一种电子设备的制作方法

文档序号:32120576发布日期:2022-11-09 06:55阅读:70来源:国知局
一种电子设备的制作方法

1.本技术涉及但不限于通信技术,尤指一种电子设备。


背景技术:

2.随着人们对通信需求的日益提高和科学技术的快速发展,5g通信技术得到了空前的重视与发展。在高速率数据传输的需求下,多输入多输出(mimo,multiple input multiple output)技术越来越受到人们重视,mimo无线通信技术已成为通信领域研究的重要课题。其核心思想是在传统通信系统的基础之上,在发射端使用多个天线,同时使用多个天线接收信号,充分利用无线信道的多径传播,依靠增加的空间自由度来提高信号的传输速率,接收质量和频谱利用率,且在带宽一定的情况下,可以成倍增加传输速率。
3.一般,频率越低包络相关系数(ecc,envelope correlation coefficient)越大,因此,如何降低低频频段(lb)天线间的ecc是一个亟需解决的问题。


技术实现要素:

4.本技术提供一种电子设备,能够降低lb天线间的ecc,改善信道容量,提升数据传输速度。
5.本技术实施例提供一种电子设备,包括:
6.依次连接的第一侧边、第二侧边、第三侧边和第四侧边,其中,所述第一侧边与所述第三侧边相对,所述第二侧边与所述第四侧边相对;
7.用于支持第一频段的第一低频天线,包括第一辐射体和第一馈源,所述第一辐射体设置于所述第一侧边,且具有第一接地端和第一自由端,所述第一接地端接地,所述第一接地端和所述第一自由端之间设置有电连接所述第一馈源的第一馈电点,所述第一自由端指向所述第四侧边;
8.用于支持第二频段的第二低频天线,包括第二辐射体和第二馈源,所述第二辐射体至少部分设置于所述第二侧边,且具有第二接地端和第二自由端,所述第二接地端接地,所述第二接地端和所述第二自由端之间设置有电连接所述第二馈源的第二馈电点,所述第二自由端指向所述第三侧边;
9.用于支持第三频段的第三低频天线,包括第三辐射体和第三馈源,所述第三辐射体至少部分设置与所述第三侧边,且具有第三接地端和第三自由端,所述第三接地端接地,所述第三接地端和所述第三自由端之间设置有电连接所述第三馈源的第三馈电点;所述第三自由端指向所述第四侧边;和
10.用于支持第四频段的第四低频天线,包括第四辐射体和第四馈源,所述第四辐射体设置于所述第四侧边,且具有第四接地端和第四自由端,所述第四接地端接地,所述第四接地端和所述第四自由端之间设置有电连接所述第四馈源的第四馈电点;所述第四自由端指向所述第三侧边;
11.其中,在平行于所述第一侧边的方向上,所述第三辐射体相对于所述第一辐射体
更靠近所述第二侧边,在平行于所述第二侧边的方向上,所述第四辐射体相对于所述第二辐射体更靠近所述第三侧边。
12.本技术实施例提供的包括四支低频天线的电子设备,其四支低频天线构成一种超低ecc四低频天线系统,大大降低了lb天线间的ecc,降低了mimo天线的ecc,提升了mimo系统的吞吐率,从而改善了信道容量,提升了数据传输速度。而且,4支lb天线分布在电子设备的四个侧边,对于电子设备的各种手持状态都保持了至少有2支lb天线握不死,使得电子设备保持了良好的通信性能,从而提升了用户体验。
13.本技术实施例还提供一种电子设备,包括:
14.依次连接的第一侧边、第二侧边、第三侧边和第四侧边,其中,所述第一侧边与所述第三侧边相对,所述第二侧边与所述第四侧边相对;
15.第一低频天线,设置于所述第一侧边,并形成第一辐射开口,所述第一辐射开口朝向所述第四侧边;
16.第二低频天线,设置于所述第二侧边,并形成第二辐射开口,所述第二辐射开口朝向所述第三侧边;
17.第三低频天线,设置于所述第三侧边,并形成第三辐射开口,所述第三辐射开口朝向所述第四侧边;和
18.第四低频天线,设置于所述第四侧边,并形成第四辐射开口,所述第四辐射开口朝向所述第三侧边;
19.其中,在平行于所述第一侧边的方向上,所述第三低频天线相对于所述低频天线更靠近所述第二侧边,在平行于所述第二侧边的方向上,所述第四低频天线相对于所述第二低频天线更靠近所述第三侧边。
