显示装置及制造显示装置的方法与流程

显示装置及制造显示装置的方法
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2021年9月24日在韩国知识产权局(kipo)提交的第10-2021-0126560号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文。
技术领域
3.本公开涉及显示装置及制造显示装置的方法。


背景技术：

4.近年来，随着对信息显示的兴趣的增加，对显示装置的研究和开发不断地进行。


技术实现要素：

5.本公开的方面是为了提供能够提高光输出效率的显示装置及制造该显示装置的方法。
6.根据实施方式，显示装置可以包括：发光元件，设置在衬底上；颜色转换层，设置在所述发光元件上，所述颜色转换层包括颜色转换粒子，所述颜色转换粒子将从所述发光元件发射的第一颜色的光转换为第二颜色的光；以及绝缘层，设置在所述颜色转换层上。所述绝缘层可包括：第一无机层，与所述颜色转换层重叠；第二无机层，设置在所述第一无机层上；以及第三无机层，设置在所述第二无机层上。所述第二无机层的第二孔隙率可以大于所述第一无机层的第一孔隙率，并且所述第二无机层的所述第二孔隙率可以大于所述第三无机层的第三孔隙率。
7.根据实施方式，第二无机层的第二孔隙率可以在约20％至约80％的范围内。
8.根据实施方式，第一无机层的第一孔隙率可以小于第三无机层的第三孔隙率。
9.根据实施方式，第一无机层的第一孔隙率可以小于或等于约5％，并且第三无机层的第三孔隙率可以小于或等于约20％。
10.根据实施方式，第二无机层的第二折射率可以小于第一无机层的第一折射率。
11.根据实施方式，第二无机层的第二折射率可以在约1.1至约1.3的范围内。
12.根据实施方式，第二无机层的第二折射率可以是约1.2。
13.根据实施方式，第二无机层的厚度可以在约0.3μm至约0.6μm的范围内。
14.根据实施方式，第一无机层的厚度可以大于或等于约0.1μm，并且第三无机层的厚度可以大于或等于约0.1μm。
15.根据实施方式，第一无机层、第二无机层和第三无机层可以包括相同的材料。
16.根据实施方式，第一无机层、第二无机层和第三无机层的至少一部分可以包括不同的材料。
17.根据实施方式，第二无机层可以包括氢化非晶硅(a-si:h)。
18.根据实施方式，第二无机层还可以包括硅氧化物(sio
x
)、硅氮化物(sin
x
)和硅氮氧化物(sio
x
ny)中的至少一种。
19.根据实施方式，绝缘层可以不包括空心二氧化硅和有机材料。
20.根据实施方式，第一无机层、第二无机层和第三无机层可以通过化学气相沉积形成，并且第二无机层的沉积条件可以不同于第一无机层的沉积条件。
21.根据实施方式，显示装置还可以包括设置在绝缘层上的滤色器以及设置在滤色器上的外涂层。
22.根据实施方式，发光元件可以包括无机发光二极管。
23.根据实施方式，制造显示装置的方法可以包括：在包括发光元件的显示元件层上形成颜色转换层；以及通过化学气相沉积在颜色转换层上形成绝缘层。形成绝缘层可以包括：在第一沉积条件下在颜色转换层上形成第一无机层；在第二沉积条件下在第一无机层上形成第二无机层；以及在第二无机层上形成第三无机层。第一沉积条件可以不同于第二沉积条件，并且第二无机层的第二孔隙率可以大于第一无机层的第一孔隙率。
24.根据实施方式，第一无机层的第一孔隙率可以小于第三无机层的第三孔隙率。
25.根据实施方式，第二无机层的第二折射率可以小于第一无机层的第一折射率。
26.根据实施方式的显示装置可以包括设置在颜色转换层上的绝缘层，并且该绝缘层可以包括具有不同孔隙率和/或折射率的第一无机层、第二无机层和第三无机层。由于第一无机层、第二无机层和第三无机层可以包括相同的材料(例如，无机材料)，因此可以提高第一无机层、第二无机层和第三无机层之间的联接力。由于可不使用用于形成常规有机绝缘层的昂贵的无机填料(例如，空心二氧化硅)来形成绝缘层，因此可降低显示装置的制造成本。
27.根据实施方式的制造显示装置的方法可以使用一种沉积技术(例如，化学气相沉积)形成绝缘层，该绝缘层包括具有不同孔隙率和/或折射率的第一无机层、第二无机层和第三无机层。因此，与使用多种沉积技术(例如，物理沉积和喷墨方法)制造显示装置的方法相比，可以简化显示装置的制造工艺。
28.根据本公开的实施方式的效果不受以上示例的内容限制，并且另外的各种效果包括在本公开中。
附图说明
29.通过参考附图更详细地描述本公开的实施方式，本公开的上述和其它特征将变得更加清楚，在附图中：
30.图1是示意性地示出根据本公开的实施方式的显示装置的示意性平面图；
31.图2是示意性地示出图1的显示装置的示意性剖视图；
32.图3a至图3c是示出图1的显示装置的实施方式的示意性剖视图；
33.图4是示出包括在图3a至图3c的显示装置中的像素电路层和显示元件层的实施方式的示意性剖视图；
34.图5是示出包括在图3a至图3c的显示装置中的光转换图案层的实施方式的示意性剖视图；
35.图6是示出包括在图5的光转换图案层中的绝缘层的实施方式的示意性剖视图；
36.图7是示出包括在图6的绝缘层中的第二无机层的密度和折射率的示意图；
37.图8是示出根据包括在图6的绝缘层中的第二无机层的折射率的外量子效率的示
意图；
38.图9是示出根据包括在图6的绝缘层中的第二无机层的厚度的外量子效率的示意图；
39.图10是示出形成图6的绝缘层的方法的示意图；
40.图11是示出图6的绝缘层的特性的示意图；以及
41.图12是示出根据比较例的光转换图案层及制造其的方法的示意图。
具体实施方式
42.本公开可以以各种方式修改并且具有各种形式。因此，具体实施方式将在附图中示出，并将在说明书中详细描述。然而，应当理解，本公开不旨在限于所公开的具体形式，并且本公开包括在本公开的精神和范围内的所有修改、等同和替换。
43.在描述每个附图时，相似的附图标记用于相似的组件。在附图中，为了本公开的清楚起见，可以将结构的尺寸示出为与实际尺寸不同(例如，放大了实际尺寸)。术语“第一”、“第二”等可用于描述各种组件，但这些组件不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于将一个组件与另一个组件区分开的目的。例如，在不脱离本公开的范围的情况下，第一组件可以被称为第二组件，并且类似地，第二组件也可以被称为第一组件。在下面的描述中，除非上下文另外清楚地指出，否则单数表达包括复数表达。
44.应当理解，在本技术中，诸如“包括”、“具有”和“包含”的术语用于指定在说明书中描述的特征、数字、步骤、操作、组件、部分或其组合的存在，但不排除一个或多个其它特征、数字、步骤、操作、组件、部分或其组合的存在或添加的可能性。层、区域、板等的一部分被称为“在另一部分上”的情况不仅包括该部分“直接在该另一部分上”的情况，而且包括在该部分和该另一部分之间还有另一部分的情况。在本技术中，当在另一部分上形成层、区域、板等的一部分时，形成方向不限于上部方向，而是包括在侧表面上或在下部方向上形成该一部分。在层、区域、板等的一部分形成在另一部分“下方”的情况下，这不仅包括该部分“直接在该另一部分下方”的情况，而且包括在该部分和该另一部分之间还有另一部分的情况。
45.在本技术中，在组件(例如，“第一组件”)与另一组件(例如，“第二组件”)可操作地或通信地与另一组件(例如，“第二组件”)“联接”/“联接”到另一组件(例如，“第二组件”)或“连接到”另一组件(例如，“第二组件”)的情况下，该情况应当理解成，该组件可以直接连接到另一组件，或者可以通过另一组件(例如，“第三组件”)连接到另一组件。相反，在组件(例如，“第一组件”)与另一组件(例如，“第二组件”)“直接联接”/“直接联接”到另一组件(例如，“第二组件”)或“直接连接”到另一组件(例如，“第三组件”)的情况下，该情况应当理解成，另一组件(例如，“第三组件”)不存在于该组件和该另一组件之间。
46.在说明书和权利要求书中，术语“和/或”出于其含义和解释的目的旨在包括术语“和”和“或”的任何组合。例如，“a和/或b”可以理解为意指“a、b或a和b”。术语“和”和“或”可以以结合或分离的意义使用，并且可以理解为等同于“和/或”。
47.在说明书和权利要求书中，短语“至少一个”出于其含义和解释的目的旨在包括“选自
……
的组中的至少一个”的含义。例如，“a和b中的至少一个”可以理解为是指“a、b或a和b”。
48.本文所用的“约”或“近似”包括所述值和由本领域普通技术人员鉴于所讨论的测
量和与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)而确定的特定值的可接受偏差范围内的平均值。例如，“约”可以意指在所述值的一个或多个标准偏差内，或在所述值的
±
30％、
±
20％、
±
10％、
±
5％内。
