晶体管、制备方法及显示面板与流程

1.本技术涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种晶体管、制备方法及显示面板。


背景技术：

2.目前，垂直结构的晶体管一般采用mis结构，即金属-绝缘体-半导体场效应晶体管。采用mis结构的垂直型晶体管的技术核心在于图形化的网状源极，要求源极薄且粗糙，由此来实现较高的透光度，并在与发光单元接触时形成较大的注入势垒，在电场影响下能够改变其费米能级，实现栅极电压的开关功能。
3.然而，现有垂直型晶体管的极薄网状源极会降低晶体管的载流子迁移率，且难以大批量规模化生产。


技术实现要素：

4.本技术实施例提供一种晶体管、制备方法及显示面板，能够提高晶体管的载流子迁移率，且能够大批量规模化生产。
5.本技术实施例的第一方面，提供一种晶体管，包括：
6.栅极，所述栅极包括多个相互间隔的镂空区域；
7.半导体层，所述半导体层至少包括填充于所述镂空区域的第一部分；
8.漏极和源极，分别设置于所述半导体层在厚度方向上的两侧；
9.第一绝缘层，设置于所述栅极在厚度方向上靠近所述源极一侧的表面；
10.第二绝缘层，设置于所述栅极在厚度方向上靠近所述漏极一侧的表面。
11.在一些实施方式中，所述半导体层还包括第二部分，所述第二部分和所述第一部分在厚度方向上层叠设置，所述第二部分在所述栅极所在平面上的正投影覆盖所述第一部分和所述第二部分。
12.在一些实施方式中，所述第二部分设置于所述栅极与所述源极之间，和/或，所述第二部分设置于所述栅极与所述漏极之间。
13.在一些实施方式中，所述晶体管还包括：
14.发光结构；
15.所述发光结构设置于所述半导体层与所述漏极之间，或，所述发光结构设置于所述半导体层与所述源极之间。
16.在一些实施方式中，所述发光结构包括：
17.空穴传输层；
18.发光层；
19.电子传输层；
20.所述发光层设置于所述空穴传输层与所述电子传输层之间，所述电子传输层设置于所述发光层与所述半导体层之间。
21.在一些实施方式中，所述栅极包括多个镂空区域。
22.在一些实施方式中，所述栅极的材料功函数大于所述半导体层的材料功函数。
23.在一些实施方式中，所述栅极的材料功函数大于3ev。
24.在一些实施方式中，所述栅极包括金属层和至少两层金属氧化物层，所述金属氧化物层设置于所述金属层的两侧，所述金属氧化物层的材料功函数大于所述金属层的材料功函数；和/或，
25.所述栅极包括至少两层不同金属材料的堆叠。
26.在一些实施方式中，所述镂空区域的尺寸小于或等于1μm。
27.在一些实施方式中，所述半导体层的材料为p型材料，所述栅极用于接入正电压信号；或，
28.所述半导体层的材料为n型材料，所述栅极用于接入负电压信号。
29.本技术实施例的第二方面，提供一种晶体管的制备方法，包括：
30.分别设置半导体层、源极、漏极、第一绝缘层、第二绝缘层和栅极，其中，所述漏极和所述源极分别设置于所述半导体层在厚度方向上的两侧，所述栅极包括多个相互间隔的镂空区域，所述半导体层至少包括填充于所述镂空区域的第一部分，所述第一绝缘层设置于所述栅极在厚度方向上靠近所述源极一侧的表面，所述第二绝缘层设置于所述栅极在厚度方向上靠近所述漏极一侧的表面。
31.在一些实施方式中，所述分别设置半导体层、源极、漏极、第一绝缘层、第二绝缘层和栅极，包括：
32.设置所述源极；
33.在所述源极的一侧设置发光结构；
34.在所述发光结构远离所述源极的一侧设置支撑球层，其中，所述支撑球层包括多个支撑球，所述支撑球分散于所述发光结构远离所述源极一侧的表面；
35.依次设置所述第一绝缘层、所述栅极和所述第二绝缘层，其中，所述第一绝缘层、所述栅极和所述第二绝缘层依次填充于相邻的所述支撑球之间；
36.去除所述支撑球层，以在所述支撑球所在的区域形成所述镂空区域；
37.分别设置所述半导体层和所述漏极，以使所述半导体层的所述第一部分填充于所述镂空区域，以及所述漏极位于所述半导体层远离所述源极的一侧。
38.本技术实施例的第三方面，提供一种显示面板，包括：
39.多个如第一方面所述的晶体管。
