一种新型组合式功率MOSFET器件的制作方法

一种新型组合式功率mosfet器件
技术领域
1.本实用新型涉及mosfet器件设备技术领域，具体为一种新型组合式功率mosfet器件。


背景技术：

2.mosfet器件是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管，但是现有的mosfet器件在使用过程中还是存在一些不足之处，例如：现有的 mosfet器件在使用时，只能够单体使用，不便于mosfet器件之间进行组合连接使用，而且不便于对大量的mosfet器件进行整齐存放，从而容易对mosfet 器件栅极造成损坏，导致mosfet器件报废，造成资源浪费，所以需要一种新型组合式功率mosfet器件，以解决上述中提出的问题。


技术实现要素：

3.本实用新型的目的在于提供一种新型组合式功率mosfet器件，以解决上述背景技术中提出的问题。
4.为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种新型组合式功率mosfet器件，包括mosfet器件，所述mosfet器件的侧面中心滑动安装有连接件，所述mosfet器件的底端面均匀固定连接有栅极，所述mosfet器件的侧面四角均固定连接有垫块，所述垫块的侧面中心贯穿开设有插接孔，所述mosfet器件的顶面两端边缘对称开设有插接槽，所述mosfet器件的侧面中心开设有螺纹孔，所述mosfet器件的顶面滑动安装有横板，所述横板的两端底面对称固定连接有插接块，所述横板的底面且位于插接块的边缘固定连接有牵引弹簧，所述mosfet器件的侧面两侧对称开设有限位滑槽，所述连接件的侧面中心转动卡接有紧固螺丝，所述连接件的顶端对称固定连接有插接柱，所述插接柱的一端外表面边缘开设有第二定位卡槽，所述插接柱的另一端外表面边缘开设有第一定位卡槽。
5.优选的，所述横板的两端底面且位于牵引弹簧的内部中心固定连接有插接柱，所述mosfet器件的顶面且位于插接槽的边缘开设有插接孔，所述横板通过底面的插接柱与插接孔滑动插接。
6.优选的，所述限位滑槽的内部顶端与插接孔的内部贯穿连接。
7.优选的，所述连接件通过紧固螺丝与螺纹孔螺纹连接。
8.优选的，所述连接件通过插接柱与插接孔的内部滑动插接。
9.优选的，所述插接块贯穿插接槽与插接柱外表面的第二定位卡槽插接，所述横板的底面两端的牵引弹簧与mosfet器件的顶面固定连接。
10.与现有技术相比，本实用新型的有益效果如下：
11.一.本实用新型通过对mosfet器件外表面的连接件进行调节，能够便于对mosfet器件之间进行连接，其中横板能够对插接到mosfet器件侧面顶部的插接柱一端起到定位作用，从而保证mosfet器件之间连接的稳定性，而且紧固螺丝与螺纹孔螺纹连接，能够对连接件移动后的位置起到定位作用。
12.二.本实用新型通过对mosfet器件之间的连接，便于对mosfet器件之间进行组合连接使用，而且便于对大量的mosfet器件进行整齐存放，从而避免对mosfet器件底端的栅极造成损坏，导致mosfet器件报废，同时起到节约资源目的。
附图说明
13.图1为本实用新型的主体结构示意图；
14.图2为本实用新型的主体组合示意图；
15.图3为本实用新型的mosfet器件拆分示意图；
16.图4为本实用新型的连接件结构示意图。
17.图中：1-mosfet器件、2-连接件、3-垫块、4-螺纹孔、5-插接孔、6-插接块、7-横板、8-牵引弹簧、9-插接槽、10-限位滑槽、11-栅极、12-紧固螺丝、13-第一定位卡槽、14-插接柱、15-第二定位卡槽。
具体实施方式
18.下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