20.本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述,并且,部分地从说明书中变得显而易见,或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
21.附图用来提供对本技术技术方案的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本技术的实施例一起用于解释本技术的技术方案,并不构成对本技术技术方案的限制。
22.图1为本技术实施例提供的一种电子设备的结构示意图;
23.图2为图1提供的一种电子设备的结构分解示意图;
24.图3为本技术实施例中电子设备的第一实施例的组成结构示意图;
25.图4为本技术实施例中电子设备的第二实施例的组成结构示意图;
26.图5为本技术实施例中电子设备的第三实施例的组成结构示意图;
27.图6为本技术实施例中电子设备的第四实施例的组成结构示意图;
28.图7为本技术实施例中电子设备的第五实施例的组成结构示意图;
29.图8为本技术第五实施例中电子设备包括的天线组件的四支低频天线的频率响应曲线示意图;
30.图9为本技术第五实施例中电子设备包括的天线组件的四支低频天线间的ecc曲线示意图;
31.图10为本技术实施例中电子设备包括的天线组件的第六实施例的组成结构示意图;
32.图11为本技术实施例中电子设备包括的天线组件的第七实施例的组成结构示意图。
具体实施方式
33.为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白,下文中将结合附图对本技术的实施例进行详细说明。需要说明的是,在不冲突的情况下,本技术中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
34.为了便于理解本技术,下面将参照相关附图对本技术进行更全面的描述。附图中给出了本技术的实施例。但是,本技术可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施例。相反地,提供这些实施例的目的是使本技术的公开内容更加透彻全面。
35.除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制本技术。
36.可以理解,本技术所使用的术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或隐含地包括至少一个该特征。在本技术的描述中,“多个”的含义是至少两个,例如两个、三个等,除非另有明确具体的限定。
37.可以理解,以下实施例中的“连接”,如果被连接的电路、模块、单元等相互之间具有电信号或数据的传递,则应理解为“电连接”、“通信连接”等。
38.在此使用时,单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也可以包括复数形式,除非上下文清楚指出另外的方式。还应当理解的是,术语“包括/包含”或“具有”等指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的存在,但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的可能性。同时,在本说明书中使用的术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
39.图1为本技术实施例提供的一种电子设备1000的结构示意图。电子设备1000可以为电话、电视、平板电脑、手机、照相机、个人计算机、笔记本电脑、车载设备、耳机、手表、可穿戴设备、基站、车载雷达、客户前置设备(cpe,customer premise equipment)等能够收发电磁波信号的设备。以电子设备1000为手机为例,为了便于描述,以电子设备1000处于第一视角为参照进行定义,电子设备1000的宽度方向定义为x向,电子设备1000的长度方向定义为y向,电子设备1000的厚度方向定义为z向。箭头所指示的方向为正向。电子设备1000包括相对设置的第一侧边401和第二侧边402,以及连接于第一侧边401与第二侧边402之间的第三侧边403、第四侧边404。其中,第一侧边401、第三侧边403在y向上,为一对长边,第二侧边402和第四侧边404在x向上,为一对短边。需要说明的是,图1是以电子设备1000为矩形为例进行说明的,在其他实施方式中,电子设备1000还可以呈梯形、菱形或其他形状等。
