基板处理设备和基板处理方法与流程

1.本文描述的本发明构思的实施例涉及一种基板处理设备和一种基板处理方法，更具体地，涉及一种能够调节处理基板的腔室的阻抗的基板处理设备和基板处理方法。


背景技术：

2.半导体制造过程可以包括使用等离子体处理基板的过程。例如，在半导体制造过程期间，蚀刻工艺可以使用等离子体去除基板上的薄膜。
3.隔离器可以定位在支撑基板的静电卡盘下方。根据实施例，隔离器可以由介电常数为9.4至10.5之间的值的al2o3构成。一旦烧结，隔离器就有其自身的介电常数。然而，介电常数根据烧结方法和材料而变化，并且也成为限制腔室tttm的因素。此外，如果隔离器一旦安装后就不更换，则腔室的阻抗是固定的，并且难以匹配过程期间所需的阻抗水平。


技术实现要素：

4.本发明构思的实施例提供了一种能够调节腔室的阻抗的基板处理设备。
5.本发明构思的技术目的不限于上述目的，并且根据以下描述，其他未提及的技术目的对于本领域技术人员而言将变得显而易见。
6.本发明构思提供了一种基板处理设备。该基板处理设备包括：腔室，该腔室中具有用于处理基板的空间；支撑单元，该支撑单元用于支撑腔室内的基板；以及绝缘构件，该绝缘构件中具有预定体积的空间。
7.在实施例中，该空间是空的。
8.在实施例中，在该空间处以预定体积提供流体。
9.在实施例中，该空间用流体填充。
10.在实施例中，该基板处理设备还包括用于调节注入到空间中的流体的注入量的调节单元。
11.在实施例中，该调节单元调节流体的注入量，使得调节腔室的阻抗。
12.在实施例中，该调节单元是制冷器或泵。
13.本发明构思提供了一种基板处理设备。该基板处理设备包括：腔室，该腔室中具有用于处理基板的空间；支撑单元，该支撑单元用于支撑腔室内的基板，并且包括用于使用静电力吸附基板的静电卡盘；气体供应单元，该气体供应单元用于在空间内供应处理气体；等离子体源，该等离子体源用于从处理气体产生等离子体；以及绝缘构件，该绝缘构件定位在静电卡盘下方，并且该绝缘构件中具有预定体积的空间。
14.在实施例中，该空间是空的。
15.在实施例中，在该空间处以预定体积提供流体。
16.在实施例中，该空间用流体填充。
17.在实施例中，该基板处理设备还包括用于调节注入到空间的流体的注入量的调节单元。
18.在实施例中，该调节单元调节流体的注入量，使得调节腔室的阻抗。
19.在实施例中，该调节单元是制冷器或泵。
20.本发明构思提供了一种使用基板处理设备的基板处理方法。该基板处理方法包括将流体注入到空间。
21.在实施例中，该基板处理方法包括通过调节流体的注入量来调节腔室的阻抗。
22.在实施例中，腔室的阻抗调节与基板处理是同时调节的。
23.根据本发明构思的实施例，可以有效地控制腔室的阻抗。
24.根据本发明构思的实施例，可以增加腔室的寿命。
25.本发明构思的效果不限于上述效果，并且根据以下描述，其他未提及的效果对于本领域技术人员而言将变得显而易见。
附图说明
26.根据以下参考附图的描述，上述和其他目的和特征将变得显而易见，在附图中，除非另有说明，否则相同的附图标记在各个附图中是指相同的部分，并且在附图中：
27.图1示出了根据本发明构思的实施例的基板处理设备。
28.图2是更详细地示出根据本发明构思的实施例的基板处理设备的截面图。
29.图3示出了根据本发明构思的实施例的空间形成的实施例。
30.图4示出了绝缘构件内的每个内部空间的er变化。
31.图5示出了绝缘构件内的每个内部空间的cd变化和偏压变化。
32.图6示出了根据本发明构思的各种实施例的绝缘构件内的空间。
33.图7是示出根据本发明构思的实施例的基板处理方法的流程图。
具体实施方式
34.本发明构思可以被不同地修改且可以具有各种形式，并且将在附图中示出并详细地描述本发明构思的具体实施例。然而，根据本发明构思的实施例不旨在限制具体公开的形式，并且应当理解，本发明构思包括本发明构思的精神和技术范围中所包括的所有变形、等效物和替换。在本发明构思的描述中，当可能使本发明构思的本质不清楚时，可以省略对相关已知技术的详细描述。