40.本技术实施例提供的晶体管，通过将半导体层的第一部分填充于栅极的镂空区域，以在半导体层上设置形成竖向的导电沟道，源极和漏极分别设置在半导体层的两侧，则导电沟道的电流方向是沿着源极和漏极的连线方向流动，以形成垂直结构的晶体管。相较于传统的垂直型晶体管，利用竖向的导电沟道，可以无需使用极薄的源极，可以采用常规导电材料制备源极和漏极，能够避免采用极薄源极降低沟道载流子迁移率，且可以提高量产性，便于进行晶体管的大规模生产。另外，相较于传统垂直型晶体管，通过竖向导电沟道的设置得到的垂直结构的晶体管，在保证晶体管导电性能的同时，可以缩小晶体管的尺寸，即可以缩小晶体管占用面积，可以用于更灵活的电路布局。
附图说明
41.图1为本技术实施例提供的一种晶体管的示意性结构图；
42.图2为本技术实施例提供的另一种晶体管的示意性结构图；
43.图3为本技术实施例提供的又一种晶体管的示意性结构图；
44.图4为本技术实施例提供的再一种晶体管的示意性结构图；
45.图5为本技术实施例提供的一种晶体管的示意性结构图；
46.图6为本技术实施例提供的另一种晶体管的示意性结构图；
47.图7为本技术实施例提供的又一种晶体管的示意性结构图；
48.图8为本技术实施例提供的再一种晶体管的示意性结构图；
49.图9为本技术实施例提供的一种晶体管的示意性结构图；
50.图10为本技术实施例提供的另一种晶体管的示意性结构图；
51.图11为本技术实施例提供的又一种晶体管的示意性结构图；
52.图12为本技术实施例提供的一种晶体管的制备方法的示意流程图；
53.图13为本技术实施例提供的另一种晶体管的制备方法的示意流程图；
54.图14为本技术实施例提供的一种显示面板的示意性结构图；
55.图15为本技术实施例提供的一种显示装置的示意性结构图。
具体实施方式
56.为了更好的理解本说明书实施例提供的技术方案，下面通过附图以及具体实施例对本说明书实施例的技术方案做详细的说明，应当理解本说明书实施例以及实施例中的具体特征是对本说明书实施例技术方案的详细的说明，而不是对本说明书技术方案的限定，在不冲突的情况下，本说明书实施例以及实施例中的技术特征可以相互组合。
57.在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语
″
包括
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、
″
包含
″
或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句
″
包括一个......
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限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。术语
″
两个以上
″
包括两个或大于两个的情况。
58.目前，垂直结构的晶体管一般采用mis结构，即金属-绝缘体-半导体场效应晶体管。采用mis结构的垂直型晶体管的技术核心在于图形化的网状源极，要求源极薄且粗糙，由此来实现较高的透光度，并在与发光单元接触时形成较大的注入势垒，在电场影响下能够改变其费米能级，实现栅极电压的开关功能。然而，现有垂直型晶体管的极薄网状源极会降低晶体管的载流子迁移率，且难以大批量规模化生产。
59.有鉴于此，本技术实施例提供一种晶体管、制备方法、及显示面板，能够提高晶体管的载流子迁移率，且能够大批量规模化生产。
60.本技术实施例的第一方面，提供一种晶体管，图1为本技术实施例提供的一种晶体管的示意性结构图。如图1所示，晶体管包括：栅极400，栅极400包括多个相互间隔的镂空区