40.图2为图1提供的电子设备的分解示意图,结合图1、图2所示,本技术实施例提供的电子设备1000包括显示屏300及与显示屏300相盖合的壳体500。壳体500包括相互盖合的中框501和后盖502。后盖502位于中框501背离显示屏300的一侧。中框501包括中板及围接于
中板周侧的边框。中板上用于安装主板200、电池400等电子元件。显示屏300的边缘、边框及后盖502依次连接。其中,边框与后盖502可一体成型。电子设备1000还包括天线组件600。天线组件600的至少部分设于电子设备1000的主板200上或电连接电子设备1000的主板200。天线组件100用于收发射频信号,以实现电子设备1000的通讯功能。需要说明的是,图2中的天线组件100的设置位置仅仅是一个图示示例,并不用于限定本技术实施例提供的电子设备中的天线组件的设置位置,更不用于限定本技术的保护范围。
41.mimo系统依赖于接收信号之间的独立性来实现空间分集,较低的包络相关系数(ecc,envelope correlation coefficient)反映信号之间的低相关性,ecc越低信道容量越好,数据传输速度越快。为了降低lb天线间的ecc,结合图1、图2,本技术实施例提供一种电子设备,如图3所示,电子设备1000至少包括:依次连接的第一侧边401、第二侧边402、第三侧边403和第四侧边404,其中,第一侧边401与第三侧边403相对设置,第二侧边402与第四侧边404相对设置;电子设备1000还包括:
42.用于支持第一频段的第一低频天线10,第一低频天线10包括第一辐射体100和第一馈源s1,第一辐射体100设置于第一侧边401,且第一辐射体100具有第一接地端1012和第一自由端1011,第一接地端1012接地,第一接地端1012和第一自由端1011之间设置有电连接第一馈源s1的第一馈电点;第一自由端1011指向第四侧边404;
43.用于支持第二频段的第二低频天线20,第二低频天线20包括第二辐射体200和第二馈源s2,第二辐射体200至少部分设置于第二侧边402,且第二辐射体200具有第二接地端2012和第二自由端2011,第二接地端2012接地,第二接地端2012和第二自由端2011之间设置有电连接第二馈源s2的第二馈电点;第二自由端2011指向第三侧边403;
44.用于支持第三频段的第三低频天线30,第三低频天线30包括第三辐射体300和第三馈源s3,第三辐射体300至少部分设置于第三侧边403,且第三辐射体300具有第三接地端3012和第三自由端3011,第三接地端3012接地,第三接地端3012和第三自由端3011之间设置有电连接第三馈源s3的第三馈电点;第三自由端3011指向第四侧边404;
45.用于支持第四频段的第四低频天线40,第四低频天线40包括第四辐射体400和第四馈源s4,第四辐射体400设置于第四侧边404,且第四辐射体400具有第四接地端4012和第四自由端4011,第四接地端4012接地,第四接地端4012和第四自由端4011之间设置有电连接第四馈源s4的第四馈电点;第四自由端4011指向第三侧边403;
46.其中,在平行于第一侧边401的方向上,第三辐射体300相对于第一辐射体100更靠近第二侧边402,在平行于第二侧边402的方向上,第四辐射体400相对于第二辐射体200更靠近第三侧边403。
47.本技术实施例提供的电子设备,该电站设备包括的四支低频天线构成一种超低ecc四低频天线系统,大大降低了lb天线间的ecc,降低了mimo天线的ecc,提升了mimo系统的吞吐率,从而改善了信道容量,提升了数据传输速度。而且,4支lb天线分布在电子设备的四个侧边,对于电子设备的各种手持状态都保持了至少有2支lb天线握不死,使得电子设备保持了良好的通信性能,从而提升了用户体验。
48.在一种实施例中,如图3所示,本实施例中,第一低频天线10位于电子设备1000的第一侧边401,第二低频天线20位于电子设备1000的第二侧边402,第三低频天线30位于电子设备1000的第三侧边403,第四低频天线40位于电子设备1000的第四侧边404。如图3所