49.除非另有定义，否则本文使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还应当理解，术语，诸如在常用词典中定义的那些术语，应当被解释为具有与它们在相关技术的上下文中的含义一致的含义，并且将不会被解释为理想化的或过于形式化的含义，除非在本文明确地如此定义。
50.图1是示意性地示出根据本公开的实施方式的显示装置的示意性平面图。为了方便起见，在图1中，基于显示区域da简要地示出了显示面板dp的结构。然而，根据实施方式，未示出的至少一个驱动电路单元、线和/或焊盘可以进一步设置在显示面板dp上。
51.参照图1，显示装置可以包括显示面板dp。在显示装置是显示表面被施加到至少一个表面的显示装置的情况下，诸如智能电话、电视、平板pc、移动电话、视频电话、电子书阅读器、台式pc、膝上型pc、笔记本计算机、工作站、服务器、pda、便携式多媒体播放器(pmp)、mp3播放器、医疗装置、照相机、汽车(或车辆显示器)、透明显示器或可穿戴装置(例如，玻璃眼镜和智能手表)，本公开可应用于显示装置。
52.显示面板dp可以具有各种形状。例如，显示面板dp可以设置成矩形板形状，但不限于此。例如，显示面板dp可以具有圆形形状、椭圆形形状等形状。显示面板dp可以包括成角度的拐角和/或弯曲的拐角。为了便于描述，在图1中，示出了显示面板dp可以是具有一对长边和一对短边的矩形形状的情况，长边的延伸方向可以表示为第一方向dr1，短边的延伸方向可以表示为第二方向dr2，且与长边和短边的延伸方向垂直的方向可以表示为第三方向dr3。
53.显示面板dp可以显示图像。作为显示面板dp，可以使用能够自发光的显示面板，诸如使用无机发光二极管(led)作为发光元件的无机发光显示面板、使用与微尺度(或纳米尺度)一样小的小发光二极管作为发光元件的超小发光二极管显示面板(微尺度led显示面板或纳米尺度led显示面板)以及使用量子点和无机发光二极管的量子点(qd)发光显示面板(qd led面板)。作为显示面板dp，可以使用使用有机发光二极管作为发光元件的有机发光显示面板(oled面板)、液晶显示面板(lcd面板)、电泳显示面板(epd面板)和诸如电润湿显示面板(ewd面板)的非发光显示面板。
54.显示面板dp和用于形成显示面板dp的衬底sub可以包括用于显示图像的显示区域da和除了显示区域da之外的非显示区域nda。显示区域da可以配置其上可以显示图像的屏幕，并且非显示区域nda可以是除了显示区域da之外的剩余区域。根据实施方式，可以相对地设计显示区域da的形状和非显示区域nda的形状。
55.像素pxl可以在衬底sub上设置在显示区域da中。例如，显示区域da可以包括其中可以设置每个像素pxl的像素区域。
56.非显示区域nda可以设置在显示区域da周围。连接到显示区域da的像素pxl的各种线、焊盘和/或内置电路可以设置在非显示区域nda中。
57.显示面板dp可以包括衬底sub(或基层)和像素pxl。像素pxl可以被提供或设置在衬底sub上。
58.衬底sub可以由诸如玻璃或树脂的绝缘材料形成。衬底sub可以由具有柔性以弯曲
或折叠的材料形成，并且可以具有单层结构或多层结构。例如，具有柔性的材料可以包括聚苯乙烯、聚乙烯醇、聚甲基丙烯酸甲酯、聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三乙酸纤维素和醋酸丙酸纤维素中的至少一种。然而，配置衬底sub的材料不限于以上描述的实施方式。
59.每个像素pxl可以是用于显示图像的最小单元。像素pxl可以包括发射白色光和/或彩色光的发光元件。每个像素pxl可以发射红、绿和蓝中的任何颜色的光，但不限于此，并且可以发射青色、品红色、黄色等的光。发光元件可以是例如包括无机发光材料的无机发光二极管。然而，发光元件不限于此，且例如，发光元件可以是有机发光二极管。
60.像素pxl可以沿着在第一方向dr1上延伸的行和在与第一方向dr1交叉的第二方向dr2上延伸的列以矩阵形式布置。然而，像素pxl的布置形式不受特别限制，并且像素pxl可以以各种形式布置。像素pxl在图中具有矩形形状，但本公开不限于此，并且像素pxl可以修改成各种形状。在设置多个像素pxl的情况下，可以将像素pxl设置成具有不同面积(或尺寸)。例如，在具有不同颜色的发射光的像素pxl的情况下，像素pxl可以针对每种颜色设置成不同的面积(或尺寸)或者设置成不同的形状。
61.像素pxl可配置为有源像素，但不限于此。例如，像素pxl可以配置为各种结构和/或驱动方法的无源发光显示装置或有源发光显示装置的像素。
62.图2是示意性地示出图1的显示装置的示意性剖视图。
63.参照图1和图2，显示面板dp可以包括依次设置在衬底sub上的像素电路层pcl、显示元件层dpl和光转换图案层lcpl。
64.像素电路层pcl可以设置在衬底sub上，并且可以包括晶体管和连接到晶体管的信号线。例如，每个晶体管可以具有半导体层、栅极和源极/漏极可以顺序地堆叠在彼此上且绝缘层插置于其间的形式。半导体层可以包括非晶硅、多晶硅、低温多晶硅、氧化物半导体、有机半导体或其组合。栅极和源极/漏极可包括铝(al)、铜(cu)、钛(ti)和钼(mo)中的至少一种，但本公开不限于此。像素电路层pcl可以包括一个或多个绝缘层。
65.显示元件层dpl可以设置在像素电路层pcl上。显示元件层dpl可以包括发射光的发光元件。发光元件可以是例如包括无机发光材料的无机发光元件。然而，发光元件不限于此，且例如，发光元件可以是有机发光二极管。
66.根据实施方式，薄层封装层可以选择性地设置在显示元件层dpl上。薄层封装层可以是封装衬底或可以具有由多层形成的封装层的形式。在薄层封装层具有封装层形式的情况下，薄层封装层可以包括无机层和/或有机层。例如，薄层封装层可以具有无机层、有机层和无机层可以顺序地堆叠在彼此上的形式。薄层封装层可以防止外部空气和湿气渗入显示元件层dpl和像素电路层pcl。
67.光转换图案层lcpl可以设置在显示元件层dpl上。光转换图案层lcpl可以通过使用量子点改变从显示元件层dpl发射的光的波长(或颜色)，并且可以通过使用滤色器选择性地透射特定波长(或特定颜色)的光。光转换图案层lcpl可以通过连续工艺形成在由显示元件层dpl提供的基础表面上，或者可以通过使用粘合层的粘合工艺形成。
68.光转换图案层lcpl可以与显示元件层dpl分开设置，但是本公开不限于此。例如，在显示元件层dpl中设置的发光元件可以被实现为通过使用量子点改变发射的光的波长来发射光的发光元件(量子点显示元件)。
69.图3a至图3c是示出图1的显示装置的实施方式的示意性剖视图。图3a至图3c简要示出了基于显示区域da的显示装置。
70.首先，参考图1至图3a，第一像素pxl1、第二像素pxl2和第三像素pxl3可以设置在衬底sub上。第一像素pxl1、第二像素pxl2和第三像素pxl3可配置单位像素，但本公开不限于此。
71.根据实施方式，第一像素pxl1、第二像素pxl2和第三像素pxl3可以发射不同颜色的光。例如，第一像素pxl1可以是发射红色光的红色像素，第二像素pxl2可以是发射绿色光的绿色像素，并且第三像素pxl3可以是发射蓝色光的蓝色像素。然而，配置单位像素的像素的颜色、类型、数量等不受特别限制，并且例如，由每个像素发射的光的颜色可以进行各种改变。根据实施方式，第一像素pxl1、第二像素pxl2和第三像素pxl3可以发射相同颜色的光。例如，第一像素pxl1、第二像素pxl2和第三像素pxl3中的每一个可以是发射蓝色光的蓝色像素。
72.在本公开的实施方式中，除非另有说明，否则“在同一层上形成和/或设置”可以是指在同一工艺中形成，而“在不同层上形成和/或设置”可以是指在不同工艺中形成。
73.像素电路层pcl和显示元件层dpl可以设置在衬底sub上。为了便于描述，与显示元件层dpl一起示出了像素电路层pcl，但是如参考图2所描述的，像素电路层pcl可以设置在衬底sub和显示元件层dpl之间。
74.显示元件层dpl可以包括在每个发射区域ema中设置的发光元件ld。例如，可以在第一像素区域pxa1中设置第一发光元件ld1，可以在第二像素区域pxa2中设置第二发光元件ld2，并且可以在第三像素区域pxa3中设置第三发光元件ld3。
75.发光元件ld可以由有机发光二极管或诸如微型发光二极管或量子点发光二极管的无机发光二极管形成。在实施方式中，发光元件ld可以是超小发光二极管，该超小发光二极管例如使用无机晶体结构的材料、具有与纳米尺度至微米尺度一样小的尺寸。发光元件ld可以与在每个像素pxl中彼此相邻设置的发光元件ld并联和/或串联地彼此连接，但是本公开不限于此。发光元件ld可以配置每个像素pxl的光源。换言之，每个像素pxl可以包括由信号(例如，扫描信号和数据信号)和/或电力(例如，第一驱动电力和第二驱动电力)驱动的至少一个发光元件ld。
76.稍后参考图4描述像素电路层pcl和显示元件层dpl的详细配置。
77.光转换图案层lcpl可包括颜色转换层ccl、绝缘层ins0(或折射率转换层)、滤色器层cfl(或滤色器cf)和外涂层oc。