域；半导体层100，半导体层100至少包括填充于镂空区域的第一部分110；漏极200和源极300，分别设置于半导体层100在厚度方向上的两侧；第一绝缘层510，设置于栅极400在厚度方向上靠近源极300一侧的表面；第二绝缘层520，设置于栅极400在厚度方向上靠近漏极200一侧的表面。栅极400用于在接入电信号的情况下，在栅极400与半导体层100的接触区域形成漏极200指向源极300方向上的导电沟道，可以理解为导电沟道形成于第一部分110，第一部分110用于形成导电沟道。在一些示例中，栅极400用于在接入电信号的情况下，在栅极400与半导体层100的接触区域形成源极300指向漏极200方向上的导电沟道。漏极200指向源极300方向上的导电沟道或源极300指向漏极200方向上的导电沟道均属于竖向的导电沟道，而传统的半导体上的导电沟道为横向的。示例性的，在源极300接入高电平，漏极200接入低电平，晶体管在栅极400通入电压而使晶体管开启的情况下，则流经导电沟道的导通电流方向为从源极300流向漏极200；在源极300接入低电平，漏极200接入高电平，晶体管在栅极400通入电压而使晶体管开启的情况下，则流经导电沟道的源极300与漏极200的导通电流方向为从漏极200流向源极300。因此，漏极200指向源极300方向上的导电沟道或源极300指向漏极200方向上的导电沟道是用于实现竖向设置的导电沟道。图1所示的导电沟道区域的箭头可以代表流经导电沟道的电流方向，根据源极300和漏极200接入电压的大小，可以决定流经导电沟道的电流方向，因此图1示意的电流方向为双向箭头，本技术实施例不作具体限定。
61.如图1所示，源极300与栅极400之间可以设置有第一绝缘层510，漏极200与栅极400之间可以设置有第二绝缘层520。在晶体管的开启状态下，第一绝缘层510和第二绝缘层520的设置可以避免半导体层100内的载流子经过栅极400流向源极300或流向漏极200。示例性的，图1所示的漏源电流ids从漏极200经过导电沟道流向源极300，导电沟道形成于栅极400与半导体层100的接触区域。示例性的，栅极400未接入电信号的情况下，会在栅极400与半导体层100的接触区域形成载流子耗尽区101；栅极400接入电信号后，载流子耗尽区101缩小，载流子从导电沟道内移动，可以导通漏极200和源极300，实现晶体管的开关作用。栅极400与半导体层100的接触区域会形成肖特基势垒，栅极400接入的电压信号的大小可以控制势垒高度，从而改变导电沟道的载流子耗尽区101的宽度，进而实现导电沟道的导通和关闭。
62.本技术实施例提供的晶体管，通过将半导体层100的第一部分110填充于栅极400的镂空区域，以在半导体层100上形成竖向的导电沟道源极300和漏极200分别设置在半导体层100的两侧，则导电沟道的电流方向是沿着源极300指向漏极200的方向流动，或导电沟道的电流方向是沿着漏极200指向源极300的方向流动，则可以称导电沟道是竖向导电沟道，或称为垂直结构导电沟道。
63.需要说明的是，垂直结构的晶体管一般采用mis结构，采用mis结构的垂直型晶体管的技术核心在于图形化的网状源极，要求源极薄且粗糙，由此来实现较高的透光度，并在与发光单元接触时形成较大的注入势垒，在电场影响下能够改变其费米能级，实现栅极电压的开关功能。为得到极薄的源极，通常采用二维材料制备源极，二维材料可以理解为单原子层结构的薄膜，常见的源极材料包括cnt(碳纳米管)、slg(石墨烯)、ag纳米线等二维材料。然而，二维材料的沟道与绝缘介电层之间的界面会形成很多捕获态，造成沟道载流子散射，严重影响富集在界面处的载流子运动，极大地降低了晶体管的迁移率。垂直型晶体管的
性能很大程度上依赖于介电层材料的种类和质量，虽然具有高介电常数的介电层质量好，但是价格昂贵，种类稀少，不具有市场优势。碳纳米管、石墨烯等二维材料的制备方式通常为溶液、纳米压印等手段，无法大批量生产，会影响晶体管的量产应用。
64.针对上述问题，本技术实施例提供的晶体管，通过将半导体层100的第一部分110填充于栅极400的镂空区域，以在半导体层100上设置形成竖向的导电沟道，源极300和漏极200分别设置在半导体层100的两侧，则导电沟道的电流方向是沿着源极300和漏极200的连线方向流动，以形成垂直结构的晶体管。相较于传统的垂直型晶体管，利用竖向的导电沟道，可以无需使用极薄的源极，可以采用常规导电材料制备源极和漏极，能够避免采用极薄源极降低沟道载流子迁移率，且可以提高量产性，便于进行晶体管的大规模生产。另外，相较于传统垂直型晶体管，通过竖向导电沟道的设置得到的垂直结构的晶体管，在保证晶体管导电性能的同时，可以缩小晶体管的尺寸，即可以缩小晶体管占用面积，可以用于更灵活的电路布局。