35.本文中使用的术语仅用于描述特定实施例的目的，而不旨在限制本发明构思。如本文所使用的，单数形式“一”、“一个”和“该”也旨在包括复数形式，除非上下文清楚地指出。还应当理解，当在本说明书中使用时，术语“包括(comprise)”和/或“包括(comprising)”指定所陈述的特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但是不排除一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或它们的群组的存在或添加。如本文所使用的，术语“和/或”包括相关联的所列项目中的一项或多项的任意和所有组合。此外，术语“示例性”旨在指代示例或说明。
36.应当理解，尽管在本文中术语“第一”、“第二”、“第三”等可以用于描述各种元件、部件、区域、层和/或区段，但这些元件、部件、区域、层和/或区段不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或区段与另一个区域、层或区段区分开来。因此，在不脱离本发明构思的教义的情况下，可以将以下论述的第一元件、第一部件、第一区域、第
一层或第一区段称为第二元件、第二部件、第二区域、第二层或第二区段。
37.在下文中，将参考附图对本发明构思的实施例进行详细描述。
38.图1是示出根据本发明构思的实施例的基板处理设备的示例性图。
39.图1示出了使用电容耦合等离子体(ccp)处理方法的基板处理设备w。参考图1，基板处理设备10使用等离子体来处理基板w。例如，基板处理设备10可以在基板w上执行蚀刻工艺。基板处理设备10可以包括腔室620、基板支撑单元200、喷头300、气体供应单元400、排气挡板500以及等离子体产生单元600。
40.腔室620可以提供执行基板处理过程的处理空间。腔室620可以在其中具有处理空间并且可以以封闭的形状提供。腔室620可以由金属材料制成。腔室620可以由铝材料制成。腔室620可以接地。排气孔102可以形成在腔室620的底表面上。排气孔102可以连接到排气管线151。在过程期间产生的反应副产物和留在腔室的内部空间中的气体可以通过排气管线151排放到外部。腔室620的内部可以通过排气过程减压至预定的压力。
41.根据实施例，内衬130可以设置在腔室620内部。内衬130可以具有带有开放的顶表面和开放的底表面的圆柱形形状。内衬130可以被设置成与腔室620的内表面接触。内衬130可以保护腔室620的内壁以防止腔室620的内壁被电弧放电损坏。此外，可以防止在基板处理过程期间产生的杂质沉积在腔室620的内壁上。选择性地，可以不提供内衬130。
42.基板支撑单元200可以定位在腔室620内部。基板支撑单元200可以支撑基板w。基板支撑单元200可以包括使用静电力吸取基板w的静电卡盘210。替代性地，基板支撑单元200可以以诸如机械夹紧的各种方式来支撑基板w。在下文中，将描述包括静电卡盘210的基板支撑单元200。
43.基板支撑单元200可以包括静电卡盘210、底盖250以及板270。基板支撑单元200可以定位在腔室620内部，以与腔室620的底表面向上间隔开。
44.静电卡盘210可以包括电介质板220、主体230以及聚焦环240。静电卡盘210可以支撑基板w。电介质板220可以定位在静电卡盘210的顶端处。电介质板220可以被设置为盘状电介质。基板w可以设置在电介质板220的顶表面上。电介质板220的顶表面可以具有比基板w的半径更小的半径。因此，基板w的边缘区域可以位于电介质板220外部。
45.电介质板220可以在其中包括第一电极223、加热单元225以及第一供应流体通道221。第一供应流体通道221可以设置为从电介质板210的顶表面到底表面。多个第一供应流体通道221被形成为彼此间隔开，并且可以被设置为通过其将热传递介质供应到基板w的底表面的通道。
46.第一电极223可以电连接到第一电源223a。第一电源223a可以包括dc电力。
47.开关223b可以安装在第一电极223与第一电源223a之间。第一电极223可以通过开关223b的接通/断开来电连接到第一电源223a。当开关223b接通时，dc电流可以被施加到第一电极223。通过施加到第一电极223的电流在第一电极223与基板w之间施加静电力，并且通过静电力可以将基板w吸取到电介质板220。
