技术特征：
1.一种系统，包括：半导体器件单元，所述半导体器件单元设置在碳化硅(sic)半导体层的表面处，其中所述半导体器件单元包括：漂移区，所述漂移区具有第一导电类型；阱区，所述阱区具有第二导电类型，所述阱区设置成与所述漂移区相邻；源区，所述源区具有所述第一导电类型，所述源区设置成与所述阱区相邻；沟道区，所述沟道区具有所述第二导电类型，所述沟道区设置成包围所述源区并且接近所述表面；体接触件区，所述体接触件区具有所述第二导电类型，所述体接触件区设置在所述阱区的一部分之上，其中所述体接触件区基本上设置在所述半导体器件单元的中心；以及分段源和体接触件(ssbc)，所述分段源和体接触件(ssbc)设置在所述表面的一部分之上，其中所述ssbc包括：体接触件部分，所述体接触件部分设置在所述体接触件区之上基本上在所述半导体器件单元的中心；以及至少一个源接触件部分，所述至少一个源接触件部分设置成与所述体接触件区相邻并且在所述源区的一部分之上，其中所述至少一个源接触件部分沿所述ssbc的所述体接触件部分的仅一侧或仅两侧设置，其中所述ssbc是包括一个或多个金属层的金属界面。2.如权利要求1所述的系统，其中，所述ssbc具有与所述表面垂直的对称的至少两个不同的镜平面。3.如权利要求1所述的系统，其中，所述体接触件区的一部分没有设置在所述ssbc之下，并且其中所述体接触件区的所述部分具有大于或等于所述ssbc的宽度的10%但小于或等于50%的宽度。4.如权利要求1所述的系统，其中，所述半导体器件单元的一个或多个组件因制造缺陷而至少部分未对齐或者变形。5.如权利要求1所述的系统，其中，所述ssbc包括设置在所述体接触件部分的相反侧上的至少两个源接触件部分。6.如权利要求5所述的系统，其中，所述至少两个源接触件部分没有通过所述体接触件部分完全相互隔离。7.如权利要求1所述的系统，其中，所述ssbc具有延长的矩形形状。8.如权利要求1所述的系统，其中，所述沟道区具有延长的六边形形状。9.如权利要求1所述的系统，其中，所述半导体器件单元包括场效应晶体管(fet)、绝缘栅双极晶体管(igbt)、绝缘基mos控制晶闸管(ibmct)、结型场效应晶体管(jfet)或者金属半导体场效应晶体管(mesfet)。10.一种系统，包括：蜂窝半导体器件布局，所述蜂窝半导体器件布局包括设置在碳化硅(sic)半导体层的表面处的多个半导体器件单元，其中所述多个蜂窝半导体器件单元各包括：漂移区，所述漂移区具有第一导电类型；阱区，所述阱区具有第二导电类型，所述阱区设置成与所述漂移区相邻，其中所述阱区包括设置成接近所述表面的体接触件区；
源区，所述源区具有所述第一导电类型，所述源区设置成与所述阱区相邻，其中所述源区包括设置成接近所述表面并且接近所述体接触件区的源接触件区；沟道区，所述沟道区具有所述第二导电类型，所述沟道区设置成包围所述源区并且接近所述表面以及对称分段源和体接触件(ssbc)，所述对称分段源和体接触件(ssbc)设置在所述表面的一部分之上，其中所述对称ssbc包括：体接触件部分，所述体接触件部分设置在所述半导体器件单元的所述体接触件区之上；以及至少一个源接触件部分，所述至少一个源接触件部分设置成与所述体接触件部分相邻并且在所述半导体器件单元的所述源接触件区之上，其中所述至少一个源接触件沿所述ssbc的所述体接触件部分的仅一侧或仅两侧设置，其中所述ssbc是包括一个或多个金属层的金属界面。
技术总结
本发明题为半导体器件的蜂窝布局。一种制作在碳化硅(SiC)半导体层的表面的半导体器件单元的方法包括在SiC半导体层的表面之上形成半导体器件单元的分段源和体接触件(SSBC)。SSBC包括体接触件部分，其设置在半导体层的表面之上并且接近半导体器件单元的体接触件区，其中体接触件部分基本上设置在半导体器件单元的中心之上。SSBC还包括至少一个源接触件部分，其设置在半导体层的表面之上并且接近半导体器件单元的源接触件区，其中至少一个源接触件部分仅部分包围SSBC的体接触件部分。件部分仅部分包围SSBC的体接触件部分。件部分仅部分包围SSBC的体接触件部分。
技术研发人员：A.V.博罗特尼科夫 P.A.罗西
受保护的技术使用者：通用电气公司
技术研发日：2015.06.24
技术公布日：2022/11/18