100a 的结构进行说明。图3a及图3b是表示发光装置100a的立体图。图4所示 的剖视图示意性地表示了图3b的iv-iv线的剖面。
[0059]
如图3a、图3b、及图4所示，使用了发光元件10a的发光装置100a 具有：发光元件10a、覆盖发光元件10a的侧面的覆盖部件40、覆盖发光元 件10a的侧面及覆盖部件40的表面的第一反射部件50、以及在发光元件10a 的基板11的下表面设置的透光部件60。
[0060]
(覆盖部件40)
[0061]
如图4所示，覆盖部件40覆盖发光元件10a的侧面的一部分、以及透光 部件60的上表面。覆盖部件40覆盖发光元件10a的各侧面的一部分。发光 元件10a的基板11被覆盖部件40覆盖。覆盖部件40在与第一反射部件50 相接的部分具有曲面。通过设置覆盖部件40，能够由覆盖部件40的曲面使从 发光元件10a射出的光向透光部件60侧反射，提高光取出效率。
[0062]
(第一反射部件50)
[0063]
如图4所示，第一反射部件50覆盖发光元件10a的表面、覆盖部件40 的倾斜面、以及透光部件60的表面。第一反射部件50覆盖第一外部连接部 17n及第二外部连接部17p的
侧面。为了确保用于使第一外部连接部17n及第 二外部连接部17p导通的表面，设置第一反射部件50，以使之不会覆盖第一 外部连接部17n及第二外部连接部17p的一部分。如图3b所示，第一外部连 接部17n及第二外部连接部17p的一部分从第一反射部件50露出。第一反射 部件50的上表面与第一外部连接部17n及第二外部连接部17p的上表面位于 大致相同的平面上。
[0064]
第一反射部件50使用具有光反射性的树脂、陶瓷。第一反射部件50例 如可以使用树脂中含有光反射物质的树脂。例如，作为树脂，使用硅树脂、 改性硅树脂、环氧树脂等。作为光反射物质，使用二氧化钛、二氧化硅、氧 化铝等。通过第一反射部件50具有光反射性，能够使从发光元件10a射出的 光反射，提高光取出效率。第一反射部件50例如优选相对于从发光元件10a 射出的光的波长具有60％以上的反射率、优选70％以上的反射率。
[0065]
(透光部件60)
[0066]
透光部件60在发光元件10a的基板11的下表面进行设置。透光部件60 可以含有光反射物质、可将从发光元件10a射出的光的一部分波长转换的荧 光体。透光部件60例如可以由树脂、玻璃，陶瓷等形成。另外，含有荧光体 的透光部件60例如可以使用荧光体的烧制体、或在树脂、玻璃、陶瓷中含有 荧光体的部件。
[0067]
在透光部件60中含有的荧光体可以应用已知的材料。透光部件60中含 有的荧光体例如可以使用：钇/铝/石榴石基荧光体(例如y3(al，ga)5o
12
： ce)、镥/铝/石榴石基荧光体(例如lu3(al，ga)5o
12
：ce)、铽/铝/石榴 石基荧光体(例如tb3(al，ga)5o
12
：ce)、cca基荧光体(例如ca
10
(po4) 6cl2
：eu)、sae基荧光体(例如sr4al
14o25
：eu)、氯硅酸盐基荧光体(例 如ca8mgsi4o
16cl2
：eu)、氮化物基荧光体、氟化物基荧光体、具有钙钛矿 结构的荧光体(例如cspb(f，cl，br，i)3)、量子点荧光体(例如cdse、 inp、agins2或aginse2)等。氮化物基荧光体的例子为β型塞隆基荧光体(例 如(si，al)3(o，n)4：eu)、α型塞隆基荧光体(例如ca(si，al)
12 (o，n)
16
：eu)、sla基荧光体(例如srlial3n4：eu)、casn基荧光体 (例如caalsin3：eu)及scasn基荧光体(例如(sr，ca)alsin3：eu)等， 氟化物基荧光体的例子为ksf基荧光体(例如k2sif6：mn)、ksaf基荧光 体(例如k2(si，al)f6：mn)及mgf基荧光体(例如3.5mgo/0.5mgf2/geo2： mn)等。通过上述荧光体与来自发光元件的光的波长的组合，能够得到期望 发光颜色的发光装置。