48.加热单元225可以位于第一电极223下方。加热单元225可以电连接到第二电源225a。加热单元225可以通过抵抗从第二电源225a施加的电流来产生热量。产生的热量可以通过电介质板220传递到基板w。基板w可以通过由加热单元225产生的热量维持在预定的温度下。加热单元225可以包括螺旋形线圈。
49.主体230可以定位在电介质板220下方。电介质板220的底表面和主体230的顶表面可以通过粘合剂236粘合。主体230可以由铝材料制成。主体230的顶表面可以定位成使得中心区域高于边缘区域。主体230的顶表面的中心区域具有对应于电介质板220的底表面的区域，并且可以粘附到电介质板220的底表面。主体230可以具有形成在其中的第一循环流体通道231、第二循环流体通道232和第二供应流体通道233。
50.第一循环流体通道231可以被设置为热传递介质循环通过的通道。第一循环流体通道231可以以螺旋形状形成在主体230内部。替代性地，第一循环流体通道231可以布置成使得具有不同半径的环形通道具有相同的中心。第一循环流体通道231中的每一个可以彼此连通。第一循环流体通道231可以在相同的高度处形成。
51.第二流体通道232可以被设置为冷却流体循环通过的通道。第二循环流体通道232可以以螺旋形状形成在主体230内部。替代性地，第二循环流体通道232可以布置成使得具有不同半径的环形通道具有相同的中心。第二循环流体通道232中的每一个可以彼此连通。第二循环流体通道232可以具有比第一循环流体通道231的截面面积更大的截面面积。第二循环流体通道232可以在相同的高度处形成。第二循环流体通道232可以位于第一循环流体通道231下方。
52.第二供应流体通道233可以从第一循环流体通道231向上延伸并且可以被设置到主体230的顶表面。第二供应流体通道243可以以对应于第一供应流体通道221的数量提供，并且可以将第一循环流体通道231连接到第一供应流体通道221。
53.第一循环流体通道231可以通过热传递介质供应管线231b连接到热传递介质储存单元231a。热传递介质可以储存在热传递介质储存单元231a中。热传递介质可以包括惰性气体。根据实施例，热传递介质可以包括氦(he)气。氦气可以通过供应管线231b供应到第一循环流体通道231，并且可以顺序地通过第二供应流体通道233和第一供应流体通道221供应到基板w的底表面。氦气可以用作从等离子体传递到基板w的热量被传递到静电卡盘210的介质。
54.第二循环流体通道232可以通过冷却流体供应管线232c连接到冷却流体储存单元232a。冷却流体可以储存在冷却流体储存单元232a中。冷却器232b可以设置在冷却流体储存单元232a内。冷却器232b可以将冷却流体冷却至预定的温度。替代性地，冷却器232b可以安装在冷却流体供应管线232c处。通过冷却流体供应管线232c供应到第二循环流体通道232的冷却流体可以沿着第二循环流体通道232循环以使主体230冷却。主体230可以使电介质板220和基板w一起冷却，以将基板w维持在预定的温度下。
55.主体230可以包括金属板。在实施例中，整个主体230可以被设置为金属板。
56.聚焦环240可以布置在静电卡盘210的边缘区域中。聚焦环240可以具有环形状，并且可以沿着电介质板220的圆周布置。聚焦环240的顶表面可以定位成使得外部部分240a高于内部部分240b。聚焦环240的顶表面内部部分240b可以定位在与电介质板220的顶表面相同的高度处。聚焦环240的顶表面的内部部分240b可以支撑基板w的位于电介质板220外部的边缘区域。
57.聚焦环240的外部部分240a可以被设置成围绕基板w的边缘区域。聚焦环240可以控制电磁场，使得等离子体密度均匀地分配在基板w的整个区域中。因此，等离子体均匀地形成在基板s的整个区域上，使得可以均匀地蚀刻基板w的每个区域。
58.底盖250可以位于基板支撑单元200的底端处。底盖250可以被定位成与腔室620的底表面向上间隔开。底盖250可以具有形成在其中的空间255，该空间具有开放的顶表面。