示,第一低频天线10的第一自由端1011指向第四低频天线40所在的第四侧边404,第二低频天线20的第二自由端2011指向第三低频天线30所在的第三侧边403,第三低频天线30的第三自由端3011指向第四低频天线40所在的第四侧边404,第四低频天线40的第四自由端4011指向第三低频天线30所在的第三侧边403。需要说明的是,这里仅仅是对四支低频天线的位置关系的一些示例说明,并不用于限定四支低频天线的位置关系,也不用于限定本技术的保护范围。
49.在一种示例性实例中,如图3所示,第一低频天线10位于电子设备1000的第一侧边401的大约中部的位置,第二低频天线20位于电子设备1000的第二侧边402且靠近第二侧边402与第一侧边401连接的拐角处,第三低频天线30位于电子设备1000的第三侧边403且靠近第三侧边403与第二侧边402连接的拐角处,第四低频天线40位于电子设备1000的第四侧边404且靠近第四侧边404与第三侧边403连接的拐角处。
50.在一种实施例中,结合图1,图4是图3所示天线架构布局的x轴方向的镜像架构,如图4所示,本实施例中,第一低频天线10位于电子设备1000的第三侧边403,第二低频天线20位于电子设备1000的第二侧边402,第三低频天线30位于电子设备1000的第一侧边401,第四低频天线40位于电子设备1000的第四侧边404。如图4所示,第一低频天线10的第一自由端1011指向第四低频天线40所在的第四侧边404,第二低频天线20的第二自由端2011指向第三低频天线30所在的第三侧边403,第三低频天线30的第三自由端3011指向第四低频天线40所在的第四侧边404,第四低频天线40的第四自由端4011指向第三低频天线30所在的第三侧边403。需要说明的是,这里仅仅是对四支低频天线的位置关系的一些示例说明,并不用于限定四支低频天线的位置关系,也不用于限定本技术的保护范围。
51.在一种示例性实例中,如图5所示,第二低频天线20的第二接地端2012位于第一侧边401。也就是说,第二低频天线20位于第一侧边401和第二侧边402连接的拐角处,如图5所示,第二低频天线20的部分位于第二侧边402,第二低频天线20的另一部分位于第一侧边401,而且,第二低频天线20的第二接地端2012位于第一低频天线10所在的第一侧边401,也就是说,第二低频天线20的第二接地端2012靠近第一低频天线10的第一接地端1012,第二低频天线20的第二接地端2012远离第一低频天线10的第一自由端1011。这样,对于同一侧边上存在两个lb天线辐射体的情况,如图5中设置在第一侧边401上的第一低频天线10和部分第二低频天线20,第一低频天线10和第二低频天线20的自由端不相对,而且第一低频天线10和第二低频天线20的接地端相对,在第二低频天线20上形成了如图5中粗虚线所示的电流路径,也就是说,第二低频天线20用于产生第二接地端2012(即gnd2)到第二自由端2011的1/8~1/4波长模式,增强了第一低频天线10和第二低频天线20在空间上的隔离,从而改善了第一低频天线10和第二低频天线20间的ecc。
52.在一种示例性实例中,如图6所示,第三低频天线30的第三接地端3012位于第二低频天线20所在的第二侧边402。也就是说,第三低频天线30位于第二侧边402和第三侧边403连接的拐角处,如图5所示,第三低频天线30的部分位于第三侧边403,第三低频天线30的另一部分位于第二侧边402,而且,第三低频天线30的第三接地端3012位于第二低频天线20所在的第二侧边402,也就是说,第三低频天线30的第三接地端3012靠近第二低频天线20的第一自由端2011,第三低频天线30的第三接地端3012远离第二低频天线20的第二接地端2012。
53.在一种示例性实例中,如图7所示,第二低频天线20的第二接地端2012位于第一低频天线10所在的第一侧边401,第三低频天线30的第三接地端3012位于第二低频天线20所在的第二侧边402。
54.需要说明的是,图5、图6和图7所示天线架构布局同样可以采用其x轴方向的镜像架构,本领域技术人员按照本技术实施例中上述图4和图3的关系是容易理解的,这里不再赘述。
