技术特征：
1.一种p型太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：提供p型硅片；对所述p型硅片进行刻蚀清洗；在所述p型硅片的第一面上制备隧穿氧化层；在所述隧穿氧化层上制备掺杂多晶硅层；在所述p型硅片的第二面上制备氧化铝层；在所述掺杂多晶硅层上制备第一钝化层；在所述氧化铝层上制备第二钝化层；在所述第二钝化层上局域覆盖硼源层；使用激光扫描硼源层形成硼掺杂层，并同时形成激光开槽；清洗所述硼掺杂层；在所述第一面形成第一电极，所述第一电极穿过所述第一钝化层接触所述掺杂多晶硅层；在所述第二面形成第二电极，所述第二电极通过开槽区域接触所述硼掺杂层。2.根据权利要求1所述的p型太阳能电池的制作方法，其特征在于，在所述在所述第一面形成第一电极的步骤之前，所述制作方法包括：对所述第一钝化层进行激光开膜；在所述第一面形成第一电极，包括：通过电镀铜形成所述第一电极；在所述第二面形成第二电极，包括通过电镀铜形成所述第二电极。3.根据权利要求1所述的p型太阳能电池的制作方法，其特征在于，在所述第一面形成第一电极，包括：使用银浆料在所述第一面形成所述第一电极；在所述第二面形成第二电极，包括：通过电镀铜形成所述第二电极。4.根据权利要求1所述的p型太阳能电池的制作方法，其特征在于，在所述第一面形成第一电极，包括：使用银浆料在所述第一面形成所述第一电极；在所述第二面形成第二电极，包括：使用铝浆料在所述第二面形成所述第二电极。5.根据权利要求4所述的p型太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述第二电极包括细栅、主栅和焊盘，所述细栅为铝导电体，使用铝浆料在所述第二面形成第二电极，包括：使用铝浆料在所述第二面形成所述铝导电体；在所述铝导电体上形成所述主栅和所述焊盘，所述主栅包括第一银导电部，和/或，所述焊盘包括第二银导电部。6.根据权利要求4所述的p型太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述第二电极包括铝细栅和银细栅，使用铝浆料在所述第二面形成第二电极，包括：使用铝浆料在所述第二面形成所述铝细栅，所述铝细栅通过开槽区域与所述p型硅片
形成接触；在所述铝细栅上形成所述银细栅，所述铝细栅和所述银细栅形成复合细栅。7.根据权利要求6所述的p型太阳能电池的制作方法，其特征在于，在所述铝细栅上形成所述银细栅，包括：将所述银细栅覆盖所述铝细栅的顶面和侧面。8.根据权利要求6所述的p型太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述铝细栅被覆盖的厚度小于所述银细栅的厚度的1/2。9.根据权利要求6所述的p型太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述银细栅的宽度与所述铝细栅的宽度之差为5μm-20μm。10.根据权利要求6所述的p型太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述银细栅的厚度为5μm-10μm。11.根据权利要求6所述的p型太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述铝细栅的厚度为10μm-40μm。12.一种p型太阳能电池，其特征在于，采用权利要求1-11任一项所述的p型太阳能电池的制作方法制成。13.一种p型太阳能电池，其特征在于，包括：p型硅片；依次层叠于所述p型硅片的第一面的隧穿氧化层、掺杂多晶硅层、第一钝化层和第一电极，所述第一电极穿过所述第一钝化层与所述掺杂多晶硅接触；依次层叠于所述p型硅片的第二面的氧化铝层、第二钝化层和第二电极，所述氧化铝层和所述第二钝化层设有开槽区域，所述开槽区域形成有硼掺杂层，所述第二电极穿过所述开槽区域接触所述硼掺杂层。14.根据权利要求13所述的p型太阳能电池，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极均为电镀铜电极。15.根据权利要求13所述的p型太阳能电池，其特征在于，所述第一电极为银电极，所述第二电极为电镀铜电极。16.根据权利要求13所述的p型太阳能电池，其特征在于，所述第一电极为银电极，所述第二电极包括铝电极。17.根据权利要求16所述的p型太阳能电池，其特征在于，所述第二电极为复合细栅，所述复合细栅包括铝细栅和银细栅，所述铝细栅通过开槽区域与所述p型硅片形成接触，所述银细栅设于所述铝细栅背离所述p型硅片的一侧。18.根据权利要求17所述的p型太阳能电池，其特征在于，所述银细栅覆盖所述铝细栅的顶面和侧面。19.根据权利要求17所述的p型太阳能电池，其特征在于，所述银细栅的宽度与所述铝细栅的宽度之差为5μm-20μm。20.根据权利要求17所述的p型太阳能电池，其特征在于，所述银细栅的厚度为5μm-10μm。21.根据权利要求17所述的p型太阳能电池，其特征在于，所述铝细栅的厚度为10μm-40μm。
22.一种电池组件，其特征在于，包括权利要求12或权利要求13-21任一项所述的p型太阳能电池。23.一种光伏系统，其特征在于，包括权利要求22所述的电池组件。
技术总结
本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种P型太阳能电池及其制作方法、电池组件和光伏系统。P型太阳能电池的制作方法包括：提供P型硅片；对P型硅片进行刻蚀清洗；在P型硅片的第一面上制备隧穿氧化层；在隧穿氧化层上制备掺杂多晶硅层；在P型硅片的第二面上制备氧化铝层；在掺杂多晶硅层上制备第一钝化层；在氧化铝层上制备第二钝化层；在第二钝化层上局域覆盖硼源层；使用激光扫描硼源层形成硼掺杂层，并同时形成激光开槽；清洗硼掺杂层；在第一面形成第一电极，第一电极穿过第一钝化层接触掺杂多晶硅层；在第二面形成第二电极，第二电极通过开槽区域接触硼掺杂层。如此，可以双面抗辐射并修复激光引入的晶格损伤。抗辐射并修复激光引入的晶格损伤。抗辐射并修复激光引入的晶格损伤。
技术研发人员：王永谦 许文理 张建军 杨新强 陈刚
受保护的技术使用者：珠海富山爱旭太阳能科技有限公司 天津爱旭太阳能科技有限公司 广东爱旭科技有限公司
技术研发日：2022.06.23
技术公布日：2022/9/20