65.在一些实施方式中，图2为本技术实施例提供的另一种晶体管的示意性结构图。如图2所示，半导体层100还包括第二部分120，第二部分120和第一部分110在厚度方向上层叠设置，第二部分120在栅极400所在平面上的正投影覆盖第一部分110和第二部分120。
66.在一些实施方式中，第二部分设置于栅极与源极之间，示例性的，图2中，第二部分120靠近源极300设置。
67.在一些实施方式中，第二部分120还可以设置于栅极400与漏极200之间，示例性的，如图1所示，第二部分靠近漏极200设置。
68.在一些实施方式中，半导体层100设置第一部分110设置于第二部分120之间，即第一部分110的两侧均设置有第二部分120.示例性的，图3为本技术实施例提供的又一种晶体管的示意性结构图。如图3所示，半导体层100靠近源极300和靠近漏极200的一侧均设置有第二部分120。
69.在一些实施方式中，半导体层100与栅极400相互间隔设置。示例性的，图4为本技术实施例提供的再一种晶体管的示意性结构图。如图4所示，栅极400在源极300上的正投影与半导体层100在源极300上的正投影无交叠。
70.需要说明的是，图1至图4所示的晶体管的镂空区域的数量只是示意性的，不作为本技术实施例的具体限定。
71.需要说明的是，本技术实施例提供的晶体管可以用作显示面板的驱动电路中的驱动器件，可以应用于液晶显示面板、有机发光显示面板或其他类型的显示面板，本技术实施例不作具体限定。
72.示例性的，图5为本技术实施例提供的一种晶体管的示意性结构图；图6为本技术实施例提供的另一种晶体管的示意性结构图；图7为本技术实施例提供的又一种晶体管的示意性结构图；图8为本技术实施例提供的再一种晶体管的示意性结构图；图9为本技术实施例提供的一种晶体管的示意性结构图；图10为本技术实施例提供的另一种晶体管的示意性结构图。如图5-10所示，栅极400是一个连接体，栅极400上设置有多个镂空区域，镂空区域内填充有半导体层100的第一部分110，镂空区域的数量可以有多个，镂空区域的数量可以根据导电沟道的数量需求进行设置，导电沟道形成于镂空区域，镂空区域可以是任意形状，例如图5-图9的镂空区域为矩形，图10的镂空区域为圆形。则图5-10所示的栅极400呈网
格状，半导体层100的第一部分110可以填充在网格状的镂空区域内。图5-7只是示意性的表示镂空区域的形状，不作为本技术的具体限定。
73.在一些实施方式中，晶体管还可以包括：发光结构，发光结构设置于半导体层100与漏极200之间。发光结构也可以设置于半导体层100与源极300之间。发光结构可以包括：依次堆叠的空穴传输层、发光层和电子传输层；发光层设置于空穴传输层与电子传输层之间，电子传输层设置于发光层与半导体层之间。将有机发光二极管与晶体管结合可以得到有机发光晶体管，有机发光晶体管可以用于制备显示面板，则利用有机发光晶体管制备的显示面板的驱动电路可以少设置一个驱动晶体管，则可以缩小驱动电路的占用空间，可以增加显示面板的开口率，增加显示面板的出光面积，进而可以提高显示面板的发光效率和亮度。
74.示例性的，图11为本技术实施例提供的又一种晶体管的示意性结构图。如图11所示，晶体管还包括衬底层600和发光结构700，发光结构700可以包括电子传输层etl、发光层eml、空穴传输层htl和空穴注入层hil。发光结构700设置在漏极200与半导体层100之间。在源极300和栅极400之间可以形成栅源电压vgs，在漏极200与源极300之间可以形成源漏电压vds。