59.底盖250的外半径可以具有与主体230的外半径相同的长度。在底盖250的内部空间255中，可以定位提升销模块(未示出)等以用于使返回的基板w从外部传递构件移动到静电卡盘210。提升销模块(未示出)可以与底盖250间隔开预定的距离。底盖250的底表面可以由金属材料制成。在底盖250的内部空间255中，可以提供空气。由于空气具有比绝缘体更低的介电常数，因此空气可以用于减小基板支撑单元200内部的电磁场。
60.底盖250可以具有连接构件253。连接构件253可以将底盖250的外表面连接到腔室620的内壁。多个连接构件253可以以预定的间隔设置在底盖250的外表面处。连接构件253在腔室620内部可以支撑基板支撑单元200。此外，连接构件253可以连接到腔室620的内壁，使得底盖250电接地。连接到第一电源223a的第一电力线223c、连接到第二电源225a的第二电力线225c以及连接到热传递介质储存单元231a的热传递介质供应管线231b等可以通过连接线的内部空间255在底盖250内延伸。
61.板270可以定位在静电卡盘210与底盖250之间。板270可以覆盖底盖250的顶表面。板270可以设置有对应于主体230的截面面积。板270可以包括绝缘体。根据实施例，可以提供一个或多个板270。板270可以用于增加主体230与底盖250之间的电气距离。板270可以是绝缘构件。参考图2，将进一步解释板270的实施例。
62.喷头300可以定位在腔室620中、基板支撑单元上方。喷头可以被放置成面向基板支撑单元。
63.喷头300可以包括气体分配板310和支撑单元330。气体分配板可以定位成从腔室620的顶表面到底表面间隔开。预定的空间可以形成在气体分配板310与腔室620的顶表面之间。气体分配板310的厚度可以以预定的板形式提供。气体分配板310的底表面可以对其表面进行阳极氧化(阳极化)处理，因此通过等离子体防止电弧产生。气体分配板310的端部可以具有与基板支撑单元200的端部相同的形状和相同的截面面积。气体分配板310可以具有多个注入孔311。注入孔311可以竖直地穿透气体分配板310的顶表面和底表面。气体分配板可以包含金属材料。
64.支撑单元330可以支撑气体分配板310的侧部分。支撑板310连接到腔室620的顶表面，并且底表面连接到气体分配板310的侧面。支撑板可以包含非金属材料。
65.气体供应单元400可以将处理气体供应到腔室620中。气体供应单元400可以包括气体供应喷嘴410、气体供应管线420以及气体储存单元430。气体供应喷嘴410可以安装在腔室620的顶表面的中心处。喷射孔可以形成在气体供应喷嘴410的底表面处。注入端口可以将处理气体供应到腔室620中。气体供应管线420可以连接气体供应喷嘴410和气体储存单元430。气体供应管线420可以将储存在气体储存单元430中的处理气体供应到气体供应喷嘴410。阀421可以安装在气体供应管线420处。阀421可以打开和关闭气体供应管线420，并且控制通过气体供应管线420供应的处理气体的流率。
66.排气挡板500可以定位在腔室620的内壁与基板支撑单元200之间。排气挡板500可以设置为圆环形状。多个通孔511可以形成在排气挡板500处。腔室620中提供的处理气体可以穿过排气挡板500的通孔511，并且可以通过排气孔102排出。可以根据排气挡板500的形状和通孔的形状来控制处理气体的流动。
67.等离子体产生单元600可以将腔室620中的处理气体激发成等离子体状态。根据本发明构思的实施例，等离子体产生单元600可以被配置为电感耦合等离子体(icp)型。在这种情况下，如图1所示，等离子体产生单元600可以包括用于提供高频电力的高频电源610、电连接到高频电源以接收高频电力的第一线圈621和第二线圈622。
68.本文所述的等离子体产生单元600被描述为电感耦合等离子体(icp)型，但不限于此，并且可以形成为电容耦合等离子体(ccp)型。
69.当使用ccp型等离子体源时，腔室620可以包括顶部电极和底部电极，即主体。
