一种芯片模块及其制作方法与流程

本申请涉及芯片加工，具体涉及一种芯片模块及其制作方法。

背景技术：

1、光学成像系统会将物体平面聚焦在曲面上，而现有的商业化成像系统中的图像传感器则主要依赖于平面集成的硅基电路系统，需要配合复杂的光学透镜组校正成像像差，才能将光线聚焦在同一平面的成像器件上实现成像，这种方式不仅削弱了光学信号的信息量，还无法完全消除像差，容易在图像的边缘出现严重的畸变、渐晕等失真现象。因此，通过开发具有曲面结构的图像传感器件，实现光学镜头与图像传感器的联合设计，可为成像系统的开发带来新的突破。然而，现有的曲面传感器的制作，主要采用对芯片进行固定再使用机械力加压的方式来实现芯片的曲面变形，操作比较繁琐、不易控制，且芯片固定后容易在变形时受力不均而产生不良，降低良率。

技术实现思路

1、针对上述技术问题，本申请提供一种芯片模块及其制作方法，操作简单、易控、良率高。

2、为解决上述技术问题，本申请提供一种芯片模块的制作方法，包括以下步骤：

3、s1.提供一芯片，所述芯片的背面具有粘接剂；

4、s2.将所述芯片放置在一基座的凹腔中，并使所述芯片的背面朝向所述凹腔的底部，其中，所述凹腔的表面为曲面；

5、s3.在所述凹腔的开口侧设置柔性薄膜以密封所述凹腔；

6、s4.对密封后的所述凹腔进行流体加压，使所述柔性薄膜和所述芯片变形至与所述凹腔的表面共形；

7、s5.加热固化所述粘接剂，使变形后的所述芯片与所述凹腔的表面粘接而定形，得到所述芯片模块。

8、可选地，所述芯片为圆形芯片，所述凹腔的表面为球面。

9、可选地，所述芯片为椭圆形芯片，所述凹腔的表面为椭球面。

10、可选地，所述芯片的厚度为20～150μm。

11、可选地，所述s1步骤之前，还包括：

12、提供晶圆级硅基芯片；

13、对所述晶圆级硅基芯片进行减薄；

14、切割减薄后的所述晶圆级硅基芯片，得到所述芯片。

15、可选地，所述粘接剂采用旋涂的方式形成在所述芯片的背面。

16、可选地，所述柔性薄膜的厚度为80～120μm。

17、可选地，所述s4步骤中，所述流体加压包括气体加压或液体加压，流体加压的压力为1-10mpa。

18、可选地，所述s5步骤之后，还包括：

19、释放流体；

20、除去所述柔性薄膜。

21、本申请还提供一种芯片模块，采用如上任一所述的芯片模块的制作方法制作得到。

22、本申请的芯片模块及其制作方法，制作方法包括：提供一芯片，芯片的背面具有粘接剂；将芯片放置在一基座的凹腔中，并使芯片的背面朝向凹腔的底部，其中，凹腔的表面为曲面；在凹腔的开口侧设置柔性薄膜以密封凹腔；对密封后的凹腔进行流体加压，使柔性薄膜和芯片变形至与凹腔的表面共形；加热固化粘接剂，使变形后的芯片与凹腔的表面粘接而定形，得到芯片模块。本申请采用柔性薄膜和流体加压的方式，构建了非刚性约束的流体压力场来控制芯片变形，最后固化粘接剂使芯片定形，实现了对芯片的曲面加工，操作简单、易控、良率高。

技术特征：

1.一种芯片模块的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述芯片为圆形芯片，所述凹腔的表面为球面。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述芯片为椭圆形芯片，所述凹腔的表面为椭球面。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述芯片的厚度为20～150μm。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述s1步骤之前，还包括：

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述粘接剂采用旋涂的方式形成在所述芯片的背面。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述柔性薄膜的厚度为80～120μm。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述s4步骤中，所述流体加压包括气体加压或液体加压，流体加压的压力为1-10mpa。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述s5步骤之后，还包括：

10.一种芯片模块，其特征在于，采用如权利要求1至9中任一项所述的芯片模块的制作方法制作得到。

技术总结
本申请涉及一种芯片模块及其制作方法，制作方法包括：提供一芯片，芯片的背面具有粘接剂；将芯片放置在一基座的凹腔中，并使芯片的背面朝向凹腔的底部，其中，凹腔的表面为曲面；在凹腔的开口侧设置柔性薄膜以密封凹腔；对密封后的凹腔进行流体加压，使柔性薄膜和芯片变形至与凹腔的表面共形；加热固化粘接剂，使变形后的芯片与凹腔的表面粘接而定形，得到芯片模块。本申请采用柔性薄膜和流体加压的方式，构建了非刚性约束的流体压力场来控制芯片变形，最后固化粘接剂使芯片定形，实现了对芯片的曲面加工，操作简单、易控、良率高。

技术研发人员：冯雪,白向兴,陈颖,罗锐,汪照贤,刘东亮
受保护的技术使用者：浙江清华柔性电子技术研究院
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15