78.颜色转换层ccl可以包括堤部bank以及第一颜色转换图案ccl1、第二颜色转换图案ccl2和第三颜色转换图案ccl3(或第一颜色转换层、第二颜色转换层和第三颜色转换层)。
79.堤部bank可以设置在显示元件层dpl上。
80.堤部bank可以位于第一像素pxl1、第二像素pxl2和第三像素pxl3的非发射区域nea中。堤部bank可以形成在第一像素pxl1、第二像素pxl2和第三像素pxl3之间，以围绕每个发射区域ema，并且可以限定第一像素pxl1、第二像素pxl2和第三像素pxl3中的每一个的每个发射区域ema。堤部bank可以防止发射区域ema中的用于形成第一颜色转换图案ccl1、第二颜色转换图案ccl2和第三颜色转换图案ccl3的溶液流入相邻像素pxl的发射区域ema，
或者可以用作坝结构，该坝结构控制要供应给每个发射区域ema的溶液量。
81.堤部bank的厚度(例如，最大厚度)可以在约4μm至约20μm的范围内，并且例如，堤部bank的厚度可以为约10μm。
82.用于暴露显示元件层dpl的开口可以形成在堤部bank中以对应于发射区域ema。
83.第一颜色转换图案ccl1、第二颜色转换图案ccl2和第三颜色转换图案ccl3可以设置在堤部bank的每个开口中。
84.第一颜色转换图案ccl1、第二颜色转换图案ccl2和第三颜色转换图案ccl3可以包括基础树脂br、颜色转换粒子qd和光散射粒子sct。
85.基础树脂br可以具有高透光率和对于颜色转换粒子qd的优异的分散特性。例如，基础树脂br可以包括诸如环氧基树脂、丙烯酰基树脂、cardo基树脂、酰亚胺基树脂或其组合的有机材料。
86.颜色转换粒子qd可以将从设置在像素pxl中的发光元件ld发射的一颜色的光转换为特定颜色的光。例如，在第一像素pxl1是红色像素的情况下，第一颜色转换层ccl1可以包括将从第一发光元件ld1发射的光转换为红色光的红色量子点的第一颜色转换粒子qd1。作为另一个示例，在第二像素pxl2是绿色像素的情况下，第二颜色转换层ccl2可以包括将从第二发光元件ld2发射的光转换为绿色光的绿色量子点的第二颜色转换粒子qd2。作为又一示例，在第三像素pxl3是蓝色像素的情况下，第三颜色转换层ccl3可以包括将从第三发光元件ld3发射的光转换为蓝色光的蓝色量子点的第三颜色转换粒子qd3。在其它实施方式中，在第三发光元件ld3发射蓝色光的情况下，第三颜色转换层ccl3可以不包括第三颜色转换粒子qd3。
87.光散射粒子sct可以具有与基础树脂br的折射率不同的折射率并且与基础树脂br形成光学界面。光散射粒子sct可以是金属氧化物粒子或有机粒子。根据实施方式，可以省略光散射粒子sct。
88.绝缘层ins0可以设置在颜色转换层ccl上。绝缘层ins0可以完全设置在衬底sub上，以覆盖颜色转换层ccl(例如，堤部bank以及第一颜色转换图案ccl1、第二颜色转换图案ccl2和第三颜色转换图案ccl3)。
89.绝缘层ins0可以包括至少三个无机绝缘层，并且可以使用三个无机绝缘层之间的折射率差异(或由于折射率差异引起的全反射)来再利用从颜色转换层ccl发射的光(例如，在倾斜方向上行进的光)。例如，由绝缘层ins0全反射的光可以再次由显示元件层dpl(或包括在显示元件层dpl中并具有特定反射率的电极)在第三方向dr3上反射，或者可以由颜色转换层ccl(例如，光散射粒子sct)在第三方向dr3上散射。因此，可以提高通过绝缘层ins0从像素pxl最终发射的光的效率(外量子效率或光输出效率)或像素pxl的发射亮度。
90.在实施方式中，绝缘层ins0可以包括顺序堆叠在颜色转换层ccl上的第一无机层iol1(或第一致密膜)、第二无机层iol2(或低折射膜)和第三无机层iol3(或第二致密膜)。
91.第一无机层iol1可以设置在颜色转换层ccl上，并且可以防止湿气(或在随后的工艺中使用的溶液)渗入到位于其下方的颜色转换层ccl中。第二无机层iol2可以设置在第一无机层iol1上，并且可以利用与第一无机层iol1的折射率差异来全反射从颜色转换层ccl发射的光(例如，在倾斜方向上行进的光)。第三无机层iol3可以设置在第二无机层iol2上，并且可以改善第二无机层iol2和其上的滤色器层cfl之间的粘合力。
92.第一无机层iol1、第二无机层iol2和第三无机层iol3中的每一个可以包括无机材料，并且例如，第一无机层iol1、第二无机层iol2和第三无机层iol3中的每一个可以包括硅氮化物(sin
x
)、硅氧化物(sio
x
)、硅氮氧化物(sio
x
ny)或其组合。如后面将要描述的，第一无机层iol1、第二无机层iol2和第三无机层iol3可以通过化学气相沉积技术形成，且因此，第一无机层iol1、第二无机层iol2和第三无机层iol3可以包括氢杂质(例如，氢化非晶硅(a-si:h))。
93.在实施方式中，第二无机层iol2的第二折射率可以小于第一无机层iol1的第一折射率，并且第三无机层iol3的第三折射率可以大于第二无机层iol2的第二折射率。例如，对于全反射，第二无机层iol2的第二折射率可以比第一无机层iol1的第一折射率小约0.15或更多或约0.3或更多。第三无机层iol3的第三折射率可以比第二无机层iol2的第二折射率大约0.25或更多，使得透射第二无机层iol2的光在第三方向dr3上行进。例如，第一无机层iol1的第一折射率可以大于或等于约1.6，第二无机层iol2的第二折射率可以在约1.1至约1.45的范围内或在约1.1至约1.3的范围内，并且第三无机层iol3的第三折射率可以在约1.45至约1.8的范围内。例如，第一无机层iol1的第一折射率可以是约1.6，且第二无机层iol2的第二折射率可以是约1.2。
94.在实施方式中，第二无机层iol2的第二孔隙率可以大于第一无机层iol1的第一孔隙率，并且第三无机层iol3的第三孔隙率可以小于第二无机层iol2的第二孔隙率。这里，孔隙率表示由孔(或气隙)占据的体积与相应无机层中的总体积的比率。例如，第一无机层iol1的第一孔隙率可以小于或等于约5％，第二无机层iol2的第二孔隙率可以在约20％至约80％的范围内，并且第三无机层iol3的第三孔隙率可以小于或等于约20％。随着孔隙率增加，折射率可降低。
95.包括具有不同折射率(和不同孔隙率)的第一无机层iol1、第二无机层iol2和第三无机层iol3的绝缘层ins0可以通过区分化学气相沉积技术的沉积条件(例如，温度条件、电力条件等)或沉积速度来形成。
96.由于第一无机层iol1、第二无机层iol2和第三无机层iol3可以包括相同的材料(例如，无机材料)，因此可以改善第一无机层iol1、第二无机层iol2和第三无机层iol3之间的联接力，并且可以消除第二无机层iol2剥离的风险(例如，在使用分散在有机材料中的无机填料形成对应于第二无机层iol2的低折射层的情况下低折射层剥离的风险)。
97.由于可以使用一种沉积技术(例如，化学气相沉积方法)形成绝缘层ins0，与可以使用多种沉积技术(例如，化学气相沉积方法、溅射方法或喷墨法)形成绝缘层ins0的情况相比，可以简化制造工艺。
98.此外，与可以使用具有低折射率的昂贵无机滤光器(例如，空心二氧化硅)形成绝缘层ins0(或对应于第二无机层iol2的低折射率层)的情况相比，可以降低制造成本。
99.滤色器层cfl可以设置在绝缘层ins0上。
100.滤色器层cfl可以包括选择性地透射由颜色转换层ccl转换的特定颜色的光的滤色器材料。滤色器层cfl可以包括红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器。例如，在第一像素pxl1是红色像素的情况下，可以在第一像素pxl1上设置透射红色光的第一滤色器cf1。在第二像素pxl2是绿色像素的情况下，可以在第二像素pxl2上设置透射绿色光的第二滤色器cf2。在第三像素pxl3是蓝色像素的情况下，可以在第三像素pxl3上设置透射蓝色光的第三
滤色器cf3。
101.外涂层oc可以设置在滤色器层cfl上。外涂层oc可以完全设置在衬底sub上以覆盖下部结构，并且可以封装显示面板dp的显示区域da(参考图1)。
102.在实施方式中，外涂层oc可以由单层或包括至少一个有机层和/或无机层的多层构成。例如，外涂层oc可以由包括设置在滤色器层cfl上的至少一个无机层和堆叠在无机层上的至少一个有机层的多层配置。外涂层oc可以选择性地进一步包括设置在有机层上的至少一个无机层。然而，外涂层oc的结构不限于此。例如，在另一实施方式中，外涂层oc可以仅由多个无机层配置。外涂层oc的配置材料和/或结构可以根据实施方式而进行各种改变。