19.请参阅图1-4，本实用新型提供的一种实施例：一种新型组合式功率mosfet器件，包括mosfet器件1，mosfet器件1的侧面中心滑动安装有连接件2，mosfet器件1的底端面均匀固定连接有栅极11，mosfet器件1的侧面四角均固定连接有垫块3，垫块3的侧面中心贯穿开设有插接孔5，mosfet 器件1的顶面两端边缘对称开设有插接槽9，mosfet器件1的侧面中心开设有螺纹孔4，mosfet器件1的顶面滑动安装有横板7，横板7的两端底面对称固定连接有插接块6，横板7的底面且位于插接块6的边缘固定连接有牵引弹簧8，mosfet器件1的侧面两侧对称开设有限位滑槽10，连接件2的侧面中心转动卡接有紧固螺丝12，连接件2的顶端对称固定连接有插接柱14，插接柱14的一端外表面边缘开设有第二定位卡槽15，插接柱14的另一端外表面边缘开设有第一定位卡槽13。
20.横板7的两端底面且位于牵引弹簧8的内部中心固定连接有插接柱， mosfet器件1的顶面且位于插接槽9的边缘开设有插接孔，横板7通过底面的插接柱与插接孔滑动插接，从而能够对横板7的升降起到限制作用。
21.限位滑槽10的内部顶端与插接孔5的内部贯穿连接，从而便于连接件2 带动插接柱14在插接孔5的内部滑动。
22.连接件2通过紧固螺丝12与螺纹孔4螺纹连接，从而能够调节连接件2 在mosfet器件1侧面的整体位置。
23.连接件2通过插接柱14与插接孔5的内部滑动插接，从而能够使得使得插接柱14在插接孔5的内部横向滑动。
24.插接块6贯穿插接槽9与插接柱14外表面的第二定位卡槽15插接，横板7的底面两端的牵引弹簧8与mosfet器件1的顶面固定连接，从而能够对横板7的两端底面起到牵引作用，同时能够对横板7的复位提供动力。
25.工作原理：在对mosfet器件1进行使用时，由于mosfet器件1底端的栅极11表面的绝缘层很薄，容易被人体静电电压损坏，所以要避免人体直接触碰mosfet器件1底端的栅极11，然后在对mosfet器件1进行安装前，需要洗洗手消除静电，最好在手腕部加接地护腕，同时使用防静电焊台或防静电烙铁，然后对mosfet器件1进行焊接安装即可，在需要对mosfet器件1 进行组合连接使用时，先向上拉动横板7带动两端的插接块6在插接槽9的内部上升，直至插接块6与插接柱14外表面的第一定位卡槽13分离，然后转动紧固螺丝12与螺纹孔4螺纹连接，从而使得紧固螺丝12横向移动，同时紧固螺丝12会带动连接件2同步在横向移动，其中连接件2整体会在限位滑槽10的内部横向滑动，而且连接件2会带动顶部两端的插接柱14在插接孔5的内部横向滑动，从而使得插接柱14的一端伸出插接孔5的一端，直至连接件2在限位滑槽10的内部滑动到另一端为止，然后将另一组mosfet器件1的正面靠近第一组mosfet器件1的背面，从而使得第一组调节后的mosfet 器件1与第二组对齐，然后拉动的第二组mosfet器件1顶部的横板7上升，同时使得插接柱14的一端与第二组正面的插接孔5对齐插接，从而使得插接柱14一端的第二定位卡槽15在第二组mosfet器件1顶端插接孔5的内部与插接槽9对齐，然后卸去第二组横板7外表面外力，同时横板7会在牵引弹簧8的牵引下降，从而使得横板7两端的插接块6贯穿插接槽9与插接柱14 一端的第二定位卡槽15插接，同时将第一组mosfet器件1顶部的插接柱14 一端定位在第二组mosfet器件1顶端插接孔5的内部，从而对mosfet器件1 之间起到组合连接作用，从而便于对mosfet器件1进行集中处理，或者进行集中存放，通过对mosfet器件1之间的连接，便于对mosfet器件1之间进行组合连接使用，而且便于对大量的mosfet器件1进行整齐存放，从而避免对mosfet器件1底端的栅极11造成损坏，导致mosfet器件1报废，同时起到节约资源目的。
26.尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。