55.在一种示例性实例中,本技术电子设备包括的四支lb天线的自由端(或称为开口)不相对设置,如果要相对(相互垂直的口径相对也算相对)设置,那么,需要保证自由端(或称为开口)相对设置的lb天线之间的距离足够远,比如图3~图7中的第三低频天线30和第四低频天线40,开口虽然相对设置,但是本技术实施例中通过保证第三低频天线30和第四低频天线40间的距离足够远,比如该距离大于预设距离阈值,也是可以使得ecc满足要求的。但是,要是将第四低频天线40的开口朝向电子设备的第一侧边401,那么,会导致第四低频天线40和第一低频天线10之间的距离过近而会影响ecc。
56.在一种示例性实例中,如图3、图5~图7所示,第四低频天线40靠近第四侧边404与第三侧边403的连接处设置。在一种示例性实例中,如图4所示,第四低频天线40靠近第四侧边404与第一侧边401的连接处设置。
57.在一种示例性实例中,第一辐射体100的第一接地端1012可以采用以下任意一种方式接地:直接接地,或者串接低阻抗的小电感如1nh电感后接地,或者串接大电容如100pf电容接地。
58.在一种示例性实例中,第二辐射体200的第二接地端2012可以采用以下任意一种方式接地:直接接地,或者串接低阻抗的小电感如1nh电感后接地,或者串接大电容如100pf电容接地。第二低频天线20的第二接地端2012接地(即gnd2)使其形成如图5粗虚线所示的电流路径,也就是说,形成了第二接地端2012(即gnd2)到第二自由端2011的1/8~1/4波长模式,从而进一步改善了第一低频天线10与第二低频天线间的ecc。
59.在一种示例性实例中,第三辐射体300的第三接地端3012可以采用以下任意一种方式接地:直接接地,或者串接低阻抗的小电感如1nh电感后接地,或者串接大电容如100pf电容接地。
60.在一种示例性实例中,第四辐射体400的第二接地端4012可以采用以下任意一种方式接地:直接接地,或者串接低阻抗的小电感如1nh电感后接地,或者串接大电容如100pf电容接地。
61.在一种示例性实例中,第一馈源s1可以电连接至第一辐射体100的第一接地端1012和第一自由端1011之间的任意位置,也就是说,第一馈电点可以位于第一辐射体100的第一接地端1012和第一自由端1011之间的任意位置,比如:第一馈电点靠近第一接地端1012,可以采用低阻抗馈方式;再如:第一馈电点靠近第一自由端1011,可以采用高阻抗馈方式,又如:第一馈电点位于第一辐射体100的第一接地端1012和第一自由端1011之间的其他任意位置,都能激励起第一接地端1012到第一自由端1011的1/8~1/4波长模式,也就是说,第一低频天线10用于产生第一接地端1012到第一自由端1011的1/8~1/4波长模式。实际馈的位置可以根据电子设备1000的主板与小板的堆叠来确定。
62.在一种示例性实例中,第二馈源s2可以电连接至第二辐射体200的第二接地端
2012和第二自由端2011之间的任意位置,也就是说,第二馈电点可以位于第二辐射体200的第二接地端2012和第二自由端2011之间的任意位置,比如:第二馈电点靠近第二接地端2012,可以采用低阻抗馈方式;再如:第二馈电点靠近第二自由端2011,可以采用高阻抗馈方式,又如:第二馈电点位于第二辐射体200的第二接地端2012和第二自由端2011之间的其他任意位置,都能激励起第二接地端2012到第二自由端2011的1/8~1/4波长模式,也就是说,第二低频天线20用于产生第二接地端2012到第二自由端2011的1/8~1/4波长模式。实际馈的位置可以根据电子设备1000的主板与小板的堆叠来确定。
63.在一种示例性实例中,第三馈源s3可以电连接至第三辐射体300的第三接地端3012和第三自由端3011之间的任意位置,也就是说,第三馈电点可以位于第三辐射体300的第三接地端3012和第三自由端3011之间的任意位置,比如:第三馈电点靠近第三接地端3012,可以采用低阻抗馈方式;再如:第三馈电点靠近第三自由端3011,可以采用高阻抗馈方式,又如:第三馈电点位于第三辐射体300的第三接地端3012和第三自由端3011之间的其他任意位置,都能激励起第三接地端3012到第三自由端3011的1/8~1/4波长模式,也就是说,第三低频天线30用于产生第三接地端3012到第三自由端3011的1/8~1/4波长模式。实际馈的位置可以根据电子设备1000的主板与小板的堆叠来确定。