70.顶部电极和底部电极可以在上/下方向上彼此平行地布置，其间具有处理空间。不仅底部电极而且顶部电极也可以通过由rf电源接收的rf信号来接收用于产生等离子体的能量，并且施加到每个电极的rf信号的数量不限于如图所示的一个。在两个电极之间的空间中形成电场，并且供应到该空间的处理气体可以被激发成等离子体状态。使用该等离子体执行基板处理过程。
71.参考图1，第一线圈621和第二线圈622可以布置在面向基板w的位置处。例如，第一线圈621和第二线圈622可以安装在腔室620的顶部上。第一线圈621的直径小于第二线圈622的直径，因此第一线圈621可以定位在腔室620的顶部的内部部分处，并且第二线圈622可以定位在腔室620的顶部的外部部分处。第一线圈621和第二线圈622可以接收来自高频电源610的高频电力以引起针对腔室的时变磁场，并且因此可以将供应到腔室620的处理气体激发成等离子体。
72.在下文中，将描述使用上述基板处理设备来处理基板的过程。
73.当将基板w放置在基板支撑单元200上时，dc电流可以从第一电源223a施加到第一电极223。可以通过施加到第一电极223的dc电流在第一电极223与基板w之间施加静电力，并且可以通过静电力将基板w吸附到静电卡盘210。
74.当将基板w吸附到静电卡盘210时，可以通过气体供应喷嘴410将处理气体供应到腔室620中。可以通过喷头300的注入孔311将处理气体均匀地注入到腔室620的内部区域中。从高频电源产生的高频电力可以被施加到等离子体源，并且因此可以在腔室620中产生电磁力。电磁力可以将基板支撑单元200与喷头300之间的处理气体激发成等离子体。等离子体可以被提供给基板w以处理基板w。等离子体可以执行蚀刻工艺。
75.图2是更详细地示出根据本发明构思的实施例的基板处理设备的截面图。
76.在图2中，将省略对与图1中的基板处理设备的重叠部分的描述。参考图2，根据本发明构思的实施例的基板处理设备可以包含绝缘构件270，该绝缘构件在其中带有具有预定体积的空间。具有预定体积的空间271可以是流体可以通过其连通的流体通道。根据实施例，绝缘构件270可以定位在静电卡盘下方。根据实施例，绝缘构件270可以是板。在本发明构思的以下描述中，绝缘构件270和隔离器可以互换使用。
77.根据实施例，绝缘构件270的空间271可以设置为空状态。根据实施例，绝缘构件270的空间271可以设置为以预定体积填充。根据实施例，绝缘构件270的空间271可以完全充满流体。
78.根据实施例，根据本发明的基板处理设备可以进一步包括调节单元272，该调节单元能够调节填充绝缘构件270中的空间271的流体的注入量。根据实施例，调节单元272可以是制冷器或泵。根据实施例，调节单元272可以包括制冷器和泵两者。调节单元272可以通过
调节空气和流体的量并改变比率来调节阻抗。调节单元272可以通过调节流体的注入量来调节腔室的阻抗。在这种情况下，填充空间271的流体可以是非导电液体。根据实施例，注入到空间271中的液体可以是fc40。根据实施例，注入到空间271中的液体可以是fc3283。根据实施例，填充空间271的流体可以被提供为具有高绝缘效果的液体。
79.调节单元272可以通过调节流体通道内的流体量来改变绝缘构件270的介电常数的状态。根据本发明构思，流体通道内的材料成分可以通过包括在调节单元272中的制冷器或泵来改变。通过这样，可以在过程期间改变隔离器的阻抗，从而有益于该过程。
80.尽管在图2中未示出，但是除了能够控制流体的调节单元272之外，基板处理设备可以进一步包括能够测量腔室的阻抗的测量单元(未示出)。根据实施例，通过实时测量腔室的阻抗，测量单元可以控制注入到空间271中的流体量，以具有期望的阻抗。
81.根据本发明构思，流体通道形成在陶瓷隔离器、即绝缘构件270中，设置在静电卡盘的底部部分，以有效地使用静电卡盘，从而形成空间271并控制包括在空间271中的流体的量，从而改变整个腔室的阻抗。根据实施例，陶瓷隔离器可以是绝缘构件270。可以通过控制注入到流体通道中的流体的量来改变绝缘构件270的阻抗。
82.图3示出了根据本发明构思的实施例的形成空间271的实施例。
