高电子迁移率晶体管的制作方法

本发明涉及一种具有掺杂层的高电子迁移率晶体管。

背景技术：

1、以氮化镓基材料(gan-based materials)为基础的高电子迁移率晶体管具有于电子、机械以及化学等特性上的众多优点，例如宽能隙、高击穿电压、高电子迁移率、大弹性模数(elastic modulus)、高压电与压阻系数(high piezoelectric and piezoresistivecoefficients)等与化学钝性。上述优点使氮化镓基材料可用于如高亮度发光二极管、功率开关元件、调节器、电池保护器、面板显示驱动器、通信元件等应用的元件的制作。

技术实现思路

1、本发明一实施例揭露一种高电子迁移率晶体管(high electron mobilitytransistor,hemt)，其主要包含第一掺杂层设于基底内、一平台隔离(mesa isolation)设于基底上、一栅极电极设于平台隔离上、一源极电极与一漏极电极设于栅极电极两侧、一保护层设于平台隔离上并环绕源极电极与漏极电极、第一金属导线连接源极电极与第一掺杂层以及第二金属导线连接漏极电极与第一掺杂层。

2、本发明另一实施例揭露一种高电子迁移率晶体管，其主要包含第一掺杂层设于基底顶表面、一平台隔离设于基底上、一栅极电极设于平台隔离上、一源极电极与一漏极电极设于栅极电极两侧、一保护层设于平台隔离上并环绕源极电极与漏极电极、第一金属导线连接源极电极与第一掺杂层以及第二金属导线连接漏极电极与第一掺杂层。

技术特征：

1.一种高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,hemt)，其特征在于，包含：

2.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该平台隔离包含：

3.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，还包含：

4.如权利要求3所述的高电子迁移率晶体管，其中该保护层设于该平台隔离侧壁。

5.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，还包含：

6.如权利要求5所述的高电子迁移率晶体管，其中该第一掺杂层包含第一掺杂区且该第二欧姆接触包含第二掺杂区。

7.如权利要求6所述的高电子迁移率晶体管，其中该第一掺杂区以及该第二掺杂区包含不同导电型式。

8.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，还包含：

9.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，还包含：

10.如权利要求9所述的高电子迁移率晶体管，其中该第一掺杂层以及该第二掺杂层包含不同导电型式。

11.一种高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,hemt)，其特征在于，包含：

12.如权利要求11所述的高电子迁移率晶体管，其中该平台隔离包含：

13.如权利要求11所述的高电子迁移率晶体管，还包含：

14.如权利要求13所述的高电子迁移率晶体管，其中该保护层设于该平台隔离侧壁。

15.如权利要求11所述的高电子迁移率晶体管，还包含：

16.如权利要求15所述的高电子迁移率晶体管，其中该第一掺杂层包含第一掺杂区且该第二欧姆接触包含第二掺杂区。

17.如权利要求16所述的高电子迁移率晶体管，其中该第一掺杂区以及该第二掺杂区包含不同导电型式。

18.如权利要求11所述的高电子迁移率晶体管，还包含：

19.如权利要求11所述的高电子迁移率晶体管，还包含：

20.如权利要求19所述的高电子迁移率晶体管，其中该第一掺杂层以及该第二掺杂层包含不同导电型式。

技术总结
本发明公开一种高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)，其主要包含第一掺杂层设于基底内、一平台隔离(mesa isolation)设于基底上、一栅极电极设于平台隔离上、一源极电极与一漏极电极设于栅极电极两侧、一保护层设于平台隔离上并环绕源极电极与漏极电极、第一金属导线连接源极电极与第一掺杂层以及第二金属导线连接漏极电极与第一掺杂层。

技术研发人员：周志飚
受保护的技术使用者：联华电子股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15