64.在一种示例性实例中,第四馈源s4可以电连接至第四辐射体400的第四接地端4012和第四自由端4011之间的任意位置,也就是说,第四馈电点可以位于第四辐射体400的第四接地端4012和第四自由端4011之间的任意位置,比如:第四馈电点靠近第四接地端4012,可以采用低阻抗馈方式,再如:第四馈电点靠近第四自由端4011,可以采用高阻抗馈方式,又如:第四馈电点位于第四辐射体400的第四接地端4012和第四自由端4011之间的其他任意位置,都能激励起第四接地端4012到第四自由端4011的1/8~1/4波长模式,也就是说,第四低频天线40用于产生第四接地端4012到第四自由端4011的1/8~1/4波长模式。实际馈的位置可以根据电子设备1000的主板与小板的堆叠来确定。
65.在一种示例性实例中,第一频段、第二频段、第三频段和第四频段可以相同,也可以不同,还可以部分相同部分不同。在一种实施例中,各个频段可以为4g低频频段或5g低频频段。在一种实施例中,第一频段、第二频段、第三频段和第四频段为n28频段或n71频段或n8频段等。
66.在一种示例性实例中,本技术实施例提供的电子设备包括四支低频天线,四支低频天线可以组成lb+lb的endc组合,比如b20+n28组合、b20+n8组合、b28+n8组合等,其中,两支天线工作在lte频段,另外两支天线工作在nr频段。其中,endc是eutra nr dual-connectivity的缩写,e表示e-utra,属于3gpp lte的空中界面,是3gpp的第八版本;n表示n radio5g;d表示lte和5g双连接。endc可以理解为4g和5g双连接的相互兼容。
67.在一种示例性实例中,本技术实施例提供的电子设备包括四支低频天线,两支低频天线工作在第一nr频段,另外两支低频天线工作在第二nr频段。以应用于5g双卡双通为例,第一nr频段为n8频段,第二nr频段为n28频段,也就是说,其中两支低频天线工作在n8频段,另外两支低频天线工作在n28频段。
68.图8为本技术第五实施例中电子设备的四支低频天线的频率响应曲线示意图,如图8所示,横坐标表示频率(单位ghz),纵坐标表示回波损耗特性(单位为db),本实施例中,以第一频段、第二频段、第三频段和第四频段均为n28频段为例,曲线121~曲线124为第一
低频天线10、第二低频天线20、第三低频天线30和第四低频天线40的反射系数曲线,四条曲线基本重合,虚线所示曲线表示四支低频天线之间的隔离度曲线,从图8可以看出,四支低频天线之间的隔离度均小于-13db,也就是说,本技术实施例提供的电子设备包括的四支低频天线空间相关性优异。如图9所示,横坐标表示频率(单位ghz),纵坐标表示ecc,图9中,曲线912表示ant0与ant1之间的ecc,曲线913表示ant0与ant2之间的ecc,曲线914表示ant0与ant3之间的ecc,曲线923表示ant1与ant2之间的ecc,曲线924表示ant1与ant3之间的ecc,曲线934表示ant2与ant3之间的ecc,从图9可见,本技术实施例提供的电子设备包括的天线组件中,ant0与ant3之间的ecc间的ecc,以及ant1与ant3之间的ecc在整个低频全频段都小于0.5。其中,ant0对应图7中的第一低频天线10,ant1对应图7中的第二低频天线20,ant2对应图7中的第四低频天线40,ant4对应图7中的第三低频天线30。在n28接收频段(758mhz~803mhz),四支低频天线间的ecc全频段都小于0.5。即使是在大于758mhz的lb频段,如n28、n5、n8、b28、b20、b5、b8频段,整个频段都有较低的ecc。
69.本技术实施例提供的电子设备所包括的四支低频天线是一种超低ecc四低频天线系统,大大降低了lb天线间的ecc,降低了mimo天线的ecc,提升了mimo系统的吞吐率,从而改善了信道容量,提升了数据传输速度。而且,4支lb天线分布在电子设备的四个侧边,对于电子设备的各种手持状态都保持了至少有2支lb天线握不死,使得电子设备保持了良好的通信性能,从而提升了用户体验。