75.示例性的，图11所示的有机发光晶体管可以理解为在有机发光二极管的中间插入一个栅极400，栅极400未接电压时，栅极400的金属和半导体层之间是肖特基接触，具有较大的势垒，栅极400与半导体层100的接触区域处于载流子耗尽区，源极300可以作为驱动发光结构700发光的阴极，漏极200可以作为驱动发光结构700发光的阳极，栅极400未接电时，源极300和漏极200不导通，有机发光晶体管不工作。在给栅极400施加电压的情况下，肖特基势垒受到电场调试而发生改变，载流子能够通过栅极400到达发光层eml，与来自漏极200的电荷相遇发光，有机发光晶体管正常工作。
76.示例性的，如图11所示，源极300接地，栅极400和漏极200接正电压。当栅源电压vgs达到阈值电压后，肖特基栅极打开，源极300端注入的空穴可以通过栅极400到达发光层eml，与来自漏极200端的电子相遇，复合辐射发光。
77.在一些实施方式中，栅极400的材料功函数大于半导体层100的材料功函数。栅极400的材料功函数大于3ev。
78.在一些实施方式中，栅极400包括金属层和至少两层金属氧化物层，金属氧化物层设置于金属层的两侧，金属氧化物层的材料功函数大于金属层的材料功函数。
79.在一些实施方式中，镂空区域的尺寸小于或等于1μm，镂空区域的尺寸决定了导电沟道的尺寸。需要说明的是，导电沟道的长度是导电沟道内电流的流动方向上的尺寸，导电沟道的宽度则为垂直于长度方向上的尺寸，导电沟道的宽长比可以决定器件的电学性能。
80.需要说明的是，金属-半导体场效应晶体管能够工作的一个关键点就是具备一个可靠且稳定的肖特基栅极，以便控制其沟道的导通与关闭。构造一个稳定可靠的肖特基栅极需要满足两个条件：一，选择两种合适的具有明显功函数差的导体与半导体材料分别作为栅极和导电沟道，在理论上能形成强健的肖特基势垒；二，网格状或梳状栅极之间的孔洞尺寸需要控制在一定的范围，通常位于亚微米量级，从而可以保证既能够顺利开启器件，也不会限制器件的开态电流。
81.示例性的，本技术实施例的晶体管可以选取高功函数的moox(氧化钼，x可以为大
于0的自然数)和au(金)制作对称的叠层栅极，氧化钼的材料功函数为6.6ev，金的材料功函数为5.1ev，氧化钼与金之间属于欧姆接触，半导体层100的功函数可以低于栅极的材料功函数，半导体层100的材料功函数通常小于3ev，则栅极400的材料功函数大于3ev，可以形成稳定的肖特基势垒，栅极400的结构可以是氧化钼-金-氧化钼，其中金的厚度约为10nm，两侧氧化钼的厚度均为120nm。
82.在一些实施方式中，栅极400包括至少两层不同金属材料的堆叠。栅极还可以是单层金，或金与其他金属材料层的堆叠，本技术实施例不作具体限定。
83.在一些实施方式中，半导体层100的材料为p型材料，栅极400用于接入正电压信号。
84.在一些实施方式中，半导体层100的材料为n型材料，栅极400用于接入负电压信号。
85.示例性的，漏极200和源极300的材料可是ito(氧化铟锡)、金、银、铝、镁等中的至少一种。漏极200可以采用透明电极ito，采用刻蚀方法在衬底上方制备出图形化的电极。
86.示例性的，空穴注入层hil、空穴传输层htl、发光层eml的材料可从有机发光二极管的常见材料体系中选择，如alq3、ir(ppy)3、firpic(发光材料)，npb、bphen、tpbi(电子传输层材料)，cbp、tapc(空穴传输层材料)等，可以选择高迁移率的有机传输材料以及高发光效率的发光层材料。有机材料均可以采用真空蒸镀方式制备，各膜层材料选择和厚度调整将会对器件性能、发光颜色产生影响。
87.示例性的，半导体层100可以选用高迁移的p型材料，如c60、zno、a-igzo等，c60可以采用蒸镀方法制备，厚度约为100nm。
88.本技术实施例的第二方面，提供一种晶体管的制备方法，包括：
89.分别设置半导体层、源极、漏极、第一绝缘层、第二绝缘层和栅极，其中，漏极和源极分别设置于半导体层在厚度方向上的两侧，栅极包括多个相互间隔的镂空区域，半导体层至少包括填充于镂空区域的第一部分，第一绝缘层设置于栅极在厚度方向上靠近源极一侧的表面，第二绝缘层设置于栅极在厚度方向上靠近漏极一侧的表面。