103.如上所述，显示装置可以包括设置在颜色转换层ccl上的绝缘层ins0，并且绝缘层ins0可以包括具有相互不同的折射率(和相互不同的孔隙率)的第一无机层iol1、第二无机层iol2和第三无机层iol3。由于第一无机层iol1、第二无机层iol2和第三无机层iol3可以包括相同的材料(例如，无机材料)，所以可以提高第一无机层iol1、第二无机层iol2和第三无机层iol3之间的联接力。由于包括第一无机层iol1、第二无机层iol2和第三无机层iol3的绝缘层ins0可以使用单一沉积技术(例如，化学气相沉积方法)形成，因此可以简化制造工艺。由于可以不使用昂贵的无机填料(例如，空心二氧化硅)，因此可以降低制造成本。
104.在图3a中，可以通过连续的工艺在由显示元件层dpl提供的基础表面上形成光转换图案层lcpl，但是光转换图案层lcpl不限于此。
105.例如，如图3b所示，滤色器层cfl、绝缘层ins0和颜色转换层ccl可以形成在上部衬底upl的表面上，并且光转换图案层lcpl可以通过使用粘合层(例如，填料flr)的粘合工艺设置在显示元件层dpl上。
106.上部衬底upl可以是刚性或柔性衬底(或膜)。在实施方式中，在上部衬底upl是刚性衬底的情况下，上部衬底upl可以是玻璃衬底、石英衬底、玻璃陶瓷衬底和晶体玻璃衬底中的至少一个。在另一实施方式中，在上部衬底upl是柔性衬底的情况下，上部衬底upl可以是包括聚合物有机材料的塑料衬底和膜衬底中的至少一个。上部衬底upl可以包括玻璃纤维增强塑料(frp)。
107.光阻挡构件lbp可以设置在第一滤色器cf1至第三滤色器cf3之间。光阻挡构件lbp可以包括各种类型的黑矩阵材料中的至少一种黑矩阵材料(例如，至少一种光阻挡材料)、特定颜色的滤色器材料等。
108.根据实施方式，能够阻挡光的图案可以另外设置在第一颜色转换图案ccl1至第三颜色转换图案ccl3之间。例如，黑矩阵图案bm可以设置在第一颜色转换图案ccl1至第三颜色转换图案ccl3之间。
109.作为另一个示例，如图3c所示，滤色器层cfl和绝缘层ins0可以形成在上部衬底upl的表面上，并且绝缘层ins0可以通过使用粘合层(例如，填料flr)的粘合工艺设置在颜色转换层ccl上。
110.作为又一示例，滤色器层cfl可以形成在上部衬底upl的表面上，并且滤色器层cfl可以通过使用粘合层的粘合工艺设置在绝缘层ins0上。换言之，粘合层可以设置在滤色器层cfl和绝缘层ins0之间。
111.图4是示出包括在图3a至图3c的显示装置中的像素电路层pcl和显示元件层dpl的实施方式的示意性剖视图。在图4中，像素pxl被简化，例如将每个电极示出为单层电极，并
且将每个绝缘层示出为仅单层绝缘层，但是本公开不限于此。
112.在本公开中，两个元件之间的“连接”可以指电连接和物理连接两者都被包括地使用。
113.参照图1至图4，每个像素pxl可以包括设置在衬底sub上的像素电路层pcl和显示元件层dpl。
114.为了方便，首先描述像素电路层pcl，且然后描述显示元件层dpl。
115.像素电路层pcl可以包括缓冲层bfl、晶体管t和保护层psv。
116.缓冲层bfl可以设置和/或形成在衬底sub上，并且可以防止杂质扩散到晶体管t中。缓冲层bfl可以是包括无机材料的无机绝缘层。缓冲层bfl可以包括诸如硅氮化物(sin
x
)、硅氧化物(sio
x
)、硅氮氧化物(sio
x
ny)和铝氧化物(alo
x
)的金属氧化物中的至少一种。缓冲层bfl可以设置为单层，或者可以设置为多层(例如，至少双层)。在缓冲层bfl设置为多层的情况下，每个层可以由相同的材料或不同的材料形成。根据衬底sub的材料、工艺条件等，可以省略缓冲层bfl。
117.晶体管t可以是控制提供给发光元件ld的驱动电流的驱动晶体管。然而，本公开不限于此，并且除了驱动晶体管之外，晶体管t还可以是向驱动晶体管传输信号的开关晶体管或者执行另一功能的开关晶体管。
118.晶体管t可以包括半导体图案scl、栅极ge、第一端子se和第二端子de。第一端子se可以是源极和漏极中的一个，且第二端子de可以是源极和漏极中的另一个电极。例如，在第一端子se是源极的情况下，第二端子de可以是漏极。
119.半导体图案scl可以设置和/或形成在缓冲层bfl上。半导体图案scl可以包括接触第一端子se的第一接触区和接触第二端子de的第二接触区。第一接触区和第二接触区之间的区可以是沟道区。沟道区可以与相应晶体管t的栅极ge重叠。半导体图案scl可以是由非晶硅、多晶硅、低温多晶硅、氧化物半导体、有机半导体等或其组合形成的半导体图案。沟道区可以是例如不掺杂有杂质的半导体图案，并且可以是本征半导体。第一接触区和第二接触区可以是掺杂有杂质的半导体图案。
120.栅极ge可以设置和/或形成在栅极绝缘层gi上，以对应于半导体图案scl的沟道区。栅极ge可以设置在栅极绝缘层gi上，并且可以与半导体图案scl的沟道区重叠。栅极ge可以形成为选自铜(cu)、钼(mo)、钨(w)、钕(nd)、钛(ti)、铝(al)、银(ag)及其合金(诸如铝钕(alnd)合金)的组中的一种或多种材料的单独的或其混合物的单层，或者可以形成为可以是低电阻材料的钼(mo)、钛(ti)、铜(cu)、铝(al)、银(ag)或其组合的双层结构或多层结构，以降低线路电阻。
121.栅极绝缘层gi可以是包括无机材料的无机绝缘层。例如，栅极绝缘层gi可以包括诸如硅氮化物(sin
x
)、硅氧化物(sio
x
)、硅氮氧化物(sio
x
ny)和铝氧化物(alo
x
)的金属氧化物中的至少一种。然而，栅极绝缘层gi的材料不限于以上描述的实施方式，并且根据实施方式可以应用为栅极绝缘层gi提供绝缘的各种材料。例如，栅极绝缘层gi可以由包括有机材料的有机绝缘层形成。栅极绝缘层gi可以设置为单层，但是也可以设置为多层(例如，至少双层)。
122.第一端子se和第二端子de中的每一个可以设置和/或形成在第二层间绝缘层ild2上，并且可以通过依次穿过栅极绝缘层gi以及第一层间绝缘层ild1和第二层间绝缘层ild2
的接触孔与半导体图案scl的第一接触区和第二接触区接触。例如，第一端子se可以与半导体图案scl的第一接触区接触，并且第二端子de可以与半导体图案scl的第二接触区接触。第一端子se和第二端子de中的每一个可以包括与栅极ge相同的材料，或者可以包括从作为示例给出为栅极ge的配置材料的材料中选择的一种或多种材料。
123.第一层间绝缘层ild1可以包括与栅极绝缘层gi相同的材料，或者可以包括从作为示例给出为栅极绝缘层gi的配置材料的材料中选择的一种或多种材料。
124.第二层间绝缘层ild2可以设置和/或形成在第一层间绝缘层ild1上。第二层间绝缘层ild2可以是包括无机材料的无机绝缘层或包括有机材料的有机绝缘层。根据实施方式，第二层间绝缘层ild2可以包括与第一层间绝缘层ild1相同的材料，但是本公开不限于此。第二层间绝缘层ild2可以设置为单层，或者可以设置为多层(例如，至少双层)。根据实施方式，可以省略第二层间绝缘层ild2。
125.在以上描述的实施方式中，晶体管t的第一端子se和第二端子de可以是通过依次穿过栅极绝缘层gi和第一层间绝缘层ild1和第二层间绝缘层ild2的接触孔电连接到半导体图案scl的单独电极，但本公开不限于此。根据实施方式，晶体管t的第一端子se可以是半导体图案scl的与沟道区相邻的第一接触区，并且晶体管t的第二端子de可以是半导体图案scl的与沟道区相邻的第二接触区。晶体管t的第二端子de可以通过单独的连接装置(例如桥电极)电连接到像素pxl的发光元件ld。
126.晶体管t可以由低温多晶硅薄膜晶体管(ltps tft)构成，但是本公开不限于此。根据实施方式，晶体管t可以由氧化物半导体薄膜晶体管配置。尽管在以上描述的实施方式中已经描述了晶体管t可以是顶栅结构的薄膜晶体管的情况作为示例，但是本公开不限于此，并且晶体管t的结构可以进行各种改变。例如，晶体管t可以是具有底栅结构的薄膜晶体管。
127.像素电路层pcl可进一步包括存储施加在晶体管t的栅极ge与第一端子se(或源极)之间的电压的存储电容器、向晶体管t(或像素pxl)提供驱动电压的驱动电压线等。
128.保护层psv可以设置和/或形成在晶体管t上。
129.保护层psv可以设置为包括有机绝缘层、无机绝缘层或设置在无机绝缘层上的有机绝缘层的形式。例如，无机绝缘层可以包括诸如硅氧化物(sio
x
)、硅氮化物(sin
x
)、硅氮氧化物(sio
x
ny)和铝氧化物(alo
x
)的金属氧化物中的至少一种。例如，有机绝缘层可以包括丙烯酸树脂(聚丙烯酸酯树脂)、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂和苯并环丁烯树脂中的至少一种。
130.显示元件层dpl可以设置在保护层psv上。
131.显示元件层dpl可以包括第一堤部图案bnp1和第二堤部图案bnp2、第一像素电极pel1和第二像素电极pel2、发光元件ld以及第一接触电极cne1和第二接触电极cne2。显示元件层dpl可以包括第一绝缘层ins1至第三绝缘层ins3。