83.参考图3，公开了在绝缘构件270上形成流体通道路径图案的实施例。根据本发明构思，通过在隔离器内形成流体通道并将流体或气体注入到该流体通道中，隔离器的一部分成为空的空间271，即在真空介电常数0状态下具有预定介电常数的状态，并且因此可以为腔室的tttm(工具到工具匹配)主动控制阻抗匹配。此外，在过程之间需要一定程度的阻抗变化的工艺步骤中，通过调节隔离器的介电常数可以有效地执行过程。根据实施例，流体通道图案的形式可以不同地形成。
84.在常规技术的情况下，现有隔离器在完成烧结之后具有固定的介电常数，因此存在介电常数根据隔离器的烧结条件和材料而不同的问题。在常规的情况下，还存在er梯度根据隔离器的阻抗而变化的问题。这里，er意味着蚀刻速率。
85.当根据本发明构思通过在隔离器中形成流体通道来形成空间271时，可以根据隔离器中的空间271的填充程度来引起阻抗变化。
86.图4至图5示出了根据绝缘构件270的空间271的厚度的工艺变化。
87.更详细地，图4示出了绝缘构件270内的每个内部空间271的er变化。图5示出了绝缘构件270内的每个内部空间271的cd变化和偏压变化。cd意味着临界维度。
88.参考图4，公开了根据分别分为实施例a、b、c和d的每个绝缘构件270的内部空间271的介电常数的实验示例的er。根据实施例，b指示al2o3为100％的情况，并且a和d指示al2o3为80％且空气为20％的情况。c表示在b的情况下功率增加了20％。参考图4，可以发现随着绝缘构件270的内部空间271的介电常数减小(al2o
3-》空气)，er增大。换言之，根据本发明构思，可以通过使用调节单元272(即，制冷器或泵)以预定比率填充和排空隔离器的内部空间271来引起阻抗变化。
89.图5分别示出了隔离器的每个内部空间的vrms值、irms值以及ch变化和偏压变化。参考图4和图5，根据占据绝缘构件270的内部空间271的材料的量而发生底部阻抗变化、er变化和cd变化，从而使得可以根据情况使用材料。
90.根据本发明构思的效果可以如下。从腔室的tttm的观点来看，与具有固定介电常
数值的隔离器相比，使用可变的隔离器对于腔室的tttm而言可能是有利的。此外，就提高设施的生产效率而言，由于基板的外围环的蚀刻而导致的腔室内部变化可以通过根据本发明构思的流体来控制，以使得设施能够使用更长的时间。此外，在进入设施过程方面，对于需要各种阻抗的高级过程而言，这样的开发可以导致在设施中一次执行多个条件的过程，或者更精确完成过程的执行。
91.图6示出了根据本发明构思的各种实施例的绝缘构件270内的空间271。
92.参考图6(a)，在隔离器中配置流体通道，并且通过将隔离器的内部空间271改变为在真空中填充流体的条件来调节介电常数，从而改变腔室的阻抗以有效地执行过程。
93.在图6中，当使用介电常数比隔离器高的流体来控制隔离器时，隔离器的电特性变得更强，并且导致阻抗减弱，从而降低了er水平。并且当使用介电常数比隔离器低的流体时，可能导致隔离器的er水平为更高。
94.尽管在图6(a)至图6(c)中仅公开了流体填充、半填充或不填充在空间271中的实施例，但本发明构思不限于此，并且流体可以被调节为在空间271中具有各种体积。
95.图7是展示了根据本发明构思的实施例的基板处理方法的流程图。
96.根据本发明构思，可以包括将流体注入到绝缘构件270中的空间271中的步骤，以及通过调节流体的注入量来调节腔室的阻抗的步骤。
97.根据实施例，腔室的阻抗可以与基板处理同时调节。即，在处理基板时，可以在调节流体的注入量的同时实时改变阻抗。本发明构思可以通过控制填充腔室的底部隔离器的内部空间271的材料的量来改变腔室的阻抗，从而有助于腔室之间的tttm和进入高级工艺。
98.本发明构思的效果不限于上述效果，并且未提及的效果可以根据本说明书和附图而被本发明构思所涉及的领域的技术人员清楚地理解。
99.尽管直到现在一直在示出和描述本发明构思的优选实施例，但本发明构思不限于上述具体实施例，并且应注意，在不脱离权利要求书中要求的本发明构思的本质的情况下，本发明构思所涉及领域的普通技术人员可以不同地执行本发明构思，并且不应与本发明构思的技术精神或前景分开解释修改。