技术特征：
1.一种半导体装置，包括：多个第一通道纳米结构，彼此分隔并位于一第一装置区中；多个第二通道纳米结构，彼此分隔并位于一第二装置区中；多个介电鳍片，包括一第一介电鳍片，位于该第一装置区与该第二装置区之间的一共享边界、一第二介电鳍片，位于该第一装置区相对该共享边界的一边界及一第三介电鳍片，位于该第二装置区相对该共享边界的一边界；一栅极介电层，围绕多个所述第一通道纳米结构的每一个及多个所述第二通道纳米结构的每一个，且位于该第一介电鳍片、该第二介电鳍片及该第三介电鳍片上方；一第一功函数层，围绕多个所述第一通道纳米结构的每一个，且位于该栅极介电层、该第一介电鳍片及该第二介电鳍片上方；一第二功函数层，围绕多个所述第二通道纳米结构的每一个，且位于该栅极介电层、该第一介电鳍片、该第二介电鳍片、该第三介电鳍片及该第一功函数层上方；一第一间隙，存在于每个相邻的多个所述第一通道纳米结构之间；以及一第二间隙，存在于每个相邻的多个所述第二通道纳米结构之间。
技术总结
一种半导体装置，包含位于第一装置区中的多个第一通道纳米结构以及位于第二装置区中的多个第二通道纳米结构。第一通道纳米结构设置于第一介电鳍片与第二介电鳍片之间。第二通道纳米结构设置于第一介电鳍片与第三介电鳍片之间。形成栅极介电层以围绕第一通道纳米结构的每一个及第二通道纳米结构的每一个。形成第一功函数层以围绕第一通道纳米结构的每一个。形成第二功函数层以围绕第二通道纳米结构的每一个。第一间隙存在于每个相邻的第一通道纳米结构之间，且第二间隙存在于每个相邻的第二通道纳米结构之间。二通道纳米结构之间。二通道纳米结构之间。
技术研发人员：徐崇威 江国诚 黄懋霖 朱龙琨 余佳霓 程冠伦 王志豪
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2022.03.30
技术公布日：2022/8/5