132.第一堤部图案bnp1和第二堤部图案bnp2可以位于发射区域ema中(参考图3a至图3c)，并且可以彼此间隔开。第一堤部图案bnp1和第二堤部图案bnp2可以是支撑第一像素电极pel1和第二像素电极pel2中的每一个的支撑构件，以改变第一像素电极pel1和第二像素电极pel2中的每一个的第三方向dr3的表面轮廓(或形状)，从而在显示装置的图像显示方向(例如，正面方向)上引导从发光元件ld发射的光。例如，第一堤部图案bnp1和第二堤部图案bnp2可以改变第一像素电极pel1和第二像素电极pel2中的每一个在第三方向dr3上的表
面轮廓(或形状)。
133.第一堤部图案bnp1和第二堤部图案bnp2可以设置和/或形成在保护层psv和相应像素pxl的发射区域ema中的相应电极之间。例如，第一堤部图案bnp1可以设置和/或形成在保护层psv和第一像素电极pel1之间，并且第二堤部图案bnp2可以设置和/或形成在保护层psv和第二像素电极pel2之间。
134.第一堤部图案bnp1和第二堤部图案bnp2可以是包括无机材料的无机绝缘层或包括有机材料的有机绝缘层。根据实施方式，第一堤部图案bnp1和第二堤部图案bnp2可以包括单个有机绝缘层和/或单个无机绝缘层，但是本公开不限于此。根据实施方式，第一堤部图案bnp1和第二堤部图案bnp2可以设置为其中至少一个有机绝缘层和至少一个无机绝缘层可以堆叠在彼此上的多层的形式。然而，第一堤部图案bnp1和第二堤部图案bnp2的材料不限于以上描述的实施方式，并且根据实施方式，第一堤部图案bnp1可以包括导电材料。
135.第一堤部图案bnp1和第二堤部图案bnp2可以具有其中宽度在第三方向dr3上从保护层psv的表面(例如上表面)朝向上部部分变窄的梯形形状的截面，但本公开不限于此。根据实施方式，第一堤部图案bnp1和第二堤部图案bnp2可以包括具有半椭圆形形状、半圆形形状(或半球形形状)的截面的弯曲表面。当在截面中观察时，第一堤部图案bnp1和第二堤部图案bnp2的形状不限于以上描述的实施方式，并且可以在能够提高从每个发光元件ld发射的光的效率的范围内进行各种改变。在第一方向dr1上相邻的第一堤部图案bnp1和第二堤部图案bnp2可以设置在保护层psv的同一表面上，并且在第三方向dr3上可以具有相同的高度(或厚度)。
136.在以上描述的实施方式中，第一堤部图案bnp1和第二堤部图案bnp2可以设置和/或形成在保护层psv上，并且因此第一堤部图案bnp1和第二堤部图案bnp2与保护层psv可以通过不同的工艺形成，但是本公开不限于此。根据实施方式，第一堤部图案bnp1和第二堤部图案bnp2与保护层psv可以通过相同的工艺形成。第一堤部图案bnp1和第二堤部图案bnp2可以是保护层psv的一个区域。
137.第一像素电极pel1和第二像素电极pel2可以设置和/或形成在与其对应的第一堤部图案bnp1和第二堤部图案bnp2上。
138.第一像素电极pel1和第二像素电极pel2中的每一个可以由具有反射率的材料形成，以允许从发光元件ld发射的光在显示装置的图像显示方向上行进。第一像素电极pel1和第二像素电极pel2中的每一个可以由具有反射率的导电材料形成。导电材料可以包括有利于在显示装置的图像显示方向上反射从发光元件ld发射的光的不透明金属。例如，不透明金属可以包括诸如银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、钛(ti)及其合金中的至少一种的金属。根据实施方式，第一像素电极pel1和第二像素电极pel2中的每一个可以包括透明导电材料。透明导电材料可以包括诸如氧化铟锡(ito)、氧铟锌(izo)、锌氧化物(zno
x
)、氧化铟镓锌(igzo)或氧化铟锡锌(itzo)的导电氧化物、诸如聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)(pedot)的导电聚合物等。锌氧化物(zno
x
)可以是氧化锌(zno)和/或过氧化锌(zno2)。
139.在第一像素电极pel1和第二像素电极pel2中的每一个包括透明导电材料的情况下，可以添加由用于在显示装置的图像显示方向上反射从发光元件ld发射的光的不透明金属形成的单独的导电材料。然而，第一像素电极pel1和第二像素电极pel2中的每一个的材
料不限于以上描述的材料。
140.第一像素电极pel1和第二像素电极pel2中的每一个可以设置和/或形成为单层，但是本公开不限于此。根据实施方式，第一像素电极pel1和第二像素电极pel2中的每一个可以设置和/或形成为其中金属、合金、导电氧化物和导电聚合物中的至少两种材料可以堆叠在彼此上的多层。第一像素电极pel1和第二像素电极pel2中的每一个可以由多层(例如，至少双层)形成，以最小化由于在向每个发光元件ld的两端传输信号(或电压)的情况下的信号延迟而引起的失真。例如，第一像素电极pel1和第二像素电极pel2中的每一个可以形成为其中氧化铟锡(ito)/银(ag)/氧化铟锡(ito)可以顺序地堆叠在彼此上的多层。
141.根据实施方式，第一像素电极pel1可以通过穿过保护层psv的第一接触孔电连接到晶体管t，并且第二像素电极pel2可以通过穿过保护层psv的第二接触孔电连接到像素电路层pcl的驱动电压线。
142.第一像素电极pel1和第二像素电极pel2中的每一个可以从像素电路层pcl的相应部分配置接收对准信号(或对准电压)，并且可以用作用于对准发光元件ld的对准电极(或对准线)。例如，第一像素电极pel1可以从像素电路层pcl的部分配置接收第一对准信号(或第一对准电压)，并且可以用作第一对准电极(或第一对准线)，并且第二像素电极pel2可以从像素电路层pcl的另一配置接收第二对准信号(或第二对准电压)，并且可以用作第二对准电极(或第二对准线)。
143.在发光元件ld可以在像素pxl中对准之后，可以去除位于相邻的像素pxl之间的第一像素电极pel1的一部分，以单独地(或独立地)驱动像素pxl。
144.在发光元件ld可以对准之后，第一像素电极pel1和第二像素电极pel2可以用作用于驱动发光元件ld的驱动电极。
145.发光元件ld可以是例如使用无机晶体结构的材料的、具有与纳米级至微米级一样小的尺寸的超小发光二极管。例如，发光元件ld可以包括第一半导体层、第二半导体层、有源层和绝缘层。第一半导体层可以包括具有一类型的半导体层，并且第二半导体层可以包括与第一半导体层的类型不同的类型的半导体层。例如，第一半导体层可以包括n型半导体层，且第二半导体层可以包括p型半导体层。第一半导体层和第二半导体层可以包括inalgan、gan、algan、ingan、aln和inn中的至少一种半导体材料。有源层可以位于第一半导体层和第二半导体层之间，并且可以具有单量子阱结构或多量子阱结构。在将大于或等于一电压的电场施加到发光元件ld的端部的情况下，电子空穴对可在有源层中复合并且可发射光。
146.可以在发射区域ema中布置和/或设置至少两个至几十个发光元件ld，但是布置和/或设置在发射区域ema中的发光元件ld的数量不限于此。根据实施方式，布置和/或设置在发射区域ema中的发光元件ld的数量可以进行各种改变。
147.每个发光元件ld可以发射彩色光和白色光中的任何一种。在实施方式中，每个发光元件ld可以发射短波段的蓝色光，但是本公开不限于此。
148.可以在第一像素电极pel1和第二像素电极pel2上设置和/或形成第一绝缘层ins1。
149.第一绝缘层ins1可包括由无机材料形成的无机绝缘层或由有机材料形成的有机绝缘层。第一绝缘层ins1可以由有利于保护发光元件ld免受像素pxl的像素电路层pcl影响
的无机绝缘层形成。例如，第一绝缘层ins1可以包括诸如硅氮化物(sin
x
)、硅氧化物(sio
x
)、硅氮氧化物(sio
x
ny)和铝氧化物(alo
x
)的金属氧化物中的至少一种，但是本公开不限于此。根据实施方式，第一绝缘层ins1可以由有利于使发光元件ld的支撑表面平坦化的有机绝缘层形成。
150.第一绝缘层ins1可以包括暴露第一像素电极pel1的一区域的第一开口opn1和暴露第二像素电极pel2的一区域的第二开口opn2。第一绝缘层ins1可以覆盖第一像素电极pel1和第二像素电极pel2中的每一个的除了一区域(例如，对应于第一开口opn1和第二开口opn2的区域)之外的剩余区域。发光元件ld可以在第一像素电极pel1和第二像素电极pel2之间在第一绝缘层ins1上设置(或对准)。
151.第二绝缘层ins2(或第二绝缘图案)可以设置和/或形成在发光元件ld上。第二绝缘层ins2可以设置和/或形成在发光元件ld上，以部分地覆盖发光元件ld的外周表面(或表面)。发光元件ld的有源层可以因第二绝缘层ins2而不与外部导电材料接触。第二绝缘层ins2可以仅覆盖发光元件ld的外周表面(或表面)的一部分，以将发光元件ld的端部暴露于外部。第二绝缘层ins2可形成为独立于像素pxl的绝缘图案，但本公开不限于此。
