一种基于SIW馈电的宽频带毫米波磁电偶极子天线

文档序号:31677955发布日期:2022-09-28 03:41阅读:来源:国知局

技术特征:
1.一种基于siw馈电的宽频带毫米波磁电偶极子天线,其特征在于,包括基片集成波导siw,所述基片集成波导siw上方依次设置pp板(7)、上介质基板(1),所述上介质基板(1)的上表面设置有两处开口谐振环(8)和加载开口谐振环(8)的h形金属贴片(2),两处所述开口谐振环(8)设置在所述h形金属贴片(2)外部的上下凹槽内;所述基片集成波导siw包括有从上到下依次设有的上层金属板(4)、下介质基板(5)、接地板(9),所述上层金属板(4)上设置有沙漏形缝隙(3);所述上介质基板(1)上设置有两处金属盲孔(6),两处所述金属盲孔(6)分别与所述h形金属贴片(2)和上层金属板(4)连接,两处所述金属盲孔(6)分别连接在沙漏形缝隙(3)的两侧腰间。2.根据权利要求1所述的一种基于siw馈电的宽频带毫米波磁电偶极子天线,其特征在于,所述基片集成波导siw的下介质基板(5)设置有若干金属通孔。3.根据权利要求1所述的一种基于siw馈电的宽频带毫米波磁电偶极子天线,其特征在于,所述h形金属贴片(2)设置有h形镂空部,所述h形镂空部在靠近竖向对称轴的一侧设置有四处阶梯部。4.根据权利要求3所述的一种基于siw馈电的宽频带毫米波磁电偶极子天线,其特征在于,所述阶梯部包括有依次连接的三个阶梯,每个所述阶梯的竖向高度差分别为0.2mm、0.45mm、0.4mm,每个所述阶梯的横向宽度差分别为0.5mm、0.3mm、0.2mm。5.根据权利要求1所述的一种基于siw馈电的宽频带毫米波磁电偶极子天线,其特征在于,所述h形金属贴片(2)的外部四角处均设置有倒角,所述倒角的长度为0.8mm,宽度为0.35mm。6.根据权利要求1所述的一种基于siw馈电的宽频带毫米波磁电偶极子天线,其特征在于,所述开口谐振环(8)为双开口谐振环,每处所述开口谐振环(8)包括有与h形金属贴片(2)连接的外开口谐振环(81),以及与外开口谐振环(81)相对设置的内开口谐振环(82)。7.根据权利要求6所述的一种基于siw馈电的宽频带毫米波磁电偶极子天线,其特征在于,所述外开口谐振环(81)包括有与所述h形金属贴片(2)连接的第一横向段(811),所述第一横向段(811)的两端分别设有依次相连且向内弯折的第一折弯部(812)、第二折弯部(813)和第三折弯部(814),每处折弯部的折弯角度为90
°
,所述第三折弯部(814)的末端朝向内开口谐振环(82),所述外开口谐振环(81)呈凹字形;所述第一横向段(811)、所述第一折弯部(812)、所述第二折弯部(813)和所述第三折弯部(814)的长度分别为1.0mm、0.7mm、0.45mm、0.4mm,所述外开口谐振环(81)的宽度为0.08mm;所述h形金属贴片(2)与所述第一横向段(811)的中部连接。8.根据权利要求6所述的一种基于siw馈电的宽频带毫米波磁电偶极子天线,其特征在于,所述内开口谐振环(82)呈“c”字形,所述内开口谐振环(82)的“c”字形开口朝向两处所述第三折弯部(814)的末端;所述内开口谐振环(82)包括有第二横向段(821),所述第二横向段(821)的两端分别设置有向内的第四折弯部(822),所述第四折弯部(822)的折弯角度为90
°
;所述第二横向段(821)和第四折弯部(822)的长度分别为0.64mm和0.17mm,所述内开口谐振环(82)的宽度为0.08mm。9.根据权利要求8所述的一种基于siw馈电的宽频带毫米波磁电偶极子天线,其特征在于,所述第二横向段(821)上设置有与所述h形金属贴片(2)连接的连接部,所述连接部的宽度等于所述内开口谐振环(82)的宽度;所述连接部的长度为0.25mm。
10.根据权利要求1所述的一种基于siw馈电的宽频带毫米波磁电偶极子天线,其特征在于,所述上介质基板(1)和下介质基板(5)为pcb板,所述接地板(9)和上层金属板(4)均为覆铜板。

技术总结
本发明公开了一种基于SIW馈电的宽频带毫米波磁电偶极子天线,包括基片集成波导SIW,基片集成波导SIW上方依次设置PP板、上介质基板,上介质基板的上表面设置有两处开口谐振环和加载开口谐振环的H形金属贴片;基片集成波导SIW包括有从上到下依次设有的上层金属板、下介质基板、接地板,上层金属板上设置有沙漏形缝隙;上层金属板上设置有两处金属盲孔,两处金属盲孔分别连接H形金属贴片和上层金属板结构。本发明在-10dB的阻抗带宽为38.5%,高于同类型天线的带宽。本发明在频带范围内增益大于5.5dBi,最大增益约为7.5dBi,而且增益稳定。本发明仅用一层SIW结构和H形金属贴片便可以实现宽频带毫米波,对5G移动通信有着十分重要的意义。的意义。的意义。


技术研发人员:刘雪明 乔小斌 赵塔 付彩欣 刘金安 李相强 倪树成
受保护的技术使用者:西南交通大学
技术研发日:2022.06.10
技术公布日:2022/9/27
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