1.一种一维铁磁体，其特征在于，包括二维石墨烯边缘碳和二维石墨烯边缘碳键合的非铁磁性金属原子。
2.根据权利要求1所述的一种一维铁磁体，其特征在于，所述非铁磁性金属原子为钼原子、铜原子、铝原子、镁原子或锌原子。
3.根据权利要求1或2所述的一种一维铁磁体，其特征在于，与所述非铁磁性金属原子键合的石墨烯为单层石墨烯、双层石墨烯或双层以上的二维石墨烯。
4.根据权利要求1-3任一项所述的一种一维铁磁体，其特征在于，所述石墨烯覆盖在基底上，非铁磁性金属薄膜覆盖部分所述石墨烯表面，所述非铁磁性金属薄膜覆盖的所述石墨烯至少被部分破坏。
5.根据权利要求1～3任一项所述的一种一维铁磁体，其特征在于，所述石墨烯为单层石墨烯，所述非铁磁性金属薄膜覆盖的所述石墨烯的拉曼光谱中的特征峰g峰和2d峰消失。
6.一种一维铁磁体的构建方法，其特征在于，包括步骤：
7.根据权利要求6所述的一种一维铁磁体的构建方法，其特征在于，所述构建方法还包括：去除所述掩蔽层。
8.根据权利要求6所述的一种一维铁磁体的构建方法，其特征在于，步骤s2具体包括：用磁控溅射产生的非铁磁性金属原子流轰击破坏所述掩蔽层外的石墨烯表面；
9.根据权利要求6所述的一种一维铁磁体的构建方法，其特征在于，所述磁控溅射的功率为150w～200w。
10.根据权利要求6所述的一种一维铁磁体的构建方法，其特征在于，步骤s1具体包括：
11.根据权利要求10所述的一种一维铁磁体的构建方法，其特征在于，
12.权利要求1-5所述的一维铁磁体或权利要求6-11任一项所述的构建方法制备得到的一维铁磁体在制备自旋器件中的应用。