152.第二绝缘层ins2可以由单层或多层构成，并且可以包括包含至少一种无机材料的无机绝缘层或包含至少一种有机材料的有机绝缘层。根据可以应用发光元件ld的显示装置的设计条件等，第二绝缘层ins2可以由包括无机材料的无机绝缘层或包括有机材料的有机绝缘层形成。在可以完成发光元件ld在像素pxl中的对准之后，可以在发光元件ld上形成第二绝缘层ins2，以防止发光元件ld与对准的位置分离。
153.第一接触电极cne1可以设置在第一像素电极pel1上，以通过第一绝缘层ins1的第一开口opn1与第一像素电极pel1接触或连接。根据实施方式，在盖层(未示出)设置在第一像素电极pel1上的情况下，第一接触电极cne1可以设置在盖层上并且可以通过盖层连接到第一像素电极pel1。以上描述的盖层可以保护第一像素电极pel1免受在显示装置的制造工艺期间产生的缺陷的影响，并且可以进一步增强第一像素电极pel1和位于其下方的像素电路层pcl之间的粘合力。盖层可以包括诸如氧化铟锌(izo)的透明导电材料(或物质)。
154.第一接触电极cne1可以设置和/或形成在发光元件ld的一端部上，以连接到发光元件ld的该一端部。因此，第一像素电极pel1和发光元件ld的端部可以通过第一接触电极cne1彼此电连接。
155.与第一接触电极cne1类似，第二接触电极cne2可以设置在第二像素电极pel2上，以通过第一绝缘层ins1的第二开口opn2与第二像素电极pel2接触或连接。根据实施方式，在盖层设置在第二像素电极pel2上的情况下，第二接触电极cne2可以设置在盖层上并且可以通过盖层连接到第二像素电极pel2。第二接触电极cne2可以设置和/或形成在发光元件ld的另一端部上，以连接到发光元件ld的另一端部。因此，第二像素电极pel2和发光元件ld的另一端部可以通过第二接触电极cne2彼此电连接。
156.第一接触电极cne1和第二接触电极cne2可以由各种透明导电材料形成，以允许从发光元件ld发射并由第一像素电极pel1和第二像素电极pel2反射的光在显示装置的图像显示方向上无损耗地行进。例如，第一接触电极cne1和第二接触电极cne2可以包含包括氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、锌氧化物(zno
x
)、氧化铟镓锌(igzo)、氧化铟锡锌(itzo)等的各种透明导电材料(或物质)中的至少一种，并且可以是基本透明或半透明的以满足透光
率。然而，第一接触电极cne1和第二接触电极cne2的材料不限于以上描述的实施方式。根据实施方式，第一接触电极cne1和第二接触电极cne2可以由各种不透明导电材料(或物质)形成。第一接触电极cne1和第二接触电极cne2可以由单层或多层形成。
157.第一接触电极cne1和第二接触电极cne2的形状可以不限于特定的形状，并且可以在与发光元件ld电连接和稳定连接的范围内进行各种变化。第一接触电极cne1和第二接触电极cne2的形状可以鉴于与设置在其下方的电极的连接关系而进行各种改变。
158.第一接触电极cne1和第二接触电极cne2可以设置成在第一方向dr1上彼此间隔开。例如，第一接触电极cne1和第二接触电极cne2可以设置成在第二绝缘层ins2上在其间彼此间隔开距离。第一接触电极cne1和第二接触电极cne2可以设置在同一层上并通过相同的工艺形成。然而，本公开不限于此，并且根据实施方式，第一接触电极cne1和第二接触电极cne2可以设置在不同的层上，并且可以通过不同的工艺形成。
159.第三绝缘层ins3可以设置和/或形成在第一接触电极cne1和第二接触电极cne2上。第三绝缘层ins3可以是包括无机材料的无机绝缘层或包括有机材料的有机绝缘层。例如，第三绝缘层ins3可以具有其中至少一个无机绝缘层或至少一个有机绝缘层可以交替地堆叠在彼此上的结构。第三绝缘层ins3可以完全覆盖显示元件层dpl，以防止水或湿气从外部流入包括发光元件ld的显示元件层dpl。
160.图5是示出包括在图3a至图3c的显示装置中的光转换图案层的实施方式的示意性剖视图。图6是示出包括在图5的光转换图案层中的绝缘层的实施方式的示意性剖视图。图7是示出包括在图6的绝缘层中的第二无机层的密度和折射率的示意图。图8是示出根据包括在图6的绝缘层中的第二无机层的折射率的外量子效率的示意图。图9是示出根据包括在图6的绝缘层中的第二无机层的厚度的外量子效率的示意图。
161.参照图3a至图3c、图5和图6，光转换图案层lcpl可以包括颜色转换层ccl、绝缘层ins0(或折射率转换层)、滤色器层cfl(或滤色器cf)和外涂层oc。由于参照图3a描述了颜色转换层ccl、绝缘层ins0、滤色器层cfl和外涂层oc，因此省略了重复的描述。
162.在实施方式中，第一无机层iol1、第二无机层iol2和第三无机层iol3中的一些可以具有不同的密度和/或不同的孔隙率。例如，第一无机层iol1、第二无机层iol2和第三无机层iol3可以包括诸如硅氮化物(sin
x
)、硅氧化物(sio
x
)、硅氮氧化物(sio
x
ny)或其组合的无机材料(或无机粒子)，并且无机材料的密度和/或孔隙率在第一无机层iol1、第二无机层iol2和第三无机层iol3中的一些中可以彼此不同。
163.在实施方式中，第二无机层iol2的第二密度可以小于第一无机层iol1的第一密度和第三无机层iol3的第三密度。换言之，第二无机层iol2的第二孔隙率可以大于第一无机层iol1的第一孔隙率和第三无机层iol3的第三孔隙率。
164.如图5所示，第二无机层iol2中的无机材料的密度可以相对小，且因此，空气(或孔)可以存在于第二无机层iol2中的无机材料之间。例如，第二无机层iol2的孔隙率可以在约20％至约80％的范围内。由于无机材料在第二无机层iol2中的不均匀布置，孔可以具有开放的形状(例如，开放的孔)。换言之，在第二无机层iol2中形成的孔的尺寸和/或形状可以是不同的。
165.第一无机层iol1和第三无机层iol3中的每一个中的无机材料的密度可以相对高。孔可能几乎不存在于第一无机层iol1和第三无机层iol3中，但本公开不限于此。例如，第一
无机层iol1的第一孔隙率可以小于或等于约5％，且第三无机层iol3的第三孔隙率可以小于或等于约20％。
166.作为参考，第一无机层iol1可以在第一无机层iol1、第二无机层iol2和第三无机层iol3中具有最大的密度和/或最小的孔隙率，以防止湿气(或在后续工艺中使用的溶液)渗入下部的颜色转换层ccl。就折射率(或根据折射率的全反射)而言，第二无机层iol2可以在第一无机层iol1、第二无机层iol2和第三无机层iol3中具有最小的密度和/或最大的孔隙率。第三无机层iol3可以具有大于第二无机层iol2的第二密度的密度和/或小于第二无机层iol2的第二孔隙率的孔隙率，以增加与上部的滤色器层cfl的接触面积(根据接触面积的与滤色器层cfl的粘着力或联接力)。由于第三无机层iol3可以具有与第一无机层iol1的功能不同的功能，因此第三无机层iol3可以具有不同于第一无机层iol1的第一密度(或小于第一密度)的密度或不同于第一无机层iol1的第一孔隙率的孔隙率，但不限于此。例如，第三无机层iol3的第三密度(或第三孔隙率)可以与第一无机层iol1的第一密度(或第一孔隙率)相同。
167.参照图6，示出了使用透射电子显微镜(tem)观察到的绝缘层ins0。在使用tem使电子透射通过绝缘层ins0的情况下，透射绝缘层ins0或从绝缘层ins0发射的电子被标记为阴影。没有发射的电子或有很少发射的电子的区域被以黑暗的方式示出(或以灰色或暗点示出)。
168.在第一无机层iol1和第三无机层iol3中可能没有检测到电子，且因此第一无机层iol1和第三无机层iol3可以显示为灰色。在第二无机层iol2中，可以存在电子通过孔传输的部分，且因此可以在第二无机层iol2中识别到阴影差异。例如，即使在第一无机层iol1、第二无机层iol2和第三无机层iol3包括相同的无机材料的情况下，也可以根据第一无机层iol1、第二无机层iol2和第三无机层iol3的密度差异(或孔隙率差异)来区分第一无机层iol1、第二无机层iol2和第三无机层iol3。
169.根据实施方式，第一无机层iol1、第二无机层iol2和第三无机层iol3中的至少一些可以包括不同的无机材料。可以基于无机材料更容易地区分第一无机层iol1、第二无机层iol2和第三无机层iol3。
170.通过使用聚焦离子束(fib)等的断层扫描可以获得与图6的图像类似的图像。例如，第一无机层iol1、第二无机层iol2和第三无机层iol3可以通过使用fib的断层扫描来区分。第一无机层iol1、第二无机层iol2和第三无机层iol3也可以通过孔隙率测量方法来区分。例如，孔隙率测量方法可以通过解吸特定气体来分析相应无机层的比表面积和孔隙率。孔隙率测量方法可以使用物理吸附和化学吸附现象来测量吸附在相应无机层的表面上的气体量，并且可以与无机层的材料无关地测量比表面积。例如，可以针对第一无机层iol1、第二无机层iol2和第三无机层iol3中的每一个获得相同标准的样品，可以将氮气(n2)吸附到样品上，并且可以测量吸附的氮气的量，以测量孔隙率。