[0068]
透光部件60在覆盖发光元件10a的基板11的下表面而配置的情况下， 可以经由粘接材料进行接合。粘接材料例如可以使用环氧树脂或者硅树脂这 样具有透光性的树脂。另外，透光部件60与发光元件10a的基板11的下表 面的接合例如也可以利用基于表面活化接合、原子扩散接合、羟基接合等的 直接接合法。
[0069]
〔发光装置100b〕
[0070]
参照图5a、图5b、及图6，针对使用了发光元件10a的发光装置100b 的结构进行说明。图5a及图5b是表示发光装置100b的立体图。图6所示 的剖视图示意性地表示了图5b的vi-vi线的剖面。
[0071]
如图5a、图5b、及图6所示，使用了发光元件10a的发光装置100b 与发光装置100a主要的不同之处在于，配置有第一反射部件50、透光部件 60以及第二反射部件70，未配置有覆盖部件40。下面，对于与图5a、图5b、 以及图6所示的发光装置100a相同的结构，使用相同的标记，省略说明。
[0072]
发光装置100b具有：发光元件10a、覆盖发光元件10a的上表面的一 部分的第一反射部件50、覆盖发光元件10a的基板11的侧面及下表面的透 光部件60、以及在透光部件60的下表面设置的第二反射部件70。
[0073]
如图6所示，第一反射部件50覆盖发光元件10a的上表面的一部分、以 及透光部件60的上表面。第一反射部件50在基板11的侧面及下表面未设置。 第一反射部件50不覆盖第一半导体层12n的侧面、以及基板11的侧面及下 表面地进行设置。由此，能够使从发光元件10a射出的光之中面向第一反射 部件50侧的光向透光部件60侧反射，并且使从发光元件10a射出的光有效 地射入透光部件60。第一反射部件50的上表面位于比第一外部连接部17n 及第二外部连接部17p的上表面更靠近下方。位于第一外部连接部17n与第 二外部连接部17p之间的第一反射部件50的上表面位于比位于其它区域的第 一反射部件50的上表面更靠近下方。
[0074]
透光部件60设置在第一半导体层12n的侧面、基板11的侧面及下表面。 从发光元件10a射出的光的一部分从透光部件60的侧面取出。
[0075]
(第二反射部件70)
[0076]
第二反射部件70设置在透光部件60的下表面。透光部件60设置在第一 反射部件50与第二反射部件70之间。第二反射部件70可以使用与上述第一 反射部件50相同的部件。
[0077]
上面，针对本发明的发光元件及发光装置，利用用于实施发明的方式具 体地进行了说明，但本发明的主旨不限于上述说明，必须基于技术方案范围 的说明广泛地解释。另外，基于上述说明进行的各种变更、修改等当然也包 含在本发明的主旨中。
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附图标记说明
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10a发光元件；11基板；12半导体层压体；12n第一半导体层； 12na第一部分；12nb第二部分；121第一边；122第二边；123第三 边；124第四边；12a活性层；12p第二半导体层；13第一电极；14光 反射性电极；15绝缘层；15n第一贯通孔；15p第二贯通孔；16第二 电极；17n第一外部连接部；17p第二外部连接部；21外周部；22延 伸部；30a第一区域；30b第二区域；30c第三区域；30d第四区域； 40覆盖部件；50第一反射部件；60透光部件；70第二反射部件；100a， 100b发光装置；d1第一方向；d2第二方向；v1第一虚拟线；v2第 二虚拟线。