70.在一种示例性实例中,本技术实施例提供的电子设备还可以包括gps-l5频段天线50。如图10所示,gps-l5频段天线50可以包括第五辐射体500,第五辐射体500具有第五接地端5012和第五自由端5011,第五辐射体500的第五接地端5012接地,第五辐射体500的第五接地端5012和第五辐射体500的第五自由端5011之间设置有电连接第五馈源s5的第五馈电点;第五辐射体500的第五接地端5012位于第一低频天线10所在第一侧边401,第五辐射体500的第五自由端5011位于第四低频天线40所在第四侧边404,也就是说,gps-l5频段天线50位于第四侧边404和第一侧边401连接的拐角处。需要说明的是,图10所示天线架构布局同样可以采用其x轴方向的镜像架构,本领域技术人员按照本技术实施例中上述图4和图3的关系是容易理解的,这里不再赘述。
71.在一种示例性实例中,本技术实施例提供的电子设备还可以包括设置在第三低频天线30所在侧边的gps-l5频段天线50。如图11所示,gps-l5频段天线50可以包括第五辐射体500,第五辐射体500具有第五接地端5012和第五自由端5011,第五辐射体500的第五接地端5012接地,第五辐射体500的第五接地端5012和第五辐射体500的第五自由端5011之间设置有电连接第五馈源s5的第五馈电点;gps-l5频段天线50与第三低频天线30位于电子设备1000的同一侧(如本实施例中的第三侧边403),第五辐射体500的第五自由端5011指向第四低频天线40所在侧边(如本实施例中得第四侧边404),第五辐射体500的第五接地端5012靠近第三低频天线30的第三自由端3011,第五辐射体500的第五自由端5011远离第三低频天线30的第三自由端3011。需要说明的是,图11所示天线架构布局同样可以采用其x轴方向的镜像架构,本领域技术人员按照本技术实施例中上述图4和图3的关系是容易理解的,这里不再赘述。
72.gps-l5频段的频率较低,接近低频,通过图10、图11所示的电子设备的实施例,使得4支低频天线与gps-l5天线共存。
73.本技术实施例还提供一种电子设备,至少包括:依次连接的第一侧边401、第二侧边402、第三侧边403和第四侧边404,其中,第一侧边401与第三侧边403相对设置,第二侧边402与第四侧边404相对设置;电子设备1000还包括:
74.第一低频天线10,设置于第一侧边401,并形成第一辐射开口,第一辐射开口朝向第四侧边404;
75.第二低频天线20,设置于第二侧边402,并形成第二辐射开口,第二辐射开口朝向第三侧边403;
76.第三低频天线30,设置于第三侧边403,并形成第三辐射开口,第三辐射开口朝向第四侧边404;以及,
77.第四低频天线40,设置于第四侧边404,并形成第四辐射开口,第四辐射开口朝向第三侧边401;
78.其中,在平行于第一侧边401的方向上,第三辐射体300相对于第一辐射体100更靠近第二侧边402,在平行于第二侧边402的方向上,第四辐射体400相对于第二辐射体200更靠近第三侧边403。
79.在一种示例性实例中,辐射开口又称为天线的辐射口径,辐射开口的方向与辐射体的自由端的朝向相同。在一种实施例中,第一辐射开口的方向与第一自由端1011的朝向相同。在一种实施例中,第二辐射开口的方向与第二自由端2011的朝向相同。在一种实施例中,第三辐射开口的方向与第三自由端3011的朝向相同。在一种实施例中,第四辐射开口的方向与第四自由端4011的朝向相同。
80.虽然本技术所揭露的实施方式如上,但所述的内容仅为便于理解本技术而采用的实施方式,并非用以限定本技术。任何本技术所属领域内的技术人员,在不脱离本技术所揭露的精神和范围的前提下,可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化,但本技术的专利保护范围,仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。
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