171.第一无机层iol1、第二无机层iol2和第三无机层iol3也可以通过结合能谱分析来区分。例如，在第一无机层iol1、第二无机层iol2和第三无机层iol3包括硅氧化物(sio
x
)的情况下，根据第一密度和第三密度，硅(si)和氧(o)之间的联接力可在第一无机层iol1和第三无机层iol3中表现为相对大，而根据相对小的第二密度，硅(si)和氧(o)之间的联接力可在第二无机层iol2中表现为相对小。
172.在实施方式中，根据第一密度、第二密度和第三密度，第一无机层iol1、第二无机层iol2和第三无机层iol3中的至少一些可以具有不同的折射率。随着无机材料的密度增加，折射率可增加，并且随着无机材料的密度降低，折射率可降低。
173.参照图7，在第一种情况下，无机层中无机材料的密度可相对大，并且在无机材料之间可几乎不存在孔。第一种情况的无机层的折射率n可以是约1.45。第一无机层iol1的第一密度可以大于第一情况的无机层的密度，且因此第一无机层iol1的第一折射率(例如，约1.6或更大)可以大于第一情况的无机层的折射率。类似地，第三无机层iol3的第三密度可以大于或等于第一情况的无机层的密度，且因此第三无机层iol3的第三折射率(例如，约1.45至约1.8)可以大于或等于第一情况的无机层的折射率。
174.参照第二种情况、第三种情况和第四种情况，随着无机层中的无机材料的密度降低，无机材料之间的孔可以增加，并且随着孔的数量增加，折射率可以降低到接近空气的折射率(例如，约1)。例如，第二种情况的无机层的折射率可以是约1.3，第三种情况的无机层的折射率可以是约1.2，且第四种情况的无机层的折射率可以是约1.15。第二无机层iol2的第二密度可以类似于第二情况至第四情况的无机层的密度，且因此第二无机层iol2的第二折射率(例如，约1.1至约1.3)可以类似于根据第二情况至第四情况的无机层的折射率。
175.在实施方式中，第二无机层iol2的第二折射率可以在约1.1至约1.3的范围内。
176.参照图8，在第一无机层iol1的第一折射率是参考折射率ref(例如，约1.6的折射率)的情况下，示出了根据第二无机层iol2的第二折射率的外量子效率(eqe)(从像素pxl发射到外部的光的效率，或光输出效率)。这里，eqe可以表示发射的光子的数量与像素px中产生的光子的总数量的比率。如参考图7所描述的，第二无机层iol2的第二折射率可以根据第二无机层iol2中的无机材料的密度来调节。
177.在第二无机层iol2的第二折射率为约1.6的情况下，由于在第一无机层iol1和第二无机层iol2之间不发生全反射，所以eqe可以为约100％。
178.在第二无机层iol2的第二折射率为约1.3的情况下，eqe可为约110.2％，并且随着第二无机层iol2的第二折射率降低，eqe可增加。在第二无机层iol2的第二折射率是约1.27、约1.25和约1.23的情况下，eqe可以分别是约113.3％、约115.0％和约116.6％。在第二无机层iol2的第二折射率为约1.2的情况下，eqe可为可超过约120％的约120.7％。在第二无机层iol2的第二折射率是1.17和1.14的情况下，eqe可以分别是约121.8％和约123.6％。在第二无机层iol2的第二折射率约为1(其可以等于空气的折射率)的情况下，eqe可以是约125.9％的最大值。例如，在第二无机层iol2的第二折射率为约1.3或更小的情况下，eqe可以提高约10％或更多。在第二无机层iol2的第二折射率为约1.2或更小的情况下，eqe可以提高约20％或更多。在第二无机层iol2的第二折射率为约1.14或更小的情况下，与约1.14的折射率相比，eqe的增加可以不大。在第二无机层iol2的第二折射率为约1.1或更小的情况下，随着第二无机层iol2的孔隙率增加，第二无机层iol2与第一无机层iol1和第三无机层iol3之间的接触面积可以减小，并且界面粘着力可以减小。因此，考虑到eqe(和界面粘着力)，第二无机层iol2的第二折射率可以在约1.1至约1.3的范围内，或者可以是约1.2。
179.第一无机层iol1、第二无机层iol2和第三无机层iol3的折射率可以使用诸如椭偏仪或光谱反射仪的光学测量装置来测量。
180.例如，当光穿过介质(例如无机层)时，光可以与介质的折射率和厚度成比例地变化。椭偏仪可以通过测量相对于无机层的入射光和反射光的偏振变化量来计算无机层的厚度和复折射率。这里，偏振变化量可以指振幅和相位差，并且可以取决于诸如波长、入射角、无机层的厚度、复折射率等的参数(例如，(d，n，k)＝f(ψ，δ)，这里，d可以是厚度，(n，k)可以是复折射率，f(ψ，δ)可以是偏振变化量，ψ可以是振幅，并且δ可以是相位差)。在预设或获得与入射角(固定入射角)、波长(单波长)和无机层的厚度(例如，通过fib断层扫描获得的无机层的厚度)有关的信息的情况下，可以根据偏振变化量来计算复折射率。即使不存在与无机层的厚度有关的信息，也可以通过根据入射角(例如入射光的方向)的变化测量偏振变化量来测量无机层的折射率。
181.例如，在测量光垂直于无机层的表面的情况下，光谱反射计可以根据波长测量反射光的强度。反射光的强度可以根据无机层的厚度和折射率而变化。例如，光谱反射计可以通过比较通过改变波长获得的光的强度来测量无机层的折射率。
182.在实施方式中，第二无机层iol2的第二厚度th2可以在约0.3μm至约0.6μm的范围内。
183.参照图9，在第一无机层iol1的第一折射率是参考折射率ref(例如，约1.6的折射率)并且第二无机层iol2的第二折射率是约1.23的情况下，示出了根据第二无机层iol2的第二厚度th2的eqe(从像素pxl发射到外部的光的效率或光输出效率)。
184.在第二无机层iol2的第二厚度th2在约0.7μm至约4.0μm的范围内的情况下，eqe可以在约120.0％至约120.6％的范围内。例如，在第二无机层iol2的第二厚度th2为约0.7μm或更大的情况下，第二无机层iol2的第二厚度th2可以不影响eqe。
185.在第二无机层iol2的第二厚度th2为约0.5μm和约0.3μm的情况下，eqe分别为约119.8％和约119.5％，并且可以基本上在基于约120％的误差范围内。
186.然而，当第二无机层iol2的第二厚度th2可以小于约0.3μm时，eqe可以减小。在第二无机层iol2的第二厚度th2为约0.25μm、约0.2μm和约0.1μm的情况下，eqe可分别为约117.2％、约112.0％和约99.9％。例如，在第二无机层iol2的第二厚度th2小于约0.3μm的情况下，eqe可基于约120％降低约3％或更多。
187.因此，考虑到eqe，第二无机层iol2的第二厚度th2可以是约0.3μm或更大，并且考虑到使显示面板dp(参考图2)变薄，第二无机层iol2的第二厚度th2可以是约0.6μm或更小。
188.第一无机层iol1的第一厚度th1和第三无机层iol3的第三厚度th3中的每一个可以是约0.1μm(或约)或更大。可以保证第一无机层iol1的功能(例如防透湿性)和第三无机层iol3的功能(例如粘合力的改善)。
189.如以上所描述的，光转换图案层lcpl可以包括设置在颜色转换层ccl上的绝缘层ins0，并且绝缘层ins0可以包括第一无机层iol1、第二无机层iol2和第三无机层iol3。第二无机层iol2的第二密度可以小于第一无机层iol1的第一密度，且因此第二无机层iol2的第二折射率可以小于第一无机层iol1的第一折射率。因此，可以在第一无机层iol1和第二无机层iol2之间发生全反射，并且可以提高eqe(或光效率)。第二无机层iol2的第二折射率可以在约1.1至约1.3的范围内，或者可以是约1.2。可以改善eqe(或光效率)，并且可以保证第二无机层iol2的界面粘着力。第二无机层iol2的第二厚度th2可以在约0.3μm至约0.6μm的范围内。可以保证对于对应的折射率的eqe(或光效率)，并且可以使显示装置变薄。
190.图10是示出形成图6的绝缘层的方法的示意图。图11是示出图6的绝缘层的特性的示意图。
191.参照附图5、图6、图10和图11，绝缘层ins0可以通过化学气相沉积(cvd)技术形成。绝缘层ins0可以通过到达颜色转换层ccl并引起化学反应的反应气体(或气体源)形成。反应气体可以围绕颜色转换层ccl的表面移动以引起化学反应，并且可以根据化学反应的结果形成具有三维网络结构的绝缘层ins0。
192.在实施方式中，绝缘层ins0可以通过等离子体增强化学气相沉积(pecvd)技术形成。在pecvd的情况下，反应气体分解(或解离)所需的能量可以从电场获得，并且用于沉积的温度条件(例如，衬底的温度)可以保持在400℃以下的相对较低的温度。
193.在实施方式中，可以使用硅烷(sih4)和氧气(o2)(和/或臭氧(o3))作为反应气体。绝缘层ins0可以包括硅氧化物(sio
