技术特征：
1.一种新型组合式功率mosfet器件，包括mosfet器件(1)，其特征在于：所述mosfet器件(1)的侧面中心滑动安装有连接件(2)，所述mosfet器件(1)的底端面均匀固定连接有栅极(11)，所述mosfet器件(1)的侧面四角均固定连接有垫块(3)，所述垫块(3)的侧面中心贯穿开设有插接孔(5)，所述mosfet器件(1)的顶面两端边缘对称开设有插接槽(9)，所述mosfet器件(1)的侧面中心开设有螺纹孔(4)，所述mosfet器件(1)的顶面滑动安装有横板(7)，所述横板(7)的两端底面对称固定连接有插接块(6)，所述横板(7)的底面且位于插接块(6)的边缘固定连接有牵引弹簧(8)，所述mosfet器件(1)的侧面两侧对称开设有限位滑槽(10)，所述连接件(2)的侧面中心转动卡接有紧固螺丝(12)，所述连接件(2)的顶端对称固定连接有插接柱(14)，所述插接柱(14)的一端外表面边缘开设有第二定位卡槽(15)，所述插接柱(14)的另一端外表面边缘开设有第一定位卡槽(13)。2.根据权利要求1所述的—种新型组合式功率mosfet器件，其特征在于：所述横板(7)的两端底面且位于牵引弹簧(8)的内部中心固定连接有插接柱，所述mosfet器件(1)的顶面且位于插接槽(9)的边缘开设有插接孔，所述横板(7)通过底面的插接柱与插接孔滑动插接。3.根据权利要求2所述的—种新型组合式功率mosfet器件，其特征在于：所述限位滑槽(10)的内部顶端与插接孔(5)的内部贯穿连接。4.根据权利要求3所述的—种新型组合式功率mosfet器件，其特征在于：所述连接件(2)通过紧固螺丝(12)与螺纹孔(4)螺纹连接。5.根据权利要求4所述的—种新型组合式功率mosfet器件，其特征在于：所述连接件(2)通过插接柱(14)与插接孔(5)的内部滑动插接。6.根据权利要求5所述的—种新型组合式功率mosfet器件，其特征在于：所述插接块(6)贯穿插接槽(9)与插接柱(14)外表面的第二定位卡槽(15)插接，所述横板(7)的底面两端的牵引弹簧(8)与mosfet器件(1)的顶面固定连接。
技术总结
本实用新型涉及MOSFET器件设备技术领域，公开了一种新型组合式功率MOSFET器件，包括MOSFET器件，MOSFET器件的侧面中心滑动安装有连接件，MOSFET器件的底端面均匀固定连接有栅极，MOSFET器件的侧面四角均固定连接有垫块，垫块的侧面中心贯穿开设有插接孔，MOSFET器件的顶面两端边缘对称开设有插接槽，MOSFET器件的侧面中心开设有螺纹孔，MOSFET器件的顶面滑动安装有横板，横板的两端底面对称固定连接有插接块。本实用新型可以通过对MOSFET器件之间的连接，便于对MOSFET器件之间进行组合连接使用，而且便于对大量的MOSFET器件进行整齐存放，从而避免对MOSFET器件底端的栅极造成损坏，导致MOSFET器件报废，同时起到节约资源目的。的。的。
技术研发人员：李健
受保护的技术使用者：江苏东海半导体股份有限公司
技术研发日：2022.07.26
技术公布日：2023/1/19