技术特征：
1.一种降低裂纹的外延方法，其特征在于，包括如下步骤：提供衬底；在所述衬底表面生长前置层；降温以释放所述前置层中的应力；以及升温后继续形成外延层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底的材料为sic、蓝宝石、以及单晶硅的任意一种。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述外延层的材料为氮化物，所述前置层的材料为氮化物，所述外延层和前置层的材料各自独立的选自于aln、gan、inn以及上述材料的三元或四元化合物中的一种。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述衬底表面生长氮化物前置层的步骤之前，进一步包括如下步骤：在所述衬底上生长缓冲层，所述前置层生长于所述缓冲层表面。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述降温速率小于2℃/s。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，降温为二阶段分步降温：第一阶段降温速率1℃/s-1.5℃/s，目标温度范围1000～1050℃在n2氛围中实施；第二阶段降温速率1.5℃/s-2℃/s，目标温度范围400～700℃在h2氛围中实施。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，降温为三阶段分步降温：第一阶段降温速率小于1℃/s，目标温度范围900℃-1050℃，在n2氛围中实施；第二阶段降温速率1℃/s-1.5℃/s，目标温度范围700℃-900℃，在n2或h2氛围中实施第三阶段降温速率1.5℃/s-2℃/s，目标温度范围400℃-700℃在h2氛围中实施。8.一种外延片，包括：衬底；衬底表面的外延层；其特征在于，在所述衬底和外延层之间还包括具有热失配裂纹的前置层。9.根据权利要求8所述的外延片，其特征在于，所述衬底的材料为sic、蓝宝石、以及单晶硅的任意一种。10.根据权利要求8所述的外延片，其特征在于，所述外延层的材料为氮化物，所述前置层的材料为氮化物，所述外延层和前置层的材料各自独立的选自于aln、gan、inn以及上述材料的三元或四元化合物中的一种。
技术总结
本发明提出一种降低裂纹的外延方法及外延片。所述外延方法包括如下步骤：提供衬底；在所述衬底表面生长前置层；降温以释放所述前置层中的应力；以及升温后继续形成外延层。本发明通过在缓冲层和外延层中间设置前置层，通过热处理前置层使得前置层在降温过程中产生裂纹，然后在具有裂纹的前置层上外延生长外延层，通过前置层提前释放衬底上的应力。降低了外延生长因裂纹导致外延片报废的几率，提高了生产良率，降低了生产成本。降低了生产成本。降低了生产成本。
技术研发人员：闫其昂 王国斌
受保护的技术使用者：江苏第三代半导体研究院有限公司
技术研发日：2022.04.22
技术公布日：2022/8/5