x
)。第一无机层iol1、第二无机层iol2和第三无机层iol3中的至少一个可以包括硅氧化物(sio
x
)。
194.在另一实施方式中，除了硅烷(sih4)之外，还可以使用氮气(n2)、一氧化二氮(n2o)、氨气(nh3)等作为反应气体。绝缘层ins0可以包括硅氮化物(sin
x
)和/或硅氮氧化物(sio
x
ny)。第一无机层iol1、第二无机层iol2和第三无机层iol3中的至少一个可以包括硅氮化物(sin
x
)和/或硅氮氧化物(sio
x
ny)。
195.由于cvd的特性，通过cvd形成的绝缘层ins0可以具有非均匀结构。使用这种非均匀结构，可以更容易地形成绝缘层ins0的第二无机层iol2(例如，包括孔的第二无机层iol2)。
196.由于cvd的特性，通过cvd形成的绝缘层ins0可以包括杂质。作为参考，非晶硅(a-si)可以在550℃或更低的温度下由硅烷(sih4)形成，并且氢化非晶硅(a-si:h)可以在约400℃或更低的温度下通过非晶硅(a-si)和氢(例如，从硅烷(sih4)分解的氢)的结合形成。例如，绝缘层ins0可以包括在约10％至约35％范围内的氢。例如，根据实施方式，通过cvd形成的绝缘层ins0(例如，第二无机层iol2)还可以包括诸如氢化非晶硅(a-si:h)的杂质。
197.参照图11，示出了绝缘层ins0的光致发光(pl)光谱。
198.由于绝缘层ins0(例如，第二无机层iol2)可以通过cvd形成，因此绝缘层ins0(例如，第二无机层iol2)可以进一步包括诸如氢化非晶硅(a-si:h)的杂质，并且因此在绝缘层ins0(例如，第二无机层iol2)的pl光谱中，峰值可因氢化非晶硅(a-si:h)而出现在900nm和1000nm之间的范围内。
199.作为参考，在诸如溅射的物理气相沉积(pvd)的情况下，原材料(例如硅(si)和氧气(o2))的化学组成可以不改变，并且可以作为薄层沉积。例如，通过溅射形成的无机层可以仅包括硅氧化物(sio
x
)，并且可以几乎不包括诸如氢化非晶硅(a-si:h)的另一种杂质。因此，通过溅射形成的无机层的pl光谱可以与绝缘层ins0(例如，第二无机层iol2)的pl光谱不同地表现。例如，通过cvd形成的绝缘层ins0(例如，第二无机层iol2)可以与通过诸如溅射的pvd形成的无机层区别开。
200.由于溅射技术的特性，通过溅射形成的无机层可以具有均匀的结构，并且可以不包括参考图5描述的孔。由于通过溅射形成的无机层中的无机材料可以物理地结合，因此粘附力(粘着力)可以小于通过cvd形成的绝缘层ins0(或第二无机层iol2)的粘附力。
201.在实施方式中，可以通过cvd形成第一无机层iol1、第二无机层iol2和第三无机层
iol3，并且第二无机层iol2的沉积条件(或沉积速度)可以不同于第一无机层iol1的沉积条件。
202.作为参考，无机层的密度可以根据诸如反应气体的流速(例如，反应气体停留在可以执行cvd的室中时的时间段)、衬底sub的温度和电力(例如，pecvd中用于等离子体放电的电力)的沉积条件(或工艺因素)而变化。例如，随着电力增加，无机层的生长速度(或沉积速度)可增加或者密度可增加。例如，第一无机层iol1可以在使用相对高的电力的沉积条件下形成，而第二无机层iol2可以在使用相对低的电力的沉积条件下形成。
203.例如，第一无机层iol1、第二无机层iol2和第三无机层iol3可以通过相同的cvd形成，并且相互区别开的第一无机层iol1、第二无机层iol2和第三无机层iol3可以通过区分诸如流速、温度和电力的沉积条件而相继形成。由于对于第一无机层iol1、第二无机层iol2和第三无机层iol3可仅使用一种沉积技术，与可使用多种沉积技术(例如，cvd法、溅射法或喷墨法)形成绝缘层ins0的情况相比，可简化制造工艺。
204.根据本公开实施方式的制造显示装置的方法可包括图10的形成绝缘层ins0的方法。
205.参照图3a和图10，制造显示装置的方法可以包括在衬底sub上形成颜色转换层ccl、通过cvd在颜色转换层ccl上形成绝缘层ins0以及在绝缘层ins0上形成滤色器层cfl(或滤色器cf)。制造显示装置的方法可包括在形成颜色转换层ccl之前在衬底sub上形成包括晶体管t的像素电路层pcl以及在像素电路层pcl上形成包括发光元件ld的显示元件层dpl(参考图4)。颜色转换层ccl可以形成在显示元件层dpl上。
206.在实施方式中，在形成绝缘层ins0时，制造显示装置的方法可以包括在第一沉积条件下在颜色转换层ccl上形成第一无机层iol1、在第二沉积条件下在第一无机层iol1上形成第二无机层iol2以及在第三沉积条件下在第二无机层iol2上形成第三无机层iol3。第二沉积条件(或第二沉积速度)可以不同于第一沉积条件(或第第一沉积速度)。根据第二沉积条件，第二无机层iol2的第二孔隙率可以大于第一无机层iol1的第一孔隙率，且相应地第二无机层iol2的第二密度(或第二折射率)可以小于第一无机层iol1的第一密度(或第一折射率)。在另一实施方式中，第二沉积条件(或第二沉积速度)可以不同于第一沉积条件(或第一沉积速度)和第三沉积条件(或第三沉积速度)。根据第二沉积条件，第二无机层iol2的第二孔隙率可以大于第一无机层iol1的第一孔隙率和第三无机层iol3的第三孔隙率，且相应地，第二无机层iol2的第二密度(或第二折射率)可以小于第一无机层iol1的第一密度(或第一折射率)和第三无机层iol3的第三密度(或第三折射率)。
207.如以上所描述的，第一无机层iol1、第二无机层iol2和第三无机层iol3可以通过相同的cvd形成。具有相对低密度的第二无机层iol2可以通过使用由于cvd的特性而出现的非均匀结构并通过控制沉积条件(或沉积速度)来形成。
208.图12是示出根据比较例的光转换图案层lcpl_c及制造其的方法的示意图。
209.参照图12，光转换图案层lcpl_c可以包括颜色转换层ccl、第一无机层iol1、有机层ol和第三无机层iol3_c。
210.颜色转换层ccl、第一无机层iol1和第三无机层iol3_c可以基本上与参照图3a和图5描述的颜色转换层ccl、第一无机层iol1和第三无机层iol3相同或相似，省略了重复的描述。
211.有机层ol可以设置在第一无机层iol1和第三无机层iol3_c之间。
212.有机层ol可以具有相对低的折射率。例如，有机层ol可以包括诸如树脂的有机材料和分散在有机材料中的无机填料。无机填料可以包括空心部，并且有机层ol可以由于无机填料而具有相对低的折射率。例如，无机填料可以是空心sio2。空心二氧化硅可以包括在二氧化硅粒子之间形成的空心部，并且空心部可以因二氧化硅粒子而具有封闭形状(例如，封闭孔)。例如，有机层ol中的空心部(或空心二氧化硅的空心部)的尺寸可以具有均匀的尺寸和/或形状。具有均匀的空心部的无机填料(或空心二氧化硅)可能相对昂贵。例如，在使用无机填料制造有机层ol的情况下，制造成本可能增加。
213.包含分散在树脂中的无机填料的有机层ol可以通过喷墨方法(或狭缝涂布方法)形成。例如，有机层ol可以通过使用喷墨打印机将其中分散有无机填料的树脂排出到衬底sub(或颜色转换层ccl)上来形成。第一无机层iol1和第三无机层iol3_c可以通过cvd(或pvd)形成，并且为了在第一无机层iol1和第三无机层iol3_c之间形成有机层ol，可能需要不同于cvd(或pvd)的喷墨方法(或狭缝涂布方法)。
214.在通过喷墨方法形成有机层ol的情况下，根据树脂的类型，可能在喷墨打印机的喷嘴中发生堵塞，并且因此可能不均匀地形成有机层ol的厚度。由于有机层ol的不均匀的厚度，可能发生染斑。
215.在无机填料的比率增加(例如，在有机层ol中的无机填料的比率为约50％或更大的情况下)以降低有机层ol的折射率的情况下，有机层ol的粘合力可能降低，并且可能发生诸如有机层ol剥离的缺陷。
216.另一方面，在根据本公开的实施方式的制造显示装置的方法中，可以通过cvd和沉积条件(或沉积速度)的控制来形成第二无机层iol2(参考图5)。因此，可以降低制造成本(和设备成本)，并且可以简化制造工艺。由于根据本公开的实施方式的第一无机层iol1、第二无机层iol2和第三无机层iol3可以包括相同的材料(并且可以通过化学反应相互联接)，因此可不发生诸如剥离的缺陷。
217.第三无机层iol3_c可以设置在有机层ol上，并且可以防止湿气渗入到有机层ol中。例如，第三无机层iol3_c可以与第一无机层iol1执行相同的功能。因此，第三无机层iol3_c可以具有与第一无机层iol1的密度和/或折射率相同的密度和/或折射率。
218.尽管已经在上文中参考实施方式描述了本公开，但是本领域普通技术人员将理解，在不脱离本公开的精神的情况下，可以对实施方式进行各种修改和改变。
219.因此，本公开的技术范围不应限于具体实施方式中描述的内容，而应被解释为包括具体实施方式中描述的内容的修改。