90.本技术实施例提供的晶体管的制备方法制备得到的晶体管，通过将半导体层100的第一部分110填充于栅极400的镂空区域，以在半导体层100上设置形成竖向的导电沟道，源极300和漏极200分别设置在半导体层100的两侧，则导电沟道的电流方向是沿着源极300和漏极200的连线方向流动，以形成垂直结构的晶体管。相较于传统的垂直型晶体管，利用竖向的导电沟道，可以无需使用极薄的源极，可以采用常规导电材料制备源极和漏极，能够避免采用极薄源极降低沟道载流子迁移率，且可以提高量产性，便于进行晶体管的大规模生产。另外，相较于传统垂直型晶体管，通过竖向导电沟道的设置得到的垂直结构的晶体管，在保证晶体管导电性能的同时，可以缩小晶体管的尺寸，即可以缩小晶体管占用面积，可以用于更灵活的电路布局。
91.在一些实施方式中，图12为本技术实施例提供的一种晶体管的制备方法的示意流程图。如图12所示，所述分别设置半导体层、源极、漏极、第一绝缘层、第二绝缘层和栅极，包括：
92.设置源极300；
93.在源极300的一侧设置发光结构700；
94.在发光结构700远离源极300的一侧设置支撑球层，其中，支撑球层包括多个支撑球ps，支撑球ps分散于发光结构700远离源极300一侧的表面；
95.依次设置第一绝缘层510、栅极400和第二绝缘层520，其中，第一绝缘层510、栅极400和第二绝缘层520依次填充于相邻的支撑球ps之间；
96.去除支撑球层，以在支撑球ps所在的区域形成镂空区域；
97.分别设置半导体层100和漏极200，以使半导体层100的第一部分110填充于镂空区域，以及漏极200位于半导体层100远离源极300的一侧。
98.示例性的，支撑球ps可以是聚苯乙烯纳米颗粒，支撑球层的设置可以是在发光结构700表面上旋涂聚苯乙烯纳米颗粒溶液，支撑球ps均匀分散于发光结构700表面，随后蒸镀moo
3-au-moo3栅极，由于支撑球ps的遮蔽效应，栅极400不会完全覆盖发光结构700，利用机械剥离法去除支撑球ps后，会留下孔洞状的栅极400，随后即可正常蒸镀半导体层100和漏极200。
99.示例性的，图13为本技术实施例提供的另一种晶体管的制备方法的示意流程图。如图13所示，依次堆叠的第一绝缘层510、栅极400和第二绝缘层520在与支撑球ps靠近的位置的形状是相互匹配的。
100.本技术实施例的第三方面，提供一种显示面板，图14为本技术实施例提供的一种显示面板的示意性结构图。如图14所示，本技术实施例提供的显示面板包括：多个如第一方面所述的晶体管1000。第一方面所述的晶体管可以是驱动晶体管，也可以是有机发光晶体管。晶体管1000可以作为显示面板的电路中的驱动器件，晶体管1000还可以作为显示面板的发光器件，用于直接实现显示。第一方面所述的晶体管1000的电学性能更优于传统的垂直型晶体管，占用空间小于横向沟道的晶体管，还利于大规模量产，则显示面板可以具有更好的显示效果，以及更大的显示开口率，更大的亮度和发光效率。
101.本技术实施例的第四方面，提供一种显示装置，图15为本技术实施例提供的一种显示装置的示意性结构图。如图14所示，本技术实施例提供的显示装置，包括：如第三方面所述的显示面板2000。
102.本技术实施例提供的显示装置可以是智能手机、平板电脑、笔记本电脑、电视以及其他显示器等，本技术实施例不作具体限定。
103.需要说明的是，在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详细描述的部分，可以参见其它实施例的相关描述。
104.以上实施例仅用以说明本技术的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本技术进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例技术方案的精神和范围。
105.尽管已描述了本说明书的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本说明书范围的所有变更和修改。
106.显然，本领域的技术人员可以对本说明书进行各种改动和变型而不脱离本说明书的精神和范围。这样，倘若本说明书的这些修改和变型属于本说明书权利要求及其等同技术的范围之内，则本说明书也意图包含这些改动和变型在内。